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        無壓燒結(jié)制備表面微孔碳化硅陶瓷

        2011-03-11 14:17:04郭興忠黃永銀張玲潔
        中國陶瓷工業(yè) 2011年5期

        郭興忠 黃永銀 楊 輝 張玲潔

        (浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)系,浙江杭州310027)

        0 前言

        碳化硅(SiC)具有高強度、高硬度、耐磨、耐腐蝕、抗氧化、高熱導(dǎo)率、良好的高溫穩(wěn)定性能、低的膨脹系數(shù)、強的耐化學(xué)腐蝕性等優(yōu)點,已成為新一代的機械密封基礎(chǔ)材料。目前,SiC陶瓷材料已經(jīng)在各類機械密封中得到大量的使用[1-4]。在碳化硅密封件進(jìn)行硬對硬摩擦的工作環(huán)境下,當(dāng)密封件端面分布有一定比例的球形微孔時,可以有效地提高密封件的承載能力,降低摩擦系數(shù),提高碳化硅機械密封件的使用壽命[5]。

        添加造孔劑法是制備微孔及多孔陶瓷材料的有效途徑和方法。目前,主要添加碳酸銨、碳酸氫銨、氯化銨等高溫可分解鹽類,或者無機碳煤粉、碳粉、天然纖維、高分子聚合物和有機酸等作為造孔劑[6]。In-Hyuck Song[7]等以碳SiC粉為原料,Al2O3-Y2O3為燒結(jié)助劑,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微球為造孔劑,制備出了不同氣孔率的碳化硅微孔陶瓷材料。尚俊玲[8]等以碳SiC粉為原料,Si和A l2O3-Y2O3為燒結(jié)助劑,丙烯酰胺聚合物和羧甲基纖維素(CMC)為造孔劑,采用真空燒結(jié)方法制備出了氣孔率較高的碳化硅多孔陶瓷材料。

        然而,運用如NaCl、Na2SO4、CaCl2、CaSO4等鹽類物質(zhì)在陶瓷燒結(jié)溫度下不揮發(fā)、不分解、不燒結(jié)、不與陶瓷基體發(fā)生反應(yīng),燒結(jié)后可以用水、酸或堿溶液沖洗,可以在陶瓷表面浸出孔洞等特點,作為造孔劑制備多孔碳化硅陶瓷材料,不僅能實現(xiàn)碳化硅陶瓷均勻連續(xù)造孔,而且還不會顯著降低陶瓷的力學(xué)性能,目前,相關(guān)研究鮮有報道。本文運用氯化鈣(CaCl2)作為造孔劑,采用無壓燒結(jié)制備表面微孔碳化硅陶瓷,分析了CaCl2添加量對碳化硅陶瓷的燒結(jié)性能、微觀形貌和摩擦性能的影響。

        1 實驗

        本試驗采用浙江東新密封有限公司提供的SiC粉末(純度≧98.5%)為骨料,Al2O3粉(純度>99%)和Y2O3粉(純度>99%)為燒結(jié)助劑,以CaCl2粉(純度>99%)為造孔劑。將試驗原料按一定比例配成混合料,用去離子水將混合料攪拌成為固含量為40%的漿料,并在球磨機中球磨混合3小時后,采用水基噴霧造粒技術(shù)制得SiC粉體[9]。將經(jīng)噴霧造粒的SiC粉體先置于模具內(nèi)預(yù)壓成型,再經(jīng)冷等靜壓,獲得密度均勻的陶瓷坯體。將已經(jīng)壓制成型的坯體放入真空高溫爐中燒結(jié),在1800~1900℃的溫度下燒結(jié)75min,制得碳化硅陶瓷,再經(jīng)水洗加工處理后制得所需表面微孔SiC陶瓷。

