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        電子鎮(zhèn)流器中半橋逆變器與諧振電路的頻率匹配

        2012-04-27 10:30:08北方工業(yè)大學(xué)信息工程學(xué)院微電子學(xué)系戚海洋
        電子世界 2012年1期
        關(guān)鍵詞:鎮(zhèn)流器柵極導(dǎo)通

        北方工業(yè)大學(xué)信息工程學(xué)院微電子學(xué)系 李 通 王 宇 戚海洋 孫 濤

        1.引言

        電子鎮(zhèn)流器應(yīng)用廣泛,是我們現(xiàn)在日常照明主要使用的器件,從各個環(huán)節(jié)上提高它的能效,延長它的使用壽命都至關(guān)重要。熒光燈管與高頻電子鎮(zhèn)流器的非阻抗匹配性質(zhì),導(dǎo)致在負載燈管一端引入電感電容,使之與電子鎮(zhèn)流器阻抗匹配[1]。為了提高能效,提高電子鎮(zhèn)流器的使用可靠性,在電子鎮(zhèn)流器的設(shè)計中,電子鎮(zhèn)流器的振蕩頻率與諧振電路的振蕩相匹配顯得非常重要。

        2.半橋逆變器與諧振電路的頻率分析

        電路基本圖如圖一所示,Vdc為通過鎮(zhèn)流器中芯片PFC控制后升壓直流電壓,vgs1,vgs2為半橋開關(guān)的控制信號,其中D1,D2為MOS管分立器件內(nèi)部本身帶的二極管。半橋逆變電路輸出的方波電壓可用傅里葉級數(shù)表示為直流和交流之和而其中f為逆變器的工作頻率。半橋逆變器輸出是個包含了直流項的方波電壓,所以加了個隔直電容C2。方波電壓的直流項在燈管點火前,使得燈上的壓降包括了這個直流電壓項,因此獲得了更高的點火電壓。點火成功后,該直流電壓項不會增加燈管的壓降,所以點亮后,只考慮方波電壓交流成分的影響。方波電壓的交流成分幾乎所有的諧波項都會被諧振電路濾掉,只有基波成分在諧振電路里起作用。因此,該電路使用基波電壓來近似分析。

        電子鎮(zhèn)流器的工作電路存在兩種振蕩頻率:一種是半橋開關(guān)頻率fs(簡稱工作頻率);另一種是燈管,限流電感(L)和啟動電容(C)之間的諧振頻率fr(簡稱諧振頻率)。由于諧振電路是半橋開關(guān)電路的負載,因此,工作頻率與諧振頻率之間存在以下三種關(guān)系:

        (1)半橋開關(guān)頻率等于振蕩頻率(fs=fr)

        當(dāng)fs=fr的時候,系統(tǒng)呈現(xiàn)阻性。振蕩電路電流ir與基波電壓V1同相,他們之間相位角Ψ為0.圖上示意了半橋振蕩逆變電路理論波形。從圖上看到,當(dāng)ir等于0時候,Q1開啟,ir從0上升,流過Q1.一旦ir再次到0,Q1關(guān)閉,Q2開啟。ir電流方向變?yōu)樨撓颍鬟^Q2。MOS開關(guān)管導(dǎo)通順序為Q1-Q2-Q1,開關(guān)在零電流時候開和關(guān),導(dǎo)致零開關(guān)損耗,能效更高。不過,在實際應(yīng)用中,頻率的偏差和兩個開關(guān)管之間的死區(qū)時間,這樣的開關(guān)狀態(tài)是幾乎不存在的。

        (2)半橋開關(guān)頻率大于振蕩頻率(fs>fr)

        圖1 電子鎮(zhèn)流器中半橋逆變器與串聯(lián)諧振電路簡圖

        圖2 電阻性分析

        圖3 電感性分析

        圖4 電容性分析

        圖5 仿真原理圖

        圖6 電感性仿真結(jié)果

        圖7 電容性仿真結(jié)果

        當(dāng)fs>fr的時候,系統(tǒng)呈感性。ir落后于V1相位角Ψ,Ψ>0。半導(dǎo)體器件導(dǎo)通順序為D1-Q1-D2-Q2-D1.圖上示意了半橋振蕩逆變電路理論波形。當(dāng)vgs2由高變?yōu)榈蜁r,Q2關(guān)閉。此時,ir是負的,并且由流經(jīng)Q2流經(jīng)D1。在短暫的死區(qū)時間階段后,vgs1由低變?yōu)楦?。雖然這樣,Q1并沒有立即導(dǎo)通,直到ir變?yōu)?,D1關(guān)閉,然后Q1導(dǎo)通,ir流過Q1.在D1導(dǎo)通時候,S1上的壓降等于D1的導(dǎo)通壓降,約為-0.7V,因此,Q1是零電壓導(dǎo)通。當(dāng)vgs1由高變?yōu)榈蜁r,Q1關(guān)閉。此時,ir由流經(jīng)Q1轉(zhuǎn)為流經(jīng)S2,而vs1增加,vs2減少。當(dāng)vs2減少為-0.7V時候,D2導(dǎo)通,ir流過D2。從以上分析看到,MOS開關(guān)管的關(guān)閉是由柵極信號強制的,而開啟是由對應(yīng)的二極管的關(guān)斷引起的。

