李 亮，朱科翰

（1.蘇州市職業(yè)大學(xué)電子系，江蘇 蘇州 215104；2.昆泰集成電路（上海）有限公司，上海 201203）

1 引言

MOS管作為ESD防護(hù)器件已廣泛被業(yè)界采用，代工廠給設(shè)計(jì)公司提供的ESD版圖設(shè)計(jì)規(guī)則文檔中一般只有MOS管的規(guī)范。隨著工藝的進(jìn)步，MOS管的特征尺寸不斷縮小、特征頻率不斷增高，而器件ESD抵抗能力減弱了。由此工藝工程師為提高ESD性能，推出了SAB/SB（Salicide Block），ESD注入（ESD implant）供客戶選擇，但不是免費(fèi)的。GGNMOS作為ESD器件正向依靠寄生NPN（漏極的N+有源區(qū)-P型襯底-源極的N+有源區(qū)）BJT泄放ESD電流；反向由PN二極管（P型襯底-N+有源區(qū)）和柵源相接的NMOS二極管組成。在全芯片ESD網(wǎng)絡(luò)中，當(dāng)ESD事件來(lái)臨時(shí)，GGNMOS正向和反向都有可能導(dǎo)通，這由潛在的ESD路徑?jīng)Q定，ESD電流總會(huì)流向低阻路徑。所以在設(shè)計(jì)時(shí)必需考慮GGNMOS的正向和反向ESD性能以絕對(duì)保證芯片的可靠性。通常GGNMOS作為ESD必需結(jié)合電源鉗位器件（Power Clamp）一起使用，比如電源對(duì)輸入發(fā)生正ESD應(yīng)力。GGNMOS作為BJT是一種擊穿型（Breakdown Device）的工作機(jī)理[1,2]，依靠漏極與襯底之間的雪崩擊穿觸發(fā)后形成低阻通路泄放ESD電流。然而多指GGNMOS器件通常不能均勻開(kāi)啟，即ESD性能并不與器件面積成正比。GGNMOS的均勻開(kāi)啟性早有研究[3]，ESD研究人員也提出了不增加額外工藝的前提下，改進(jìn)GGNMOS均勻開(kāi)啟性的方法，比如采用N-Well電阻[4]、多米勒結(jié)構(gòu)[5]。

2 工藝對(duì)NMOS管ESD性能影響

2.1 ESD注入

ESD 注入可以選擇摻雜類型，常用的元素有硼（Boron）和砷（Arsenic）或磷（Phosphorus）。硼為受主雜質(zhì)P+，砷和磷為施主雜質(zhì)N+。某些代工廠只提供摻硼元素的ESD implant，所以又稱為PESD 。ESD注入最早采用摻硼以降低MOS管的觸發(fā)電壓[6]。但先進(jìn)工藝中的LDD（LDD減小MOS漏極端在溝道下的電場(chǎng)強(qiáng)度分布，以克服因熱載流子效應(yīng)所造成的I-V特性因長(zhǎng)時(shí)間使用產(chǎn)生漂移的問(wèn)題）會(huì)產(chǎn)生尖端放電，使得ESD常發(fā)生在尖端。采用摻砷的ESD implant可消除LDD結(jié)構(gòu)，但會(huì)使有源區(qū)結(jié)的橫向擴(kuò)撒比較嚴(yán)重，故ESD器件不適合采用太短的溝道長(zhǎng)度[7]。文獻(xiàn)[8]在0.18μm CMOS工藝制程下采用硼和砷的ESD implant不僅大大提高了MOS器件的正向ESD性能，而且對(duì)反向二極管特性也有所提高。

2.2 金屬硅化物隔離

在先進(jìn)半導(dǎo)體工藝中，金屬硅化物擴(kuò)散能降低MOS器件源、漏端的串聯(lián)擴(kuò)散電阻，提高M(jìn)OS器件的工作速度，使MOS器件適用于高頻應(yīng)用。但低方塊電阻使得ESD電流很容易從PAD傳到MOS管的LDD結(jié)構(gòu)，ESD性能下降。為了從工藝的角度改進(jìn)金屬硅化物對(duì)MOS管ESD防護(hù)器件的性能影響，SAB應(yīng)運(yùn)而生。金屬硅化物隔離層可提高有源區(qū)的電阻從而提高壓艙電阻（Ballasting Resistor）使得多指NMOS器件在ESD事件下均勻開(kāi)啟。

