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        氣輔成型制品氣道優(yōu)化設(shè)計研究

        2010-12-01 09:13:10付慶興程曉鋒梁繼才
        中國塑料 2010年7期
        關(guān)鍵詞:氣腔制品比值

        付慶興,程曉鋒,李 義,梁繼才

        (1.吉林大學(xué)計算機科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,吉林長春130025;2.一汽-大眾公司,吉林長春130011)

        氣輔成型制品氣道優(yōu)化設(shè)計研究

        付慶興1,程曉鋒2,李 義1,梁繼才1

        (1.吉林大學(xué)計算機科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,吉林長春130025;2.一汽-大眾公司,吉林長春130011)

        采用數(shù)值模擬技術(shù)對氣輔成型制品設(shè)計中帶有半圓形氣道和矩形氣道的2種基本氣道類型的聚苯乙烯板類件進行了模擬分析和物理模擬實驗。根據(jù)氣體穿透長度、氣腔形狀、殘余壁厚及氣道缺陷等主要參數(shù),建立了氣道質(zhì)量評價標準。結(jié)果表明,對于半圓形氣道,當氣道半徑為制品壁厚的2倍左右時氣腔質(zhì)量最佳;對于矩形氣道,在氣道寬度和壁厚相同的情況下,隨著氣道高度和氣道寬度的增加,氣體穿透后形成的氣腔質(zhì)量逐漸提高,當氣道高度和氣道寬度的比值達到2.0時,且氣道寬度對制品壁厚的比值也達到2.0時,氣腔質(zhì)量最好,氣道最優(yōu)。

        氣輔成型;氣道;數(shù)值模擬;優(yōu)化設(shè)計

        0 前言

        氣輔成型技術(shù)利用高壓惰性氣體在注射件內(nèi)部產(chǎn)生中空截面,推動熔體完成填充過程,實現(xiàn)氣體均勻保壓,是一項消除制品成型缺陷的塑料成型新技術(shù),于20世紀90年代在發(fā)達國家開始進入實用階段[1]。氣輔成型制品氣道設(shè)計是成功應(yīng)用氣輔成型技術(shù)的關(guān)鍵。在氣輔成型過程中,引導(dǎo)氣體流動使之到達預(yù)期的位置是氣道設(shè)計的關(guān)鍵,而氣道尺寸是引導(dǎo)氣體流動的重要因素之一[2]。在以往的研究中對于氣道設(shè)計都是給出了經(jīng)驗性的設(shè)計準則,氣道設(shè)計的數(shù)量化標準分析還未見研究成果報道。本文采用數(shù)值模擬和交叉實驗方法,對氣輔成型中的2種基本氣道類型,即帶有半圓形氣道和矩形氣道的聚苯乙烯板類件,進行了系統(tǒng)的模擬研究,得出了氣道設(shè)計的數(shù)量化標準。

        1 實驗部分

        1.1 主要原料

        聚苯乙烯(PS),Asahi-ps666,等級代碼為 GP101,視覺特征為透明,Asahi化學(xué)公司。

        1.2 實驗條件

        基于材料和設(shè)備供應(yīng)商推薦的工藝范圍,選擇如下工藝參數(shù):模具溫度40℃,熔體溫度230℃,預(yù)注射量85%,氣體注射延遲時間0.1 s。

        1.3 氣道結(jié)構(gòu)

        實驗設(shè)計氣道為半圓形氣道和矩形氣道。制品長度為200 mm,寬度為30 mm,厚度為2.5 mm,如圖 1所示。

        圖1 矩形和半圓形氣道示意圖Fig.1 The schematic drawing of semi-circle and rectangular gas channel

        1.4 氣道質(zhì)量評價標準

        根據(jù)氣輔成型的特點和對氣輔成型制品的性能要求,氣道的質(zhì)量應(yīng)該從以下2個方面來評價:氣體穿透長度和氣腔形狀及殘余壁厚。

        在實際分析過程中要綜合這2個方面對氣道質(zhì)量進行評價。一般要求氣體穿透長度應(yīng)該超過氣道長度的80%,氣體滲透小于1 mm時[3],氣道的殘余壁厚比較均勻,厚度接近制品整體厚度,且有較少的缺陷如指形區(qū)域、氣泡等。

