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        基于數(shù)字光纖傳輸?shù)碾姛崤谔艍簻y(cè)試技術(shù)

        2012-11-22 01:43:30張紅艷裴東興
        關(guān)鍵詞:壓器電熱干擾源

        張 瑜,張紅艷,裴東興,祖 靜

        (1.中北大學(xué) 信息與通信工程學(xué)院,山西 太原 030051;2.中北大學(xué) 儀器科學(xué)與動(dòng)態(tài)測(cè)試教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,山西 太原 030051)

        電熱化學(xué)炮主要由高功率脈沖成形網(wǎng)絡(luò)、等離子體發(fā)生器和火炮身管以及觸發(fā)器件等組成,它通過(guò)電能和化學(xué)能相結(jié)合為彈丸提供動(dòng)能,顯著增加炮口動(dòng)能與初速,實(shí)現(xiàn)超高速發(fā)射[1-4]。膛壓測(cè)量對(duì)研究電熱炮的等離子體點(diǎn)火、增強(qiáng)作用至關(guān)重要。電熱化學(xué)炮與傳統(tǒng)火炮膛壓測(cè)量的主要區(qū)別有兩點(diǎn),首先,電熱化學(xué)炮以發(fā)射平臺(tái)作為高壓負(fù)極接地端,放電時(shí)引起電位浮動(dòng)會(huì)對(duì)后端的測(cè)試儀器產(chǎn)生破壞,甚至危及人身安全。其次,在工作過(guò)程中,電熱化學(xué)炮炮體帶電,高壓脈沖大電流放電將產(chǎn)生強(qiáng)電磁噪聲,強(qiáng)電磁噪聲信號(hào)以電場(chǎng)、 磁場(chǎng)和電磁場(chǎng)等多種途徑耦合進(jìn)入測(cè)試線(xiàn)路,形成干擾[5-6]。因此,研究強(qiáng)電磁場(chǎng)干擾環(huán)境下膛壓信號(hào)的獲取及實(shí)時(shí)傳輸技術(shù)具有很重要的意義。

        電熱化學(xué)炮發(fā)射時(shí)會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)電磁干擾,電磁屏蔽是解決強(qiáng)電磁干擾的重要手段之一[6],用電磁屏蔽的方法來(lái)解決電磁干擾問(wèn)題的最大好處是不會(huì)影響測(cè)量電路的正常工作。數(shù)字光纖傳輸技術(shù)因其傳輸數(shù)字信號(hào),在信號(hào)處理及傳輸過(guò)程中有更強(qiáng)的抑制干擾的能力;首先光纖具有光載頻頻率高、帶寬寬和損耗小等優(yōu)點(diǎn),特別適合于高速數(shù)字信號(hào)傳輸,傳輸誤碼率小,其次光纖的基本材料是二氧化硅,絕緣性能好,電磁波很難耦合入光纖[7-8]。因此,數(shù)字光纖傳輸是強(qiáng)電磁場(chǎng)環(huán)境中測(cè)試信號(hào)傳輸?shù)淖罴逊绞健?/p>

        通過(guò)總結(jié)多年膛壓測(cè)試經(jīng)驗(yàn),提出了一種現(xiàn)場(chǎng)存儲(chǔ)型測(cè)壓方式與光纖實(shí)時(shí)傳輸測(cè)壓方式相結(jié)合的測(cè)試技術(shù)?,F(xiàn)場(chǎng)存儲(chǔ)測(cè)壓器采用多層屏蔽結(jié)構(gòu),能效解決電磁干擾問(wèn)題。測(cè)試數(shù)據(jù)一分為二,一路直接存儲(chǔ)在現(xiàn)場(chǎng)存儲(chǔ)測(cè)壓器內(nèi),另一路采用數(shù)字光纖傳輸?shù)竭h(yuǎn)程接收機(jī)。這兩種測(cè)壓方式相結(jié)合大大提高了膛壓測(cè)量的可靠性和測(cè)試設(shè)備的安全性。

        1 系統(tǒng)組成及工作原理

        1.1 系統(tǒng)組成

        基于光纖傳輸?shù)碾姛崤谔艍簻y(cè)試系統(tǒng)主要由現(xiàn)場(chǎng)存儲(chǔ)式測(cè)壓器、光纖、遠(yuǎn)程接收機(jī)、多通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)組成,如圖1所示。

