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        基于HMC830的低相噪低雜散頻率源的設(shè)計(jì)

        2011-10-09 09:45:10潘玉劍張曉發(fā)袁乃昌
        電子設(shè)計(jì)工程 2011年19期
        關(guān)鍵詞:鑒相器低通濾波器管腳

        潘玉劍,張曉發(fā),袁乃昌

        (國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 電子科學(xué)與工程學(xué)院,湖南 長(zhǎng)沙 410073)

        頻率源可在雷達(dá)中用作本振信號(hào),進(jìn)行上下變頻,也可以作為數(shù)據(jù)處理的采樣時(shí)鐘等,在雷達(dá)和移動(dòng)通信領(lǐng)域有著重要的作用。相位噪聲和雜散是衡量頻率源的兩個(gè)重要指標(biāo),大的相位噪聲會(huì)造成時(shí)域的抖動(dòng),導(dǎo)致采樣數(shù)據(jù)的信噪比惡化,而大的雜散會(huì)影響混頻后信號(hào)的純度,降低接收機(jī)靈敏度[1]。所以必須使這兩者盡可能低。

        頻率源的設(shè)計(jì)目前主要有3種技術(shù):直接頻率合成、鎖相頻率合成、DDS(直接數(shù)字頻率合成),而鎖相頻率合成具有高性?xún)r(jià)比的特點(diǎn)。文中使用了鎖相頻率合成這一技術(shù),借助于HMC830鎖相環(huán)芯片設(shè)計(jì)出了一種低相噪低雜散的頻率源。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該頻率源的設(shè)計(jì)取得了理想的效果。

        1 HMC830的主要性能和工作原理

        HMC830是Hittite公司于2011年4月份新推出的一款寬帶鎖相環(huán)芯片,其內(nèi)部集成了VCO,輸出頻率范圍為25 MHz~3 GHz。內(nèi)部鑒相器的鑒相頻率可達(dá)100 MHz,高的鑒相頻率一方面可以降低相噪,另一方面可以設(shè)計(jì)帶寬較寬的低通濾波器,從而抑制VCO噪聲和縮短鎖定時(shí)間。芯片典型的輸出功率為6 dBm,并且可以3 dB步進(jìn)調(diào)節(jié)。該芯片可工作于整數(shù)

        分頻模式和小數(shù)分頻模式,其中小數(shù)模式下典型分辨率為3 Hz,并且在小數(shù)分頻模式下引入了精確頻率模式,使得某些符合特定條件的頻率可以精確獲得。這款鎖相環(huán)芯片有著業(yè)界領(lǐng)先的低相噪和低雜散,其典型相噪為-110 dBc/Hz。芯片尺寸為6×6 mm,并且在-40~+85℃都能保持良好的性能。

        如圖1所示為HMC830的功能框圖,從圖中可以看出該芯片的各個(gè)功能模塊。

        參考信號(hào)從XREFP管腳進(jìn)去到參考支路R分頻器、PFD鑒頻鑒相器、CP電荷泵,從CP管腳出去,通過(guò)外部低通濾波器,再?gòu)腣TUNE管腳進(jìn)去到VCO壓控振蕩器,通過(guò)N分頻器反饋到PFD鑒頻鑒相器形成鎖相環(huán)路。其中通過(guò)加到N分頻器上的Δ∑調(diào)制器以提供小數(shù)分頻的功能。VCO通過(guò)CAL模塊獲得校準(zhǔn)的能力,最后VCO通過(guò)一可變系數(shù)的分頻器將需要的頻率輸出,其中管腳RF_P和RF_N為差分輸出。

        外部控制信號(hào)通過(guò)SCK、SDI和SEN管腳以SPI總線的形式寫(xiě)進(jìn)芯片內(nèi)部的寄存器。管腳LD_SDO為多功能管腳,可以輸出內(nèi)部寄存器的值,也可以配置為鎖定監(jiān)測(cè)輸出等信號(hào),配置為鎖定監(jiān)測(cè)輸出時(shí),高電平表示環(huán)路已經(jīng)鎖定,低電平表示環(huán)路未鎖定。CEN管腳為芯片使能,BIAS管腳需串聯(lián)一電容到地,為偏置電路退耦。剩余管腳為各種電源輸入以及空閑管腳。

        圖1 HMC830功能框圖Fig.1 HMC830 functional diagram

        該芯片輸出頻率為

        其中,fref為參考信號(hào)頻率,R為參考支路分頻系數(shù),Nint為反饋支路分頻系數(shù)的整數(shù)部分,Nfrac為反饋支路分頻系數(shù)的小數(shù)部分(當(dāng)工作在整數(shù)模式時(shí)該值為0),k為從VCO出來(lái)的分頻系數(shù),根據(jù)芯片規(guī)定,只能為偶數(shù)。上述值均可以通過(guò)芯片內(nèi)部寄存器控制。

        2 頻率源的實(shí)現(xiàn)