        2 氣輔成型制品氣道設(shè)計模擬研究

        2.1 半圓形氣道設(shè)計模擬研究

        在半圓形氣道的分析過程中,半圓形氣道的半徑尺寸分別選擇平板厚度的1、1.5、2和3倍取值,如表1所示。平板厚度為2.5 mm,長度為100 mm,寬度為30 mm。

        表1 各種半圓形氣道的截面半徑Tab.1 The radius of semi-circle gas channel

        2.2 矩形氣道設(shè)計模擬研究

        在矩形氣道的分析過程中,存在3個參數(shù)即矩形截面的寬度(W)、高度(H)和平板厚度(T),數(shù)量化標準是要得到W、H與 T之間的最優(yōu)數(shù)量關(guān)系,使氣道質(zhì)量最優(yōu)。本文采用交叉實驗方法[4],即首先分析得到W和 H之間的最優(yōu)比值,然后確定此值,再分析氣道W和 T的比值,得到確定氣道結(jié)構(gòu)的兩組比值,即W、H的最優(yōu)比值和W、T的最優(yōu)比值。

        3 結(jié)果與討論

        3.1 模擬結(jié)果

        半圓形氣道模擬結(jié)果如圖2所示,得到的氣道參數(shù)如表2和圖3所示。

        圖2 半圓形氣道氣腔形態(tài)Fig.2 The gas bubble of the semi-circle gas channels

        圖3 氣體穿透長度和薄壁穿透最大距離隨氣道半徑變化的曲線Fig.3 The curves for gas penetration length and maximum penetration range in thin wall section versus gas channel radius

        首先選定矩形截面的氣道寬度為5 mm,取氣道高度為其寬度1、1.5、2、2.5和3倍進行模擬分析,結(jié)果如圖4所示。得到的氣道參數(shù)如表3和圖5所示。

        表2 半圓形氣道制品的氣道參數(shù)Tab.2 Gas channel parameter for semi-circle gas channel

        圖4 不同氣道高度與寬度比值下矩形氣道氣腔形態(tài)Fig.4 The gas bubble of the rectangular gas channel with different ratios of height over width

        表3 不同氣道高度與寬度比值下矩形氣道制品的氣道參數(shù)Tab.3 Gas channel parameter for the rectangular gas channel with different ratios of height over width

        圖5 氣體穿透長度和薄壁穿透最大距離隨氣道高度與寬度比值變化的曲線Fig.5 The curves for gas penetration length and maximum penetration range in thin wall section versus the ratios of height over width

        根據(jù)以上模擬結(jié)果,選定 H/W=2.0,分別取寬度為壁厚的1.0倍、1.5倍、2.0倍、2.5倍和3.0倍進行模擬對比分析,分析結(jié)果如圖6所示。得到的氣道參數(shù)如表4和圖7所示。

        圖6 不同氣道寬度與壁厚比值下矩形氣道氣腔形態(tài)Fig.6 The gas bubble of the rectangular gas channel with different ratios of width over wall thickness

        3.2 結(jié)果分析

        從表2及圖3可以看出,氣道半徑與制品壁厚的比值2.0是個轉(zhuǎn)折點,當比值<2.0時薄壁穿透距離隨著比值的減小急劇增加,比值≥2.0時薄壁穿透極小但氣體穿透長度減小較為明顯。雖然半圓形截面是氣道設(shè)計中最優(yōu)的截面形狀[5],從圖2的分析結(jié)果可以看出當氣道半徑小于壁厚的1.5倍時,氣體穿透后很難形成較好的氣腔,在成型過程中出現(xiàn)較為嚴重的薄壁穿透缺陷。當半徑達到或超過壁厚的2倍時所形成的氣腔輪廓清晰,無明顯缺陷,殘余壁厚均勻。當半徑等于壁厚的2倍時,氣道質(zhì)量最好。當氣道半徑過小時,氣體穿透阻力增加,因此很難形成良好的氣腔,易出現(xiàn)薄壁穿透缺陷。從圖2可以明顯看出,當半徑大于壁厚2倍后,隨著半徑的增加氣體穿透長度逐漸變短,這是由于在相同的加工條件下,當半徑增加時注入熔體中的高壓氣體需要推動更多的熔體向前同時也向兩側(cè)擴展,因此形成的氣腔較半徑小時短。綜合以上分析,當氣道半徑為壁厚的2倍時,氣道質(zhì)量最好。

