文|德特威勒電纜系統(tǒng)(上海)有限公司 鄔金龍
綜合布線系統(tǒng)中光纖鏈路的現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試一般可以從這幾個(gè)萬面考慮:設(shè)備的連通性、跳線系統(tǒng)是否有效以及通信線路的指標(biāo)數(shù)據(jù)等,而通信線路的指標(biāo)數(shù)據(jù)一般得借助專業(yè)工具進(jìn)行,目前在工程中常用的是光時(shí)域反射損耗測(cè)試儀(OTDR)。下面就光時(shí)域反射損耗測(cè)試儀(OTDR)的功能、參數(shù)設(shè)置、檢測(cè)方法以及曲線分析做簡(jiǎn)單的介紹。
光時(shí)域反射損耗測(cè)試儀OTDR的功能包括:測(cè)試光纖的長(zhǎng)度、測(cè)試光纖的衰減系數(shù)(波長(zhǎng) 850nm、1310nm、1550nm、1625nm)、測(cè)試光纖的接頭損耗、測(cè)試光纖的衰減均勻性、測(cè)試光纖可能有的異常情況(如有臺(tái)階,曲線異常等)、測(cè)試光纖的回波損耗、測(cè)試光纖的背向散射。
(1)測(cè)試波長(zhǎng)
對(duì)于多模光纖,選擇850nm或1300nm;而單模則選擇1310nm或1550nm。
(2)OTDR的光纖的折射率(IOR)
折射率=真空中的光速/光脈沖在光纖中的速度;
設(shè)置OTDR上光纖的雙窗口的折射率因根據(jù)各廠家提供的數(shù)據(jù),每種光纖其折射率是不同的,光纖n的典型值在1.45~1.55之間。單模光纖的折射率基本在1.460~1.4800范圍內(nèi),如G.652單模光纖,在實(shí)際測(cè)試時(shí),若在1310nm波長(zhǎng)下,折射率一般選擇1.468;若在1550 nm波長(zhǎng)下,折射率一般選擇1.4685。OTDR所測(cè)光纖長(zhǎng)度跟設(shè)置的折射率有關(guān);對(duì)同一光纖所設(shè)置的折射率越大所測(cè)光纖長(zhǎng)度越短,反之所測(cè)光纖長(zhǎng)度則越長(zhǎng)。
OTDR 上顯示的距離:
此次我們?cè)谀彻S所檢測(cè)的光纜主要是室內(nèi)型單模零水峰光纖,它的光纖折射率n為:
(3)OTDR測(cè)試量程
OTDR所設(shè)量程必須是所要測(cè)試光纖長(zhǎng)度1.5~2倍。量程過小,光時(shí)域反射損耗測(cè)試儀的顯示屏上看不全面,選擇過大,則顯示屏上橫坐標(biāo)壓縮得看不清楚。根據(jù)工程經(jīng)驗(yàn),測(cè)試量程選擇能使背向散射曲線大約占OTDR顯示屏的70%時(shí)為宜。
(4)OTDR的測(cè)試脈寬
原則:長(zhǎng)距離用長(zhǎng)脈寬,短距離用小脈寬。一定光纖長(zhǎng)度必須選用相對(duì)應(yīng),長(zhǎng)脈寬平均化時(shí)間短,但OTDR分辨率低,光纖存在的細(xì)小的異常情況(如小臺(tái)階等)不易發(fā)現(xiàn)。
長(zhǎng)脈沖寬度:動(dòng)態(tài)范圍較高但是死區(qū)較長(zhǎng),為減小噪聲并檢測(cè)遠(yuǎn)處的事件應(yīng)增加脈沖寬度,如圖1所示。
短脈沖寬度:分辨率較高但是有更多的噪聲,為縮短死區(qū)并清楚地分離接近的事件應(yīng)減小脈沖寬度,如圖2所示。兩者必須有機(jī)結(jié)合,合理配置。
典型值包括:5ns/10ns/30ns/100ns/300ns/1μs短鏈路和100ns / 300ns / 1μs / 3μs / 1 0μs長(zhǎng)鏈路。
(5)平均化時(shí)間的選擇
