倪 濤 鄭智潛
(華東電子工程研究所 合肥 230031)
超寬帶功率放大器隨著通信和雷達(dá)領(lǐng)域的迅速發(fā)展,需求量越來越大。在多制式與多標(biāo)準(zhǔn)的通信領(lǐng)域,需要拓展新的頻帶來滿足用戶日益增長的需求。在雷達(dá)領(lǐng)域,尤其在電子對(duì)抗和通信對(duì)抗一體化的進(jìn)程中,作為關(guān)鍵部件之一的寬帶固態(tài)功率放大器,產(chǎn)生了大量的市場(chǎng)需求[1]。
功率器件是功率放大器的核心,為了應(yīng)對(duì)大帶寬的發(fā)展要求,很多器件廠商提供了超寬帶的功率器件,無須用戶做外部匹配電路。而經(jīng)過調(diào)研發(fā)現(xiàn),這些功率器件通常是小功率等級(jí)的,并且起伏較大,效率較低,只能作為功率放大鏈路的前級(jí)。而真正的難點(diǎn)在于末級(jí)大功率放大器的實(shí)現(xiàn)。
根據(jù)這一需求難點(diǎn),本文的主要工作是采用第三代半導(dǎo)體器件——GaN功率管,設(shè)計(jì)工作頻率為0.8-2GHz,輸出功率超過100W的超寬帶固態(tài)末級(jí)大功率放大器。
工作頻率: 0.8-2.0 GHz
飽和輸出功率: >100W
飽和效率: >40%
增益平坦度: <±1.5dB
根據(jù)設(shè)計(jì)指標(biāo)的要求,本文采用Cree公司的寬禁帶功率管CGH40120F來進(jìn)行設(shè)計(jì)。這是一款GaN功率器件,根據(jù)器件資料顯示,這款器件可以工作在DC-2.5GHz(根據(jù)廠商最新發(fā)布的器件資料),并且具有70%的極高效率。同時(shí)其具備寬禁帶功率管共有的其他優(yōu)勢(shì),如擊穿電壓高可以使功率管工作在更高的電壓以提高功率,SiC襯底保證了熱膨脹系數(shù)的匹配,使得可以工作在更高的結(jié)溫,以及尺寸小等等,這些都是傳統(tǒng)器件所無法比擬的[1]。
同時(shí)器件資料中給出了能夠?qū)崿F(xiàn)大帶寬的關(guān)鍵參數(shù)——輸出阻抗,如表1所示。
表1 CGH40120F的阻抗參數(shù)
觀察表1中的阻抗特性,可以看出在500MHz到2000MHz之間,其阻抗變化范圍很小,尤其是輸出負(fù)載阻抗,并沒有大范圍的變化,這也為其能夠在一塊電路上實(shí)現(xiàn)大帶寬提供了可能。
實(shí)現(xiàn)寬帶放大器要同時(shí)兼顧很多性能參數(shù),包括飽和功率、增益、效率等,其需要解決的問題主要有兩個(gè):
a.寬帶匹配電路
在L波段,匹配電路通常采用微帶線的阻抗變換,這種分布式參數(shù)的電路通常帶寬很窄,其電長度隨頻率變化。因此,本文中的阻抗變換電路采用多支節(jié)匹配,具體尺寸參數(shù)在軟件中進(jìn)行優(yōu)化。
b.饋電電路
饋電電路除了為功率管供電外,還需要對(duì)功率管輸出的射頻信號(hào)進(jìn)行抑制。在L波段窄帶放大器的通常做法中,是采用中心頻率的四分之一波長線并聯(lián)對(duì)地高Q電容形成高阻。而在跨倍頻程的放大器中,由于微帶線的電長度隨頻率變化,無法采用這樣的方法形成全頻帶的高阻。因此本文采用了一種分段高阻的方法來實(shí)現(xiàn)饋電電路,如圖1所示。圖中饋電電路分為兩部分,一部分是大電流磁珠,其實(shí)現(xiàn)對(duì)低頻段的高阻。磁珠額定電流為6A,為了保證電流容量,采用兩個(gè)并聯(lián)。磁珠的阻抗特性見圖2。
圖2中給出的阻抗只到1GHz,達(dá)到90Ω兩只并聯(lián)可以實(shí)現(xiàn)45歐姆的阻抗,相對(duì)于表1中所示的負(fù)載阻抗屬于高阻。而隨著頻率提高,超過1GHz的阻抗曲線雖然沒有給出,但是根據(jù)變化趨勢(shì)可以預(yù)測(cè),阻抗在迅速降低,因此不能用磁珠來實(shí)現(xiàn)全頻段的高阻。為了實(shí)現(xiàn)高頻段的高阻,另外一部分就是采用中心頻率f0的四分之一波長線并聯(lián)對(duì)地高Q電容的形式,來實(shí)現(xiàn)高頻段的高阻抗,這里f0的頻率根據(jù)最終調(diào)試時(shí)電容的位置而定。