3 SAB與PESD對(duì)GGNMOS的影響

圖1和圖2分別為普通GGNMOS和帶均勻P-tap的GGNMOS器件。通常沒(méi)有P-tap的GGNMOS結(jié)構(gòu)，中間的漏極比兩邊的漏極距離P襯底的距離遠(yuǎn)，電阻大，從而中間的漏極會(huì)較先開(kāi)啟。 P-tap的作用是使多叉指MOS管的每個(gè)叉指的漏極到P襯底的距離相等，從而保證漏極均勻開(kāi)啟。但是P-tap使得漏極距離P襯底的距離減小，電阻減小，需要更大的雪崩電流才能使GGNMOS回跳（Snapback），從而意味著觸發(fā)電壓（Vt1）會(huì)變大。因此P-tap并不一定提高GGNMOS的ESD性能。

圖1 8叉指GGNMOS版圖

圖2 帶P-tap的8叉指GGNMOS版圖

表1為5個(gè)不同GGNMOS器件的TLP測(cè)試結(jié)果。5個(gè)器件的關(guān)鍵版圖尺寸相同：有源區(qū)寬度（W）=40μm，叉指數(shù)（Finger）=8，漏極端接觸孔的排數(shù)=5，漏端總金屬寬度=12.96 μm（僅有金屬1）。不同之處為是否有SAB、PESD和P-tap。

表1 GGNMOS的TLP測(cè)試結(jié)果

Note:Width=40μm, #Fingers=8,#Rows of contact@Drain=5, Total metal width@Drain=12.96μm（metal 1 only）.

從表1可知：SAB可大大提高It2（從2.32A到4.56A）；PESD能降低其Vt1（從6.55V到 5.58V）；

P-tap使Vt1增大（從6.55V到 7.73V）、It2減小（從2.32A到1.93A）。

原因分別是：

（1）SAB使得漏極的方塊電阻值增大，從而ESD電流更加均勻分布，泄放能力提高。

（2）PESD注入受主雜質(zhì)在漏極N+有源區(qū)下形成P+，降低雪崩擊穿。

（3）P-tap減小了寄生BJT的基區(qū)到發(fā)射區(qū)的電阻（Rbe）值，從而需要更大的電流達(dá)到BE結(jié)的導(dǎo)通電壓。P-tap也會(huì)增大保持電壓（Vh），從而It2減小，導(dǎo)致熱擊穿提前發(fā)生（遵循能量守恒：P=IV）。

圖3 SAB和PESD對(duì)GGNMOS TLP I-V曲線與漏電的影響

圖4 P-tap和SAB與PESD對(duì)GGNMOS TLP I-V曲線與漏電的影響

圖3和圖4 分別為185號(hào)、186號(hào)、187號(hào)GGNMOS和185號(hào)、189號(hào)、190號(hào)GGNMOS的TLP I-V曲線和漏電。

從圖3和圖4中的漏電可知：

（1）常溫下GGNMOS的漏電低于1nA；

（2）186號(hào)（With SAB）和187號(hào)（With SAB&PESD）器件是金屬熔斷失效。其他器件都是熱擊穿失效。

進(jìn)一步可以推斷：

（1）Metal 1能承受ESD電流的能力為0.35A/μm（4.55A/12.96μm）；

（2）帶P-tap的GGNMOS的ESD能力低于普通的GGNMOS（雖然190號(hào)器件的It2=4.52A，但它的失效是由熱擊穿造成）。

4 多叉指GGNMOS非均勻性導(dǎo)通

圖5和圖6分別為11叉指和6叉指的GGNMOS器件的版圖。NMOS的W=30μm，漏端只有一排接觸孔。11叉指GGNMOS漏端的金屬寬度共為39.8μm，6叉指GGNMOS漏端的金屬寬度共為14 μm，都采用了SAB層。

