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        SRAM型FPGA單粒子效應逐位翻轉(zhuǎn)故障注入方法

        2012-08-07 10:52:18宋凝芳秦姣梅江云天
        北京航空航天大學學報 2012年10期
        關鍵詞:故障方法設計

        宋凝芳 秦姣梅 潘 雄 江云天

        (北京航空航天大學儀器科學與光電工程學院,北京100191)(第二炮兵裝備研究院,北京100085)

        SRAM(Static Random Access Memory)型FPGA(Field Programmable Gate Array)具有信息密度大、性能高、可重復編程的特性,在空間領域得到了廣泛應用[1].然而SRAM型FPGA對空間中的單粒子十分敏感,易發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn).單粒子翻轉(zhuǎn)會導致FPGA中存儲單元的內(nèi)容改變,導致計算結(jié)構(gòu)錯誤、程序執(zhí)行序列錯誤等,甚至導致系統(tǒng)的崩潰[2].因此,在應用于空間環(huán)境中之前,必須對FPGA進行容錯設計,并對設計的可靠性進行有效測試和評估.

        目前,在地面上模擬空間中的單粒子翻轉(zhuǎn)主要采用輻射模擬和故障注入的方法.輻射模擬即采用重離子或高能質(zhì)子等模擬源來輻照器件,測試其輻射敏感參數(shù),為器件選型和預估實際輻射環(huán)境中的單粒子翻轉(zhuǎn)率提供依據(jù).然而,此方法成本很高,注入位置難以控制,而且危險性高.

        與此相比,模擬單粒子翻轉(zhuǎn)的第2種方式,即故障注入方法則彌補了上述缺點,成為地面模擬單粒子翻轉(zhuǎn)的重要手段.尤其是利用SRAM型FPGA重配置特性進行的故障注入方法得到了極大的關注.文獻[3]提出采用部分動態(tài)重配置,隨機注入的方法對FPGA進行故障注入.文獻[4-5]中提到開發(fā)了故障注入平臺SLAAC1,對Virtex系列芯片采用TMR(Triple Modular Redundancy)技術(shù)后的單粒子翻轉(zhuǎn)可靠性進行評測.此平臺只適用于Virtex系列芯片,對VⅡ及以上系列不支持.國內(nèi)方面,文獻[2]實現(xiàn)了基于重配置技術(shù)的故障注入,但試驗時需由用戶提供翻轉(zhuǎn)位的地址.而實際上用戶無法知道設計中對應電路資源的配置位位置,在測試時很難決定需要翻轉(zhuǎn)的配置位,從而為電路的可靠性評測造成了很大的困難.

        本文提出的逐位翻轉(zhuǎn)故障注入方法,無需用戶了解數(shù)字電路設計的實現(xiàn)細節(jié)及提供故障注入位置,就可得到設計的可靠性參數(shù),為設計的可靠性評估和改進提供依據(jù).適用的故障類型包括單粒子翻轉(zhuǎn)及單粒子瞬態(tài)脈沖引起的所有單位配置位故障.

        1 逐位翻轉(zhuǎn)故障注入方法

        故障注入方法是一種評測容錯機制是否有效的試驗方法,通過有意識地向系統(tǒng)中引入故障來加速容錯機制的評測.FPGA發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)后,其故障表現(xiàn)為其中存儲單元的內(nèi)容改變,而這些存儲單元的內(nèi)容是由比特文件中的配置位決定的.SRAM型FPGA動態(tài)重配置的特性使得可在程序運行中人為翻轉(zhuǎn)配置位,從而引入與單粒子翻轉(zhuǎn)同等效力的故障,模擬FPGA空間應用發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)時的狀況.通過分析故障注入后電路的輸出功能,評測邏輯設計的抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力.

        為了能對任何一個用FPGA實現(xiàn)的電路在其設計完成后評測它的抗單粒子翻轉(zhuǎn)可靠度,并主動找出其配置存儲單元中的敏感位,提出了一種逐位翻轉(zhuǎn)的故障注入方法.

        逐位翻轉(zhuǎn),顧名思義,即在程序運行過程中對配置位進行逐位翻轉(zhuǎn),然后逐次動態(tài)重配置到FPGA中,檢測翻轉(zhuǎn)位對設計輸出的影響.翻轉(zhuǎn)后引起輸出結(jié)果錯誤的配置位即為敏感位.此方法可以檢測出配置存儲單元中的所有敏感位,并通過生成一個msk.dat掩碼文件,定位出敏感位在配置文件中的具體地址.

