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        鍶鋇比及膜厚對(duì)鈦酸鍶鋇薄膜介電行為的影響

        2012-10-27 07:05:54趙麗麗張智翔高永進(jìn)翟春雪何崇斌
        中國科技信息 2012年6期
        關(guān)鍵詞:電性能麗麗溶膠

        趙麗麗 張智翔 高永進(jìn) 翟春雪 何崇斌

        西北大學(xué)信息科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,陜西 西安 710127

        鍶鋇比及膜厚對(duì)鈦酸鍶鋇薄膜介電行為的影響

        趙麗麗 張智翔 高永進(jìn) 翟春雪 何崇斌

        西北大學(xué)信息科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,陜西 西安 710127

        采用溶膠-凝膠法制備不同鍶鋇比、不同膜厚的鈦酸鍶鋇薄膜,研究了薄膜的介電行為。性能測(cè)試表明,在不同的鍶鋇比的鈦酸鍶鋇薄膜中,介電性能最好的鍶鋇比為0.5:0.5,此時(shí)介電系數(shù)最大介電損耗最?。荒ず衽c薄膜的介電系數(shù)呈線性關(guān)系,隨膜厚增加薄膜的介電系數(shù)線性增加。

        溶膠-凝膠法;鈦酸鍶鋇薄膜;介電性能;鍶鋇比

        引言

        材料的組分決定了材料的性能,鈦酸鍶鋇薄膜是一種環(huán)境友好的、鈦酸鍶和鈦酸鋇全范圍的固溶體,由于其鍶鋇比可調(diào)而具有優(yōu)秀的微波介電可調(diào)性而得到廣泛關(guān)注。目前關(guān)于其研究主要涉及:一、采取各種辦法制備高擇優(yōu)取向薄膜,根據(jù)晶體的介電各向異性來提高膜介電性能[1-2];二、摻雜及其對(duì)介電性能的改進(jìn)[3-4];三、結(jié)構(gòu)、缺陷的研究[5-6]等等。

        筆者從鍶鋇比的選擇著手制備了不同鍶鋇比的鈦酸鍶鋇薄膜,考察了鍶鋇比對(duì)膜介電性能的影響和膜厚對(duì)鈦酸鍶鋇介電性能的影響。

        1 實(shí)驗(yàn)部分

        按(鍶+鋇):鈦=1:1(物質(zhì)的量比)的比例,稱取醋酸鍶和醋酸鋇(Sr/Ba值分別為:0.1:0.9、0.2:0.8、0.3:0.7、0.4:0.6、0.5:0.5和0.6:0.4),溶于適量的冰醋酸和乙二醇甲醚混合溶液中,攪拌30分鐘,加入幾滴乙酰丙酮,繼續(xù)攪拌30分鐘。然后將混合溶液倒入等摩爾的鈦酸丁酯中,再攪拌45分鐘,得到淺黃色清澈透明的溶膠。溶膠陳化2天后甩膠,甩膠層數(shù)分別為5、6、7、8、9層,每層均經(jīng)過120℃熱處理,最后在700℃(2h)制備鈦酸鍶鋇薄膜。

        薄膜的相結(jié)構(gòu)采用日本Rigaku的D/max-3c型X射線衍射儀測(cè)試,微觀結(jié)構(gòu)采用日本Shimadzu的SPM9500J3型原子力顯微鏡進(jìn)行觀察,并采用LCR DATABRIDGE 2018A測(cè)試薄膜的介電性能。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 鍶鋇比對(duì)鈦酸鍶鋇薄膜介電性能的影響