圖5 11叉指GGNMOS版圖

圖6 6叉指GGNMOS版圖

圖7 為11叉指、6叉指和2叉指的TLP I-V曲線和漏電測(cè)試結(jié)果，由圖7可知：

（1）漏電偏大，特別是6叉指GGNMOS的漏電高達(dá)0.4 μA。

（2）使用SAB、It2很低，GGNMOS顯然沒(méi)有均勻開(kāi)啟，造成提前失效。

GGNMOS的ESD性能不與面積成正比，面積越大只會(huì)造成更加難以均勻開(kāi)啟。但由于上面GGNMOS器件的漏端金屬走線方法并不完全相同，所以沒(méi)有絕對(duì)的可比性。

圖7 不同叉指GGNMOS的 TLP I-V曲線與漏電比較

5 總結(jié)

在CMOS工藝中，GGNMOS是一種簡(jiǎn)單實(shí)用的ESD 防護(hù)器件，影響其ESD性能的瓶頸是均勻開(kāi)啟性。在GGNMOS版圖等其他特征參數(shù)最優(yōu)的前提下，采用SAB能改善其均勻開(kāi)啟性，從而改進(jìn)ESD性能。0.18V NMOS器件的柵氧直流擊穿電壓大約為6V左右，但瞬態(tài)擊穿電壓一般是直流擊穿電壓的兩倍以上，GGNMOS的Vt1在7V左右并不會(huì)造成柵氧可靠性威脅。

［1］Dabral S.,T. Maloney. Basic ESD and I/O Design[M]. New York: 1998.

［2］A. Amerasekera, C. Duvvury. ESD in silicon integrated

circuits[M]. 2nd edition, 2002.

［3］C. Russ, K. Bock, M. Rasras, et al. Non-uniform triggeringof gg-nMOST investigated by ombined emission microscopy and transmissionline pulsing[J]. in Proc. EOS/ESD Symp.,1998:177-186.

［4］Notermans, G. On The Use Of N-well Resistors For Uniform Triggering Of Esd Protection Elements[J]. Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings,1997:221-229.

［5］Trinh, S., et al. Multi-finger turn-on circuits and design techniques for enhanced ESD performance and width scaling[M]. Bordeaux, France, 2003.

［6］Hsue, C.-c., J. Ko. ESD Protection Improvement,1996.

［7］Ker, M.D. ESD（Electrostatic Discharge） Protection in CMOS Integrated Circuits[EB/OL]. http://www.ics.ee.nctu.edu.tw/~mdker/ESD/index.html.

［8］Ming-Dou, K., C. Che-Hao, L.Wen-Yu. ESD implantations for on-chip ESD protection with layout consideration in 0.18 μm salicided CMOS technology[J]. IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 2005, 18（2）: 328-337.

飛兆半導(dǎo)體在Electronica China 2011展會(huì)上重點(diǎn)展示功率技術(shù)解決方案

全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor）在3月15—17日于上海新國(guó)際博覽中心舉行的Electronica China 2011展會(huì)上，展示超過(guò)20款用于高能效電子應(yīng)用的創(chuàng)新解決方案，展臺(tái)編號(hào)為1310。

飛兆半導(dǎo)體的專家團(tuán)隊(duì)將在現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行靜態(tài)和現(xiàn)場(chǎng)演示，圍繞LED照明、汽車電子、電源和運(yùn)動(dòng)控制等應(yīng)用領(lǐng)域。

此外，飛兆半導(dǎo)體公司技術(shù)應(yīng)用和支持中心首席技術(shù)行銷經(jīng)理張三嶺將在與展會(huì)同期舉辦的國(guó)際電力電子創(chuàng)新論壇上發(fā)表題為《mWSaver?技術(shù)——最先進(jìn)的節(jié)能技術(shù)》的演講。

在國(guó)際LED技術(shù)創(chuàng)新論壇上，飛兆半導(dǎo)體資深技術(shù)行銷工程師陳立烽將發(fā)表題為《LED照明解決方案》的演講，探討照明市場(chǎng)的最新發(fā)展?fàn)顩r，目前照明市場(chǎng)繼續(xù)從工作效率僅為10%的白熾燈照明轉(zhuǎn)向效率不斷提高的其他照明形式。

