吳雙成
(甘肅皋蘭勝利機(jī)械廠,甘肅皋蘭 730299)
1)復(fù)合鍍層。1920年德國(guó)科學(xué)家在電鍍液中添加了適量的粒子使之與金屬離子同時(shí)析出,得到了第一個(gè)復(fù)合化的鍍層。但是,當(dāng)時(shí)幾乎沒(méi)有功能性電鍍的要求,裝飾性電鍍是主流,因此沒(méi)有得到進(jìn)一步發(fā)展[149]。
2)復(fù)合電鍍金剛石與鎳。1949年美國(guó)人西蒙斯(A.Simos)獲得了復(fù)合電鍍的第一份專(zhuān)利,利用金剛石與鎳共沉積的方法制造切削刀具,這種方法一直沿用至今[20]。
3)電鍍復(fù)合鍍。1964年,在倫敦第6次國(guó)際表面處理會(huì)議上,發(fā)表用電鍍的方法形成的Ni/Al2O3、Ni/WC、Cu/石墨、Cu/MoS2、Cu/SiC 及 Cu/SiO2等復(fù)合鍍的研究報(bào)告,復(fù)合電鍍的耐磨性等優(yōu)越性開(kāi)始為世人所了解[150]。
4)聚晶金剛石復(fù)合體PDC。1973年美國(guó)G.E公司研制出的Compax就是PDC材料的最早產(chǎn)品。聚晶金剛石復(fù)合體PDC是d≥0.1mm的金剛石微粉與d≥1mm的硬質(zhì)合金基體(襯底),在超高壓高溫條件下復(fù)合而成的超硬復(fù)合材料。具有金剛石的耐磨性和強(qiáng)度以及硬質(zhì)合金基體材料的韌性和可焊性[151]。
5)化學(xué)復(fù)合鍍。最早的化學(xué)復(fù)合鍍工藝是1966年由德國(guó)的W.Metzger研究成功的(Ni-P)-Al2O3化學(xué)復(fù)合鍍[152]。早期添加的微粒尺寸都是微米級(jí)的[153]。把納米尺寸的不溶性微粒引入到化學(xué)復(fù)合鍍層中已成為發(fā)展趨勢(shì)。
6)電沉積納米復(fù)合材料。1967年,V.P.Greco等選用d為15.4nm的TiO2和30.8nm 的Al2O3作為分散相,制備了電沉積納米復(fù)合材料[154]。
1)鉑絲陽(yáng)極籃。1868年雷明頓(Remington)首次提出,并申請(qǐng)了專(zhuān)利,但價(jià)格昂貴[18]。
2)含碳鎳陽(yáng)極。1931年鑄造的含碳鎳陽(yáng)極進(jìn)入工業(yè)化應(yīng)用。發(fā)現(xiàn)鑄造或軋制的含碳陽(yáng)極非常適合光亮鍍鎳[18]。
3)磷銅陽(yáng)極。以前硫酸鹽光亮鍍銅采用電解銅或無(wú)氧銅作陽(yáng)極,1954年美國(guó)Neverse等對(duì)陽(yáng)極的研究發(fā)現(xiàn),在銅陽(yáng)極中摻入少量磷,電解處理時(shí)銅陽(yáng)極表面生成黑色的磷化銅Cu3P膜,克服了銅粉和陽(yáng)極泥多,鍍層容易產(chǎn)生毛刺和粗糙及光亮劑消耗快等毛病,建議使用磷銅陽(yáng)極[155]。
4)含硫活性鎳陽(yáng)極。國(guó)際鎳礦有限公司INCO在20世紀(jì)60年代中期就在國(guó)際市場(chǎng)上投放了這種S鎳。含硫活性鎳陽(yáng)極可以減少陽(yáng)極泥渣,防止鍍液污染,提高陽(yáng)極利用率,提高陽(yáng)極允許電流密度。目前已經(jīng)用作電鍍鎳和電鑄鎳工業(yè),應(yīng)用很普遍[156]。
5)鈦陽(yáng)極涂層電極DSA。1965年荷蘭人亨利(Henri)、伯納德(Bernard)和比爾(Beer)發(fā)明,取得Beer65專(zhuān)利[157]。這種不溶性電極具有優(yōu)良電催化活性和較長(zhǎng)的壽命,幾十年來(lái)其應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大,以致水溶液電解領(lǐng)域也進(jìn)入了鈦電極時(shí)代。該專(zhuān)利于1969年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化,人們把Beer65專(zhuān)利公開(kāi)的1965年定為DSA發(fā)明年。目前應(yīng)用較普遍的是釕系涂層鈦電極[158]。
