2013年4月15 日消息，曾經有客戶希望臺積電的工藝更新換代步伐能夠放緩一些，但無論從技術還是從商業(yè)角度講，臺積電顯然都不可能這么做，甚至還要加快速度，已經決定將16nm FinFET工藝的試產時間從2014年提前到2013年底，并且希望能在2015年底用極紫外光刻技術制造10nm的芯片。

臺積電此舉顯然是為了應付GlobalFoundries、三星電子的激烈競爭，這兩家代工廠都已經宣布很快就會上馬FinFET立體晶體管技術。

臺積電原計劃在2014年底到2015年初量產16nm，現在看起來明年年中就有可能提前實現，但具體還要取決于試產的良品率成果。

臺積電首席技術官孫元成(Jack Sun)表示：“我們對16nm FinFET工藝在明年的黃金時代(量產)充滿信心?！?/p>

他還披露，16nm目前正在使用128Mb SRAM進行測試，核心電壓0.8V，I/O電壓1.8V，良品率“超出預期”。標準單元、內存單元等基礎性IP都已經做好了準備，但是關鍵內部模塊的測試要到6月份才會開始。

有趣的是，就在不久前，Imagination剛剛宣布和臺積電達成進一步的戰(zhàn)略合作伙伴關系，PowerVR 6系列移動GPU未來會使用臺積電的16nm FinFET工藝生產，而幾乎同時，ARM和臺積電也聯合宣布，64-bit ARMv8架構的Cortex-A57芯片已經成功完成了第一次流片，所用工藝正好也是臺積電的16nm FinFET。這顯然給了臺積電十足的動力去提速。

臺積電估計，64-bit ARMv8核心在16nm工藝上的性能將比28nm 32-bit ARM A9高出多達90%，而相比之下20nm A15核心只能提速大約40%。