劉吉地 王育華

(蘭州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院，蘭州730000)

(2009年8月3日收到;2009年9月23日收到修改稿)

Mg2+摻雜Zn2SiO4:Mn2+的溶膠-凝膠法合成及真空紫外發(fā)光特性研究*

劉吉地 王育華?

(蘭州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院，蘭州730000)

(2009年8月3日收到;2009年9月23日收到修改稿)

采用溶膠-凝膠法(sol-gel method)于不同氣氛條件下成功合成了Zn1.92－xMgxSiO4:0.08Mn2+(0≤x≤0.12)系列粉末樣品.利用X射線衍射(XRD)、光致發(fā)光(PL)譜等分析手段對Zn1.92－xMgxSiO4:0.08Mn2+系列熒光粉的結(jié)構(gòu)、晶胞參數(shù)、發(fā)光性能進(jìn)行了表征.結(jié)果表明:Zn1.92－xMgxSiO4:0.08Mn2+樣品中摻雜的Mg2+取代了Zn2+離子格位并形成MgO4四面體，由于MgO4基團(tuán)約在154nm處有吸收，摻雜適量Mg2+提高了樣品的發(fā)光強(qiáng)度，Mg最佳摻雜濃度約為0.06 mol;熱處理氣氛顯著影響熒光粉的發(fā)光強(qiáng)度，前驅(qū)體在N2保護(hù)氣氛下于1100℃保溫4 h，緩冷至900℃于N2(95%)+H2(5%)的還原氣氛下進(jìn)行熱處理，得到的系列熒光粉發(fā)光強(qiáng)度最強(qiáng);經(jīng)低溫還原熱處理所得最佳樣品Zn1.86Mg0.06SiO4:0.08Mn2+的發(fā)光強(qiáng)度是商用粉的105%，衰減時間(3.89 ms)較商用粉縮短了1.33 ms.

Mg2+摻雜，Zn2SiO4:Mn2+，溶膠-凝膠法，真空紫外(VUV)

PACC:7855E，7855，3320N

1. 引言

等離子體顯示器(PDP)因具有亮度均勻、視角廣闊、畫面響應(yīng)速度快、綠色環(huán)保、重量輕等優(yōu)點，成為優(yōu)秀的視頻顯示設(shè)備和高清晰度電視的最佳顯示屏幕［1—2］.PDP的性能和效率與其使用材料熒光粉［3—7］密切相關(guān)，Zn2SiO4作為發(fā)光基質(zhì)，是一類含有有限硅氧基團(tuán)的正硅酸鹽，硅和鋅兩種原子分別以SiO4基團(tuán)和ZnO4四面體的配位形式存在于該結(jié)構(gòu)中.錳摻雜Zn2SiO［8—12］4中，Mn2+取代了Zn2+的位置形成發(fā)光中心，得到發(fā)光效率高、化學(xué)穩(wěn)定性好、色純度佳的綠色熒光粉，被廣泛應(yīng)用于等離子體顯示器與無汞熒光燈等顯示照明器件上. Zn2SiO4:Mn2+作為商用真空紫外發(fā)光材料引起了世界各國研究者的普遍關(guān)注，然而由于Mn2+的4T1→6A1躍遷是自旋和宇稱雙重禁戒，導(dǎo)致該熒光粉的余輝時間較長，還達(dá)不到顯示顯像技術(shù)的要求(<5 ms)，容易在顯示中產(chǎn)生拖尾，影響畫質(zhì)，制約了其在PDP中的應(yīng)用.