        表4 不同氣道寬度與壁厚比值下矩形氣道制品的氣道參數(shù)Tab.4 Gas channel parameter for the rectangular gas channel with different ratios of width over wall thickness

        圖7 氣體穿透長度和薄壁穿透最大距離隨氣道寬度與壁厚比值變化的曲線Fig.7 The curves for gas penetration length and maximum penetration range in thin wall section versus the ratios of width over wall thickness

        從表3及圖5可以看出,當氣道高度與寬度的比值在2.0附近時,薄壁穿透距離達到最小值,且隨著比值的增加或減小都有明顯增加,成為較為嚴重的缺陷。氣體穿透長度在比值為1.5左右達到峰值,且其隨著比值的增加有明顯減小。同時從圖4也可以明顯看出,當氣道高度小于等于1.5倍的氣道寬度時出現(xiàn)嚴重的薄壁穿透缺陷,而且隨著比值的減小,缺陷情況越嚴重,很難形成良好的氣腔形態(tài)。當氣道高度為氣道寬度的2倍時,氣體穿透長度可達制件長度的87.4%,氣腔輪廓清晰,殘余壁厚均勻,氣道質(zhì)量優(yōu)良。當氣道高度大于寬度的2倍時,也能形成較好的氣腔,隨著高度與寬度比值增加,氣體穿透長度減小,且在氣體入口處出現(xiàn)越來越嚴重的局部薄壁穿透現(xiàn)象。因此,當高度和寬度的比值為2.0時,氣腔質(zhì)量最好,氣道最優(yōu)。

        從表4及圖7可以看出,當氣道寬度與制品壁厚的比值在2.0附近時薄壁穿透距離達到最小,隨比值的減小,此距離增加明顯。氣體穿透長度在比值為1.5左右時達到峰值,比值1.5與2.0之間時穿透長度變化較小。同時從圖6可以明顯看出,在選定氣道高度為寬度2.0倍的情況下,當氣道寬度小于1.5的壁厚時,氣體沒有清晰的穿透路徑,形成嚴重的壁厚穿透缺陷,制品難以成型。當氣道寬度是壁厚的2.0倍時,氣體穿透形成的氣道輪廓清晰,氣體穿透長度可以達到制件長度的87.4%,殘余壁厚比較均勻,氣腔質(zhì)量較好。當氣道高度和寬度的比值大于2.0時,也能形成較好的氣腔,氣體穿透長度較比值為2.0時逐漸減小,且在氣體入口處形成局部輕微薄壁穿透缺陷。

        從以上的模擬分析可以看出,對于矩形氣道而言,氣道寬度與制品壁厚的比值和氣道高度與氣道寬度的比值在決定氣體穿透過程中起著非常重要的作用。對于壁厚一定的平板類制件,在氣道寬度一定的情況下,隨著氣道高度與氣道寬度比值的增加,氣體穿透后形成氣腔質(zhì)量逐漸提高,當比值達到2.0時,氣腔質(zhì)量較好,氣道最優(yōu)。在最優(yōu)的氣道高度和寬度的比值情況下,氣道寬度對制品壁厚的比值也對氣道質(zhì)量起著決定性的作用,隨著氣道寬度與制品壁厚比值的增加,氣體穿透后形成的氣腔質(zhì)量逐漸增加,比值達到2.0時,氣腔質(zhì)量較好。

        3.3 物理模擬實驗

        采用自行開發(fā)的氣輔裝置和模具對分析得出的最優(yōu)氣道結(jié)構(gòu)進行了物理模擬實驗。為方便實驗,制品選擇板類制品上面設(shè)置交叉形氣道,如圖8所示。