飛兆半導(dǎo)體的高性能半導(dǎo)體器件能夠幫助設(shè)計(jì)工程師開(kāi)發(fā)高能效的電子產(chǎn)品。

（本刊通訊員）

愛(ài)特梅爾宣布Atmel 2011 AVR中國(guó)校園設(shè)計(jì)大賽正式啟動(dòng)

微控制器及電容感應(yīng)觸摸解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商愛(ài)特梅爾公司（Atmel?Corporation）宣布，2011 Atmel AVR中國(guó)校園設(shè)計(jì)大賽于2011年3月1日正式啟動(dòng)。

本次大賽是愛(ài)特梅爾大學(xué)計(jì)劃在中國(guó)舉辦的第一屆全國(guó)范圍的大學(xué)生AVR 微控制器電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽，旨在提高大學(xué)生微控制器技術(shù)知識(shí)水平，培養(yǎng)大學(xué)生電子設(shè)計(jì)實(shí)踐能力，激發(fā)大學(xué)生設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)基于RISC MCU新應(yīng)用的潛能。大賽要求參賽者設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)基于愛(ài)特梅爾AVR 微控制器的嵌入式系統(tǒng)并體現(xiàn)環(huán)保與創(chuàng)新的主題；在提倡與鼓勵(lì)中國(guó)大學(xué)生致力于技術(shù)創(chuàng)新的同時(shí)關(guān)注環(huán)境保護(hù)，熱愛(ài)地球資源。

2011 Atmel AVR中國(guó)校園設(shè)計(jì)大賽開(kāi)幕式暨媒體發(fā)布會(huì)于2011年3月1日在北京香格里拉飯店珍珠廳舉行。京津地區(qū)愛(ài)特梅爾大學(xué)計(jì)劃邀請(qǐng)到了包括清華大學(xué)、北京大學(xué)、北京理工大學(xué)、南開(kāi)大學(xué)等8所知名高校的AVR MCU 實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)老師、教育界知名學(xué)者、電子類媒體雜志，與愛(ài)特梅爾亞太及日本銷售副總裁余養(yǎng)佳先生，愛(ài)特梅爾華中、華北、華東及臺(tái)灣銷售總監(jiān)張慶祥先生，愛(ài)特梅爾亞太市場(chǎng)總監(jiān)曹介龍先生，愛(ài)特梅爾中國(guó)總經(jīng)理印義言博士，以及愛(ài)特梅爾中國(guó)大學(xué)計(jì)劃經(jīng)理姜寧女士一同出席了會(huì)議。大家濟(jì)濟(jì)一堂，熱烈慶祝大賽正式啟動(dòng)。中國(guó)教育界德高望重的學(xué)者，中國(guó)科學(xué)院院士、中國(guó)工程院院士、北京理工大學(xué)名譽(yù)校長(zhǎng)王越先生與中國(guó)工程院院士倪光南先生做為特邀嘉賓參加并出席了開(kāi)幕式。

倪光南院士評(píng)論道：“Atmel AVR 校園設(shè)計(jì)大賽是面向大學(xué)生的群眾性科技活動(dòng)，它可以幫助推動(dòng)全國(guó)普通高等學(xué)校促進(jìn)信息與電子類學(xué)科面向二十一世紀(jì)課程體系和課程內(nèi)容的改革，促進(jìn)教育也要實(shí)現(xiàn)兩個(gè)轉(zhuǎn)變重要思想的落實(shí)，有助于高等學(xué)校實(shí)施素質(zhì)教育，培養(yǎng)大學(xué)生的創(chuàng)新能力、協(xié)作精神和理論聯(lián)系實(shí)際的學(xué)風(fēng)；有助于學(xué)生工程實(shí)踐素質(zhì)的培養(yǎng)、提高學(xué)生針對(duì)實(shí)際問(wèn)題進(jìn)行電子設(shè)計(jì)制作的能力；有助于吸引、鼓勵(lì)廣大青年學(xué)生踴躍參加課外科技活動(dòng)，為優(yōu)秀人才的脫穎而出創(chuàng)造條件。”