由于背向散射光信號(hào)極其微弱,一般采用多次統(tǒng)計(jì)平均的方法來提高信噪比。OTDR測(cè)試曲線是將每次輸出脈沖后的反射信號(hào)采樣,并把多次采樣做平均化處理以消除隨機(jī)事件,平均化時(shí)間越長(zhǎng),噪聲電平越接近最小值,動(dòng)態(tài)范圍就越大。平均化時(shí)間為3min獲得的動(dòng)態(tài)范圍比平均化時(shí)間為1min獲得的動(dòng)態(tài)范圍提高0.8dB。
一般來說平均化時(shí)間越長(zhǎng),測(cè)試精度越高。為了提高測(cè)試速度,縮短整體測(cè)試時(shí)間,測(cè)試時(shí)間可在0.5~3min內(nèi)選擇。
在光纖通信接續(xù)測(cè)試中,選擇1.5min就可獲得滿意的效果。
OTDR測(cè)試可以分為三種常見方式。
(1)不使用發(fā)射與接收光纜的驗(yàn)收測(cè)試如圖3所示。
圖3 不使用發(fā)射與接收光纜的驗(yàn)收測(cè)試
此種測(cè)試方式可以測(cè)試被測(cè)光纜,但是由于被測(cè)光纜的前、后端沒有連接發(fā)射光纜,前、后的連接器不能被測(cè)試。在這種情況下,不能提供一個(gè)參考的后向散射信號(hào)。因此,不能確定端點(diǎn)連接器點(diǎn)的損耗。
為了解決這一問題,在OTDR的發(fā)射位置(前端)以及被測(cè)光纖的接收位置(遠(yuǎn)端)處加上一段光纜。
(2)使用發(fā)射與接收光纜的驗(yàn)收測(cè)試,如圖4 所示。
圖4 使用發(fā)射與接收光纜的驗(yàn)收測(cè)試
此種方式由于加上了發(fā)射與接收光纜,可以測(cè)試被測(cè)光纜的整條鏈路,以及所有的連接點(diǎn)。發(fā)射光纜的長(zhǎng)度:多模測(cè)試通常在300m~500m之間;單模測(cè)試通常在1000m~2000m之間。非常重要的一點(diǎn)是發(fā)射與接收光纜應(yīng)該與被測(cè)光纜相匹配(類型、芯徑等)。
(3)使用發(fā)射與接收光纜的環(huán)回測(cè)試,如圖5所示。
此種方式可以測(cè)試被測(cè)光纜的整條鏈路,以及所有的連接點(diǎn)。
由于采用環(huán)回測(cè)量方法,技術(shù)人員僅需要一臺(tái)OTDR用于雙向OTDR 測(cè)量。在光纖的一端(近端)執(zhí)行OTDR數(shù)據(jù)讀取。一次可以同時(shí)測(cè)試兩根光纜,所有數(shù)據(jù)讀取時(shí)間被減為二分之一。
圖5 使用發(fā)射與接收光纜的環(huán)回測(cè)試
測(cè)試人員需要兩人,一人在近端OTDR位置,另一人位于光纜另一端,采用跳線或者發(fā)射光纜將測(cè)試的兩根光纜鏈路進(jìn)行連接。對(duì)光纖接續(xù)進(jìn)行監(jiān)測(cè)時(shí)由于增加了環(huán)回點(diǎn),所以能在OTDR上測(cè)出接續(xù)衰耗的雙向值。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是能準(zhǔn)確評(píng)估接頭的好壞。
由于測(cè)試原理和光纖結(jié)構(gòu)上的原因,用OTDR單向監(jiān)測(cè)會(huì)出現(xiàn)虛假增益的現(xiàn)象,相應(yīng)地也會(huì)出現(xiàn)虛假大衰耗現(xiàn)象。對(duì)一個(gè)光纖接頭來說,兩個(gè)方向衰減值的數(shù)學(xué)平均數(shù)才能準(zhǔn)確反映其真實(shí)的衰耗值。比如一個(gè)接頭從A到B測(cè)衰耗為0.16dB,從B到A測(cè)為-0.12dB,實(shí)際上此頭的衰耗為[0.16+(-0.12)]/2=0.02dB。
