納米點(diǎn)電子記憶體速度奇高
2012-08-30 12:06:36
大眾科學(xué) 2012年6期
美國(guó)和臺(tái)灣的研究人員利用納米點(diǎn)創(chuàng)建的新電子記憶體技術(shù)，在寫入和擦除數(shù)據(jù)方面比當(dāng)今主流電荷存儲(chǔ)內(nèi)存產(chǎn)品要快10至100倍，打破了世界紀(jì)錄，其獨(dú)特的記憶存儲(chǔ)方法保證了穩(wěn)定與長(zhǎng)期性，而材料和工藝也與目前主流的集成電路技術(shù)兼容，既能滿足當(dāng)前的CMOS工藝生產(chǎn)線，也可應(yīng)用于其他先進(jìn)設(shè)備的結(jié)構(gòu)，
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