        選擇半圓形氣道半徑為制品厚度的2.0倍,矩形氣道高度為寬度的2.0倍,寬度為制品厚度的2.0倍,制品厚度為2.5 mm,氣道長度為100 mm。

        從表5可以看出,數(shù)值模擬分析結(jié)果合理,分析所得的氣道質(zhì)量優(yōu)良。

        圖8 氣輔成型薄板件Fig.8 Gas-assisted injection molded thin plate part

        表5 物理模擬與數(shù)值模擬結(jié)果對比Tab.5 The comparison of numerical simulation with experimental data

        4 結(jié)論

        (1)提出了氣道質(zhì)量評價標準,根據(jù)氣輔成型的特點和對氣輔成型制品的性能要求,氣道的質(zhì)量應(yīng)該從以下幾個方面來評價:氣體穿透長度、氣腔形狀、殘余壁厚、缺陷情況等;

        (2)對于半圓形氣道,當氣道半徑小于壁厚的1.5倍時,氣體穿透后很難形成較好的氣腔,在成型過程中出現(xiàn)較為嚴重的薄壁穿透缺陷。當半徑達到或超過壁厚的2倍時所形成的氣腔輪廓清晰,無明顯缺陷,殘余壁厚均勻。當半徑等于壁厚的2倍時,氣道質(zhì)量較好。當半徑大于壁厚2倍后,隨著半徑的增加氣體穿透長度逐漸變短;

        (3)對于矩形氣道,氣道寬度與制品壁厚的比值和氣道高度與氣道寬度的比值在決定氣體穿透過程中起著非常重要的作用。對于壁厚一定的平板類制件,在氣道寬度一定的情況下,隨著氣道高度與氣道寬度比值的增加,氣體穿透后形成氣腔質(zhì)量逐漸提高,當氣道高度和氣道寬度的比值達到2.0時,且氣道寬度與制品壁厚的比值達到2.0時,氣腔質(zhì)量較優(yōu)。

        [1] 梁瑞鳳.氣體輔助注射成型技術(shù)——一項向傳統(tǒng)注射成型工藝挑戰(zhàn)的未來技術(shù)[J].高分子通報,1996(4):226-233.

        [2] Chien R D,Chen S C,Lin M C,et al.Effect of Channel Design on the Molding Window of Gas Assisted Injection Molded Polystyrene Parts[J].Journal of Applied Polymer Science,2003,90:2979-2986.

        [3] Chien R D,Chen C S,Chen S C,et al.Correlation of Gas Penetration and Permeation to the Structural Performance of Gas Assisted Injection Molded Parts[J].Advances in Polymer Technology,1999,18(4):303-313.

        [4] 劉傳銀.化學(xué)實驗誤差分析及其優(yōu)化設(shè)計[J].鄖陽師范高等專科學(xué)校學(xué)報,2004,24(6):21-23.

        [5] Jack Avery.氣體輔助注塑成型原理[M].楊衛(wèi)民,丁玉梅,譯.北京:化學(xué)工業(yè)出版社,2003:75.

        Study on Optimal Design of G as Channel in G as-assisted Injection Molding

        FU Qingxing1,CHEN G Xiaofeng2,LI Yi1,LIAN GJicai1
        (1.College of Computer Scienec and Technology,Jilin University,Changchun 130025,China;2.FAW-Volkswagen Automobile Co,Ltd,Changchun 130011,China)

        Numerical simulation and laboratory experiments were carried out to analyze two kinds of polystyrene plates with either semi-circle or rectangular gas channel.Based on the main processing parameters such as gas penetration length,gas channel shape,residue thickness,and gas channel defects,the evaluating standard of the quality of gas channel was established.For semi-circle gas channel,the radius was 2 times that of the plate wall thickness,and the quality of gas channel was the best.For rectangular gas channel,when the width of gas channel and the wall thickness kept constant,the quality of gas channel would improve with increase of the height and width of gas channel;when the height of gas channel was 2 times of the width of gas channel,and the width of gas channel was 2 times of the plate wall thickness,the quality of gas channel was the best.

        gas-assisted injection molding;gas channel;numerical simulation;optimal design

        TQ320.66+2

        B

        1001-9278(2010)07-0055-05

        2010-04-02

        聯(lián)系人,mig2k@163.com

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