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        鋁合金中微量元素輝光放電質(zhì)譜定量分析研究

        2012-01-29 11:05:52李繼東王長(zhǎng)華鄭永章
        質(zhì)譜學(xué)報(bào) 2012年1期
        關(guān)鍵詞:輝光離子源標(biāo)樣

        李繼東,王長(zhǎng)華,鄭永章

        (北京有色金屬研究總院,北京 100088)

        輝光放電質(zhì)譜(glow discharge mass spectrometry,GD-MS)是利用輝光放電源作為離子源與質(zhì)譜儀結(jié)合進(jìn)行元素含量測(cè)定的一種分析方法。隨著質(zhì)譜技術(shù)的快速發(fā)展,GD-MS已成為固體材料,尤其是高純材料中雜質(zhì)成分分析最有效的手段[1-3]。GD-MS進(jìn)行半定量分析時(shí)不考慮樣品中不同元素的靈敏度差異,近似認(rèn)為被測(cè)定元素與基體元素離子束強(qiáng)度比值(IBR)等于其質(zhì)量濃度比。定量分析則需通過(guò)不同元素的相對(duì)靈敏度因子(RSF)對(duì)IBR進(jìn)行校正,Harrison等[4]研究表明,GD-MS分析大多數(shù)元素的RSF差異在3倍以內(nèi)。由于GD-MS進(jìn)行輝光放電時(shí)具有“分步式”電離的特點(diǎn),被測(cè)元素離子強(qiáng)度受基體影響不大,在缺乏合適標(biāo)樣的情況下,也可以用由多種金屬和合金導(dǎo)出的典型RSF值來(lái)進(jìn)行校正[5]。目前,商業(yè)化GD-MS通常采用“定量分析方法”,即采用典型相對(duì)靈敏度因子(RSF Typical)來(lái)進(jìn)行校正,有文獻(xiàn)報(bào)道[6]采用RSF Typical進(jìn)行校正的大部分元素的分析相對(duì)誤差低于30%。事實(shí)上,這種“定量分析方法”仍屬于一種改進(jìn)的半定量分析方法,對(duì)一些元素的測(cè)定仍然會(huì)帶來(lái)較大的誤差。

        本研究以牌號(hào)為6063鋁合金標(biāo)樣系列中單點(diǎn)標(biāo)樣來(lái)獲得其中9個(gè)雜質(zhì)元素的RSF值,同時(shí)考察輝光放電離子源的一些參數(shù),如放電電流、氬氣流速以及離子源冷卻溫度對(duì)RSF值測(cè)定的影響,并采用該標(biāo)樣系列中其它點(diǎn)來(lái)對(duì)獲得的RSF值進(jìn)行驗(yàn)證。

        1 實(shí)驗(yàn)部分

        1.1 儀器及試劑

        Element GD型高分辨輝光放電質(zhì)譜儀、IRIS Intripid II電感耦合等離子體光譜儀:美國(guó)Thermo Fisher公司產(chǎn)品;6063系列鋁合金標(biāo)樣國(guó)色規(guī)字[1999]391號(hào):西南鋁業(yè)有限責(zé)任公司產(chǎn)品,用來(lái)進(jìn)行元素RSF值測(cè)定實(shí)驗(yàn)標(biāo)樣塊編號(hào)為E421a,其中各元素含量(wt%)如下,Si:0.546,F(xiàn)e:0.196,Cu:0.040,Mn:0.897,Mg:1.24,Ni:0.064,Zn:0.294,Ti:0.123,Cr:0.325;所用標(biāo)準(zhǔn)溶液(如 Si、Fe、Cu、Mn、Mg、Ni、Zn、Ti和 Cr)的質(zhì)量濃度均為1 000mg/L(GSB 04-17xx-2004):北京有色金屬研究總院產(chǎn)品,使用時(shí)逐級(jí)稀釋至所需濃度;硝酸和鹽酸,均為MOS級(jí);所用水為去離子水,電阻為18MΩ。

        1.2 實(shí)驗(yàn)方法

        選取一塊牌號(hào)為6063鋁合金標(biāo)樣,用王水對(duì)其表面進(jìn)行輕微蝕清洗,表面以800目砂紙打磨去除氧化層,用去離子水清洗表面,高純氮?dú)獯蹈?,待GD-MS測(cè)定。