1)電沉積制備磷酸鈣涂層(CPCS)。1991年,加拿大Shirkhanzadeh[159]首次報(bào)道了用電沉積制備磷酸鈣涂層的工藝,磷酸鈣陶瓷是一種重要的醫(yī)用生物活性陶瓷材料,代表是羥基磷灰石(HAP),化學(xué)成分 Ca10(PO4)6(OH)2,具有良好的生物相容性。
1)鍍層內(nèi)應(yīng)力。1858年戈?duì)?Gore)發(fā)現(xiàn)鍍層存在內(nèi)應(yīng)力[5]。
2)鍍層內(nèi)應(yīng)力。1877年英國(guó)的米爾斯(E.J.Mills)博士首次發(fā)現(xiàn)了鍍層的內(nèi)應(yīng)力,他把應(yīng)力叫做電致伸縮作用[160]。
3)中性鹽霧試驗(yàn) NSS方法。1914年卡普(J.A.Capp)在美國(guó)材料試驗(yàn)學(xué)會(huì)(ASTM)第十七界年會(huì)上提出。J.A.Capp從淋花的灑水壺得到啟發(fā)而發(fā)明的[5]。中性鹽霧試驗(yàn)是模擬產(chǎn)品在海洋中運(yùn)輸時(shí),受含鹽3% ~5%的海水鹽霧浸蝕而設(shè)計(jì)的,中性鹽霧試驗(yàn)有一定的局限性,并且腐蝕試驗(yàn)的結(jié)果與實(shí)際使用狀況不大相符[161]。
4)計(jì)時(shí)液流測(cè)厚法。1939年問(wèn)世,做為一種經(jīng)典的測(cè)厚方法,適用于檢驗(yàn)銅、鎳、鋅、鎘、錫、銀和銅-錫合金等鍍層厚度[22]。
5)發(fā)現(xiàn)鍍錫晶須。1947年Hunsicker和Kempf發(fā)現(xiàn)了Al-Sn合金表面生長(zhǎng)錫晶須的現(xiàn)象[162]。錫晶須使電子元件短路失效,其形成機(jī)理仍然沒(méi)有滿(mǎn)意答案,科學(xué)界和工業(yè)界都很關(guān)注這個(gè)焦點(diǎn)問(wèn)題。
6)非晶態(tài)鍍層。1947年由Brenner最先通過(guò)電鍍法獲得Ni-P及Ni-Co合金鍍層[163]。
7)氨基磺酸鹽-氯化物鍍液。1954年地琴(Diggin)提出,氯化物使鍍層應(yīng)力有所增加,但氯化鎳控制在10g/L以?xún)?nèi)影響不大。
8)X-射線光電子能譜分析法(ESCA)。瑞典的西格班(Siegbahn)于1954年首先發(fā)明的,用于區(qū)分非金屬原子的化學(xué)狀態(tài)和金屬的氧化狀態(tài)[20]。
9)醋酸鹽霧試驗(yàn)AASS。1965年美國(guó)人發(fā)明了鹽霧試驗(yàn)方法。是模仿沿海燃煤城市,既受燃煤又受鹽霧影響而設(shè)計(jì)的[164]。
10)秦氏直角陰極試驗(yàn)。1977年由我國(guó)秦寶興和王云初創(chuàng)造。這種試驗(yàn)方法,從直角陰極樣板上能夠直接反應(yīng)出電鍍生產(chǎn)中的實(shí)際情況,也可以用此方法確定鍍液成分對(duì)鍍層的影響,檢查鍍液中雜質(zhì)對(duì)鍍層的影響,測(cè)試光亮劑各組分對(duì)鍍層的影響[165]。
11)氫脆。早在100多年前,Jonsons就闡明了鋼的氫脆現(xiàn)象。對(duì)于高強(qiáng)度鋼,在滿(mǎn)足其表面防護(hù)的同時(shí)必須考慮氫脆問(wèn)題[166]。
1)直流電用于電鍍。1880年直流電用于電鍍,在此以前電鍍電源是蓄電池[4]。
2)臥式滾桶。19世紀(jì)90年代第一次在生產(chǎn)中出現(xiàn)[9]。
