Diodes公司推出專為開關高功率IGBT設計的ZXGD3006E6閘極驅(qū)動器（gate driver），有助于提高太陽能逆變器、電機驅(qū)動和電源應用的功率轉(zhuǎn)換效率。

當輸入電流為1 mA時，該閘極驅(qū)動器通常可提供4 A的驅(qū)動電流，使其成為控制器的高輸出阻抗和IGBT的低輸入阻抗之間高增益緩沖級的最佳選擇。ZXGD3006E6擁有一個發(fā)射極跟隨器配置，可防止閂鎖效應（latch－up）及貫通問題（shootthrough），實現(xiàn)少于10 ns的傳輸延遲時間。

ZXGD3006E6的操作范圍涵蓋40 V，可全面改善開關器件，從而把通態(tài)損耗降至最低。該器件同時允許從＋20～－18 V的閘極驅(qū)動，有助于防止由dV/dt引起的IGBT誤觸發(fā)（false triggering）。

這個閘極驅(qū)動器提供獨立電源和路漏輸出（sink output），可分別器件開啟及關閉時間，從而讓電路設計師能為特定應用設定更佳的開關功能。再加上擁有10 Amp的峰值電流處理能力，該器件可控制大閘極容性負載的充電和放電，以減少更高運行頻率下的EMI（電磁干擾）問題和跨導風險（cross conduction）。

該閘極驅(qū)動器采用堅固耐用的SOT26封裝，可比競爭器件提供更高的脈沖電流，確保減少熱耗散，從而提升產(chǎn)品可靠性。此外，新器件的封裝引腳經(jīng)過優(yōu)化，能簡化印刷電路板布線，并減少寄生引線電感。