        采用ICP-AES對(duì)比測(cè)定時(shí),試樣以鹽酸溶解,各元素稀釋至合適的倍數(shù)后,以標(biāo)準(zhǔn)加入法進(jìn)行測(cè)定。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 放電電流對(duì)RSF值測(cè)定的影響

        產(chǎn)生輝光放電的工作條件通常有放電電壓、放電電流及放電氣體壓力(或單位流量),3個(gè)參數(shù)相互發(fā)生關(guān)聯(lián)。通常來(lái)說(shuō),放電電流越大,樣品的濺射率越高,被測(cè)元素的靈敏度也隨之越高,但電流太大易使陽(yáng)極帽上的沉積物快速增加而導(dǎo)致短路現(xiàn)象,使輝光放電過(guò)程不能繼續(xù)進(jìn)行。Element GD型GD-MS采用調(diào)節(jié)放電電流的方法,電壓隨著電流的變化而自行變化,在確定儀器條件時(shí)不需調(diào)節(jié)優(yōu)化。本實(shí)驗(yàn)將放電氣體流速固定在400mL/min條件下,分別試驗(yàn)了30、40、50、60以及70mA 5種放電電流,在中等分辨率(4 000R10%)下測(cè)定其RSF值,測(cè)定值列于表1。

        由表1可知,隨著放電電流的增大,各元素RSF值的變化方向和幅度具有明顯改變。就單個(gè)元素而言,F(xiàn)e的RSF值變化幅度最大,降低了44%;Mg的RSF值幾乎沒(méi)有變化;而Cu的RSF值增大了22%。由此表明,放電電流對(duì)鋁合金中元素的RSF值影響非常明顯。

        2.2 放電氣體流量對(duì)RSF值測(cè)定的影響

        在輝光放電體系中,放電氣體壓強(qiáng)或流量(離子源真空度)決定參與碰撞和電離的惰性氣體原子數(shù)目。一般來(lái)說(shuō),在固定的放電電壓下,增大放電氣體壓強(qiáng)可以提高放電電流,進(jìn)入質(zhì)譜儀的離子束強(qiáng)度增大,被測(cè)離子的靈敏度隨之增高;另一方面,要維持同樣的放電電流,如果增大放電氣體壓強(qiáng),則所需的放電電壓就會(huì)下降。放電條件選擇的原則是要最終獲得有一定強(qiáng)度的、穩(wěn)定的樣品基體離子束信號(hào)。對(duì)該鋁合金標(biāo)樣分別試驗(yàn)了350、400、450、500和550mL/min 5種離子源氬氣流量,在中等分辨率(4 000R10%)且放電電流固定為50mA條件下測(cè)定其RSF值,測(cè)定值列于表2。

        由表2可知,隨著放電氣體流量的增大,所測(cè)定的9個(gè)元素的RSF值均有所增大,但增大的幅度有較大差異。例如,元素Mg的增大幅度最小,為11%;而Ti和Fe的增大幅度均達(dá)到了1倍以上。放電氣體流量對(duì)RSF值的影響示于圖1。由圖1可見(jiàn),放電氣體流量(或壓力)對(duì)所測(cè)定的鋁合金中的9個(gè)元素的RSF值的影響非常顯著。

        表1 放電電流對(duì)RSF值及靈敏度的影響Table 1 The effects of discharge current for RSF value and sensitivity

        表2 放電氣體流量對(duì)RSF值及靈敏度的影響Table 2 The effects of discharge gas flow rate for RSF value and sensitivity