3)脈沖電鍍銀專(zhuān)利。1931年Winkler獲得了脈沖電鍍銀的專(zhuān)利[167]。
4)脈沖鍍合金。最早是溫克勒(Winkler)在1934年實(shí)現(xiàn)脈沖鍍合金并獲得專(zhuān)利。使用可變的電壓脈沖來(lái)控制[168]。
5)赫爾槽。1935年英國(guó)的赫爾(R.O.Hull)設(shè)計(jì)出赫爾槽,形狀似梯形,又稱(chēng)為梯形槽,到1939年基本定型。赫爾槽結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便,已成為電鍍工作者不可缺少的科研生產(chǎn)工具,被譽(yù)為電鍍領(lǐng)域三大里程碑之一。R.O.Hull在做電鍍實(shí)驗(yàn)時(shí)因找不到合適尺寸的陰極樣片,用一塊較長(zhǎng)的陰極樣片斜擱在長(zhǎng)方形的試驗(yàn)槽內(nèi),發(fā)現(xiàn)陰極樣片上各部分鍍層呈不同狀態(tài),據(jù)此而發(fā)明赫爾槽[5]。
6)可控硅整流器。1958年美國(guó)通用電氣公司研究成功,體積小、質(zhì)量輕、成本低及性能好[169]。
7)電泳漆超濾系統(tǒng)。1977年由于超濾系統(tǒng)的發(fā)明成功解決了電泳漆液回收及凈化問(wèn)題[105]。
8)特納槽。1978年日本人寺門(mén)龍一和長(zhǎng)板秀雄設(shè)計(jì)了一個(gè)代替赫爾槽的特納槽[5]。特納槽是一種同心圓筒型槽,陽(yáng)極和陰極可以沿著半徑線在圓筒間的任意位置上插入,可以得到比赫爾槽更加寬廣的電流密度范圍下的鍍層狀態(tài),值得應(yīng)用。
9)逆流漂洗理論。1978年,逆流漂洗理論根據(jù)來(lái)自Kushner。國(guó)外在20世紀(jì)60年代初就有大量報(bào)道,1949年,美國(guó)的J.B.Kushner詳細(xì)地研究了并聯(lián)式、串聯(lián)式(即為連續(xù)逆流清洗)清洗方法,得出了理想狀態(tài)下各級(jí)清洗槽濃度的關(guān)系式[170]。逆流漂洗比常規(guī)漂洗節(jié)約用水90%以上,從而減輕了廢水處理量[144]。
10)振動(dòng)電鍍。20世紀(jì)70年代末,日本人利用振動(dòng)光飾機(jī)改裝的試驗(yàn)裝置進(jìn)行試驗(yàn)研究,敷島公司20世紀(jì)80年代初生產(chǎn)了槽體振動(dòng)式滾鍍機(jī),法國(guó)和加拿大等國(guó)也研制成功電磁式振動(dòng)電鍍機(jī)[171]。它比常規(guī)滾鍍的鍍層厚度均勻、致密,沉積速度快,深孔零件內(nèi)鍍質(zhì)量好,節(jié)約電能。
11)激光強(qiáng)化電沉積。20世紀(jì)70年代末,美國(guó)IBM公司GutFeld首次報(bào)道了激光照射到陰極某點(diǎn)可引起局部電流密度急劇增加,并且研究了用Ar+激光增強(qiáng)Ni、Au及Cu的電沉積過(guò)程[172]。據(jù)另一文獻(xiàn)介紹是1978年美國(guó)IBM公司首先研究激光電鍍。1980年德國(guó)貴金屬研究所應(yīng)用激光技術(shù)成功電沉積金[173]。
12)噴射電鑄。1982年Kunieda開(kāi)展了選擇性噴射電沉積實(shí)驗(yàn)研究[174]。
13)安培小時(shí)計(jì)。又名電量計(jì)[175],是以安時(shí)數(shù)為單位測(cè)量電量的數(shù)字儀表。安時(shí)計(jì)的出現(xiàn),結(jié)束了測(cè)量電流和時(shí)間來(lái)計(jì)算電量的歷史。以精度高,使用方便等特點(diǎn),使其在較大范圍內(nèi)得到了應(yīng)用。目前,安時(shí)計(jì)的使用范圍遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了意料。對(duì)準(zhǔn)確控制電鍍添加劑提供了較為可靠的數(shù)據(jù)。
