張 祺
(江蘇省電力公司檢修分公司,江蘇 常州 213000)
變電站高壓電氣設(shè)備絕緣介質(zhì)損耗測(cè)試是絕緣試驗(yàn)中的主要項(xiàng)目之一,根據(jù)介質(zhì)損耗正切值tanδ(又稱介質(zhì)損耗因數(shù))的大小,電容量的變化能有效的發(fā)現(xiàn)設(shè)備絕緣缺陷。隨著變電所高壓電氣設(shè)備電壓等級(jí)的不斷提高,現(xiàn)場(chǎng)大量試驗(yàn)結(jié)果表明,如果不能正確的進(jìn)行介質(zhì)損耗測(cè)量和試驗(yàn)結(jié)果的分析,很容易造成誤判斷,進(jìn)而危及高壓電氣設(shè)備的安全運(yùn)行,或造成不必要的檢修與更換。通過對(duì)影響電氣設(shè)備介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)量值的分析,給出正確的分析方法,能增加判斷的準(zhǔn)確性,從而提高了試驗(yàn)工作的效率和質(zhì)量。
介質(zhì)損耗角正切值tanδ的測(cè)量,是一種使用較多,且對(duì)于判斷電氣設(shè)備的絕緣狀況是比較靈敏有效的方法。
tanδ為介質(zhì)損失角的正切值(或稱介質(zhì)損失因數(shù)),即為在交流電壓作用下,電介質(zhì)中的電流有功分量和無功分量的比值。一般均比較小。習(xí)慣上也有稱tanδ為介質(zhì)損耗角的。
通過測(cè)量tanδ,可以反映出絕緣的一系列缺陷,如絕緣受潮、油或浸漬物臟污或劣化變質(zhì)、絕緣中有氣隙發(fā)生放電等。在電氣設(shè)備絕緣受潮和有缺陷時(shí),泄露電流要增加,流過絕緣的電流中的有功電流分量增加,在絕緣中有大量氣泡,雜質(zhì)和受潮的情況,將使夾層極化加劇,極化損耗要增加(即tanδ值要增加),這樣介質(zhì)損耗角正切值tanδ的大小就直接與絕緣的好壞狀況有關(guān)。同時(shí),介質(zhì)損耗引起的絕緣內(nèi)部發(fā)熱,溫度升高,這促使泄露電流增大,有損極化加劇,介質(zhì)損耗增大使絕緣內(nèi)部更熱,如此循環(huán),可能在絕緣弱的地方引起擊穿,故介質(zhì)損耗值既反映了絕緣本身的狀態(tài),又可反映絕緣由良好狀況向劣質(zhì)狀況轉(zhuǎn)化的過程,因此在電力設(shè)備交接和預(yù)防性試驗(yàn)都得到了廣泛應(yīng)用。
溫度對(duì)tanδ有直接影響,影響的程度隨材料,結(jié)構(gòu)的不同而異。一般情況下,tanδ是隨溫度的上升而增加的。現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)時(shí),設(shè)備溫度是變化的,為便于比較,應(yīng)將不同溫度下測(cè)得的tanδ換算至20℃時(shí)的值。
有些絕緣材料在溫度低于某一臨界值時(shí),其tanδ可能隨溫度的降低而上升;而潮濕的材料在0℃以下時(shí)水分凍結(jié),tanδ值就會(huì)降低。所以,過低溫度下測(cè)得的tanδ不能反映真實(shí)的絕緣狀況,容易導(dǎo)致錯(cuò)誤的結(jié)論,因此,測(cè)量tanδ應(yīng)在不低于5℃時(shí)進(jìn)行。
當(dāng)絕緣中殘存較多水分和雜質(zhì)時(shí),tanδ就隨溫度升高而明顯增加。例如兩臺(tái)220kV電流互感器通入50%額定電流,加溫9h,測(cè)取通入電流前后的tanδ的變化。tanδ初始值為0.35%的一臺(tái)無變化,tanδ初始值為0.8%的一臺(tái)則上升為1.1%。實(shí)際上初始值為0.8%的已屬非良好絕緣,故tanδ隨溫度上升而增加。說明當(dāng)常溫下測(cè)得的tanδ較大,在高溫下tanδ又明顯增加時(shí),則應(yīng)認(rèn)為絕緣存在缺陷。
標(biāo)準(zhǔn)電容器受潮時(shí)的tanδ大于試品tanδ。用戶一般在現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試電容的介質(zhì)損耗值都采用QS1電橋及配套的標(biāo)準(zhǔn)電容器Cn,其工作電壓為10kV,電容量為(50±1)pF。測(cè)試線路如圖3所示,Cn內(nèi)部為真空電容器,真空電容器的玻璃泡子上的高、低引出線之間無屏蔽,正常情況下,Cn為標(biāo)準(zhǔn)無損電容器,其測(cè)試矢量圖見圖4。In為流經(jīng)Cn的電流(忽略Z4上的壓降,則 In=UCnω),它超前 U角度 90°,Ix為流經(jīng)試品的電流,它超前U的角度小于90°,Ix與In間的夾角即為損失角δ。當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)電容器長(zhǎng)期使用,殼內(nèi)空氣受潮,產(chǎn)品生銹,表面泄漏電流劇增,使得Cn變?yōu)橛袚p耗電容器,
