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        PECVD法沉積類金剛石薄膜的耐腐蝕性能研究

        2011-06-22 07:17:38雷雯雯
        電氣技術(shù) 2011年10期
        關(guān)鍵詞:載玻片耐腐蝕性金剛石

        雷雯雯 陳 強(qiáng)

        (北京印刷學(xué)院等離子體物理及材料研究室,北京 102600)

        金屬材料在實(shí)際生活中應(yīng)用廣泛,但其易被摩擦磨損及易被腐蝕的特點(diǎn)成為其廣泛應(yīng)用的主要障礙。國(guó)內(nèi)外對(duì)金屬材料摩擦磨損及腐蝕的原因及其機(jī)制進(jìn)行了大量的研究,提出了一些有效的措施進(jìn)行改進(jìn),但簡(jiǎn)單易行、行之有效的方法還有待開(kāi)發(fā)。

        近三十年來(lái),摩擦學(xué)的研究重點(diǎn)從潤(rùn)滑系統(tǒng)轉(zhuǎn)向材料科學(xué)和技術(shù)(包括表面工程等)的研究。由于現(xiàn)代工業(yè)技術(shù)的發(fā)展,特別是航空工業(yè)、空間技術(shù)的發(fā)展,許多使用條件已經(jīng)超越了潤(rùn)滑油脂的使用極限,這就促使人們?nèi)ふ倚碌臐?rùn)滑材料,固體潤(rùn)滑材料也就應(yīng)運(yùn)而生。固體潤(rùn)滑材料能滿足許多特殊工況條件下對(duì)潤(rùn)滑的要求,能適應(yīng)復(fù)雜的工作環(huán)境,為機(jī)械設(shè)備實(shí)現(xiàn)大型化、微型化、告訴、重載和自動(dòng)控制等創(chuàng)造了有力條件[1]。人們發(fā)現(xiàn)了一些材料具有較低的摩擦系數(shù),如 Kato發(fā)現(xiàn)某些陶瓷(Si3N4和 SiC)以水為潤(rùn)滑液摩擦能夠達(dá)到很低摩擦系數(shù);MoS2和 WS2材料在干燥環(huán)境下具有低摩擦系數(shù)和好的耐磨性[2];硼酸具有較低的摩擦系數(shù),但不能用于干燥的氣氛或者真空下[3]。因此人們需要一種帶有廣譜性的材料來(lái)滿足人們對(duì)于低摩擦系數(shù)的要求。

        金屬腐蝕是金屬與周圍介質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或由電化學(xué)反應(yīng)改變金屬材料的組織結(jié)構(gòu),形成金屬化合物而遭受破壞的一種現(xiàn)象。在國(guó)民經(jīng)濟(jì)各部門(mén)中,每年都有大量的金屬構(gòu)件和設(shè)備因腐蝕而報(bào)廢。據(jù)發(fā)達(dá)國(guó)家調(diào)查,每年由于腐蝕造成的損失約占國(guó)民經(jīng)濟(jì)總產(chǎn)值的2%~4%。由于腐蝕作用,世界上每年生產(chǎn)的鋼鐵中有10%被腐蝕消耗。目前,國(guó)內(nèi)外都對(duì)金屬設(shè)備、管道采用主動(dòng)防腐層(一次保護(hù))和陰極保護(hù)(二次保護(hù))并用,雖然獲得良好的效果,但是對(duì)于技術(shù)要求較高不能很高普及。

        眾所周知,類金剛石(Diamond-like Carbon,簡(jiǎn)稱DLC)薄膜是一種高硬度、低摩擦系數(shù)、高耐磨性及化學(xué)性能穩(wěn)定的薄膜材料,DLC膜在大氣和真空下具有較低的摩擦系數(shù),作為一種較好的減磨材料受到各個(gè)方面的重視。同時(shí)利用 DLC膜的硬度及抗化學(xué)腐蝕性,可將其作為防腐蝕涂層應(yīng)用于防止金屬化學(xué)腐蝕和劃傷方面。本實(shí)驗(yàn)采用等離子體腐蝕化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù),乙炔作為反應(yīng)氣體,氬氣作為稀釋氣體在載玻片、銅板、不銹鋼等基材表面沉積DLC薄膜。通過(guò)紅外光譜(FTIR)和拉曼光譜(Raman)對(duì)合成的薄膜進(jìn)行成分分析;利用摩擦磨損儀對(duì)薄膜的機(jī)械性能進(jìn)行研究;用鹽霧腐蝕以及電位腐蝕研究了薄膜的耐腐蝕性。