1)晶核形成速度與過(guò)電位的關(guān)系。1931年Erdey-Gruz和Volmer提出二維晶核和三維晶核形成的速度和過(guò)電位的關(guān)系[4]。
2)整平作用。1935年Meyer首先發(fā)現(xiàn),金屬鍍層在基體表面上的微觀整平作用。從加入添加劑的酸性鍍銅溶液中鍍銅時(shí),發(fā)現(xiàn)能夠填平底材金屬上極微小的凹陷或刮痕,而在宏觀均一性(均鍍能力)良好的氰化物溶液中鍍銅時(shí),鍍層依然保留著刮痕。由此可見(jiàn)電鍍液的均鍍能力和微觀均一性(整平能力)是兩種不同概念。[14]。
3)氨三乙酸和乙二胺四乙酸的發(fā)明。是1936年德國(guó)法本(Faben)染料公司首先使用的,以德國(guó)專(zhuān)利Ger.Pat 638071的形式問(wèn)世,商品名特里隆A(Trilon)、特里隆 B(Trilon)[11]。
4)旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)電極。旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)電極是一個(gè)電極圓盤(pán)繞其通過(guò)圓心的垂直軸進(jìn)行自身旋轉(zhuǎn)的電極。早在 1942 年,蘇聯(lián)人尤考維奇(V.G.Levich)[176]根據(jù)流體動(dòng)力學(xué)原理首次提出旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)電極(RDE)理論,1949年,Siver和Kabano從實(shí)驗(yàn)上證實(shí)了這個(gè)理論并在幾年之后獲得了實(shí)際應(yīng)用。后來(lái),許多學(xué)者對(duì)RDE進(jìn)行了大量的研究,旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)電極的極限擴(kuò)散電流密度公式,引起電化學(xué)界廣泛注意。由于這種電極的端面像一個(gè)盤(pán),所以也叫旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)電極,簡(jiǎn)稱(chēng)旋盤(pán)電極,還叫轉(zhuǎn)盤(pán)電極?;谶@種電極進(jìn)一步改進(jìn)了的旋轉(zhuǎn)圓環(huán)電極等,可以測(cè)量更為復(fù)雜的電極過(guò)程的電化學(xué)參數(shù)。旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)電極是電化學(xué)測(cè)試的重要儀器。它型式簡(jiǎn)單、應(yīng)用廣泛,其它各種類(lèi)型的旋轉(zhuǎn)電極都是在其基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)。
5)光亮電鍍的膠體膜理論。1942年J.A.Henricks提出,光亮電鍍的添加劑大半是酸洗液中所用的抑制劑,而光亮鍍層的形成是陰極膜中無(wú)機(jī)膠體參與的結(jié)果[4]。
6)擴(kuò)散控制理論。1955年美國(guó)卡爾道斯(Kardos)提出,整平劑在陰極表面的吸附受擴(kuò)散控制,造成微觀峰處與微觀谷底的金屬過(guò)電位不同[2]。
7)金屬晶體與超電壓關(guān)系。1965年前后,達(dá)米雅諾維克(Damjanovic)指出,金屬電沉積時(shí)晶體生長(zhǎng)類(lèi)型和超電壓或電流密度有密切關(guān)系[11]。