近年來，為了進(jìn)一步改善Zn2SiO4:Mn2+的發(fā)光性能，Barthou等［13］提出增加激活劑離子Mn2+的濃度可以縮短熒光粉的余輝時間，但提高M(jìn)n2+濃度同時會降低熒光粉的發(fā)光強(qiáng)度.Pappalardo等［14—17］發(fā)現(xiàn)在基質(zhì)中摻雜一些其他金屬離子(Cr3+，Cd2+，F(xiàn)e2+，Gd3+，Ba2+，Ga3+等)可改變熒光粉的發(fā)光強(qiáng)度和余輝時間，但效果并不明顯.如摻雜Cr3+，Ba2+金屬離子雖能縮短熒光粉的余輝時間，同時卻降低了發(fā)光強(qiáng)度;Cd2+，F(xiàn)e2+的摻入使發(fā)光減弱、余輝延長;Ga3+在提高發(fā)光強(qiáng)度的同時，卻延長了熒光粉的余輝時間.基于上述原因，亟需尋求一種或多種摻雜離子，既能明顯提高熒光粉的發(fā)光強(qiáng)度，又能有效縮短其余輝時間.由于Mg2+和Zn2+的離子半徑比較接近(Zn2+為0.074nm，Mg2+為0.072nm)，MgO4基團(tuán)的吸收能量約為8.1eV(154nm)，和激活劑Mn2+之間可能會存在能量傳遞，故考慮在硅酸鋅基質(zhì)中摻雜Mg2+［18］，通過調(diào)整Mg2+摻雜濃度考察其對熒光粉發(fā)光強(qiáng)度和衰減時間的影響，并對Mg2+摻雜硅酸鋅熒光粉發(fā)光性能的變化機(jī)理進(jìn)行深入地探討.另一方面，Zn2SiO4:Mn2+熒光粉的性能與其制備工藝有關(guān)［10］，發(fā)光材料的制備通常采用高溫固相反應(yīng)法(solid state reaction method)，由于反應(yīng)溫度高，晶粒尺寸大、晶粒形狀不規(guī)則，尺寸分布范圍廣等缺點，在很大程度上降低了材料的發(fā)光性能［12］.溶膠-凝膠法作為近年來發(fā)展起來的一種新的濕化學(xué)合成方法［10，19］，其熱處理溫度比高溫固相反應(yīng)溫度低，產(chǎn)品的純度高，均勻性好，因此有著廣闊的應(yīng)用前景.此外，溶膠-凝膠法所得樣品的后續(xù)熱處理工藝和氣氛環(huán)境對熒光粉的發(fā)光性能影響較大，較之空氣環(huán)境，N2保護(hù)或H2還原氣氛(防止Mn2+被氧化成Mn4+等高價態(tài)，使發(fā)光中心Mn2+離子的數(shù)量得到有效保證)均能明顯提高樣品的發(fā)光強(qiáng)度.鑒于成分配比和合成工藝對熒光粉性能的影響，為了進(jìn)一步提高熒光粉發(fā)光強(qiáng)度和縮短余輝時間，在前期工作的基礎(chǔ)上［17，18，20，21］，本文首次將Mg2+摻雜、溶膠-凝膠法和不同氣氛熱處理(N2保護(hù)、95%N2+5%H2還原)等有效手段結(jié)合起來，合成了Mg2+摻雜Zn2SiO4:Mn2+系列熒光粉，并系統(tǒng)研究了其真空紫外(VUV)發(fā)光特性.

2. 實驗

本實驗以Zn(NO3)2·6H2O(99%)，Mg (NO3)2·6H2O(99%)，Mn(CH3COO)2·4H2O (99%)和Si(C2H5O)4(SiO2含量為28.0%)為初始原料，按化學(xué)計量比Zn1.92－xMgxSiO4:0.08Mn2+(0≤x≤0.20)用電子天平精確稱取適量初始原料，首先在正硅酸乙酯中加入適量乙醇形成TEOS的乙醇溶液，然后將硝酸鋅、醋酸錳、硝酸鎂等初始原料置入TEOS的乙醇溶液中，超聲波分散下形成均勻的混合溶液，緩慢滴加稀氨水，經(jīng)不斷攪拌后形成半透明的溶膠，然后在空氣中靜置1—2 d形成凝膠，將凝膠于110℃烘箱中烘干，然后將干凝膠研成粉末分別于管式爐不同氣氛下進(jìn)行熱處理:1)空氣環(huán)境下于1100℃保溫4 h;2)N2保護(hù)氣氛下于1100℃保溫4 h;3)N2保護(hù)氣氛下先于1100℃保溫4 h，隨后緩冷至900℃于95%N2+5%H2還原氣氛下保溫1 h.以上樣品最后均隨爐冷卻至室溫經(jīng)研磨便得到白色粉末樣品，即為Zn1.92－xMgxSiO4:0.08Mn2+系列樣品.