愛(ài)特梅爾亞太地區(qū)銷售副總裁余養(yǎng)佳先生表示：“2010年愛(ài)特梅爾 MCU業(yè)務(wù)增長(zhǎng)率高達(dá)95%，在亞太乃至全球取得了巨大的成功；2011年愛(ài)特梅爾將盡所能來(lái)回饋社會(huì)，舉辦競(jìng)賽是我們加大對(duì)中國(guó)高校投入的方式之一。作為一個(gè)年輕且經(jīng)受過(guò)市場(chǎng)考驗(yàn)的RISC微控制器架構(gòu)，Atmel AVR憑藉其高性能超低功耗的特性已經(jīng)迅速地被中國(guó)用戶認(rèn)可，在高校中擁有廣泛的用戶群。我們號(hào)召并邀請(qǐng)所有有激情、有創(chuàng)意的中國(guó)大學(xué)生朋友們把自己課上、課余時(shí)間的設(shè)計(jì)創(chuàng)作的基于Atmel AVR的嵌入式系統(tǒng)完善起來(lái)，投稿參加本次大賽。2011 Atmel AVR校園設(shè)計(jì)大賽將成為展示才華、青春與夢(mèng)想的舞臺(tái)?！?/p>

（本刊通訊員）

Fox Electronics公司2010年XpressO振蕩器銷售大幅增長(zhǎng)103%

擁有業(yè)界最廣泛頻率控制產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商Fox Electronics Asia Ltd.宣布其廣泛產(chǎn)品系列的銷售顯著增長(zhǎng)。

Fox Electronic產(chǎn)品系列包括石英晶體、溫控和壓控晶體振蕩器（TCXO和VCXO）、時(shí)鐘振蕩器、單片式晶體濾波器以及創(chuàng)新的XpressO?晶體振蕩器產(chǎn)品系列， 該系列器件2010年的銷售額相比2009年增長(zhǎng)了103%。

Fox Electronic全新專用XpressO振蕩器系列是專為滿足千兆以太網(wǎng)（Gigabit Ethernet, GbE）及10 GbE應(yīng)用的需求而設(shè)計(jì)，也適用于光纖信道（Fiber Channel, FC）、智能客戶端軟件工廠（Smart Client Software Factory, SCSF）、SATA（Serial Advanced Technology Attachment）、串行附加SCSI（Serial Attached SCSI, SAS-ST）和同步光網(wǎng)絡(luò)－光學(xué)載波（Sonet-OC）應(yīng)用。

XpressO?晶體振蕩器產(chǎn)品系列是首批結(jié)合Fox突破性XpressO專利技術(shù)，并具備滿足嚴(yán)苛的3.3V（±5%標(biāo)準(zhǔn)）以太網(wǎng)專用需求特性要求的器件，可以確保達(dá)到最高的性能，并節(jié)省與定制產(chǎn)品相關(guān)的等待時(shí)間。該產(chǎn)品系列的每種型款均有現(xiàn)貨供應(yīng)，并進(jìn)行了預(yù)配置以精確地滿足專用需求，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)7 mm×5 mm封裝。

（本刊通訊員）

深圳長(zhǎng)城開(kāi)發(fā)科技股份有限公司實(shí)地試驗(yàn)全新SIPLACE貼裝平臺(tái)

西門(mén)子電子裝配系統(tǒng)有限公司已啟動(dòng)對(duì)全新SIPLACE DX貼片機(jī)平臺(tái)的實(shí)地試驗(yàn)。此次實(shí)地試驗(yàn)重點(diǎn)關(guān)注的是用戶的具體要求。SIPLACE團(tuán)隊(duì)從設(shè)計(jì)和研發(fā)階段就開(kāi)始與像中國(guó)深圳開(kāi)發(fā)科技股份有限公司這樣的企業(yè)合作，到目前，SIPLACE仍在繼續(xù)與這些企業(yè)合作，開(kāi)展廣泛的實(shí)地試驗(yàn)，以期對(duì)新產(chǎn)品平臺(tái)進(jìn)行微調(diào)處理。一旦實(shí)地試驗(yàn)完畢，2011年3月，SIPLACE DX將交付給選定的企業(yè)使用，隨后分階段在不同地區(qū)推出SIPLACE產(chǎn)品組合。