        從經(jīng)水洗加工處理后的試樣中取樣,運用阿基米德排水法測量燒結(jié)樣品的相對密度;通過HITACHIS-4800型掃描電鏡觀察素坯斷面形貌和燒結(jié)體的表面及斷面相貌。利用CMT5205型電子萬能試驗機測試陶瓷樣品的抗彎強度。使用Hv-10A型小負(fù)荷維氏硬度計測試陶瓷樣品的硬度[10]。采用球-盤式可控氣氛微型摩擦磨損試驗儀(WTM-1E)測碳化硅陶瓷樣品的摩擦系數(shù)。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 燒結(jié)性能

        表1 反映了CaCl2對SiC陶瓷體積密度、硬度和抗彎強度的影響。

        可以發(fā)現(xiàn),隨著CaCl2含量的增加,SiC陶瓷的體積密度、硬度和抗彎強度都不斷減小。這是因為部分CaCl2以及因添加CaCl2而引進(jìn)的高溫可揮發(fā)物質(zhì),在SiC陶瓷高溫?zé)Y(jié)階段會分解或揮發(fā),致使陶瓷密度降低。隨著CaCl2含量的增加,聚集于SiC顆粒之間的CaCl2顆粒也越多,燒結(jié)時CaCl2顆粒會阻礙物質(zhì)的擴(kuò)散,影響SiC陶瓷的燒結(jié)致密效果,也降低了SiC陶瓷的燒結(jié)密度。隨著CaCl2含量的增加,分布于SiC陶瓷晶粒間的CaCl2顆粒增多,經(jīng)過水或乙醇等溶液沖洗后的SiC陶瓷表面含有的微孔數(shù)量增加,孔的密集度也高,表面孔的存在會明顯降低碳化硅的硬度。同時CaCl2相對SiC陶瓷而言屬于弱相,陶瓷基體中的CaCl2顆粒存在也降低了碳化硅晶粒與晶粒的結(jié)合力,因而SiC陶瓷的抗彎強度會下降。

        圖1 陶瓷斷面SEMFig.1 SEM m icrographs of fracture surface of ceram ic

        圖2 陶瓷表面SEMFig.2 SEM m icrographs of surface of ceram ic

        圖3 SiC陶瓷的摩擦系數(shù)Fig.3 The friction coefficient of SiC ceram ic

        表1 燒結(jié)性能Tab.1 Sintering properties

        2.2 微觀結(jié)構(gòu)

        圖1是SiC陶瓷試樣的斷面3k倍SEM圖。從圖1可以看出,兩組試樣燒結(jié)都非常充分,結(jié)構(gòu)都非常致密,然而圖1a中的碳化硅陶瓷晶粒比較大,圖1b圖中的碳化硅陶瓷晶粒明顯較小,這說明CaCl2在一定程度上,對SiC陶瓷能起到細(xì)化碳化硅陶瓷晶粒的效果。這是因為,加CaCl2的碳化硅素坯中隨機均勻地分布有細(xì)小的CaCl2顆粒,在SiC陶瓷的燒結(jié)致密過程中,這些CaCl2顆粒會在一定程度上阻礙物質(zhì)的擴(kuò)散,降低了碳化硅晶粒長大的速率,從而抑制了SiC晶粒的生長,使得碳化硅晶粒細(xì)小化。因此,加CaCl2的SiC陶瓷的晶粒相比沒加CaCl2的SiC晶粒明顯要小。

        圖2是表面經(jīng)過無水乙醇清洗處理后的SiC陶瓷表面10k倍的SEM圖??梢园l(fā)現(xiàn),沒加CaCl2的圖2a試樣表面平整密實,不存在微孔,而加CaCl2的圖2b試樣表面同樣平整致密,但是明顯存在大量分布均勻的微孔或微孔群。這是因為,CaCl2的熔點為700℃,沸點為1930℃,因而在1800~1900℃的燒結(jié)溫度下,氯化鈣會逐漸熔化形成球形的液體,而不分解、不燒結(jié)、不與基體反應(yīng),燒結(jié)完成后會在SiC陶瓷材料內(nèi)部以及表面能形成分布均勻的微小的CaCl2顆粒。在后續(xù)加工處理過程中,SiC陶瓷試樣經(jīng)水、乙醇或醋酸溶液等清洗后,在其表面就會形成大量的分布均勻的微小孔洞,達(dá)到了造孔的目的。