        這種模式下開關(guān)管有零電壓導(dǎo)通的優(yōu)點,因此,開關(guān)管的導(dǎo)通損耗接近于零。由于密勒效應(yīng)沒起作用,MOS開關(guān)管的輸入電容不會因為密勒效應(yīng)而增加,所以柵驅(qū)動能量低,開關(guān)速度快。振蕩電流方向改變在低電流變化率di/dt下實現(xiàn),所以二極管是自然關(guān)閉,所以一個較慢的二極管就夠了,直插MOS管中自帶的二極管就夠了。

        雖然開關(guān)管的導(dǎo)通損耗接近于零,可是開關(guān)管關(guān)斷時候卻不一樣。關(guān)斷時,開關(guān)管電壓和電流波形卻有重疊,引起了關(guān)斷損耗。密勒效應(yīng)也要考慮,增加了開關(guān)管的輸入電容,增加了柵極驅(qū)動需要的能量,降低了關(guān)斷速度。盡管如此,為了實現(xiàn)高效,諧振電路的諧振頻率常常設(shè)置為低于開關(guān)頻率。

        (3)半橋開關(guān)頻率小于振蕩頻率(fs<fr)

        當(dāng)fs<fr時候,系統(tǒng)呈現(xiàn)容性。ir相位領(lǐng)先V1相位角|Ψ|,其中Ψ<0.半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通順序為Q1-D1-Q2-D2-Q1.圖顯示了半橋振蕩逆變器的理論波形。當(dāng)vgs1由低變?yōu)楦邥r,Q1開啟,ir是正的,由流過D2轉(zhuǎn)為流過Q1。因為ir領(lǐng)先V1,所以在vgs1由高變?yōu)榈椭?,ir會變?yōu)榱恪.?dāng)ir變?yōu)樨摰臅r候,ir會由流過Q1,轉(zhuǎn)為流過D1,Q1自然關(guān)斷。而S1的電壓大約從1V變?yōu)?0.7V,而S2的電壓仍然為Vdc.所以Q1是零電壓關(guān)斷,沒有關(guān)斷損耗。當(dāng)vgs2由低變?yōu)楦邥r,Q2開啟。此時,ir由流過D1到流過Q2,S2上的電壓由Vdc減少為零。Q2是在一個等于Vdc的高電壓情況下開啟的,因此開關(guān)導(dǎo)通損耗不為零。一旦過S2電流變?yōu)樨摚珼2開啟,Q2自然關(guān)閉。從以上分析看到,開關(guān)MOS管的開啟是柵極信號強制的,而關(guān)閉是由對應(yīng)二極管開啟引起的。

        一旦開關(guān)管沒有做到零電壓開關(guān),就會出現(xiàn)這樣一些危害:

        a.MOS管中二極管關(guān)斷時刻,其電壓由-0.7V變?yōu)閂dc。二極管關(guān)斷時,其上的電壓變化率dv/dt很大,將會產(chǎn)生一個高的反向恢復(fù)電流峰值,反向恢復(fù)應(yīng)力大。高電流峰值可能損壞開關(guān)管,并且引起開關(guān)損耗和噪音。

        b.一般來說,每個開關(guān)管都有它的輸出電容。在開關(guān)管導(dǎo)通前,它的輸出電容充電到Vdc,因此,開關(guān)管導(dǎo)通時,它的輸出電容放電,引起了損耗CVdc2/2。

        c.因為在導(dǎo)通瞬間,柵極電壓增加,開關(guān)管電壓降低,密勒效應(yīng)增大了開關(guān)管的輸入電容,增加了柵極驅(qū)動充電,所以降低了開關(guān)導(dǎo)通速度。

        3.仿真驗證及結(jié)果分析

        仿真原理圖如圖5所示,此時是對熒光燈點亮?xí)r的仿真,R9代表36WT8熒光燈點亮?xí)r的等效電阻,R1,R2,R3,R5,代表熒光燈管兩頭的燈絲電阻。此時諧振頻率為55KHZ,而仿真電感性和電容性特征的半橋頻率分別為60KHZ,40KHZ,仿真結(jié)果分別見圖6、圖7,其結(jié)果與前面的分析一致。

        4.結(jié)論

        從本文的分析和仿真可以看出,電子鎮(zhèn)流器設(shè)計中要把半橋逆變器的頻率設(shè)置為大于串聯(lián)諧振電路振蕩頻率,提高能效,不僅能達到節(jié)能減排的目的,還能保證半橋電路開關(guān)管的使用安全。

        [1]毛興武,祝大衛(wèi).新型電子鎮(zhèn)流器電路原理與設(shè)計[M].北京:人民郵電出版社,2007.

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