        得到敏感位個數(shù)后,可計算得到電路設計配置存儲單元的動態(tài)翻轉(zhuǎn)截面[5]為

        式中,σs為器件配置存儲單元的靜態(tài)翻轉(zhuǎn)截面;σd為電路設計配置存儲單元的動態(tài)翻轉(zhuǎn)截面,σd的單位與σs相同,為 cm2/器件;Nsb為敏感位位數(shù);Ntb為配置位總位數(shù).與靜態(tài)翻轉(zhuǎn)截面反映器件的抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力不同,動態(tài)翻轉(zhuǎn)截面反映的是FPGA實現(xiàn)的用戶設計的抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力,與使用的器件和用戶設計均有關系.

        將敏感位位數(shù)乘以每位的翻轉(zhuǎn)率μ,就可得系統(tǒng)的失效率λ,表達式為

        得到λ后,由于系統(tǒng)可靠度服從泊松分布,其可靠度表達式為

        式中,t為系統(tǒng)運行時間;R為系統(tǒng)可靠度.根據(jù)式(3)可繪出系統(tǒng)的可靠度變化曲線.

        2 逐位翻轉(zhuǎn)故障注入實現(xiàn)

        2.1 故障注入系統(tǒng)結(jié)構(gòu)

        根據(jù)上述逐位翻轉(zhuǎn)方法,故障注入系統(tǒng)的實現(xiàn)需有一個控制芯片來控制配置位的翻轉(zhuǎn)和被測芯片的重配置,并將檢測到的敏感位及敏感位位置(由msk.dat體現(xiàn))上傳到上位機.

        設計的故障注入系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示.包含測試電路板、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)和上位機3部分.

        測試電路板包含控制器FPGA、被測FPGA(DUT,Device Under Test)及各自的 PROM(Programmable Read-Only Memory).控制器負責的主要功能為:①DUT的初始配置;②DUT配置數(shù)據(jù)的翻轉(zhuǎn)和動態(tài)重配置;③DUT輸出結(jié)果和預知正確結(jié)果的比較,及比較結(jié)果的上傳.

        數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)起到協(xié)議轉(zhuǎn)換和平衡數(shù)據(jù)傳輸速率的作用,負責上位機命令的下達和測試電路板數(shù)據(jù)的上傳.

        2.2 故障注入試驗流程

        整個試驗的流程如圖2所示.分為以下幾步:

        1)上位機上電,控制器將DUT PROM中的配置數(shù)據(jù)發(fā)送給DUT,完成DUT的初始配置;

        2)上位機發(fā)送逐位翻轉(zhuǎn)命令,控制器對DUT配置數(shù)據(jù)進行逐位翻轉(zhuǎn);

        3)控制器將翻轉(zhuǎn)位所在數(shù)據(jù)幀動態(tài)重配置到DUT中;

        圖1 故障注入系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖

        圖2 試驗流程圖

        4)比較重配置后DUT輸出結(jié)果和預知的正確結(jié)果.引起輸出結(jié)果錯誤的位為敏感位,錯誤數(shù)加1,并將相應位的msk掩碼值記為1;

        5)將msk值和錯誤總數(shù)上傳.上傳的數(shù)據(jù)在上位機中生成一個msk.dat掩碼文件.根據(jù)此文件可知敏感位的總位數(shù)及具體位置.

        考慮到控制器的資源使用以及敏感位位置分析的方便,將FPGA的配置位按欄類型做了如表1劃分,分別進行逐位翻轉(zhuǎn).通過這種方式可直觀看出每類配置位的敏感位個數(shù).

        另外,方法在設計時利用SRAM型FPGA可以局部動態(tài)重配置的優(yōu)點,每次只重配置翻轉(zhuǎn)位所在的1幀數(shù)據(jù),節(jié)約了大量的時間.試驗所用XC2V1000系列芯片除BRAM(Block Random Access Memory)外共有配置位2 876 416位.即一次試驗共需重配置2 876 416次.在配置時鐘選擇2 MHz時,如果重配置全部采用全局重配置,試驗共需187 h,是不現(xiàn)實的.而本方法只需30 min左右即可將所有配置位遍歷一遍,節(jié)約了大量的時間,也為重復試驗實現(xiàn)了可能.試驗花費時間如表1所示.

        表1 逐位翻轉(zhuǎn)試驗時間花費

        3 故障注入試驗及結(jié)果分析

        3.1 測試對象

        對經(jīng)過TMR設計的乘法器和不經(jīng)過TMR設計的乘法器分別進行逐位翻轉(zhuǎn)試驗,比較測試結(jié)果.