此次,我們采用的就是使用發(fā)射與接收光纜的環(huán)回測(cè)試,發(fā)射光纜采用1km左右的假纖。
(1)典型的OTDR 軌跡圖如圖6所示
(2)OTDR 能夠捕捉的事件
圖6
通常有兩種類型的事件:反射事件與非反射事件。
反射事件:出現(xiàn)于光纖中存在不連續(xù),引起折射指數(shù)的突然改變時(shí)。反射事件可以出現(xiàn)在斷點(diǎn)、連接器連接處、機(jī)械接頭或者光纖的不確定端點(diǎn)。對(duì)于反射事件,連接器損耗通常在0.5dB左右。對(duì)于機(jī)械接頭,損耗通常在0.1~0.2dB之間。
非反射事件:出現(xiàn)于光纖中沒有不連續(xù)點(diǎn)的位置上,且非反射事件通常是由于熔接損耗或者彎曲損耗,例如,宏彎曲所生成的。典型的損耗值范圍為0.02~0.1dB,取決于熔接設(shè)備與操作者。
(3)斜率
斜率的標(biāo)準(zhǔn)偏差dB/km取決于本地噪聲電平(與分布)和采用SLA方法的讀取點(diǎn)數(shù);典型的段損耗范圍對(duì)于1550nm為0.17~0.22dB/km,對(duì)于1310nm單模系統(tǒng)為0.30~0.35dB/km,對(duì)于1300nm多模系統(tǒng)為0.5~1.5dB/km,對(duì)于850nm系統(tǒng)為2~3.5dB/km。
(4)反射
一個(gè)連接器、斷點(diǎn)或者機(jī)械接頭處的反射量取決于光纖與光纖界面(另一個(gè)光纖、空氣或者折射指數(shù)匹配液)材料之間的折射指數(shù)之差,以及斷點(diǎn)或者連接器的幾何形狀(平的、角度的或者碎的)。這兩個(gè)因素能夠捕捉光纖纖芯內(nèi)不同數(shù)量的反射。
(5)盲區(qū)
在光纖測(cè)試過程中在存強(qiáng)反射時(shí),使得光電二極管飽和,光電二極管需要一定的時(shí)間從飽和狀態(tài)中恢復(fù),在這一時(shí)間內(nèi),它將不會(huì)精確地檢測(cè)后散射信號(hào),在這一過程中沒有被確定的光纖長(zhǎng)度稱為盲區(qū)。如圖7所示。
盲區(qū)一般表現(xiàn)為前端盲區(qū),為了解決這一問題,可以在測(cè)試光纜前加一條長(zhǎng)的測(cè)試光纖將此效應(yīng)減到最小。
盲區(qū)又可分衰減盲區(qū)和事件盲區(qū)。
衰減盲區(qū)如圖8所示。衰減盲區(qū)指的是自起始反射點(diǎn)到與背向散射曲線相差不超過±0.5dB處的距離。衰減盲區(qū)告訴我們測(cè)試光纖連接點(diǎn)到第一個(gè)可檢測(cè)接頭點(diǎn)之間的最短距離。
事件盲區(qū)如圖9所示。從反射事件的起始點(diǎn)到該事件峰值衰減 1.5dB點(diǎn)間的距離。事件盲區(qū)確定了兩個(gè)可區(qū)分的反射事件點(diǎn)間的最短距離(例如兩個(gè)連接器之間)。
圖9
(6)典型反射曲線
這條曲線包括各種常見現(xiàn)象,如圖10所示。
區(qū)域(a)即在A點(diǎn)至B點(diǎn)區(qū)域內(nèi),曲線斜率恒定:表明光纖在該區(qū)域的散射均勻一致。因此可獲得相應(yīng)的常數(shù)。在這種情況下,測(cè)量?jī)H從一端即可滿足要求。
圖10
區(qū)域(b)表示局部的損耗變化,主要由外部原因(如光纖接頭)和內(nèi)部原因光纖本身引起,在此情況下,進(jìn)行兩端測(cè)量,取平均值表示該接頭損耗。
區(qū)域(c)所示的不規(guī)則性由后向散射的劇烈增強(qiáng)所致,這種變化可能由外部測(cè)試原因二次反射余波(鬼影)產(chǎn)生能量疊加和內(nèi)部原因光纖本身缺陷(小裂紋)造成的,先必須確認(rèn)是何種原因,再采用兩端測(cè)量來測(cè)定這種不規(guī)則對(duì)衰減的影響。
