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        5-羥色胺在碳納米管修飾電極上的電化學(xué)行為及檢測(cè)

        2011-07-25 12:19:34劉華俊劉慧宏
        化學(xué)與生物工程 2011年6期
        關(guān)鍵詞:檢測(cè)

        劉華俊,劉慧宏,2

        (1.襄樊學(xué)院化學(xué)工程與食品科學(xué)學(xué)院,湖北 襄樊441053;2.武漢紡織大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院,湖北 武漢430073)

        5-羥色胺(5-HT)是人體內(nèi)一種非常重要的生物活性物質(zhì),在心腦血管的調(diào)節(jié)方面起著很重要的作用,是中樞神經(jīng)系統(tǒng)的神經(jīng)遞質(zhì)。測(cè)定血液、腦脊液中的5-HT可為多種疾病的診斷、治療、致病機(jī)制研究提供重要的依據(jù)。研究較多的是利用微電極和快速掃描技術(shù)的電化學(xué)檢測(cè)方法進(jìn)行活體在線檢測(cè)神經(jīng)遞質(zhì)[1]。由于5-HT氧化過程中產(chǎn)生的自由基在電極表面聚合會(huì)毒化電極,以及共存物質(zhì)如5-羥基吲哚乙酸、尿酸、抗壞血酸等產(chǎn)生干擾,影響了5-HT的電化學(xué)檢測(cè),而使用化學(xué)修飾電極能夠消除這類影響[2,3]。納米粒子由于具備大的比表面積和較高的催化活性,其修飾電極也廣泛地用于5-HT的電化學(xué)檢測(cè)[4,5]。

        作者在此用雙十六烷基磷酸將碳納米管固定在玻碳電極表面,研究了5-HT的電化學(xué)行為及其檢測(cè)方法。

        1 實(shí)驗(yàn)

        1.1 試劑

        5-羥色胺,Sigma公司;雙十六烷基磷酸(DHP),F(xiàn)luka公司。緩沖溶液為0.1 mol·L-1酒石酸鹽(pH=3.0~6.0)、0.1 mol·L-1磷酸鹽(PBS,pH=7.0~8.0、11.0)、0.1 mol·L-1硼砂(pH=9.0~10.0)。所用試劑均為分析純,實(shí)驗(yàn)用水為超純水(18.25 MΩ·cm,艾科浦超純水機(jī),重慶頤洋)。

        1.2 修飾電極的制備

        玻碳電極(CHI,φ=3 mm,電化學(xué)面積A=1.61×10-2cm2) 用6#砂紙細(xì)磨后,再用粒度0.05 μm的α-Al2O3懸濁液在拋光布上拋光,洗去表面污物,在水中超聲清洗3次,每次約3 min。取混酸處理的單壁碳納米管(SWCNT,化學(xué)氣相沉積法制備,外徑<2 nm,純度≥95%,深圳納米港)與0.1%DHP超聲形成的均勻溶液3 μL滴涂于電極表面,室溫干燥,即得實(shí)驗(yàn)用修飾電極,表示為SWCNT-DHP/GCE。

        1.3 方法

        使用電化學(xué)工作站(CHI660A,上海辰華)進(jìn)行循環(huán)伏安實(shí)驗(yàn)。

        電化學(xué)池由參比電極腔和電化學(xué)反應(yīng)腔兩部分構(gòu)成,其間由魯金(Luggin)毛細(xì)管連接。參比電極為飽和甘汞電極(SCE),輔助電極為鉑絲網(wǎng),工作電極為制備的修飾電極。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 5-羥色胺的電化學(xué)行為(圖1)

        a.GCE,PBS b.SWCNT-DHP/GCE,PBS C.GCE,PBS+5-HT d.SWCNT-DHP/GCE,PBS+5-HT

        由圖1可看出,裸玻碳電極GCE(圖1a) 和修飾電極SWCNT-DHP/GCE(圖1b) 在 pH=8.0的磷酸鹽緩沖溶液中沒有觀察到明顯的電化學(xué)響應(yīng);當(dāng)加入了1.25 μmol·L-15-HT后,裸玻碳電極出現(xiàn)了一個(gè)氧化峰(圖1c),其峰電位為0.27 V、峰電流為 0.54 μA,而在修飾電極SWCNT-DHP/GCE(圖1d)上,5-HT在0.23 V 處產(chǎn)生一氧化峰,其峰電流為2.8 μA,電位負(fù)移約40 mV,電流增大約5倍。這是因?yàn)?,單壁碳納米管具有一定的催化作用,加快了電極表面電子的傳遞速率。而且修飾電極的比表面積增大,從而增大了電流,提高了靈敏度。改變掃描速度,可以發(fā)現(xiàn),隨著掃描速度的加快,氧化峰的峰電位稍微正移、峰電流相應(yīng)增大,峰電流與掃描速度呈正比例關(guān)系。這些說明5-HT吸附在電極表面,電化學(xué)反應(yīng)由表面控制。

        2.2 5-羥色胺氧化反應(yīng)的電子數(shù)

        根據(jù)Laviron[6]的理論,當(dāng)峰電流與掃描速度呈線性關(guān)系時(shí),物質(zhì)在電極上的吸附符合Langmuir 吸附等溫式,即有:

        式中:n為電子數(shù);F為法拉第常數(shù);υ為掃描速度;A為電極的電化學(xué)面積;ΓT為吸附量;Q=nFAΓT,為循環(huán)伏安圖中5-HT的氧化峰面積(以電量計(jì))。而RT/F=0.059(25 ℃),可得:

        n=0.236×Ip/(vQ)

