王孝偉　李鐵才　石堅(jiān)　林琦

0、引言

MOSFET（metal-xoide-semiconductor fieldeffect transistor）和IGBT等開(kāi)關(guān)器件已廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、變頻器、伺服驅(qū)動(dòng)器中，隨著功率半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝、封裝技術(shù)的不斷改進(jìn)，開(kāi)關(guān)器件逐步向高頻化方向發(fā)展。高頻化在改善系統(tǒng)性能的同時(shí)，卻在系統(tǒng)中產(chǎn)生了高幅值的高頻電壓和電流振蕩，帶來(lái)負(fù)面的影響。一方面，高頻電壓和電流振蕩產(chǎn)生的電磁波會(huì)給系統(tǒng)自身和其他系統(tǒng)帶來(lái)嚴(yán)重的電磁干擾，影響系統(tǒng)的正常工作；另一方面，高幅值的電壓和電流振蕩會(huì)使系統(tǒng)所承受的應(yīng)力增加，給系統(tǒng)的安全及壽命帶來(lái)嚴(yán)重的影響。