        現(xiàn)場(chǎng)存儲(chǔ)式測(cè)壓器將傳感器輸出的電荷信號(hào)轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)并放大,再通過(guò)模數(shù)轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換為并行數(shù)字信號(hào),數(shù)字信號(hào)一分為二,一路直接保存到現(xiàn)場(chǎng)存儲(chǔ)式測(cè)壓器的存儲(chǔ)器內(nèi),另一路采用數(shù)字光纖傳輸,數(shù)字信號(hào)先編碼再由光模塊轉(zhuǎn)化為光信號(hào),再通過(guò)光纖實(shí)時(shí)傳輸?shù)竭h(yuǎn)程接收機(jī),遠(yuǎn)程接收機(jī)完成光電轉(zhuǎn)換和數(shù)模轉(zhuǎn)換,還原出電壓信號(hào)輸出至數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。一次測(cè)試結(jié)束后遠(yuǎn)程接收機(jī)可以發(fā)出復(fù)位信號(hào),經(jīng)光纖傳輸給現(xiàn)場(chǎng)存儲(chǔ)式測(cè)壓器使其復(fù)位,繼續(xù)進(jìn)行測(cè)試。

        1.2 現(xiàn)場(chǎng)存儲(chǔ)測(cè)試技術(shù)

        現(xiàn)場(chǎng)存儲(chǔ)測(cè)壓器由壓電式壓力傳感器、電荷放大器、12位A/D轉(zhuǎn)換器、存儲(chǔ)器、編解碼電路、邏輯控制電路、電源管理電路和多模TTL電平收發(fā)一體光模塊組成,由電池供電,電池與電路灌封在不同材料多層組合的電磁屏蔽殼體內(nèi),完成壓力信號(hào)的現(xiàn)場(chǎng)采集存儲(chǔ)和數(shù)字信號(hào)的編碼以及電光轉(zhuǎn)換。在發(fā)射試驗(yàn)結(jié)束后,計(jì)算機(jī)通過(guò)讀數(shù)接口將測(cè)試數(shù)據(jù)經(jīng)USB接口讀入計(jì)算機(jī),再做數(shù)據(jù)處理。

        編解碼電路和邏輯控制電路是由CPLD實(shí)現(xiàn)的,采用CPLD可以減小測(cè)壓器的體積?,F(xiàn)場(chǎng)存儲(chǔ)式測(cè)壓器的采樣頻率為1MHz,存儲(chǔ)容量是512KWords,可記錄524 ms。

        現(xiàn)場(chǎng)存儲(chǔ)式測(cè)壓器由可充電的聚合物鋰離子電池供電,避免了由于共地問(wèn)題耦合入系統(tǒng)的電磁干擾,可連續(xù)工作8 h以上?,F(xiàn)場(chǎng)存儲(chǔ)測(cè)壓方式中整個(gè)測(cè)試過(guò)程在電磁屏蔽體內(nèi)完成,不受電磁干擾的影響,讀取數(shù)據(jù)時(shí),試驗(yàn)已結(jié)束,因而沒(méi)有電磁干擾。

        1.3 數(shù)字光纖傳輸技術(shù)

        光纖是非金屬介質(zhì)材料,不導(dǎo)電,因而不會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng),也不受外部電磁干擾的影響,能抗各種電磁干擾和射頻干擾,光纖是強(qiáng)電磁場(chǎng)環(huán)境中信號(hào)傳輸?shù)睦硐虢橘|(zhì)。在電熱炮膛壓測(cè)試系統(tǒng)中,光纖傳輸切斷了因等離子體發(fā)生器地電位抬升引起的高壓串入測(cè)控系統(tǒng)的途徑,實(shí)現(xiàn)安全測(cè)量[5]。