        1 實(shí)驗(yàn)部分

        1.1 樣品制備

        圖1為PECVD放電制備類金剛石薄膜實(shí)驗(yàn)裝置示意圖。放電前對(duì)將載玻片、銅板和不銹鋼等基片分別放到丙酮、酒精、去離子水里用超聲波依次清洗10分鐘,然后將其用高純N2吹干。將樣品放入真空室后,用機(jī)械泵將真空室氣壓抽至5Pa左右,依次向真空室內(nèi)通入Ar,進(jìn)行50W、5分鐘的等離子體預(yù)處理,然后再通入 C2H2使真空室氣壓穩(wěn)定在 11Pa。將射頻電源功率升至所需放電功率,在真空室內(nèi)產(chǎn)生輝光放電。荷能粒子轟擊C2H2分子使其發(fā)生分解和解離,活性基團(tuán)再沉積在基片表面生成類金剛石薄膜。沉積完畢取出樣品,進(jìn)行后續(xù)的結(jié)構(gòu)性能分析測(cè)試。

        1.2 樣品表征

        采用 FTIR-8400型傅里葉紅外光譜儀(日本島津)、XPLORA BX51RF Raman光譜儀(Olympus)對(duì)DLC薄膜結(jié)構(gòu)成分今夕ing測(cè)試分析;SPM探針(本原CSPM-4000)測(cè)量薄膜的表面形貌;摩擦磨損性能用中科院蘭州化學(xué)物理研究所WTM-IE可控氣氛型摩擦磨損測(cè)試儀測(cè)試;耐腐蝕性能采用型號(hào)為07-7004-M鹽霧腐蝕機(jī)以及PGZ-402電化學(xué)工作站進(jìn)行測(cè)試;用 Din-Lite200數(shù)碼顯微鏡在放大倍數(shù) 200倍的條件下觀察被腐蝕后的樣品表面;用 Dektak150探針式表面輪廓儀(Veeco)來(lái)檢測(cè)薄膜厚度。

        圖1 射頻等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)示意圖

        2 結(jié)果與討論

        2.1 薄膜結(jié)構(gòu)分析

        圖2為工作氣壓為 11Pa,氬氣和乙炔比例 5:1及5:2,沉積時(shí)間60min,射頻功率100W的條件下制備的類金剛石膜在 500~4000cm-1波段的紅外吸收譜圖。從圖中可以看出,高頻區(qū)的吸收峰 3000~2800cm-1之間出現(xiàn)了較強(qiáng)的C-H伸展振動(dòng)吸收峰,表明-CHn化合物已經(jīng)合成。分析譜圖表明膜中碳原子間主要以sp3組態(tài)相互鍵合[4],且薄膜中H的含量較高[5]。另外,由于C-H伸展振動(dòng)吸收峰位于3000 cm-1以下,表明薄膜中碳原子處于飽和狀態(tài)。2850,2958 cm-1分別對(duì)應(yīng) sp3CH2反對(duì)稱振動(dòng)和 sp2CH2烯烴振動(dòng),而2920cm-1分別對(duì)應(yīng) sp3CH2對(duì)稱振動(dòng)和 sp3CH1對(duì)稱振動(dòng)。觀察低頻區(qū)的吸收峰1450cm-1表明薄膜中含有sp3C-CH3基,對(duì)應(yīng)為CH3反對(duì)稱振動(dòng)吸收;1370cm-1表明薄膜中含有sp3C-CH3基,對(duì)應(yīng)為CH3對(duì)稱變形振動(dòng)吸收。

        比較圖中兩條曲線還可以發(fā)現(xiàn),隨混合氣體中Ar氣體積分?jǐn)?shù)的增加,類金剛石膜在 3000~2800 cm-1區(qū)的C-H伸展振動(dòng)吸收峰的面積有所減小,但變化幅度不大,這說(shuō)明隨 Ar氣含量的增加,類金剛石薄膜中H的含量有所降低。原因是在射頻等離子體輝光放電過(guò)程中,Ar氣分子發(fā)生Penning電離形成Ar+,使C2H2分子分解和解離[6],降低結(jié)合進(jìn)入類金剛石薄膜中的H的含量。同時(shí)Ar+在自偏壓加速作用下,高速轟擊生長(zhǎng)膜面,導(dǎo)致亞穩(wěn)的sp3鍵向sp2鍵轉(zhuǎn)變[7],隨混合氣體中Ar氣含量的增大,轟擊膜面的Ar+粒子流量隨之增大,導(dǎo)致更多的sp3鍵向sp2鍵轉(zhuǎn)變,增大膜中sp2鍵的相對(duì)含量。