因此只要標(biāo)準(zhǔn)電容器受潮或生銹,標(biāo)準(zhǔn)電容器介損增大,便導(dǎo)致了合格電容套管的(tanδ<0.17%)介損偏小,對(duì)于介損較小,電容量較小的套管更容易出現(xiàn)負(fù)值,一旦標(biāo)準(zhǔn)電容器的tanδ大于被測(cè)套管的tanδ,那么被測(cè)套管的tanδ就全部變成了負(fù)值。對(duì)于這種情況,須更換Cn中的硅膠,以保持電容器殼內(nèi)空氣干燥,同時(shí)要定期校驗(yàn)Cn的tanδ,以免引起誤判斷。
一般來說,良好絕緣的tanδ不隨電壓的升高而明顯增加。在其額定電壓范圍內(nèi),tanδ值幾乎是不變的(僅在接近額定電壓時(shí),tanδ值可能略有增加),且當(dāng)電壓上升或下降時(shí)測(cè)得的tanδ值是接近一致的,不會(huì)出現(xiàn)閉環(huán)路狀的曲線。如果絕緣中存在氣泡、分層、脫殼等,情況就不同了。當(dāng)所加試驗(yàn)電壓尚不足以使絕緣中的氣泡或氣隙游離時(shí),其tanδ值與良好絕緣無明顯差別;當(dāng)試驗(yàn)電壓足以使絕緣中的空氣游離、電暈或局部放電時(shí),則其tanδ將隨試驗(yàn)電壓的升高而明顯增加。如圖1所示,表明了幾種典型的情況。
圖1 tanδ與電壓的關(guān)系曲線
曲線1是絕緣良好的情況,其tanδ幾乎不隨電壓的升高而增加,僅在電壓很高時(shí)才略有增加。
曲線2為絕緣老化時(shí)的示例。在氣隙起始游離之前,tanδ比良好絕緣的低;過了起始游離點(diǎn)后則迅速升高,而且起始游離電壓也比良好絕緣的低。
曲線3為絕緣中存在氣隙的示例,在試驗(yàn)電壓未達(dá)到氣體起始游離之前,tanδ保持穩(wěn)定,但電壓增高氣隙游離后,tanδ急劇增大,曲線出現(xiàn)轉(zhuǎn)折。當(dāng)逐步降壓后測(cè)量時(shí),由于氣體放電可能已隨時(shí)間和電壓的增加而增強(qiáng),故tanδ高于升壓時(shí)相同電壓下的值。直至氣體放電終止,曲線才又重合,因而形成閉口狀環(huán)路。
曲線4是絕緣受潮情況的情況。在較低電壓下,tanδ已經(jīng)較大,隨電壓的升高tanδ繼續(xù)增大;在逐步降壓時(shí),由于介質(zhì)損失的增大已使介質(zhì)發(fā)熱溫度升高,所以tanδ不能與原數(shù)值相重合,而以高于升壓時(shí)的數(shù)值下降,形成開口狀曲線。
從曲線4可明顯看到,tanδ與濕度的關(guān)系很大。介質(zhì)吸濕后,電導(dǎo)的損耗增大,還會(huì)出現(xiàn)夾層極化,因而tanδ將大為增加。這對(duì)于多孔的纖維性材料、如紙等,以及對(duì)于極性電介質(zhì),效果特別顯著。
綜上所述,通過對(duì)tanδ的測(cè)量發(fā)現(xiàn)的缺陷主要是:設(shè)備普遍受潮,絕緣油或固體有機(jī)絕緣材料的普遍老化;對(duì)小電容量設(shè)備,還可以發(fā)現(xiàn)局部缺陷。tanδ值與介質(zhì)的溫度、濕度、內(nèi)部有無氣泡、標(biāo)準(zhǔn)電容是否受潮、缺陷部分體積大小等有關(guān),必要時(shí),應(yīng)作出tanδ與電壓的關(guān)系曲線,以便分析絕緣中是否夾雜較多氣隙。對(duì)tanδ值進(jìn)行判斷的基本方法除應(yīng)與有關(guān)“標(biāo)準(zhǔn)”值比較外,還應(yīng)與歷年試驗(yàn)值比較,觀察其發(fā)展趨勢(shì)。根據(jù)設(shè)備的具體情況,有時(shí)即使數(shù)值仍低于標(biāo)準(zhǔn),但增長(zhǎng)迅速,也應(yīng)該引起充分注意。此外,還應(yīng)與同類設(shè)備比較,看是否有明顯差異。在比較時(shí),除tanδ值外,還應(yīng)注意Cx值的變化情況。如發(fā)生明顯變化,可配合其他試驗(yàn)方法,如絕緣油的分析,直流泄流試驗(yàn)或提高測(cè)量tanδ值的試驗(yàn)電壓等進(jìn)行綜合判斷。
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