        測(cè)試系統(tǒng)中光纖傳輸部分由兩個(gè)收發(fā)一體光模塊和150 m光纖組成,如圖2所示。收發(fā)一體光模塊的工作波長(zhǎng)是1 310 nm,與TTL電平兼容,F(xiàn)C光接口。光纖采用的是多模光纖,雙FC尾纖型光接口,工作波長(zhǎng)1 310 nm。FC光接口是螺紋連接具有良好的電磁屏蔽特性。收發(fā)一體光模塊的核心器件是半導(dǎo)體激光器及其驅(qū)動(dòng)電路、高效的PIN 光敏管及其低噪聲光電跨導(dǎo)前置放大器。

        AD轉(zhuǎn)換后的12位并行數(shù)字信號(hào)在CPLD內(nèi)完成編碼,編碼格式采用異步串行數(shù)據(jù)格式,編碼后的數(shù)據(jù)共16位,傳輸波特率是16Mbps。如圖3所示。

        編碼后的脈沖數(shù)據(jù)流輸入至光模塊,對(duì)光源進(jìn)行直接強(qiáng)度調(diào)制,將電脈沖信號(hào)調(diào)制半導(dǎo)體光源,形成光脈沖信號(hào),并從光源器件的尾纖發(fā)射出去。接收機(jī)的光模塊首先經(jīng)光檢測(cè)器件將光纖傳輸后的光脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)換成電脈沖信號(hào),再恢復(fù)成原始電壓信號(hào)。

        1.4 遠(yuǎn)程接收機(jī)

        遠(yuǎn)程接收機(jī)把光纖傳輸來(lái)的光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào),再把異步串行數(shù)據(jù)解碼為并行數(shù)據(jù),送至D /A轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換為原始電壓信號(hào),輸出至數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。接收機(jī)還具備遠(yuǎn)程復(fù)位存儲(chǔ)測(cè)壓器的功能。

        2 不同材料多層組合的屏蔽技術(shù)

        2.1 多層屏蔽結(jié)構(gòu)

        電熱化學(xué)炮發(fā)射時(shí)會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)電磁干擾,主要的干擾源是高壓脈沖發(fā)生器、等離子體發(fā)生器電爆炸、等離子體發(fā)生器熄弧和負(fù)載電流[6]。針對(duì)上述干擾源,采用電磁屏蔽技術(shù),設(shè)計(jì)了不同材料多層組合的屏蔽結(jié)構(gòu)?,F(xiàn)場(chǎng)存儲(chǔ)測(cè)壓器的所有電路及電池被密封在多層屏蔽結(jié)構(gòu)內(nèi),外層屏蔽材料是磁導(dǎo)率較高的30號(hào)鋼,不僅對(duì)電場(chǎng)有良好的屏蔽,同時(shí)對(duì)磁場(chǎng)有一定的屏蔽作用,具有一定的強(qiáng)度對(duì)現(xiàn)場(chǎng)采集部件起到支撐和保護(hù)作用。中間屏蔽層材料是電導(dǎo)率大的紫銅,確保電路模塊不同部位的壓差較小;內(nèi)層屏蔽材料是磁導(dǎo)率很高的坡莫合金,利用磁力線(xiàn)的旁路原理進(jìn)行低頻磁場(chǎng)的屏蔽(見(jiàn)表1)。為了確保高效的屏蔽效果,通過(guò)絕緣漆或硅橡膠墊保證各層之間良好的絕緣,在必須開(kāi)孔的地方,進(jìn)行特殊處理,如在光纖引出孔處另外增加了保護(hù)端蓋,把開(kāi)孔后對(duì)屏蔽的影響降低。

        表1 屏蔽材料的各項(xiàng)參數(shù)

        2.2 電磁屏蔽效能分析

        高頻電磁波的屏蔽效能主要由吸收損耗決定。當(dāng)電磁波在介質(zhì)中傳播時(shí), 無(wú)論電場(chǎng)還是磁場(chǎng), 它們的幅度都是按指數(shù)規(guī)律衰減,即:

        E1=E0·exp(-t/δ)H1=H0·exp(-t/δ)

        (1)

        式中:δ是趨膚深度即電磁波衰減為原始強(qiáng)度的1/e時(shí)所傳播的距離。

        趨膚深度的計(jì)算公式為:

        δ=0.066/(f·μr·σr)1/2

        (2)

        式中:f是電磁波的頻率;μr是相對(duì)磁導(dǎo)率;σr是相對(duì)電導(dǎo)率。

        可得出吸收損耗為:

        (3)

        式中:t為屏蔽材料厚度。

        當(dāng)電磁波頻率為10kHz時(shí),可計(jì)算出A30#鋼=166dB,A紫銅=52dB,A坡莫合金=1 000dB,總屏蔽效能遠(yuǎn)大于100dB,因而其干擾可忽略不計(jì)。

        當(dāng)電磁波頻率為1kHz時(shí),可計(jì)算出A30#鋼=52dB,A紫銅=16dB,A坡莫合金=332dB,總屏蔽效能遠(yuǎn)大于100dB,因而其干擾可忽略不計(jì)。

        低頻電磁波的屏蔽效能主要由反射損耗決定。測(cè)試系統(tǒng)處于近場(chǎng)區(qū),在近場(chǎng)中電磁波的反射損耗。由反射損耗:

        (4)

        式中:Zw為空氣的特性阻抗;Zs為屏蔽體介質(zhì)的特性阻抗。

        由于空氣的特性阻抗Zw在近場(chǎng)中不僅和電磁場(chǎng)的頻率有關(guān),而且與干擾源和被干擾源的距離及干擾源的性質(zhì)有關(guān)。

        |Zw|=k·Z0(Z00=377Ω)

        (5)

        將k值代入公式(4)可得:

        (6)

        (7)

        測(cè)試系統(tǒng)距干擾源的距離約為3m,假設(shè)干擾源的頻率為10Hz,則得出RE30#鋼=237 dB,RE紫銅=281 dB,此時(shí)低頻電場(chǎng)干擾可忽略。

        RH30#鋼=0dB,RH紫銅=34dB,此時(shí)低頻磁場(chǎng)干擾不能忽略。

        由上述分析計(jì)算可知,低頻磁場(chǎng)是最難屏蔽的磁場(chǎng),不能無(wú)限度的增加屏蔽材料的厚度來(lái)屏蔽,通常選用高導(dǎo)磁材料作屏蔽,高導(dǎo)磁材料為磁場(chǎng)提供低磁阻通路,利用高導(dǎo)磁材料的旁路原理屏蔽低頻磁場(chǎng)。

        3 安裝結(jié)構(gòu)及現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)

        電熱炮膛壓測(cè)試系統(tǒng)的應(yīng)用示意圖如圖4所示。壓力傳感器固定在測(cè)試點(diǎn)上,再通過(guò)低噪聲電纜與現(xiàn)場(chǎng)存儲(chǔ)測(cè)壓器連接,再用金屬屏蔽體把壓力傳感器、低噪聲電纜和存儲(chǔ)測(cè)壓器一起屏蔽,數(shù)字信號(hào)經(jīng)光纖傳輸至接收機(jī),恢復(fù)為原始?jí)毫π盘?hào)傳輸至多通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。

        圖5為膛底壓力曲線(xiàn),現(xiàn)場(chǎng)存儲(chǔ)方式和光纖傳輸方式的壓力曲線(xiàn)輪廓和變化趨勢(shì)一致,波形幅值大致相當(dāng),只是在時(shí)間關(guān)系上相差較大。因?yàn)槎呦嗷オ?dú)立,沒(méi)有時(shí)間關(guān)聯(lián)。

        4 結(jié) 論

        本文設(shè)計(jì)的電熱化學(xué)炮膛壓測(cè)試系統(tǒng)采用了存儲(chǔ)測(cè)試技術(shù)、光纖傳輸技術(shù)以及電磁屏蔽技術(shù),有效地切斷了強(qiáng)電磁干擾耦合途徑,具有安全性高、可靠性高、精度高、抗干擾能力強(qiáng)及實(shí)時(shí)傳輸?shù)忍攸c(diǎn),解決了電熱化學(xué)炮測(cè)試技術(shù)中的關(guān)鍵技術(shù),對(duì)電熱化學(xué)炮內(nèi)彈道特性的研究提供了測(cè)試手段。該測(cè)試技術(shù)可以拓展應(yīng)用到各種強(qiáng)電磁場(chǎng)干擾環(huán)境下的參數(shù)測(cè)試場(chǎng)合。

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