        頻率源的實(shí)現(xiàn)主要包括硬件電路的實(shí)現(xiàn)和軟件的調(diào)試,即寄存器的操作。

        2.1 供電設(shè)計(jì)

        由圖1可以看出,該芯片有多達(dá)10個(gè)電源管腳,為了使輸出的相噪和雜散盡可能小,供電部分需認(rèn)真考慮。首先VCO的5 V供電不能受干擾影響,不然會(huì)增加噪聲,故單獨(dú)供電。數(shù)字供電和模擬供電要分開(kāi),故將5 V模擬VPPCP和5 V數(shù)字VDDLS分開(kāi)供電。3.3 V的數(shù)字DVDD3V和單片機(jī)的3.3 V使用一個(gè)電源,剩余的3.3 V使用一個(gè)電源。故需共使用5塊穩(wěn)壓芯片。穩(wěn)壓芯片采用NS公司的低噪聲LP3878和LP5900穩(wěn)壓芯片,LP3878輸出5 V,LP5900輸出3.3 V。

        2.2 低通濾波器設(shè)計(jì)

        HMC830由于內(nèi)部集成了VCO,故使用很簡(jiǎn)單,只需設(shè)計(jì)1個(gè)外部濾波器就可以工作。低通濾波器在環(huán)路中處于鑒相器和VCO之間,可以濾除來(lái)自晶振的噪聲,鑒相器本身的輸出噪聲和載頻分量,以及減少鑒相頻率的泄露,還可以濾除來(lái)自VCO的噪聲,但最重要的是建立起環(huán)路的動(dòng)態(tài)特性。

        濾波器設(shè)計(jì)時(shí)其帶寬需要折中考慮,帶寬小了,VCO噪聲影響大,而且環(huán)路鎖定時(shí)間延長(zhǎng);帶寬大了,晶振和鑒相器噪聲影響大。本設(shè)計(jì)借助于Hittite PLL Design設(shè)計(jì)濾波器。該軟件是Hittite公司推出的鎖相環(huán)輔助設(shè)計(jì)軟件,可以仿真鎖相環(huán)的相噪特性、鎖定時(shí)間等。通過(guò)仿真比較,在鑒相頻率為100 MHz,輸出頻率為1.8 GHz時(shí),設(shè)定濾波器為無(wú)源四階低通濾波器,3 dB帶寬為100 kHz,相位裕度為80度。濾波器電路圖如圖2所示,電路兩端分別接CP管腳和VTUNE管腳。

        圖2 低通濾波器電路圖Fig.2 Low pass filter circuit

        2.3 整體硬件電路設(shè)計(jì)

        HMC830為差分輸出,現(xiàn)在只需要單端輸出。雖然可以通過(guò)寄存器設(shè)置為單端輸出,但考慮到最大功率輸出,故采用差分到單端的轉(zhuǎn)換器,該轉(zhuǎn)換器采用的是M/A-COM公司的ETC1-1-13。進(jìn)行寄存器讀寫(xiě)采用的是SiLabs公司的C8051F300,該單片機(jī)體積小,利于小型化。另外HMC830外圍電路可以參照Hittite給出的評(píng)估版電路圖進(jìn)行設(shè)計(jì)。如圖3所示,為設(shè)計(jì)完成的頻率源的實(shí)體電路。

        圖3 頻率源實(shí)物圖Fig.3 Actual photo of frequency source

        2.4 軟件編程

        HMC830擁有17個(gè)PLL寄存器和7個(gè)VCO Subsystem寄存器[4]。PLL寄存器為Reg00h到Reg0Ah到Reg13h,其中包括分多個(gè)頻系數(shù)寄存器、電荷泵寄存器、鎖定監(jiān)測(cè)寄存器等。VCOSubsystem寄存器為VCO_Reg00h到VCO_Reg06h,包括VCO分頻系數(shù)設(shè)定、輸出功率設(shè)定和信號(hào)輸出設(shè)定等。對(duì)VCO Subsystem寄存器的操作是通過(guò)寫(xiě)PLL寄存器Reg05實(shí)現(xiàn)的。

        對(duì)寄存器操作的一般順序和說(shuō)明如下:

        1)寫(xiě)Reg02h寄存器,參考支路分頻系數(shù)設(shè)定;

        2)寫(xiě)Reg06h寄存器,該寄存器設(shè)置芯片工作于整數(shù)模式或小數(shù)模式;

        3)寫(xiě)Reg07h寄存器,設(shè)置鎖定監(jiān)測(cè)的時(shí)間窗口。時(shí)間窗口設(shè)置過(guò)小會(huì)造成無(wú)法監(jiān)測(cè)是否鎖定;

        4)寫(xiě)Reg09h寄存器,設(shè)置電荷泵電流和電荷泵偏移電流。小數(shù)模式下需設(shè)置電荷泵偏移電流,整數(shù)模式不需要。一般電荷泵電流越大,相噪越?。?/p>