8)鋅酸鹽鍍鋅液組成與 OH-濃度的關(guān)系。1969年日本小西三郎和土肥在《金屬表面技術(shù)》中,認(rèn)為ZnO濃度和苛性堿的濃度應(yīng)具有X=aY2/3關(guān)系。
9)表面催化控制理論簡(jiǎn)稱(chēng)S-H理論。1972年舒爾茨-哈爾德?tīng)?Schulz Hardcr)對(duì)整平機(jī)理提出了新見(jiàn)解,是由于催化劑的存儲(chǔ)效應(yīng)所致[4]。
10)擴(kuò)散控制阻化理論。簡(jiǎn)稱(chēng)擴(kuò)散理論,1974年卡托斯(O.Kardos)提出整平作用的擴(kuò)散-抑制-消耗論,整平劑的整平作用是受擴(kuò)散控制的[4],當(dāng)金屬離子的電沉積受電化學(xué)活化控制時(shí),整平劑對(duì)電沉積有阻化作用,并且是消耗性的[177]。是迄今唯一被多數(shù)人公認(rèn)的理論。
11)光亮鍍層的自由電子流動(dòng)理論。1974年由日本學(xué)者馬場(chǎng)宣良提出,鍍層上電子的自由流動(dòng)是鍍層光亮的原因。但是他用硫化物、硒化物的半導(dǎo)體性能來(lái)解釋是比較牽強(qiáng)的,因?yàn)樵S多光亮劑并不含硫,另外,含不飽和雙鍵、叁鍵的光亮劑的還原產(chǎn)物并無(wú)半導(dǎo)體性質(zhì)[5]。
12)多元配合物電鍍理論。1979年12月,方景禮在中國(guó)電子學(xué)會(huì)第一屆電子電鍍年會(huì)上提出,鍍液的配位方式為多元配合物,配方設(shè)計(jì)的中心是調(diào)整金屬離子電沉積速度的多元配合物電鍍理論[11]。
13)還原劑脫氫機(jī)理。1981年Vamdem Meerakker指出,無(wú)論是采用次磷酸鈉、硼氫化鈉,還是二甲胺基硼烷作為還原劑,其還原劑的第一步反應(yīng)均為脫氫反應(yīng)[5]。
14)電沉積納米晶體材料。1981年Turnbull最先著手研究納米晶體材料的制備。電沉積法作為制備納米晶體材料的方法,在最初開(kāi)始并沒(méi)有受到重視[178]。另一說(shuō)法是20世紀(jì)80年代初德國(guó)科學(xué)家H.Gleiter教授提出了納米晶體材料的概念并首先獲得人工制備的納米晶體[179]。電鍍法制備納米材料與其它方法相比,技術(shù)難度相對(duì)較小,很多單一金屬可以被電鍍出來(lái)[180]。
15)巨磁電阻效應(yīng)GMR。1988年法國(guó)人M.N.Baibich等在納米級(jí)的Fe/Cr多層膜中首次發(fā)現(xiàn)了巨磁電阻效應(yīng),立刻引起了全世界的轟動(dòng)。所謂巨磁電阻效應(yīng)是指材料的電阻值隨外加磁場(chǎng)的強(qiáng)度變化而變化的現(xiàn)象。巨磁電阻效應(yīng)的研究不僅在凝聚態(tài)物理學(xué)和材料學(xué)方面掀起了熱潮,還引發(fā)了許多交叉學(xué)科,如磁電子學(xué)、磁光學(xué)等[181]。
16)納米管。1991年日本NEC公司飯島澄男等發(fā)現(xiàn)納米管,一維納米材料立刻引起了科學(xué)家的關(guān)注。一維納米材料表現(xiàn)出奇特的物理、化學(xué)特性,在介觀領(lǐng)域和納米器件研制如高密度垂直磁記錄材料、光吸收過(guò)濾與調(diào)制器、高效電容器、一維巨磁電阻等有著重要的應(yīng)用前景[182]。
17)碳納米管。1991年Iijima意外地發(fā)現(xiàn)了碳納米管,以其良好的電學(xué)、力學(xué)、化學(xué)等性能成為納米材料的代表。碳納米管是由單層或多層石墨卷曲而成的無(wú)縫管狀結(jié)構(gòu),屬于晶態(tài)碳,是一種極其理想的復(fù)合材料增強(qiáng)體[183]。