粉末樣品的物相采用Rigaku D/max–2400型X射線粉末衍射儀進(jìn)行檢測，工作條件為40 kV/ 60mA，X射線發(fā)生器采用CuKα，射線束波長為1.54178，掃描步進(jìn)為0.02°，掃描范圍為10—80°. VUV性質(zhì)通過FLS920T分光光度計和VM504真空紫外單色器進(jìn)行測試，其激發(fā)光譜通過水楊酸鈉在相同的測試條件下進(jìn)行校正.

3. 結(jié)果與討論

3.1. XRD結(jié)果分析

采用溶膠-凝膠法于管式爐不同氣氛下制備的Mg2+摻雜系列樣品，經(jīng)XRD檢測均為硅酸鋅單相.圖1給出了Zn1.92－xMgxSiO4:0.08Mn2+(0≤x≤0.10)在還原氣氛3)下所得系列樣品的X射線衍射圖譜，通過XRD分析可知所得系列樣品衍射峰形一致，指標(biāo)化后均為六方硅酸鋅(willemite)單相，與標(biāo)準(zhǔn)卡片JCPDS 37－1485符合得很好.由圖可見，隨著鎂元素?fù)诫s量的增加，沒有出現(xiàn)雜質(zhì)峰，這主要是由于鎂橄欖石Mg2SiO4和硅鋅礦Zn2SiO4部分互溶，在摻雜少量的Mg2+離子時，Mg2+可進(jìn)入Zn2+格位形成固溶體.圖2給出了Zn1.92－xMgxSiO4: 0.08Mn2+(0≤x≤0.10)系列樣品的晶胞參數(shù)(a，c)隨Mg2+濃度變化曲線.從圖中可看出，在x≤0.10時，隨著Mg2+濃度的增大，樣品的晶胞參數(shù)a和c值都呈減小的趨勢，這主要是由于Zn2+和Mg2+的半徑非常接近(Zn2+為0.074nm，Mg2+為0.072nm)［22］，同時也表明Mg2+摻雜系列樣品中Mg2+取代了Zn2+的位置進(jìn)入Zn2+的格點.

3.2. Zn1.92－xMgxSiO4:0.08Mn2+(0

真空紫外激發(fā)過程分為發(fā)光中心的直接激發(fā)和基質(zhì)晶格將部分能量傳遞給發(fā)光中心的間接激發(fā)，圖3是在525nm監(jiān)控下Zn1.92SiO4:0.08Mn2+和Zn1.86Mg0.06SiO4:0.08Mn2+熒光粉的激發(fā)光譜(100—300nm).從圖中可看出，光譜(a)主要是由位于158nm，174nm，191nm，245nm和275nm的激發(fā)帶構(gòu)成.根據(jù)文獻(xiàn)報道［23］，位于158nm處的激發(fā)峰屬于［ZnO4］基團(tuán)的吸收;位于174nm處的激發(fā)峰可歸屬于［SiO4］基團(tuán)的吸收;位于191nm的激發(fā)峰是屬于Mn2+的3d5→3d44s躍遷吸收［24］;位于245nm的激發(fā)峰主要屬于Mn2+－O2－電荷轉(zhuǎn)移躍遷吸收，位于275nm的吸收峰屬于Mn2+內(nèi)部的基態(tài)能級6A1向4A2(4F)的躍遷［25］.根據(jù)Dexter［26，27］理論，從130nm到200nm的光譜重疊可看出樣品在真空紫外區(qū)存在從基質(zhì)到Mn2+的能量傳遞，能量是通過交換作用傳遞的.較之光譜(a)，光譜(b)中位于158nm處的激發(fā)峰明顯增強(qiáng)，光譜強(qiáng)度的增加可歸屬于MgO4基團(tuán)的吸收［28］，并且根據(jù)130—220nm的光譜重疊，可知MgO4基團(tuán)和發(fā)光中心Mn2+離子之間存在有效的能量傳遞［26，27］.

