劉姜玲 劉姜濤 王小謨
(1.北京理工大學信息與電子學院,北京 100081;2.湖北第二師范學院物理與電子信息學院,湖北 武漢 430205;3.中國電子科學研究院,北京 100041)
端射天線有很多優(yōu)點,比如容易制作、價格低廉,并且有好的空氣氣動性。端射天線特別適用于高速飛行器[1]??墒莻鹘y(tǒng)意義上的端射天線是中等增益的天線,并不適用于雷達探測系統(tǒng)的要求。為了提高方向性和增益,用平板端射天線作為單元進行了組陣研究,發(fā)現(xiàn)平板端射天線的組陣不符合常規(guī)天線組陣理論。端射天線陣的增益隨著天線單元間距的增大而提高,并且間距在1.5λ時天線陣列的增益最高,但同時引入柵瓣問題[2]??梢酝ㄟ^不均勻布陣抑制柵瓣。
以往針對不均勻布陣問題開展了大量研究,天線間距按0.5λ柵格稀布,取得了大量研究成果,如傳統(tǒng)的Chebyshev-Dolph綜合法[3]、泰勒綜合法[3]、動態(tài)規(guī)劃法[4]、模擬退火法[5]、遺傳算法[6]等。但對天線間距按1.5λ柵格稀布的陣列的優(yōu)化還沒有開展過相關研究。
本文為解決平板端射天線高增益布陣問題,針對最小天線間距大于1.5λ的陣列優(yōu)化開展了研究工作,發(fā)現(xiàn)當天線單元最小間距為1.5λ時,由于強柵瓣的出現(xiàn),通過優(yōu)化天線間距無法獲得低副瓣。因此,提出一種新的陣列組陣方法,即在發(fā)射時采用正交信號,發(fā)射波束在空間不合成,能量全向輻射,在接收端通過數(shù)據(jù)處理形成發(fā)射和接收雙程方向圖,通過優(yōu)化陣列總方向圖,成功解決了天線最小間距大于1.5λ的陣列柵瓣和高副瓣問題。把正交波形多輸入多輸出(MIMO)陣列優(yōu)化布陣研究[7-8]拓展至分布式MIMO陣列優(yōu)化問題。
為討論方便,以圖1所示對稱結構稀布線陣為例。陣元數(shù)為2N+1(N為正整數(shù)),所有陣元相同且均勻等幅激勵,陣元位置d0=0,d-N=-L,dN=L,dc為最小陣元間距,di=xi+idc,1≤i≤N-1,0≤xi≤L-Ndc,其中L為約束陣列半孔徑。
圖1 對稱稀布線陣的陣列模型
陣元無方向性時的方向圖為
-π/2≤θ≤π/2,k=2π/λ
(1)
以x為決策變量的改進適應度函數(shù)為
fitness(x1,x2,…,xN-1)=max|f(θ)/Fmax|
(2)
式中:Fmax是主瓣峰值;θ取值區(qū)間需排除主瓣區(qū)域。目標函數(shù)為
f(x1,x2,…,xN-1)=min{fitness(x1,x2,…,xN-1)}
Kennedy和Eberhart在1995年提出粒子群算法,該算法通過群體中粒子間的合作與競爭產(chǎn)生的群體智能來指導優(yōu)化搜索,可適用于非線性優(yōu)化問題,收斂速度快,設置參數(shù)少,程序實現(xiàn)簡單,近年來被廣泛應用于解決天線陣列優(yōu)化問題[9]。
采用改進的粒子群算法對具有不同間距約束的稀布陣列進行優(yōu)化仿真,發(fā)現(xiàn)間距不同時,優(yōu)化效果差異很大。
2.2.1 優(yōu)化算法有效性驗證
總陣元數(shù)為17的對稱陣,陣元間距約束為0.5λ,優(yōu)化后的陣列方向圖如圖2所示,峰值旁瓣電平(PSLL)為-19.89 dB.文獻[10]和[11]優(yōu)化的PSLL是-19.49 dB,驗證了本文改進粒子群優(yōu)化算法的有效性。
圖2 最小間距為0.5 λ的17元不均勻陣最優(yōu)方向圖
2.2.2 仿真分析
針對不同最小陣元間距約束和不同陣元數(shù)的陣列開展了優(yōu)化仿真。圖3為陣列副瓣隨著天線最小陣元間距變化而變化的曲線,其中實線表示17元天線陣列,虛線表示33元天線陣列。由圖3可知,隨著天線間距逐漸拉大,優(yōu)化布陣后所得PSLL越來越高,最小間距0.5λ的17元陣列為 -19.9 dB,1.5λ時高達-7.029 dB.圖4為陣列副瓣隨著天線單元數(shù)變化而變化的曲線,其中實線表示最小陣元間距約束為1.5λ的天線陣列,虛線表示最小陣元間距約束為0.5λ的天線陣列。由圖4可知,通過增加陣元數(shù)優(yōu)化后PSLL有所降低,當單元數(shù)增加到40以上時,PSLL幾乎保持不變,最大降幅約為5 dB,但由于間距拉大而導致的副瓣增加的最大增幅約為12 dB.