18)自組裝膜。1992年美國(guó)Laibinis等首次將自組裝技術(shù)應(yīng)用于銅的防腐,從此拉開(kāi)了自組裝技術(shù)應(yīng)用于防腐研究領(lǐng)域的序幕[180]。
19)合金電鍍理論??巳R曼(R.Kreman)和米勒(R.Muller)提出[71],兩種離子共同析出的基本條件是它們的析出電位相近或相等[184]。
20)過(guò)電壓理論。德國(guó)M伏爾馬博士過(guò)去曾提出過(guò)電壓理論,如果提高電鍍膜的生長(zhǎng)速度,就使結(jié)晶變得無(wú)暇生長(zhǎng),從而結(jié)晶很小。該原理在相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間被人們所采納[185]。
21)二次電流分布表達(dá)式。發(fā)明者、時(shí)間均不詳[186]。對(duì)指導(dǎo)電鍍理論研究和生產(chǎn)很有價(jià)值,二次電流分布表達(dá)式非常直觀地表達(dá)了影響鍍液深鍍能力和分散能力的因素。
22)交換電流密度。蘇聯(lián)人安特羅波夫(AHTPOЛЛB)分類(lèi),把金屬按照交換電流密度分為3種,第一類(lèi)過(guò)電位小的金屬離子、第二類(lèi)過(guò)電位中等的金屬離子和第三類(lèi)過(guò)電位比較大的金屬離子。雖然沒(méi)有列入、也無(wú)法列入全部d區(qū)元素的過(guò)電位,但提供的數(shù)據(jù)很有參考價(jià)值[187]。
[149]白曉軍.復(fù)合鍍層的歷史及生成機(jī)理[J].電鍍與環(huán)保,1993,13(2):8-11.
[150]松村宗順,王偉平.復(fù)合電鍍[J].上海電鍍,1994,(2):46-49.
[151]江文清,呂智,林峰,等.聚晶金剛石復(fù)合體的主要性能研究狀況[J].表面技術(shù),2006,35(5):65-68.
[152]馬美華,李小華,單云.Ni-P-TiO2(ZrO2)納米復(fù)合材料鍍層性質(zhì)及工藝優(yōu)化[J].表面技術(shù),2006,35(3):45-46.
[153]黃新民,錢(qián)利華,徐金霞.鎳-磷-納米顆?;瘜W(xué)復(fù)合鍍的研究現(xiàn)狀及發(fā)展[J].電鍍與涂飾,2002,21(6):12-16.
[154]彭元芳,趙國(guó)鵬,劉建平,等.Ni-α-Al2O3納米復(fù)合電鍍工藝條件的研究[J].表面技術(shù),2003,22(5):7-10.
[155]程良,鄺少林,周騰芳.論硫酸鹽光亮鍍銅的陽(yáng)極行為[J].電鍍與環(huán)保,1999,19(3):10-13.
[156]張紹恭,張俊.含硫活性鎳研究成功通過(guò)鑒定[J].上海電鍍,1986,(3):76.
[157]李瑋,孟惠民,俞宏英,等.鎳鈷錳錫復(fù)合氧化物涂層電極的制備及應(yīng)用[J].電鍍與涂飾,2006,25(6):11-14.
[158]張招賢.涂層電極的40年[J].電鍍與涂飾,2007,26(1):50-52.
[159]Shirkhanzahah M.Bioactive calcium phosphate coatings prepared by electrodeposition ontitanium and titanium alloy[J].J Mater Sci lelt,1991,(10):1415-1417.
[160]成旦紅,郭鶴桐,劉淑蘭.金屬沉積層的應(yīng)力起源及影響因素[J].電鍍與精飾,1992,14(6):15.
[161]張紹恭.善于觀察敏于思考[J].電鍍與涂飾,1995,14(1):53-55.
