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        鉬合金表面MoSi2涂層氧化行為和氧化機(jī)理的研究

        2011-12-31 13:35:32李鵬飛范景蓮成會朝田家敏
        中國鎢業(yè) 2011年2期
        關(guān)鍵詞:粉料基體涂層

        李鵬飛,范景蓮,成會朝,田家敏

        (中南大學(xué)粉末冶金國家重點(diǎn)實(shí)驗室,長沙 410083)

        鉬及鉬合金具有優(yōu)良的導(dǎo)電、導(dǎo)熱以及耐腐蝕性能,而且具有低的熱膨脹系數(shù)、較高的硬度和高溫強(qiáng)度,廣泛應(yīng)用于電子電氣、儀器儀表、國防軍工、航空航天等領(lǐng)域[1-2]。但鉬及鉬合金在空氣中400℃以上便開始形成氧化物,造成性能下降;高于750℃生成的MoO3迅速揮發(fā),形成白色煙霧,并隨著溫度升高氧化加劇,這使得鉬及鉬合金在高溫領(lǐng)域的應(yīng)用受到限制[3-4]。提高鉬及鉬合金的高溫抗氧化性能,是擴(kuò)展其在材料領(lǐng)域應(yīng)用的關(guān)鍵。目前使鉬及鉬合金獲得抗氧化性能的研究主要分為兩個方面:(1)利用合金化技術(shù),對鉬及鉬合金改性,提高抗氧化能力[5];(2)在鉬合金表面形成一層具有抗氧化性能的涂層,使材料具有抗氧化能力[6-7]。合金化技術(shù)能夠一定程度地提高鉬及鉬合金基體的抗氧化性能,但不能完全阻止氧化,并且合金化技術(shù)會改變材料的力學(xué)性能;而涂層能在不改變材料力學(xué)性能的同時使材料具有高溫抗氧化性能。

        由于MoSi2具有高的熔點(diǎn)(2 030℃)、適中的密度(6.24g/cm3)和優(yōu)異的高溫抗氧化性能,使其在涂層領(lǐng)域得到廣泛研究。目前在鉬基合金表面制備MoSi2涂層的方法有噴涂法、激光熔敷法、CVD法和包埋滲硅法[7-9],其中包埋法較其他方法對設(shè)備要求低,并且涂層均勻性好,不受樣品尺寸與形狀限制。采用包埋滲硅法在難熔金屬鉬合金表面制備MoSi2涂層在國內(nèi)外文獻(xiàn)中報道的較少,一般涂層的制備是在氬氣或真空條件下進(jìn)行,氬氣成本較高,真空條件下不方便連續(xù)生產(chǎn)。因此,作者在氫氣氣氛中,采用包埋滲硅法在鉬合金基體上制備了MoSi2涂層,并研究了涂層在1 200℃靜態(tài)空氣中的高溫抗氧化性能和抗氧化機(jī)理。

        1 實(shí)驗方法

        采用粉末冶金方法制備出5mm×5mm×38mm的鉬合金樣品。首先利用砂紙對樣品表面進(jìn)行打磨拋光,酒精清洗烘干后用精密電子天平對樣品稱重,得到涂層基體材料;其次制備出均勻的粉料,粉料的組成如表1所示;然后把粉料裝入干凈的剛玉坩堝,再將基體材料放入粉料中間,并把坩堝密封;最后把坩堝置于氫氣氣氛的鉬絲爐中,在1200℃保溫7h,制備出MoSi2涂層。

        表1 粉料的組成

        采用日產(chǎn)JEOL公司的JSM-5600LV型掃描電鏡對樣品氧化前后的表面形貌和顯微組織進(jìn)行檢測分析,并利用EDS對涂層進(jìn)行成分分析;利用日產(chǎn)3014-2Z型X射線衍射儀分析樣品表面氧化前后的物相變化;利用精密電子天平稱量樣品氧化前后的質(zhì)量變化。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 MoSi2涂層的制備

        圖1為涂層表面形貌的SEM、EDS和XRD圖。從圖1-a中可以看出,涂層表面致密,分布著片狀的白色區(qū)域;通過圖1-b和圖1-c中的EDS分析發(fā)現(xiàn),涂層白色區(qū)域基本由Al和O元素組成,暗灰色區(qū)域由Al、Si、Mo和O元素組成。這是由于包埋滲硅法的粉料由Si粉、Al2O3粉和催化劑組成,涂層在高溫下形成的過程中,Al2O3粉容易黏附在涂層的表面,所以EDS分析中出現(xiàn)了較強(qiáng)Al、O峰。由圖1-d中的XRD分析可知,涂層表面氧化后由MoSi2和Al2O3組成。