        2.3 摩擦性能

        圖3是不同CaCl2含量的SiC陶瓷摩擦系數(shù)曲線圖??梢钥闯?,隨著CaCl2含量的增加,摩擦系數(shù)不斷減小,這表明加CaCl2可以有效地降低SiC陶瓷的摩擦系。這時因為,加CaCl2的SiC陶瓷經(jīng)無水乙醇清洗處理后,表面存在許多分布均勻的微小氣孔,這些微小氣孔可以作為碎屑的儲存場所,由于硬對硬摩擦而產(chǎn)生的微小碎屑會因磨損儀機械件的移動而被帶送到這些微小氣孔中,從而可以及時有效的移除摩擦端面的碎屑,保持了摩擦表面的光滑,并且由于陶瓷含有這些微孔,減少了摩擦接觸面積,因而能有效地降低碳化硅陶瓷的摩擦系數(shù)。

        3結(jié)論

        (1)碳化硅陶瓷基體中的CaCl2顆粒會阻礙物質(zhì)的擴(kuò)散,影響SiC陶瓷的燒結(jié)致密效果,降低碳化硅晶粒與晶粒的結(jié)合力,因此會降低碳化硅陶瓷的體積密度、硬度和抗彎強度。

        (2)加CaCl2后,CaCl2顆粒會隨即均勻地分布于SiC陶瓷基體中,抑制SiC晶粒的生長,在一定程度上,能起到細(xì)化碳化硅陶瓷晶粒的效果。

        (3)加CaCl2的SiC陶瓷經(jīng)無水乙醇清洗處理后,能在碳化硅陶瓷表面形成許多分布均勻的微小氣孔及氣孔群,這些微小氣孔減少了摩擦接觸面積,并且可以作為碎屑的儲存場所,因而能有效地降低碳化硅陶瓷的摩擦系數(shù)。

        1張寧,茹紅強,才慶魁.SiC粉體制備及陶瓷材料液相燒結(jié).沈陽:東北大學(xué)出版社,2008

        2 EOM JH,KIM YW.Effect of additives onmechanical properties of macroporous silicon carbide ceram ics.Met.Mater.Int.,2010,16(3):399~405

        3 KIM Y W,JIN Y J,EOM JH,et al.Engineering porosity in silicon carbide ceram ics.J.Mater.Sci.,2010,45:2808~2815

        4 GUO X Z,YANG H.Sintering and m icrostructure of silicon carbide ceram icwith Y3A l5O12added by sol-gelmethod.J.Zhejiang Univ.Sci.,2005,6(3):213~218

        5王曉雷,韓文菲,加藤康司.碳化硅陶瓷的水潤滑特性及其表面微細(xì)織構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計.中國機械工程,2008,19(4):457~460

        6江昕,尹美珍.多孔陶瓷材料的制備技術(shù)及應(yīng)用.現(xiàn)代技術(shù)陶瓷,2002,1:15~19

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        8尚俊玲,陳維平,劉城等.不同助燒結(jié)劑及造孔劑對SiC多孔陶瓷的影響.中國陶瓷工業(yè),2007,14(2):29~31

        9郭興忠,李海淼,朱瀟怡等.SiC/納米TiN水機復(fù)合漿料特性及噴霧干燥.無機材料學(xué)報,2008,33(6):1211~1215

        10郭興忠,朱瀟怡,張玲潔等.無壓燒結(jié)制備納米復(fù)合碳化硅陶瓷.硅酸鹽學(xué)報,2010,38(2):258~264

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