        圖2 不同單體配比對(duì)類金剛石薄膜的紅外光譜影響

        圖3為不同條件下沉積的DLC薄膜的Raman光譜圖,兩圖的沉積條件為放電功率 100W,沉積時(shí)間為60min,氬氣和乙炔的氣體比例分別為5:1(a)和5:2(b)。金剛石的拉曼特征峰出現(xiàn)在 1332cm-1,表示膜中存在sp3C-C鍵[8],大單晶石墨的相應(yīng)譜線位于1580cm-1或1575cm-1,表示膜中存在sp2C-C鍵,即G峰;當(dāng)無(wú)序度增加時(shí),一個(gè)與微晶石墨相相關(guān)的新峰出現(xiàn)在1360cm-1左右,即所謂的D峰,在實(shí)際應(yīng)用中常用G峰和D峰來(lái)表征DLC膜。從圖3a、圖3b中可以看出,在1100 cm-1~1800 cm-1間拉曼峰明顯是由兩個(gè)展寬峰組成,寬峰說(shuō)明所測(cè)物質(zhì)是非晶狀態(tài)[9],其為類金剛石的特征峰[10-11]。用高斯擬合法將 a、b兩圖的DLC薄膜的Raman譜分為兩個(gè)峰:D(defects)峰和G(graphite)峰。D峰是無(wú)序碳共有的特征,可以認(rèn)為碳膜中含有一定量的 sp3鍵;也是薄膜的金剛石性質(zhì)的體現(xiàn);G峰說(shuō)明膜中含有石墨團(tuán)簇結(jié)構(gòu),代表薄膜中 sp2鍵的含量,是薄膜的石墨性質(zhì)的體現(xiàn)。從表中數(shù)據(jù)可知,在氣體流量比為Ar:C2H2=5:1時(shí),D峰和G峰分別處在1322cm-1和1539cm-1處,伴隨著乙炔含量的增加,D峰和G峰開(kāi)始向低波數(shù)方向移動(dòng),這是由于四面體構(gòu)型增多所致,正是由于 sp3成分增多而sp2成分減少,導(dǎo)致Raman峰形的變化;同時(shí)ID/IG值也變小,這也說(shuō)明了sp3含量增多[12]。

        2.2 薄膜的表面形貌

        圖4為在100W、Ar:C2H2分別為5:1和5:2、氣體壓強(qiáng)11Pa、沉積時(shí)間60min條件下沉積的類金剛石薄膜的 AFM 圖(10×10μm2)。

        圖3 不同單體配比對(duì)類金剛石薄膜的拉曼光譜圖的影響

        表1 分析Raman光譜得到的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)

        圖4 不同氣體比例對(duì)沉積薄膜的影響(a- Ar:C2H2=5:1,b- Ar:C2H2=5:2)

        從圖中可以看出,制備的 DLC薄膜表面結(jié)構(gòu)致密,經(jīng)測(cè)量表面粗糙度分別為0.708nm,0.602nm,這說(shuō)明其表面比較光滑且具有良好的均勻性。采集的數(shù)據(jù)分析表面,薄膜表面的顆粒平均直徑大小分別為145nm和181nm,這也就說(shuō)明了同樣沉積條件下,乙炔流量相對(duì)比例增多更有利于制備顆粒較大且厚度較厚的薄膜。

        2.3 摩擦學(xué)性能分析

        圖5為空白載玻片與表面在不同C2H2含量(Ar:C2H2分別為5:0.5、5:1)時(shí)沉積DLC薄膜的摩擦系數(shù)與時(shí)間關(guān)系圖。在圖中發(fā)現(xiàn),在載荷為 50g,轉(zhuǎn)速為1000 r/min,旋轉(zhuǎn)半徑為4mm時(shí),空白載玻片的摩擦系數(shù)為 0.78。而當(dāng)其載玻片沉積 DLC膜后,摩擦系數(shù)分別為0.144(Ar:C2H2為5:0.5)、0.296(Ar:C2H2為5:1)??梢?jiàn),鍍DLC膜可以有效降低載玻片摩擦系數(shù)。由圖2分析可知,隨著Ar含量的增加DLC薄膜的 sp2含量依次增加,即薄膜中石墨成分含量依次增加。因此摩擦系數(shù)的減小和薄膜中石墨化程度有密切的關(guān)系[13],由圖3的Raman測(cè)試圖中也可得出相同的結(jié)論,當(dāng)乙炔的相對(duì)含量增多時(shí),薄膜中石墨團(tuán)簇結(jié)構(gòu)減少,金剛石特性更明顯,所以摩擦磨損性能也有所下降。