        TMR采用輸入和乘法模塊均三模冗余,單表決器輸出的設計方法(如圖3所示).同時,為了避免TMR單點失效問題,各模塊進行了布局操作.將M1模塊放置于CLB(Control Logic Block)1~7欄,M2放置于CLB8~14欄,M3放置于CLB21~26欄,V0放置于CLB15~20欄.將所有的輸入輸出放置在芯片左側(cè)和右側(cè)的管腳.未經(jīng)過TMR設計的乘法器其乘法器模塊放置于CLB8~14欄.乘法器輸入為4位×4位,輸出為8位.兩種設計的資源使用情況如表2所示.

        圖3 TMR乘法器設計結(jié)構(gòu)圖

        表2 兩種設計資源使用情況

        3.2 測試結(jié)果及分析

        3.2.1 測試結(jié)果

        對上述設計進行試驗,結(jié)果如表3所示.

        TMR乘法器CLB15~20欄逐位翻轉(zhuǎn)試驗生成的msk.dat文件截取部分如圖4所示.文件中為1的位即表示配置數(shù)據(jù)中相應位為敏感位,最后3個字節(jié)代表敏感位的總位數(shù).對msk文件進行簡單分析即可得敏感位的具體位置,見表4.

        根據(jù)實驗結(jié)果,由式(1)、式(2)可得兩種電路設計的可靠性參數(shù)如表5所示.這里的σs采用粒子能量為63.3 MeV時XC2V1000的靜態(tài)翻轉(zhuǎn)截面7.86 ×10-8cm2/器件[6].翻轉(zhuǎn)率采用 Xilinx公司發(fā)布的 VirtexⅡ系列芯片配置位翻轉(zhuǎn)率4.4 ×10-7/(bit·d)[7].由式(3),得到兩種設計的可靠度變化曲線如圖5所示.

        表3 逐位翻轉(zhuǎn)試驗結(jié)果bit

        圖4 TMR乘法器CLB15~20欄msk.dat文件

        表4 TMR乘法器CLB15~20欄敏感位位置

        表5 設計的可靠性參數(shù)

        3.2.2 試驗結(jié)果驗證

        為了驗證所得敏感位位置的正確性,對TMR乘法器試驗得到的敏感位進行逐位測試.對應查找到的敏感位,在配置文件中翻轉(zhuǎn)相應位,然后逐次用JTAG下載器下載到程序中運行,結(jié)果均造成程序的輸出結(jié)果錯誤.從而表明試驗得到的敏感位位置是正確的.

        圖5 兩種設計的可靠度變化曲線

        3.2.3 試驗討論

        根據(jù)試驗結(jié)果可以得到如下分析:

        1)本試驗電路設計為組合邏輯電路,沒有用到時鐘和BRAM,因此,敏感位完全位于CLB欄和IOI/IOB欄.

        2)TMR設計的CLB欄敏感位只存在于表決器模塊中,因此,要想進一步提高設計的可靠度,應該提高表決器模塊的可靠度或采用多表決器的方法.這與理論分析是相符合的.

        3)此方法在對時序電路進行故障注入試驗時,需提前判斷好故障傳輸至輸出端可能所需的最長周期,以在故障判斷時做相應周期延時.

        4)翻轉(zhuǎn)的配置存儲位中包含一部分的用戶存儲單元,即決定觸發(fā)器功能的比特位.但觸發(fā)器占資源很少,只有0.42%左右[5],可以忽略.

        5)此方法只能進行單位翻轉(zhuǎn),要想遍歷所有的兩位翻轉(zhuǎn)或多位翻轉(zhuǎn)是不現(xiàn)實的.但實際中,單粒子效應引起的95%以上是單位翻轉(zhuǎn)[8],且采用刷新功能可以有效防止翻轉(zhuǎn)積累,因此并不影響本試驗對可靠度的評測.

        4 結(jié)論

        提出的逐位翻轉(zhuǎn)故障注入方法可以檢測出用戶電路設計配置存儲資源的敏感位,得到其動態(tài)翻轉(zhuǎn)截面和失效率,繪出可靠度變化曲線,從而對電路設計在空間應用中的可靠度進行評測.試驗花費時間較少,一次完整的試驗只需33 min.試驗不僅可以得到敏感位的位數(shù),還可以對敏感位的位置進行定位,對設計改進有很好的參考意義.但方法主要針對單位配置位翻轉(zhuǎn)故障,對多位翻轉(zhuǎn)、累加翻轉(zhuǎn)故障及單粒子功能中斷故障的故障注入方法還有待進一步研究.

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