        圖1 涂層表面的SEM、EDS和XRD圖

        圖2為MoSi2涂層斷口的SEM和EDS能譜分析圖。涂層分為兩層,外層是由白色區(qū)域和深灰色組成,內(nèi)層為淺灰色。通過2-b和2-c中的EDS分析發(fā)現(xiàn),涂層外層中的Si元素含量基本不變,說明形成了穩(wěn)定的化合物;Al元素的含量幾乎為零,說明Al2O3僅分布在樣品的表面;內(nèi)層的Si含量明顯較外層少,Mo元素得到提高。結(jié)合Mo-Si二元相圖[10]和圖1中XRD分析可知,涂層的表面含有較多的Al2O3,形成了穩(wěn)定的MoSi2層;內(nèi)層是MoSi2和基體的過渡區(qū)域,為Mo5Si3層。

        圖2 涂層斷口的SEM和EDS圖

        2.2 涂層的氧化動力學(xué)

        高溫靜態(tài)氧化實(shí)驗在1 200℃的高溫管式爐中進(jìn)行。圖3是涂層樣品和基體材料在相同實(shí)驗條件下的氧化動力學(xué)曲線。基體材料較純鉬具有一定的高溫抗氧化性能,經(jīng)過30min氧化實(shí)驗后,基體材料的氧化失重率達(dá)到11%;而經(jīng)過包埋滲硅制備涂層后的樣品,表現(xiàn)出氧化增重的趨勢,30min時氧化增重率為0.75%,60min時氧化增重率為0.58%,這表明MoSi2涂層具有較好的抗氧化性能。高溫靜態(tài)氧化實(shí)驗后,基體材料樣品氧化30min后表面氧化嚴(yán)重,出現(xiàn)嚴(yán)重鼓泡,而涂層樣品外表完好,沒有缺陷出現(xiàn)。

        圖3 基體和涂層的氧化動力學(xué)曲線

        2.3 涂層抗氧化機(jī)理

        涂層樣品在氧化過程中可能發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)如下所示:

        通過熱力學(xué)計算[11-12],其中反應(yīng)方程式(2)較(1)的吉布斯自由能更小,說明在熱力學(xué)平衡的情況下,反應(yīng)方程式(2)更容易發(fā)生。MoSi2的晶體結(jié)構(gòu)為C11b型體心正方結(jié)構(gòu),1 200℃時晶粒內(nèi)部Si原子的體積擴(kuò)散較高,能提供Si原子使樣品表面形成了致密的SiO2膜[12]。1 200℃時氧在玻璃態(tài)SiO2膜中的擴(kuò)散系數(shù)極小,能阻礙氧氣對基體的侵蝕。高溫下隨著時間延長,Si原子不斷擴(kuò)散至樣品表面,形成了一層致密的玻璃態(tài)SiO2保護(hù)膜,使得氧化過程中呈現(xiàn)增重現(xiàn)象,這和圖3中的動力學(xué)曲線吻合。

        圖4為涂層樣品氧化后表面的SEM圖和XRD能譜分析圖。經(jīng)過1 200℃高溫氧化后,樣品表面結(jié)合致密,如圖4-a所示。由圖4-b和圖4-c中的EDS分析可知,氧化后的涂層樣品表面含有Mo、Al、O和Si元素,其中氧含量明顯較氧化前高,主要是由于高溫MoSi2涂層與氧氣發(fā)生反應(yīng),生成了MoO3和SiO2,MoO3容易揮發(fā),而Al2O3和SiO2黏附在樣品表面,使得氧含量較高;結(jié)合圖4-d中的XRD分析,證實(shí)了涂層樣品表面形成了SiO2。

        圖4 涂層樣品氧化后表面的SEM、EDS和XRD圖

        圖5為涂層樣品氧化后斷口的SEM和EDX分析圖,其中圖5-b和圖5-c分別為圖5-a中A、B兩點(diǎn)的EDS分析圖。由圖可以看出中間層是未被消耗的MoSi2涂層,內(nèi)層為過渡區(qū)域的Mo5Si3層。結(jié)合圖4中的結(jié)論,說明了涂層樣品經(jīng)過氧化后在涂層表面形成了Al2O3和SiO2組成的保護(hù)性氧化層,對基體起到了良好的保護(hù)作用。

        圖5 涂層氧化后斷口的SEM和EDS圖

        3 結(jié)論

        (1)經(jīng)過高溫滲硅后,基體表面形成了涂層,涂層分為2層,外層為MoSi2層,內(nèi)層是MoSi2與鉬基體的過渡區(qū)域,為Mo5Si3。

        (2)基體材料樣品氧化30min時,表面氧化嚴(yán)重,出現(xiàn)嚴(yán)重鼓泡,氧化失重率為11%;涂層樣品氧化60min時,樣品外表完好,沒有出現(xiàn)明顯缺陷,氧化增重率為0.58%。

        (3)涂層在高溫氧化過程中表面形成SiO2致密層,阻礙了氧進(jìn)一步侵蝕涂層,使得涂層樣品具有優(yōu)異的高溫抗氧化性能。

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