        圖5 C2H2含量對(duì)DLC膜摩擦性能影響

        圖6 射頻功率對(duì)DLC膜摩擦性能影響

        圖6為類金剛石在不同功率下的摩擦系數(shù)曲線。如圖所示,DLC薄膜的摩擦系數(shù)分別為0.624(50W)、0.296(100W)、0.209(150W)、0.15(200W)。沒(méi)有鍍膜的載玻片表面表現(xiàn)出較大的摩擦系數(shù),而經(jīng)過(guò)類金剛石鍍膜后的載玻片摩擦性能得到了較大的改善。同時(shí),隨著射頻功率的逐漸增加,摩擦系數(shù)呈現(xiàn)出逐漸降低的趨勢(shì),這可能薄膜的厚度增加所致[14]。

        2.4 薄膜的耐腐蝕性分析

        1)鹽霧腐蝕測(cè)試分析

        本實(shí)驗(yàn)參照國(guó)家標(biāo)準(zhǔn) GBT10125《人造氣氛腐蝕試驗(yàn)——鹽霧腐蝕》。試驗(yàn)用的溶液為氯化鈉溶液及銅加速乙酸鹽霧試驗(yàn)溶液,其PH值為3.1~3.3,試樣放置角度為 20°,試驗(yàn)室溫度設(shè)置為 35℃,飽和溫度設(shè)置為 50℃,試驗(yàn)周期為 6h,每隔 20min觀察試樣記錄開(kāi)始腐蝕時(shí)間,每隔 2h開(kāi)箱觀察試樣,測(cè)試后樣品放在室內(nèi)自然干燥1h,然后用溫度不高于 40℃的清潔流動(dòng)水輕輕清洗以除去試樣表面殘留的鹽霧溶液,再立即用吹風(fēng)機(jī)吹干。

        在試樣準(zhǔn)備好后,首先研究了不同厚度的 DLC膜對(duì)其提高基底耐腐蝕性能的影響。圖6為在銅板上沉積不同厚度 DLC膜鹽霧腐蝕后的表面形貌。DLC膜的沉積條件為:放電功率 100W,氣體比例Ar:C2H2=5:2,沉積厚度由沉積時(shí)間的長(zhǎng)短來(lái)控制。圖6中a、b、c中對(duì)應(yīng)的所沉積的DLC厚度分別為25nm、75nm、150nm。圖中顏色較淺的位置為被腐蝕后留下的凹坑,顏色較深的位置為未被腐蝕的薄膜。

        圖7 在銅板上沉積不同厚度DLC膜鹽霧腐蝕后的表面形貌(a-DLC膜厚為25nm;b-DLC膜厚為75nm;c-DLC膜厚為150nm;d-空白銅板)

        根據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn) GBT6461-2002《金屬基體上金屬和其他無(wú)機(jī)覆蓋層經(jīng)腐蝕試驗(yàn)后的試樣和試樣的評(píng)級(jí)》對(duì)腐蝕后的試樣進(jìn)行分析,根據(jù)公式計(jì)算:

        式中,RP為缺陷可能影響到的保護(hù)評(píng)級(jí),A為基體金屬腐蝕所占總面積的百分比。由計(jì)算機(jī)采集圖6中不同厚度 DLC膜鹽霧腐蝕后的腐蝕面積的數(shù)據(jù),計(jì)算可得腐蝕面積所占總面積的百分比,即A,然后帶入公式(1)中計(jì)算可得其保護(hù)評(píng)級(jí)RP。數(shù)據(jù)結(jié)果在表2中列出。

        表2 不同厚度的DLC膜的腐蝕面積百分比(A)及保護(hù)評(píng)級(jí)(RP)

        從表中數(shù)據(jù)可以看出,隨著DLC膜厚度的增加,被腐蝕掉的面積隨之減少,即保護(hù)效果越好,說(shuō)明DLC作為金屬表面的一種保護(hù)涂層,在一定程度上提高了基底的耐腐蝕性能。實(shí)驗(yàn)還表明即使沉積的保護(hù)層厚度為納米級(jí),也能對(duì)基體進(jìn)行有效的保護(hù)。

        不同氣體流量比條件下沉積的 DLC膜對(duì)提高基底的耐腐蝕性能也有影響。圖7為在銅板上按不同氣體流量比條件下沉積的 DLC膜后基底的耐腐蝕性能的表面形貌。圖7中的a-和b-所對(duì)應(yīng)的沉積條件:放電功率 100W,膜厚 75nm,氣體流量比分別為Ar:C2H2=5:1和Ar:C2H2=5:2。圖7中的c-和d-為沉積的DLC膜的放電功率為100W,膜厚為150nm,氣體流量比分別為Ar:C2H2=5:1和Ar:C2H2=5:2。