        因此,在一定掃描速度下,由循環(huán)伏安圖中的峰面積可求得電化學(xué)反應(yīng)的電子數(shù)n。通過計(jì)算,確定5-HT在碳納米管修飾電極上氧化反應(yīng)為4 個(gè)電子轉(zhuǎn)移的反應(yīng)。

        2.3 5-羥色胺氧化反應(yīng)的質(zhì)子數(shù)

        溶液的pH值影響5-HT的氧化反應(yīng),5-HT氧化峰峰電位和峰電流隨溶液pH值的變化關(guān)系見圖2。

        圖2 5-羥色胺氧化峰峰電位(a)和峰電流(b)隨溶液pH值變化關(guān)系

        由圖2中曲線a可以看出,隨著pH值的增加,峰電位負(fù)移,峰電位與溶液pH值呈線性關(guān)系,其線性回歸方程為:Ep(V)=0.66-0.054pH,R=0.997(n=8)。

        對(duì)于有質(zhì)子參與的電化學(xué)反應(yīng):Rox+ne+mH+→Rred,其能斯特方程為(25 ℃):

        峰電位隨溶液pH值的變化呈線性關(guān)系,當(dāng)參與反應(yīng)的電子數(shù)和質(zhì)子數(shù)相等時(shí)(m=n),其斜率為59 mV/pH。

        實(shí)驗(yàn)所得的直線斜率值為54 mV/pH,與理論值接近,說明參與電化學(xué)反應(yīng)的電子數(shù)和質(zhì)子數(shù)相等[7],即5-HT在碳納米管修飾電極上的氧化反應(yīng)伴隨失去4 個(gè)質(zhì)子。

        由圖2中曲線b可以看出,峰電流隨溶液pH值的增加而逐漸增大,當(dāng)溶液pH值為8.0時(shí),峰電流達(dá)到最大。這是因?yàn)椋?jīng)酸處理的碳納米管表面帶有-COOH等基團(tuán),且表面活性劑DHP也荷負(fù)電,在此pH值條件下,5-HT帶正電荷,增加了5-HT在電極表面的吸附量,使氧化電流增大。

        在電化學(xué)氧化5-HT過程中,5-HT共失去了4 個(gè)電子和4個(gè)質(zhì)子。推測(cè)其機(jī)理為:5-HT先失去2個(gè)電子,被氧化成醌亞胺;再失去2個(gè)電子,被完全氧化為4,5-二酮色胺(主要產(chǎn)物)。表示如下[8]:

        2.4 富集電位和富集時(shí)間的確定

        富集電位對(duì)5-HT氧化峰峰電流的影響見圖3。

        圖3 富集電位對(duì)氧化峰峰電流的影響

        由圖3可以看出,在0~-0.5 V范圍內(nèi)時(shí),隨富集電位的增大,峰電流逐漸降低;當(dāng)富集電位低于-0.3 V時(shí),峰電流增加不大,而且電位過低,易發(fā)生副反應(yīng)。因此,選擇富集電位為-0.3 V。

        富集時(shí)間對(duì)5-HT氧化峰峰電流的影響見圖4。

        圖4 富集時(shí)間對(duì)氧化峰峰電流的影響

        由圖4可以看出,隨著富集時(shí)間的延長(zhǎng),5-HT的氧化峰峰電流Ip在短時(shí)間內(nèi)(30 s)快速增大;在富集時(shí)間達(dá)到30 s后,峰電流增幅趨緩,這說明電極的表面吸附已接近飽和。因此,選擇富集時(shí)間為30 s,此時(shí)富集率達(dá)96%左右。

        2.5 線性關(guān)系與檢出限

        以SWCNT-DHP/GCE為工作電極,在pH值為8.0的磷酸鹽緩沖溶液中,-0.3 V電位下富集30 s,5-HT在1.36~16.64 μmol·L-1濃度范圍內(nèi)與氧化峰峰電流呈良好的線性關(guān)系,如圖5所示。

        圖5 5-羥色胺的氧化峰峰電流隨濃度的變化關(guān)系

        其線性回歸方程為:Ip(μA)=0.48+0.14c(μmol·L-1),相關(guān)系數(shù)R=0.998。根據(jù)線性回歸分析中的LINEST函數(shù),檢測(cè)限=3.3sd/s,式中:sd為線性回歸方程截距的標(biāo)準(zhǔn)偏差,s為線性回歸方程的斜率,求得檢測(cè)限為0.23 μmol·L-1。

        2.6 共存物質(zhì)的影響

        由于SWCNT-DHP表面荷負(fù)電,5-羥基吲哚乙酸、尿酸、抗壞血酸、葡萄糖、氨基酸等常見共存物對(duì)測(cè)定沒有明顯的影響,但多巴胺對(duì)測(cè)定存在干擾。

        3 結(jié)論

        SWCNT 穩(wěn)定地分散在表面活性劑DHP水溶液中,使SWCNT-DHP/GCE修飾電極具有很大的比表面積和強(qiáng)的吸附特性,一方面對(duì)5-HT表現(xiàn)出很強(qiáng)的富集效率,另一方面,表面荷負(fù)電的SWCNT-DHP/GCE修飾電極增強(qiáng)了對(duì)5-HT的靜電吸附而減小了5-羥基吲哚乙酸等共存物質(zhì)的干擾。5-HT在碳納米管修飾電極上的電化學(xué)反應(yīng)是一個(gè)受表面控制的不可逆過程,其氧化最終產(chǎn)物為4,5-二酮色胺。SWCNT-DHP/GCE修飾電極可以定量檢測(cè)5-HT,在其濃度為1.36~16.64 μmol·L-1范圍內(nèi),與氧化峰峰電流呈良好的線性關(guān)系,檢測(cè)限為0.23 μmol·L-1。

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