圖1 不同Mg2+摻雜濃度Zn1.92－xMgxSiO4:0.08Mn(0≤x≤0.10)的XRD圖

圖2 Zn1.92－xMgxSiO4:0.08Mn2+(0≤x≤0.10)粉末樣品的晶胞參數(shù)隨Mg2+濃度的變化關(guān)系

圖3 Zn1.92SiO4:0.08Mn2+(a)和Zn1.86Mg0.06SiO4:0.08Mn2+(b)的激發(fā)光譜

熒光粉的發(fā)光強(qiáng)度會隨熱處理氣氛、摻雜離子濃度的不同而發(fā)生變化，圖4給出了不同煅燒氣氛下Zn1.92－xMgxSiO4:0.08Mn2+(0≤x≤0.12)系列樣品的發(fā)光強(qiáng)度隨Mg2+濃度的變化關(guān)系.從圖中可看出N2保護(hù)和低溫還原兩種氣氛下所得樣品的發(fā)光強(qiáng)度明顯高于空氣環(huán)境下制備的樣品，經(jīng)過低溫還原處理的樣品的發(fā)光強(qiáng)度最強(qiáng)，略高于只用N2保護(hù)氣氛.這是因為在Zn1.92－xMgxSiO4:0.08Mn2+系列熒光粉的制備過程中，發(fā)光中心Mn2+容易被氧化成Mn4+等高價態(tài)，使用N2保護(hù)可部分防止Mn2+的氧化，使用還原氣氛可使Mn4+還原為Mn2+，成為有效的綠色發(fā)光中心，當(dāng)發(fā)光中心Mn2+的數(shù)目越多，其發(fā)光強(qiáng)度就越強(qiáng).此外，在相同煅燒氣氛下，摻雜適量的Mg2+離子可以提高熒光粉的發(fā)光強(qiáng)度，開始隨著x的增加樣品的發(fā)光強(qiáng)度逐漸增強(qiáng)，約在x= 0.06處達(dá)到最大值;當(dāng)Mg摻雜濃度x>0.06時，樣品的發(fā)光強(qiáng)度隨著x的增加而逐漸下降，因此Mg的最佳摻雜濃度為0.06mol.摻雜適量Mg2+離子后，樣品的發(fā)光強(qiáng)度有明顯的提高，主要歸因于MgO4基團(tuán)能夠吸收VUV光子，并將能量有效地傳遞給發(fā)光中心Mn2+.

圖5是熒光粉單摻錳樣品(a)Zn1.92SiO4: 0.08Mn2+，(b)商用粉和Mn2+，Mg2+共摻發(fā)光最佳樣品(c)Zn1.86Mg0.06SiO4:0.08Mn2+在147nm激發(fā)下的發(fā)射光譜.從圖中可看出三個樣品的最強(qiáng)發(fā)射峰為位于527nm處的寬帶峰，屬于Mn2+的3d電子組態(tài)內(nèi)自旋禁戒的4T1→6A1躍遷發(fā)射.摻雜Mg2+離子后樣品的發(fā)光強(qiáng)度有明顯的提高，Zn1.86Mg0.06SiO4:0.08Mn2+熒光粉的發(fā)光強(qiáng)度比樣品Zn1.92SiO4:0.08Mn2+提高了13%，是商用粉發(fā)光強(qiáng)度的105%.

圖4 不同氣氛下Zn1.92－xMgxSiO4:0.08Mn2+(0≤x≤0.12)樣品中Mg2+濃度與發(fā)光強(qiáng)度的關(guān)系

圖5 樣品(a)Zn1.92SiO4:0.08Mn2+，(b)商用粉和(c)Zn1.86Mg0.06SiO4:0.08Mn2+在147nm激發(fā)下的發(fā)射光譜

對于發(fā)光材料而言，色坐標(biāo)是衡量其色質(zhì)好壞的一個重要參數(shù).表1列出了Zn1.92－xMgxSiO4: 0.08Mn2+(0≤x≤0.12)系列樣品的色坐標(biāo)值(x，y).由表可知，Mg2+離子的少量引入沒有對Zn1.92SiO4:0.08Mn2+熒光粉的色坐標(biāo)及色純度產(chǎn)生明顯影響.圖6給出了熒光粉Zn1.92SiO4:0.08Mn2+和Zn1.86Mg0.06SiO4:0.08Mn2+的色坐標(biāo)在CIE 1931色品圖中的位置.由圖知摻雜Mg2+離子后，熒光粉的色坐標(biāo)基本沒變，能夠完全滿足顯示顯像技術(shù)的要求.