        圖8 按不同氣體流量比在銅板表面沉積DLC膜對(duì)基底的耐腐蝕性能的表面形貌圖(a-DLC膜厚為75nm,氣體流量比為Ar:C2H2=5:1;b-DLC膜厚為75nm,氣體流量比Ar:C2H2=5:2;c-DLC膜厚為150nm,氣體流量比Ar:C2H2=5:1;d-DLC膜厚為150nm,氣體流量比Ar:C2H2=5:2)

        采用同樣的方法,計(jì)算 A再帶入到公式(1)中可計(jì)算出不同氣體流量下沉積的 DLC膜的保護(hù)評(píng)級(jí),數(shù)據(jù)結(jié)果在表3中列出。

        表3 不同單體比例對(duì)腐蝕面積百分比(A)及保護(hù)評(píng)級(jí)(RP)影響

        從表中可以看出沉積相同厚度的DLC膜,不同氣體比例對(duì)其提高基底的耐腐蝕性能的影響不明顯,可能是因?yàn)樗练e的膜比較薄,但是也可基本看出氣體流量比Ar:C2H2=5:2的條件下沉積的DLC膜的耐腐蝕性能稍好。由圖3的Raman譜圖中可以看出,乙炔相對(duì)含量增多,膜中金剛石特性更明顯,所以 DLC膜的耐腐蝕性能可能與膜中金剛石特性不同有關(guān),金剛石特性越明顯,DLC膜的耐腐蝕性能越好。

        2)電化學(xué)腐蝕分析

        本電化學(xué)腐蝕是在 3.5% NaCl 溶液中進(jìn)行測(cè)試,圖8為未鍍膜和已鍍DLC膜的動(dòng)電位極化曲線。未鍍膜和已鍍DLC膜的腐蝕電位(Ecorr)和陰極電流密度(IP)在表 4中列出,從中可以看出,已鍍DLC膜的耐腐蝕性能有所提高,其隨著 DLC膜厚度的升高有所提高,但隨著Ar比例的增多而下降。

        圖9 未鍍膜和已鍍DLC膜的銅板的動(dòng)電位極化曲線(DLC1- Ar:C2H2=5:1, DLC1厚度=75nm; DLC2-Ar:C2H2=5:1,DLC2厚度=150nm;DLC3-Ar:C2H2=5:2, DLC3厚度=75nm;DLC4-Ar:C2H2=5:2,DLC 4厚度=150nm)

        表4 未鍍膜和已鍍DLC膜的電位以及陰極電流密度結(jié)果

        和未鍍膜的樣品相比,已鍍DLC膜的樣品之所以具有較低的電導(dǎo)率,是因?yàn)镈LC膜本身的化學(xué)惰性,其減少了樣品表面電子轉(zhuǎn)移和電流轉(zhuǎn)換,這對(duì)電化學(xué)腐蝕來(lái)說(shuō)很重要[15]。將表4結(jié)果和sp3/sp2比例進(jìn)行對(duì)比發(fā)現(xiàn),電導(dǎo)率和DLC膜的化學(xué)結(jié)構(gòu)有關(guān),即sp3/sp2比例,其比值越高,電導(dǎo)率越低。因此,樣品鍍有更高sp3/sp2比例的DLC膜,其具有更好的耐腐蝕性[16]。

        3 結(jié)論

        以 C2H2為碳源,Ar氣為輔助氣體,采用等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)在不同基體表面制備了類金剛石膜,通過(guò)對(duì)薄膜進(jìn)行各種測(cè)試得到以下結(jié)論:

        1)RF-PECVD法制備的類金剛石薄膜中碳原子主要以sp3組態(tài)相互鍵合,并且隨Ar氣含量的增大,類金剛石薄膜中H的含量逐漸降低,sp3鍵向sp2鍵轉(zhuǎn)化,增大膜中 sp2鍵的相對(duì)含量;而且從薄膜表面形貌分析(AFM),薄膜的結(jié)構(gòu)致密,表面光滑并具有良好的均勻性。

        2)由摩擦磨損性能分析可知,與空白載玻片相比,只要鍍有較薄DLC膜(≤150nm)的載玻片的摩擦系數(shù)就可大大降低,較好地改善其摩擦性能。

        3)由鹽霧腐蝕實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析可知,鍍有 DLC薄膜的金屬銅板被腐蝕的面積明顯減小,能夠提高其耐腐蝕性能。

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