區(qū)域(d)即后向散射曲線有時(shí)出現(xiàn)弓形彎曲。有內(nèi)部因素,一般是吸收損耗變化導(dǎo)致衰減變化。對(duì)于外部因素,可能與光纖受力增加有關(guān)。如何確定是何種因素,可對(duì)光纖或光纜施加外力或改變其溫度,如特性不變,是內(nèi)部因素,反之為外部因素。
區(qū)域(e)光纖的端點(diǎn)或任何的不連續(xù)點(diǎn)會(huì)產(chǎn)生菲涅爾反射或后向散射功率損耗(無菲涅爾反射),由此可測(cè)定這些端點(diǎn)或不連續(xù)點(diǎn)的位置。機(jī)械式接頭界面往往產(chǎn)生這種反射。
圖11所示的現(xiàn)象為光纖末端無菲涅爾反射峰,曲線斜率、衰減正常,無法確認(rèn)光纖長(zhǎng)度。原因:光纖末端面上比較臟或光纖端面質(zhì)量差;對(duì)策:清洗光纖末端面或重新做端面。
圖11
圖12所示的現(xiàn)象為曲線成明顯弓形,衰減嚴(yán)重偏大或偏小,無菲涅爾反射峰;原因:量程設(shè)置錯(cuò)誤(不足被測(cè)光纖長(zhǎng)度2倍以上);對(duì)策:增大量程。
圖12
圖13所示的現(xiàn)象是在曲線斜率恒定的曲線中間有一個(gè)“小山峰”(背向散射劇烈增強(qiáng)所致),原因有二,其一是光纖本身質(zhì)量原因(小裂紋);其二是二次反射余波在前端面產(chǎn)生反射;對(duì)策:在這種情況下改變光纖測(cè)試量程、脈寬、重新做端面,再測(cè)試如“小山峰”,消失則為原因2,如不消失則為原因1。
圖13
圖14所示的現(xiàn)象是在光纖連接器、耦合器、熔接點(diǎn)處產(chǎn)生一個(gè)明顯的增益;原因:模場(chǎng)直徑不匹配造成的;對(duì)策:測(cè)試衰減和接頭損耗必須雙向測(cè)試,取平均值。
圖14
圖15所示的現(xiàn)象是曲線斜率正常,光纖均勻性合格,但兩端光纖衰減系數(shù)相差很大;原因:模場(chǎng)不均勻造成,一般為光纖拉絲引頭和結(jié)尾部分;對(duì)策:測(cè)試衰減必須雙向測(cè)試,取平均值。
圖16所示的現(xiàn)象是整根光纖衰減合格,曲線大部分斜率均勻,但在菲涅爾反射峰前沿有一小凹陷;原因:末端幾米或幾十米光纖受側(cè)壓;對(duì)策:復(fù)繞觀察有無變化,無變化則剪掉。
圖17所示的現(xiàn)象是1310nm光纖曲線平滑,光纖衰減斜率基本不變,衰減指標(biāo)略微偏高;但1550nm光纖衰減斜率增加,衰減指標(biāo)偏高;原因:束管內(nèi)余長(zhǎng)過短,光纖受拉伸;對(duì)策:確認(rèn)束管內(nèi)的余長(zhǎng),增加束管內(nèi)的余長(zhǎng)。
圖17
圖18
圖18所示的現(xiàn)象是1310nm光纖曲線平滑,光纖衰減斜率基本正常,衰減指標(biāo)正常;但1550nm光纖衰減斜率嚴(yán)重不良,衰減指標(biāo)嚴(yán)重偏高;原因:束管內(nèi)余長(zhǎng)過長(zhǎng),光纖彎曲半徑過??;對(duì)策:確認(rèn)束管內(nèi)的余長(zhǎng),減少束管內(nèi)的余長(zhǎng)。
圖19所示現(xiàn)象是尾纖與過渡纖有部分曲線出現(xiàn)有規(guī)則的曲線不良,但被測(cè)光纖后半部分曲線正常,整根被測(cè)光纖衰減指標(biāo)基本正常;原因:一般是由設(shè)備本身和測(cè)試方法綜合造成的;對(duì)策:關(guān)機(jī),重新啟動(dòng),對(duì)各個(gè)光纖接觸部分進(jìn)行清潔。
圖19