采用了以上的設(shè)計(jì)方法,首先對(duì)廠商提供的大信號(hào)模型在Agilent ADS軟件中進(jìn)行大信號(hào)仿真,仿真條件為:靜態(tài)電流1.0A,頻率掃描范圍0.8~2.0GHz,輸入功率為41dBm。經(jīng)過軟件對(duì)匹配電路的優(yōu)化,得到的仿真結(jié)果如圖3所示。
由于寬禁帶功率管的擊穿電壓很高,所以可以工作在更高的工作電壓。圖中箭頭所示方向?yàn)槁O電壓從28V增加到32V??梢钥吹捷敵鲭妷汉托视忻黠@的提升,因此在后面的設(shè)計(jì)和調(diào)試中,漏極電壓設(shè)定為32V。圍內(nèi),恒定輸入功率為41dBm條件下,飽和輸出功率為103W-122W,起伏只有±0.4dB,飽和效率大于60%,所有指標(biāo)滿足并超過了設(shè)計(jì)指標(biāo)的要求。
圖3 0.8~2GHz輸出功率和漏極效率仿真曲線
圖4 經(jīng)過調(diào)試之后的版圖
根據(jù)仿真結(jié)果得到的版圖進(jìn)行投產(chǎn),微帶板采用RT6002,介電常數(shù)2.94,介質(zhì)厚度0.762mm,銅箔厚度35μm,功率管底部襯銅。
在第一輪測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn),測(cè)試結(jié)果和仿真結(jié)果有一定的差別,主要是因?yàn)閺S商提供的大信號(hào)仿真模型和實(shí)際功率管阻抗參數(shù)有差別,根據(jù)仿真模型得到的匹配網(wǎng)絡(luò)阻抗和實(shí)際阻抗不完全匹配,因此需要一定的調(diào)試。
經(jīng)過調(diào)試后,PCB版圖如圖4所示。圖中標(biāo)出了反射吸收電阻(該電阻的標(biāo)稱額定功率43dBm,而本電路最大輸入功率41dBm,滿足電阻的功率容量要求)、輸入饋電網(wǎng)絡(luò)、輸出饋電網(wǎng)絡(luò)。電路板下方是用來冷卻的水冷板。
連續(xù)波測(cè)試結(jié)果如圖5所示,其中頻率掃描步進(jìn)為50MHz。圖5(a)是每個(gè)頻點(diǎn)的功率輸入-輸出曲線。圖5(b)是每個(gè)頻點(diǎn)的輸出-效率曲線,圖5(c)是在恒定輸入41dBm條件下的飽和輸出功率和效率曲線。從測(cè)試結(jié)果可以看出,在0.8~2GHz全頻帶范
為了體現(xiàn)電路的寬帶性能,本文也調(diào)研了近幾年來發(fā)表的寬帶功放電路性能來作為對(duì)比。引用文獻(xiàn)[2]中的調(diào)研結(jié)果,如表2所示。通過表中幾項(xiàng)性能參數(shù)的對(duì)比可以看出,本文電路相對(duì)帶寬更大,輸出功率更高,起伏更小,同時(shí)漏極效率也基本和其他結(jié)果持平。
表2 本文結(jié)果和已發(fā)表文獻(xiàn)結(jié)果的對(duì)比
為了能使電路能夠工程應(yīng)用,電路版圖需要進(jìn)行小型化。觀察圖4中的版圖,輸入輸出匹配電路占去了大部分的面積和尺寸,尤其在長度方向。所以小型化的處理也就集中在縮小輸入輸出匹配電路上。在小型化處理過程中,主要的原則是維持匹配網(wǎng)絡(luò)阻抗不變。因此,本文對(duì)調(diào)試后的輸出匹配電路進(jìn)行了后仿真。同時(shí)后仿真也可以驗(yàn)證匹配網(wǎng)絡(luò)的阻抗和器件資料中的阻抗是否符合。仿真在ADS軟件中的Momentum中進(jìn)行。
根據(jù)圖4中的輸出匹配電路,經(jīng)過對(duì)調(diào)試后板圖的長度和寬度的測(cè)量,得到圖6所示的仿真模型。