圖3 優(yōu)化布陣后PSLL隨最小天線間距變化的曲線
圖4 優(yōu)化布陣后PSLL隨陣元數(shù)變化的曲線
由上述分析可知:
1) 天線最小間距為0.5λ的稀布陣列,通過優(yōu)化天線間距布陣,可以實現(xiàn)低PSLL;
2) 隨著天線間距的加大,優(yōu)化后PSLL越來越差,當天線最小間距約束拉大到1.5λ時,通過優(yōu)化天線間距布陣可以抑制柵瓣,但同時引入高PSLL;
3) 通過增加陣元數(shù),能降低PSLL,但降低幅度遠小于由于間距拉大而導致的PSLL增高的幅度;
4) 通過常規(guī)稀布陣列優(yōu)化無法解決天線最小間距約束為1.5 λ時的高峰值旁瓣問題。
常規(guī)不均勻優(yōu)化布陣無法解決最小天線間距為1.5λ時的高旁瓣問題,因此,本文提出一種新的組陣思路即空間不合成陣列。
發(fā)射天線采用正交信號激勵,空間能量全向分布,發(fā)射信號在空間不形成定向輻射,在接收端通過補償發(fā)射和接收延遲進行同相相加,合成等效發(fā)射波束和接收波束。
假設陣列有M個發(fā)射陣元,N個接收陣元,第m個發(fā)射陣元的權值為wtm,發(fā)射信號頻率為fm,振幅為gt,則發(fā)射陣列信號矢量可以表示為
vt= [wt1gtexp(-j 2πf1τt1),wt2gtexp(-j 2πf2τt2),
…,wtMgtexp(-j2πfMτtM)]
設第n個接收陣元的權值為wrm,振幅為gr,則接收陣列信號矢量可以表示為:
vr= [wr1grexp(-j 2πfτr1),wr2grexp(-j 2πfτr2),
…,wrNgrexp(-j 2πfτrN)]
信號從第m個發(fā)射陣元傳播到目標散射點,然后再到第n個接收陣元,其相對于發(fā)射和接收參考點的相對延遲時間可以表示為τmn=τtm+τrn,其中τtm、τrn分別為第m個發(fā)射陣元到目標和目標到第n個接收陣元間的延時,具體與陣列形狀有關。
則接收陣列的輸出矢量為v=vt?vr,其中?是Kronecker積,輸出矢量v中共有MN項,則整個接收陣列的輸出為各項之和,可表示為
(-j2πfτrn)
=Ft(θ)?Fr(θ′)
(3)
對式(3)歸一化后可得到空間陣列的合成方向圖
(4)
Gt(θ)和Gr(θ′)分別為發(fā)射陣列和接收陣列的方向圖,陣列總方向圖為收發(fā)方向圖相乘。
收發(fā)天線分置,2M+1個發(fā)射天線和2N+1個接收天線分別按圖1所示布置,所有陣元相同且均勻等幅激勵,天線指向為0度的陣元無方向性時的陣列總方向圖為
f(θ)= (1+2cos(2πfMLsinθ/c)+
(1+2cos(2πfLsinθ/c)+
-π/2≤θ≤π/2,0≤xtm,xrn≤L-Ndc
(5)
空間不合成陣列的適應度函數(shù)為
fitness(xt1,xt2,…,xt,M-1,xr1,xr2,…,xr,N-1)
=max|f(θ)/Fmax|
(6)
式中:Fmax是主瓣峰值;θ取值區(qū)間需排除主瓣區(qū)域。目標函數(shù)為
f(xt1,xt2,…,xt,M-1,xr1,xr2,…,xr,N-1)
=min{fitness(xt1,xt2,…,xt,M-1,xr1,xr2,…,
xr,N-1)}
對改進粒子群優(yōu)化軟件進行修改,適應度函數(shù)采用式(6)的雙程方向圖函數(shù),對空間不合成陣列天線進行優(yōu)化布陣研究。
以收發(fā)天線為分置的17元不均勻線陣為例,天線最小間距為最小波長的1.5倍,激勵信號為步進頻信號,起始頻率f0為3 GHz,頻率步長1 MHz,頻率步數(shù)17.入射角和目標角均為0度。優(yōu)化后的PSLL見表1,比常規(guī)17元不均勻陣降低22.095 dB,比常規(guī)35元不均勻陣降低19.994 dB,在抑制柵瓣的同時,大大降低了PSLL.
表1 各陣列優(yōu)化后的PSLL比較
對最小間距為1.5λ的不同陣元數(shù)的空間不合成陣列開展了大量仿真計算,陣列峰值副瓣隨天線單元數(shù)變化而變化的規(guī)律如圖5所示。發(fā)現(xiàn)隨著陣元數(shù)的增加峰值副瓣逐漸降低,當陣元數(shù)增加到一定數(shù)目后PSLL幾乎保持不變,約為-31 dB.
當陣列入射角和目標角不為0度即存在掃描角時,陣列PSLL隨掃描角度的增大而抬高,變化曲線如圖6所示。由圖6可知,當掃描角≤±10°時,PSLL僅抬高3.6 dB,陣列能實現(xiàn)掃描。
圖5 優(yōu)化布陣后PSLL隨陣元數(shù)變化的曲線
圖6 優(yōu)化布陣后PSLL隨陣列掃描角變化的曲線
本文為解決平板端射天線高增益布陣問題,針對天線間距大于1.5λ的陣列優(yōu)化開展了研究工作,把稀布陣列優(yōu)化問題拓展到最小天線間距大于1.5λ的情況。當天線單元最小間距為1.5λ時,由于強柵瓣的出現(xiàn),按常規(guī)不均勻陣列優(yōu)化原理開展優(yōu)化布陣,可以抑制柵瓣但無法解決引入的高旁瓣問題。提出采用空間不合成組陣新原理,針對該新型不合成陣列展開最小間距大于1.5λ的陣列布陣優(yōu)化,在抑制柵瓣的同時成功實現(xiàn)了低旁瓣。為平板端射天線的研制提出了一條新思路。
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