圖20的現(xiàn)象是光纖似斷非斷,實(shí)際里面的光纖纖芯已斷,由于塑料涂層的拉力使光纖斷裂面對(duì)準(zhǔn)良好,這點(diǎn)光纖的損耗增大,但不會(huì)大很多。一般比光纖連接器的損耗略大,在0.5~1.0dB;原因:一般是由安裝時(shí)造成的;對(duì)策:對(duì)該處光纖進(jìn)行熔接。
圖20
圖21所示的現(xiàn)象是光纖徹底斷開,光脈沖不能通過,該處有個(gè)強(qiáng)反射;原因:一般是由安裝時(shí)造成的;對(duì)策:對(duì)該處光纖進(jìn)行熔接。
圖21
圖22所示的現(xiàn)象是光纖損耗增大——數(shù)值一般在1~5dB之間,個(gè)別區(qū)段可以增大到不能使用,類似斷芯狀態(tài);原因:由于光纖受到拉伸、裂紋、彎曲、壓扁等力的影響,使光纖局部損耗增大;對(duì)策:當(dāng)外力消除后,一般光纖損耗都能恢復(fù)到正常狀態(tài),個(gè)別情況下如光纖涂覆層受損壞或不能恢復(fù)時(shí),應(yīng)對(duì)該處光纖進(jìn)行重新熔接。
圖22
國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《綜合布線工程驗(yàn)收規(guī)范》(GB 50312-2007)中對(duì)光纖測(cè)試極限值的規(guī)定,光纖鏈路的插入損耗極限值可用以下公式計(jì)算:
光纖鏈路損耗=光纖損耗+轉(zhuǎn)接器損耗+光纖連接點(diǎn)損耗
光纖損耗=光纖損耗系數(shù)(dB/km)×光纖長(zhǎng)度(km)
連接器件損耗=單個(gè)連接器件損耗×連接器件個(gè)數(shù)
光纖連接點(diǎn)損耗=單個(gè)光纖連接點(diǎn)損耗×光纖連接點(diǎn)個(gè)數(shù)
依據(jù) GB 50312-2007的光纖測(cè)試極限值的規(guī)定:
光纖鏈路損耗=光纖損耗+轉(zhuǎn)接器損耗+光纖連接點(diǎn)損耗
由于室內(nèi)單模1310nm和1550nm下的衰減系數(shù)均為1.0,所以如果所測(cè)損耗小于該值便算通過。
正向測(cè)試:序號(hào)1~6,表示在1310nm下所測(cè)的數(shù)據(jù):
光纖鏈路損耗=0.318×0.544+0.317×1.133+0.317×0.54+0.19+0.51+0.084+0.731 =2.218dB
序號(hào)7~12,表示在1550nm下所測(cè)的數(shù)據(jù):
光纖鏈路損耗=0.182×0.545+0.21×1.133+0.196×0.539+0.228+0.407+0.088+0.634 =1.7998dB
反向測(cè)試:序號(hào)13~18,表示在1310nm下所測(cè)的數(shù)據(jù):
光纖鏈路損耗=0.308×0.541+0.315×1.142+0.3×0.538+0.367+0.228+0.439+0.37=2.097dB
序號(hào)19~25,表示在1550nm下所測(cè)的數(shù)據(jù):
光纖鏈路損耗=0.181×0.536+0.206×1.146+0.181×0.539+0.306+0.282+0.309+0.378=1.7057dB
由此可見,上面的檢測(cè)點(diǎn)符合標(biāo)準(zhǔn)要求。
不合格鏈路的故障排除:如果測(cè)試得到的損耗值超出極限值,可以通過以下幾方面來排除故障。首先,重新清潔所有被測(cè)鏈路以及參考跳線的連接器端面。重新連接,確保所有的連接器完全插入光纖適配器中。其次,檢查光纜和跳線的彎曲半徑是否符合標(biāo)準(zhǔn)要求。特別是光纖箱內(nèi)的纜,是否彎曲半徑過小。
如果還無法通過,則采用熔接方式接續(xù),重新進(jìn)行尾纖熔接。端接方式則更換連接頭,再進(jìn)行新的測(cè)試。