對(duì)圖6的匹配電路模型進(jìn)行仿真,得到的阻抗史密斯圓圖如圖7所示。從阻抗圓圖上可以看出:
a.在工作頻段0.8-2GHz范圍內(nèi),輸出阻抗均在一個(gè)很小的范圍內(nèi)變化,也就是阻抗變化不大。這也和表1中的阻抗變化趨勢(shì)相匹配,也就是在大帶寬的范圍內(nèi),阻抗基本保持不變。
b.圖中標(biāo)出了1.5GHz的阻抗,為(4.258-j2.717)Ω,和器件資料中的(3.5-j0.6)Ω接近,但是有一定的差距。這也解釋了對(duì)于可以輸出120W的功率管,在提高工作電壓的條件下,輸出功率均小于120W的原因,也就是輸出阻抗并沒有匹配到最優(yōu)化,而是離最優(yōu)阻抗區(qū)域仍有一定的距離。
根據(jù)以上的分析結(jié)果,在下一步的小型化處理中,要做到以下兩個(gè)要求:
a.維持阻抗變化的小范圍。這也和器件的輸出阻抗變化趨勢(shì)相一致;
b.盡可能的接近最優(yōu)阻抗。也就是仿真要以器件資料中所給的阻抗為目標(biāo)。
本文利用寬禁帶GaN功率管CGH40120F,設(shè)計(jì)了覆蓋頻段0.8-2GHz的超寬帶大功率放大器,輸出功率超過100W,飽和功率起伏只有±0.4dB,飽和效率高于60%。并通過對(duì)調(diào)試后的電路進(jìn)行后仿真,驗(yàn)證了匹配電路的有效性,并為小型化處理指明了方向。
[1]楊斐.S波段GaN大功率放大器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[J].火控雷達(dá)技術(shù),2011,40(3):86-90.
[2]Wilfried Demenitroux et al.Multiharmonic Volterra Model Dedicated to the Design of Wideband and Highly Efficient GaN Power Amplifiers[J].IEEE Trans.Microw.Theory Tech.,2012,60(6):1817-1828.
[3]P.Wright,J.Lees,J.Benedikt,P.J.Tasker,and S.C.Cripps.A methodology for realizing high efficiency Class-J in a linear and broadband PA[J].IEEE Trans.Microw.Theory Tech.,2009,57(12):3196 -3204.
[4]P.Saad,C.Fager,H.Cao,H.Zirath,and K.Andersson.Design of a highly efficient 2-4-GHz octave bandwidth GaN-HEMT power amplifier[J].IEEE Trans.Microw.Theory Tech.,2010,58(7):1677 -1685.
[5]V.Carruba,J.Less,and J.Benedikt et al.A novel highly efficient broadband continuous class-F RFPA delivering 74%average efficiency for an octave bandwidth[C].IEEE MTT - S Int.Microw.Symp.Dig.,Baltimore,2011.
[6]K.Chen and D.Peroulis.Design of highly efficient broadband class-E power amplifier using synthesized low -pass matching networks[C].IEEE MTT - S Int.Microw.Symp.Dig.,Baltimore,2011.