        圖1 放電氣體流量對(duì)RSF值的影響Fig.1 The effects of discharge gas flow rate for RSF

        2.3 離子源樣品冷卻溫度對(duì)RSF值測(cè)定的影響

        樣品在輝光放電過(guò)程中溫度會(huì)緩慢升高,采取制冷手段可以起到穩(wěn)定樣品表面溫度的作用。在不同的GD-MS儀器上采用不同的冷卻手段(如VG9000采用液氮冷卻,Element GD采用半導(dǎo)體制冷),主要考慮來(lái)自放電氣體和吸附在離子源上的C、N和O等氣體雜質(zhì)易與基體離子形成復(fù)合分子離子對(duì)一些被測(cè)同位素產(chǎn)生質(zhì)譜重疊干擾,冷卻后能減少這些氣體雜質(zhì)分子在輝光放電中碰撞和電離的機(jī)會(huì),從而降低干擾。對(duì)該鋁合金標(biāo)樣分別試驗(yàn)了-5、0、10、20和30℃5種離子源制冷溫度,在中等分辨率(4 000R10%)下測(cè)定其RSF值,測(cè)定值列于表3。

        由表3可知,隨著離子源制冷溫度的增加,測(cè)定元素的RSF值沒(méi)有明顯變化。因此,離子源溫度對(duì)鋁合金中各測(cè)定元素的RSF值沒(méi)有顯著影響。

        2.4 標(biāo)樣及樣品測(cè)試比對(duì)

        采用在相同離子源條件下(電流50mA,氣體流速400mL/min,離子源制冷溫度10℃)獲得的RSF值測(cè)定6063鋁合金標(biāo)樣系列中另一標(biāo)樣點(diǎn)(E422a),將測(cè)試結(jié)果與該點(diǎn)標(biāo)樣標(biāo)示值進(jìn)行對(duì)比,考察測(cè)定結(jié)果的準(zhǔn)確度;采用該方法對(duì)7系某牌號(hào)鋁合金樣品進(jìn)行測(cè)定,測(cè)定結(jié)果與ICP-AES測(cè)定結(jié)果進(jìn)行對(duì)比,結(jié)果列于表4,測(cè)定時(shí)對(duì)各樣品均是對(duì)其表面某一固定點(diǎn)連續(xù)測(cè)定5次。

        由表4可知,采用獲得的各元素RSF值來(lái)校正測(cè)定E422a鋁合金標(biāo)樣中各元素含量,測(cè)定值與標(biāo)示值的相對(duì)誤差在0.5%~5.6%之間,其中Ti和Ni測(cè)定值比標(biāo)示值略低,但總體來(lái)說(shuō)準(zhǔn)確性良好;5次測(cè)定的RSD小于5%,表明具有良好的精密度。采用同樣的條件和方法測(cè)定7系鋁合金某牌號(hào)樣品,GD-MS與ICPAES測(cè)定結(jié)果吻合。

        表3 離子源溫度對(duì)RSF值的影響Table 3 The effects of ion source temperature for RSF

        表4 標(biāo)樣及樣品測(cè)試結(jié)果比對(duì)Fig.4 The comparison of testing results for standard and practical samples

        3 結(jié)論

        采用GD-MS測(cè)定鋁合金中元素含量時(shí),離子源條件(如放電電流及氬氣流速(或壓力))對(duì)元素的相對(duì)靈敏度因子有著顯著的影響,因此在進(jìn)行儀器條件調(diào)諧時(shí)需要注意這兩個(gè)條件對(duì)測(cè)定結(jié)果的影響;部分元素RSF值與目前商業(yè)化輝光放電質(zhì)譜采用的典型RSF值有著明顯的差異,這將給元素測(cè)定帶來(lái)較大的誤差。本工作的完成可以為鋁合金表面不同元素分布的均勻性提供準(zhǔn)確的測(cè)定方法,同時(shí)也為高純鋁中雜質(zhì)元素的準(zhǔn)確測(cè)定建立基礎(chǔ)。

        [1]PISONERO J,F(xiàn)ERNáNDEZ B,GüNTHER D.Critical revision of GD-MS,LA-ICP-MS and SIMS as inorganic mass spectrometric techniques for direct solid analysis[J].Journal of Analytical Atomic Spectrometry,2009,24:1 145-1 160.

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        [3]陳 剛,葛愛(ài)景,卓尚軍,等.輝光放電質(zhì)譜法在無(wú)機(jī)非金屬材料分析中的應(yīng)用[J].分析化學(xué),2004,32(1):107-112.

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        [6]GRASSERBAUER M.Ultra trace analysis of refractory metals by solid state mass spectrometry-A comparison of GD-MS,SSMS and SIMS[J].Microchimica Acta,1987,1:291-295.

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