        采用溶膠-凝膠法甩膜9層制備不同鍶鋇比的鈦酸鍶鋇薄膜,對(duì)其介電性能的測(cè)試結(jié)果如圖1所示。

        由圖1(a)可見,隨著鈦酸鍶鋇膜中鍶含量的增加膜的介電系數(shù)增加。各個(gè)頻率的測(cè)試都表明,在鍶鋇比為0.5:0.5時(shí)(即Ba0.5Sr0.5TiO3),薄膜的介電系數(shù)最大,同時(shí)在10kHz和100kHz下薄膜的介電系數(shù)明顯高于0.1kHz和1kHz狀態(tài)下。圖1(b)的變化趨勢(shì)說明,在Sr/Ba值在0.1:0.9~0.5:0.5的范圍內(nèi)時(shí),膜的介電損耗隨鍶含量的增加大致呈減小的趨勢(shì),當(dāng)鍶鋇比為0.5:0.5時(shí),介電損耗最小,Sr/Ba值大于0.5:0.5時(shí),膜的介電損耗增加;并且10kHz和100kHz下薄膜的介電損耗明顯低于0.1kHz和1kHz狀態(tài)下??傮w來講,圖1說明,當(dāng)鍶鋇比為0.5:0.5時(shí)膜的介電系數(shù)最大而介電損耗最小。

        圖1 鈦酸鍶鋇膜的鍶含量x與介電系數(shù)和介電損耗的關(guān)系

        圖2 膜厚與介電系數(shù)的關(guān)系

        2.2 膜厚對(duì)薄膜介電性能的影響

        采用溶膠-凝膠法制備Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜,分別甩膜5、6、7、8、9層,研究膜厚對(duì)介電性能的影響,測(cè)量結(jié)果如圖2。

        由圖2可見,薄膜的相對(duì)介電常數(shù)與膜厚呈線性相關(guān),相對(duì)介電常數(shù)隨膜厚增加而線性增加。因此,從器件性能出發(fā),在尺寸允許的范圍內(nèi),選擇盡量厚的膜有利于提高器件的介電性能。

        3 結(jié)論

        采用溶膠-凝膠法制備了鈦酸鍶鋇薄膜,研究了鍶鋇比和膜厚對(duì)薄膜介電性能的影響規(guī)律。研究發(fā)現(xiàn),鍶鋇比為0.5:0.5時(shí),即Sr0.5Ba0.5TiO3薄膜具有最大的介電系數(shù)和最小的介電損耗;隨膜厚增加,Sr0.5Ba0.5TiO3薄膜的介電系數(shù)線性增加。

        [1] Shengbo Lu, Zhenkui Xu, Jiwei Zhai. Thickness dependence of strain and in-plane dielectric properties of highly (001) oriented (Ba,Sr)TiO3thin films [J]. Thin Solid Films, 2010, 518: 5928~5931

        [2] C.C. Zhang, J.C. Shi, C.S. Yang, et al. Preparation of (100)-oriented LaNiO3on Si for the textured Ba0.5Sr0.5TiO3thin films [J]. Applied Surface Science, 2008, 255: 2773~2776

        [3] Xiaojing Yang, Xi Yao, Liangying Zhang. The dielectrical properties of (B,Si) doped (Ba,Sr)TiO3thin films fabricated by sol–gel technique[J]. Ceramics International, 2004, 30: 1763~1765

        [4] Yun Ye, Tailiang Guo. Dielectric properties of Fe-doped Ba0.65Sr0.35TiO3thin films fabricated by the sol–gel method [J]. Ceramics International, 2009, 35: 2761~2765

        [5] Xiaohong Zhua, Dongning Zheng, Wei Peng, et al. Preparation, microstructure and dielectric properties of Ba0.5Sr0.5TiO3thin films grown on Pt/Ti/ SiO2/Si substrates by pulsed laser deposition [J]. Materials Letters, 2004, 58: 3591~3596

        [6] I. B. Misirlioglu, A. L. Vasiliev, M. Aindow, et al. Strong Degradation of Physical Properties and Formation of a Dead Layer in Ferroelectric Films Due to Interfacial Dislocations [J]. Integrated Ferroelectrics, 2005, 71: 67~80

        10.3969/j.issn.1001-8972.2012.06.016

        陜西省教育廳自然科學(xué)項(xiàng)目(08JK462);陜西省科技廳自然科學(xué)項(xiàng)目(SJ08-ZT04)

        趙麗麗,山西臨汾人,副教授,從事新型電子材料與元器件研究。

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