        5)寫(xiě)Reg0Ah,VCO自動(dòng)校準(zhǔn)設(shè)置,如設(shè)置為手動(dòng)校準(zhǔn),可以實(shí)現(xiàn)捷變頻;

        6)寫(xiě)Reg0Bh,可以設(shè)置為防止鎖相環(huán)跳周或滑變;

        8)寫(xiě)Reg0Fh,LD_SDO管腳功能定義,一般配置為鎖定監(jiān)測(cè)輸出;

        9)寫(xiě)Reg05h,通過(guò)寫(xiě)該寄存器,間接寫(xiě)到VCO Subsystem的7個(gè)寄存器中,VCO_Reg00h最后寫(xiě),以便芯片能正確對(duì)VCO自動(dòng)校準(zhǔn);

        10)寫(xiě)Reg03h和Reg04h,設(shè)定N分頻器分頻系數(shù);

        11)寫(xiě)Reg0Ch,在小數(shù)模式下可將某些頻率精確輸出。

        數(shù)據(jù)寫(xiě)入采用的是SPI總線的形式,時(shí)序如圖4所示。

        圖4 HMC830 SPI寫(xiě)時(shí)序圖Fig.4 HMC830 SPI timing diagram of write

        SCK為來(lái)自單片機(jī)的時(shí)鐘信號(hào),SCK第一個(gè)上升沿,SDI為高電平即開(kāi)始寫(xiě),SEN為寫(xiě)使能。SDI先輸入6位寄存器地址信號(hào),再輸入24位數(shù)據(jù),該24位數(shù)據(jù)就是對(duì)應(yīng)地址寄存器的值,在每一個(gè)時(shí)鐘上升沿?cái)?shù)據(jù)被送入芯片,高位先進(jìn)。

        軟件編程采用的是Silicon Laboratories IDE編程環(huán)境,C語(yǔ)言編寫(xiě),最后下載到單片機(jī)執(zhí)行。

        3 測(cè)試結(jié)果及分析

        測(cè)試時(shí),鑒相頻率設(shè)置為100 MHz,輸出頻率為1.8 GHz,為了獲取盡可能小的相噪,芯片工作在整數(shù)模式下。參考頻率由晶振提供。晶振采用的是Pascall公司的OCXO-3-100.0-1-0-0晶振,該晶振在偏移1 kHz處相噪為-158 dBc,典型輸出功率為13 dBm,性能很好。

        測(cè)試儀器為R&S公司的FSP-40頻譜分析儀。測(cè)試結(jié)果如圖5所示。

        圖5 測(cè)試結(jié)果Fig.5 Test result

        圖5(a)顯示偏離載波1 kHz時(shí)相噪為-112.2 dBc/Hz;(b)中span為20 kHz顯示在偏離10 kHz的相噪和偏離1 kHz時(shí)相比,幾乎沒(méi)有變化;(c)顯示在偏離載波4.5 MHz處有雜散,雜散抑制度為-81 dBc;(d)中頻譜儀span為250 MHz,在偏離載波100 MHz處有雜散,雜散抑制度為-75.6 dBc。這里的雜散是由于鑒相頻率的泄露造成的。

        4 結(jié) 論

        筆者介紹了利用Hittite公司新推出的HMC830鎖相環(huán)芯片設(shè)計(jì)低相噪低雜散的頻率源的方法,使用該方法獲得了良好的性能。這款芯片集成了VCO,具有設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單,帶寬大,性能優(yōu)異的特點(diǎn)。其低相噪低雜散的優(yōu)點(diǎn)能夠很好地滿足雷達(dá)和無(wú)線通信系統(tǒng)的要求,可替代市場(chǎng)同類(lèi)產(chǎn)品。

        [1]Analog Devices.鎖相環(huán)常見(jiàn)問(wèn)題解答 [EB/OL].(2011)[2011-08-19].http://www.analog.com/static/imported-files/zh/faqs/faq_PLL.pdf.

        [2]Hittite Microwave Corporation.HMC830LP6GE Datasheet[EB/OL].(2011)[2011-08-19].http://www.hittite.com/content/documents/data_sheet/hmc830lp6g.pdf.

        [3]Gardner, Floyd M..鎖相環(huán)技術(shù)[M].姚劍清,譯.北京:人民郵電出版社,2007.

        [4]Hittite Microwave Corporation.HMC830LP6GE Eval.PCBSchematic[EB/OL].(2011)[2011-08-19].http://www.hittite.com/content/documents/eval_pcb_schematic/hmc830lp6g_eval_pcb_schematic.pdf.

        [5]HittiteMicrowave Corporation. PLLs with Integrated VCORF_applications Production&Operating Guide[EB/OL].(2011)[2011-08-19].http://www.hittite.com/content/documents/operating_guide/pll_operating_guide_rf_vcos.pdf.

        [6]Pascall Electronics.Ultra Low Noise VHF Crystal Oscillators[EB/OL].(2011)[2011-08-19].http://www.pascall.co.uk/pdfs/OCXOF%200710.pdf.

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