[162]江波,冼愛(ài)平.錫鍍層表面晶須問(wèn)題的研究現(xiàn)狀與進(jìn)展[J].表面技術(shù),2006,35(4):1-4.
[163]李青.非晶態(tài)鍍層的進(jìn)展[J].電鍍與精飾,1996,18(4):26-28.
[164]董子成.對(duì)我國(guó)自行車(chē)電鍍技術(shù)的一些探討[J].電鍍與環(huán)保,1989,9(4):3-6.
[165]儲(chǔ)榮邦.鍍液性能測(cè)試方法中存在的問(wèn)題[J].表面技術(shù),1998,27(5):23-24.
[166]賀書(shū)奎,王廣生,王恃南.航空用高強(qiáng)度鋼的氫脆問(wèn)題[J].航空科學(xué)技術(shù),1995(1):9-12.
[167]陳建勛,呂邁英,潘慧,等.銀的脈沖電沉積[J].電鍍與精飾,1983,5(1):2.
[168]向國(guó)樸.脈沖電鍍的理論與應(yīng)用[M].天津:天津科學(xué)技術(shù)出版社,1989:98.
[169]奚兵.電鍍電源應(yīng)用與選擇[J].上海電鍍,1996,(2):33.
[170]Kushner J B,Kushner A S.Water and Waste Control for the Plating Shop[M].Hanser Gardner Publications,1994:8-10.
[171]向榮.振動(dòng)電鍍技術(shù)及其發(fā)展前景[J].電鍍與精飾,2001,23(6):11-13.
[172]梁志杰,閆濤.激光強(qiáng)化電沉積技術(shù)研究[J].電鍍與精飾,2006,28(3):27.
[173]吳水清.國(guó)外印刷電路鍍金技術(shù)最新動(dòng)態(tài)[J].電鍍與環(huán)保,1990,10(6):26.
[174]黃超,李洪友,江開(kāi)勇.電鑄技術(shù)的研究與發(fā)展[J].電鍍與環(huán)保,2010,30(6):1-4.
[175]張雙彥,吳永發(fā).直流數(shù)字安時(shí)計(jì)的原理和使用[J].現(xiàn)代機(jī)械,1985,(4):28-32.
[176]于世才.旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)電極[J].材料開(kāi)發(fā)與應(yīng)用,1986,(2):25-28.
[177]Kardos O.Current distribution of microprofiles[J].Plating,1974,61(2):129.
[178]鄧姝皓,龔竹青,陳文汩.電沉積納米晶體材料的研究現(xiàn)狀與發(fā)展[J].電鍍與涂飾,2001,20(4):35-39.
[179]熊毅,荊天輔,張春江,等.噴射電沉積納米晶體鎳的研究[J].電鍍與精飾,2000,22(5):1-4.
[180]Laibinis P E,Whitesides G M.Selfassembled monolayers of nalkanethiolates on copper are barrier films that protect the metal against oxidation by air[J].Journal of the American Chemical Society,1992,114(23):9022-9028.
[181]Baibich M N,Broto J M,F(xiàn)ert A.Giant Magnetoresistance of(001)Fe/(001)Cr Magnetic Superlattices[J].Phys.Rev.Lett,1988,61(21):2472-2475.
[182]馮晉陽(yáng),吳貝,趙修建.AAO模板制備中高純鋁電化學(xué)拋光工藝的研究[J].電鍍與涂飾,2007,26(4):35-37.
[183]Lijima S.Helical microtubules of graphitic carbon[J].Nature,1991,354(6348):56-58.
[184]莊瑞舫.合金電鍍[J].電鍍與環(huán)保,1987,7(1):1-5.
[185]張肇富.電鍍?cè)硇聦W(xué)說(shuō)[J].電鍍與環(huán)保,1998,18(3):42.
[186]何偉春.關(guān)于二次電流分布公式的理論分析[J].鄭州工業(yè)高等專(zhuān)科學(xué)校學(xué)報(bào),2000,(1):32.
[187]L.I.安特羅波夫.理論電化學(xué)[M].北京:高等教育出版社,1982:493,401-488.