“德國(guó)制造”的貼片機(jī)應(yīng)與全球客戶及合作伙伴緊密合作——這是SIPLACE團(tuán)隊(duì)早已熟知的發(fā)展之路。SIPLACE DX平臺(tái)即將推出之際，公司同樣也采取這一被實(shí)踐證實(shí)的有效做法；公司曾與BMK及Sullener這樣的客戶一起成功推出了SIPLACE SX系列產(chǎn)品。2011年1月，中國(guó)先進(jìn)電子產(chǎn)品研發(fā)制造型企業(yè)深圳長(zhǎng)城開(kāi)發(fā)科技股份有限公司成功安裝了兩臺(tái)SIPLACE DX。作為EMS企業(yè)，深圳長(zhǎng)城開(kāi)發(fā)科技股份有限公司生產(chǎn)硬盤(pán)、內(nèi)存條、 手機(jī) 、數(shù)據(jù)卡、電腦主板以及電表、機(jī)頂盒， 金融稅控收款機(jī)等產(chǎn)品。公司在中國(guó)有兩大生產(chǎn)基地，服務(wù)于全球客戶群。SIPLACE開(kāi)發(fā)人員注意到了深圳長(zhǎng)城開(kāi)發(fā)科技股份有限公司的快速發(fā)展步伐，所以，深圳長(zhǎng)城開(kāi)發(fā)科技股份有限公司理所當(dāng)然成了SIPLACE的一個(gè)理想的潛在客戶。兩家公司希望利用此次實(shí)地試驗(yàn)進(jìn)一步加強(qiáng)現(xiàn)有的技術(shù)合作，以期雙方從中受益。

“此類實(shí)地試驗(yàn)?zāi)軌蚴筍IPLACE的研發(fā)人員在實(shí)地應(yīng)用條件下，對(duì)SIPLACE DX的諸多創(chuàng)新項(xiàng)目進(jìn)行測(cè)試。 “從一開(kāi)始，我們?cè)诖_定SIPLACE DX的技術(shù)規(guī)格時(shí)，就特別關(guān)注了亞洲客戶的需求。憑借緊湊的尺寸設(shè)計(jì)和堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)，該貼片機(jī)的設(shè)計(jì)有助于客戶實(shí)現(xiàn)最大化生產(chǎn)率并達(dá)到優(yōu)異的性價(jià)比。我們感到自豪的是，在令人振奮的產(chǎn)品即將投放市場(chǎng)的階段，我們能夠與深圳開(kāi)發(fā)科技股份有限公司的團(tuán)隊(duì)合作，進(jìn)行實(shí)地試驗(yàn)并改進(jìn)我們的最新產(chǎn)品平臺(tái)?！盨IPLACE團(tuán)隊(duì)首席運(yùn)營(yíng)官Günter Schindler這樣說(shuō)道。

（本刊通訊員）

第九屆天津手機(jī)展推動(dòng)2011年手機(jī)產(chǎn)業(yè)邁向移動(dòng)互聯(lián)新時(shí)代

告別2010年，我國(guó)手機(jī)產(chǎn)業(yè)迎來(lái)了移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)大背景下生機(jī)無(wú)限的2011年。在新的一年中，智能手機(jī)、移動(dòng)互聯(lián)、3G、操作系統(tǒng)等熱門(mén)詞匯將在去年的基礎(chǔ)上繼續(xù)演繹更加精彩的華章；微博、手機(jī)游戲、軟件商店等熱門(mén)應(yīng)用也勢(shì)必會(huì)掀起新一輪的財(cái)富風(fēng)波和應(yīng)用浪潮。展望2011年，國(guó)內(nèi)外手機(jī)廠商無(wú)論是對(duì)于芯片、觸摸屏、電子零部件、輔助材料和設(shè)備等硬件環(huán)節(jié)，還是對(duì)操作系統(tǒng)、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)等軟件環(huán)節(jié)，都提出了更高的要求和挑戰(zhàn)。

鑒于此，將于2011年6月8日—10日在天津?yàn)I海國(guó)際會(huì)展中心舉行的第九屆國(guó)際手機(jī)產(chǎn)業(yè)展覽會(huì)暨論壇（中國(guó).天津）在展覽主題、內(nèi)容、活動(dòng)等方面做出了相應(yīng)的調(diào)整和創(chuàng)新。第九屆手機(jī)展以“移動(dòng)互聯(lián)時(shí)代下的終端創(chuàng)新與融合發(fā)展”為主題，圍繞移動(dòng)終端的產(chǎn)業(yè)整合、核心部件技術(shù)展示以及創(chuàng)新應(yīng)用體驗(yàn)等熱門(mén)話題展開(kāi)。本屆展會(huì)將借助環(huán)渤海地區(qū)電子制造業(yè)優(yōu)勢(shì)，重點(diǎn)打造與手機(jī)和電子制造息息相關(guān)的材料設(shè)備展； 同時(shí)緊抓時(shí)代脈搏，最新推出關(guān)注移動(dòng)互聯(lián)應(yīng)用的Android論壇和移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新應(yīng)用大賽等其他活動(dòng)；此外，專注熱門(mén)技術(shù)，加大芯片、信息顯示器件等的招商力度。

（本刊通訊員）

Ocean Blue提醒消費(fèi)者注意數(shù)字電視病毒風(fēng)險(xiǎn)

數(shù)字電視軟件專業(yè)廠商O(píng)cean Blue Software公司（OBS）的數(shù)字電視技術(shù)專家指出，除非制造商在生產(chǎn)過(guò)程中采取了保護(hù)措施，否則最新一代的電視機(jī)和機(jī)頂盒都存在著感染病毒的風(fēng)險(xiǎn)。為多家主要制造商開(kāi)發(fā)電視應(yīng)用軟件的OBS公司稱，大多數(shù)能夠連接互聯(lián)網(wǎng)的新型電視和機(jī)頂盒都會(huì)受到以往與這些設(shè)備從不相關(guān)的新型病毒的威脅。

OBS創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Ken Helps稱：“幾乎任何具有處理器、足夠內(nèi)存和互聯(lián)網(wǎng)連接功能的電視裝置都存在感染病毒的風(fēng)險(xiǎn)，這就是數(shù)字電視的現(xiàn)狀。以往，這些設(shè)備只能接收完全由廣播設(shè)備控制的新軟件更新‘空中下載’（Over The Air, OTA），但是現(xiàn)在，大多數(shù)電視都與網(wǎng)絡(luò)連接，而且內(nèi)置有網(wǎng)絡(luò)瀏覽器，用戶可以訪問(wèn)任何互聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)址，并可以下載任何內(nèi)容?！?/p>

雖然，每臺(tái)電視機(jī)和機(jī)頂盒都不相同，但是目前大多數(shù)連接的系統(tǒng)都使用Linux和可以容易獲得的軟件包，如圖形引擎和編解碼器。開(kāi)放式數(shù)字電視接收器采用了以電腦為中心的技術(shù)，這就意味著任何人都可以創(chuàng)作內(nèi)容，而且，隨著按次付費(fèi)收看（Pay-Per-View）服務(wù)日益增多，個(gè)人的詳細(xì)資料如信用卡信息等，將會(huì)保存在電視和機(jī)頂盒內(nèi)。

Ocean Blue正在為其DVB內(nèi)核開(kāi)發(fā)防火墻Neptune軟件。不過(guò)該公司提醒，這款軟件僅能提供基本的保護(hù)功能。Helps補(bǔ)充道：“電視機(jī)不具備足以全面運(yùn)行防病毒保護(hù)軟件的能力，我們擁有鏈接自己的軟件和基于云技術(shù)之防病毒服務(wù)的技術(shù)，能夠在電視機(jī)接收下載內(nèi)容之前進(jìn)行防病毒掃描，這就解決了處理問(wèn)題，并保證保護(hù)功能始終是最新的?！?/p>

目前Ocean Blue正與亞洲CE供應(yīng)商和芯片企業(yè)進(jìn)行探討，采用Neptune軟件作為其聯(lián)網(wǎng)電視戰(zhàn)略的一部分。

（本刊通訊員）