表1 Zn1.92－xMgxSiO4:0.08Mn2+(0≤x≤0.12)系列熒光粉的色坐標(biāo)值

圖6 熒光粉(a)Zn1.92SiO4:0.08Mn2+和(b)Zn1.86Mg0.06SiO4: 0.08Mn2+的色坐標(biāo)

3.3. 熒光粉衰減曲線分析

除了發(fā)光強(qiáng)度、色純度外，發(fā)光材料的余輝時間對于其在顯示器件上的應(yīng)用有著至關(guān)重要的制約作用.圖7給出了商用粉、樣品Zn1.92SiO4: 0.08Mn2+和Zn1.86Mg0.06SiO4:0.08Mn2+在147nm激發(fā)下以525nm為監(jiān)控的衰減曲線.衰減曲線可利用下式進(jìn)行擬合:

擬合后三樣品的τ1/e余輝時間分別為:(a)5.22 ms，(b)4.23 ms和(c)3.89 ms.其中商用粉的余輝時間最長，約為5.22 ms;Mg摻雜樣品Zn1.86Mg0.06SiO4:0.08Mn2+的余輝時間最短，比商用粉余輝時間縮短了1.33 ms.這是由于樣品中摻雜Mg2+后，由于Mg2+和Mn2+之間存在能量傳遞以致熒光粉余輝的衰減速度加快，即余輝時間縮短.

圖7 樣品(a)商用粉，(b)Zn1.92SiO4:0.08Mn2+和(c)Zn1.86Mg0.06SiO4:0.08Mn2+的衰減曲線

4. 結(jié)論

采用溶膠-凝膠法于不同煅燒氣氛下制備的Mg2+摻雜系列樣品，經(jīng)XRD檢測均為硅酸鋅單相. Zn1.92SiO4:0.08Mn2+樣品中摻雜適量Mg2+，提高了樣品的發(fā)光強(qiáng)度，這是由于MgO4基團(tuán)能夠吸收VUV光子，并將能量有效地傳遞給發(fā)光中心Mn2+，Mg2+最佳摻雜濃度為0.06 mol.不同熱處理氣氛對熒光粉的發(fā)光強(qiáng)度有很大影響，氮氫混合氣氛下制備的熒光粉發(fā)光強(qiáng)度最強(qiáng)，其中Mg2+摻雜最佳樣品Zn1.86Mg0.06SiO4:0.08Mn2+的發(fā)光強(qiáng)度是商用粉的105%，相對Zn1.92SiO4:0.08Mn2+提高了13%，衰減時間(3.89 ms)比商用粉(5.22 ms)縮短了1.33 ms.

［2］Liu D L，Tu Y，Yang L L 2009 Vacuum Electronics 01 39(in Chinese)［劉德龍、屠彥、楊蘭蘭2009真空電子技術(shù)01 39］

［3］Wu C F，Meng X，Li J，Wang Y H 2009 Acta Phys.Sin.58 6518(in Chinese)［吳春芳、孟燮、李杰、王育華2009物理學(xué)報58 6518］

［4］Liao Q R，Zhuang w D，Xia T，Liu R H，Hu Y S，Teng X M，Liu Y H 2009 Acta Phys.Sin.58 2776(in Chinese)［廖秋榮、莊衛(wèi)東、夏天、劉榮輝、胡運生、滕曉明、劉元紅2009物理學(xué)報58 2776］

［5］Deng C Y，He D W，Zhuang W D，Wang Y S，Kang K，Huang X W 2004 Chin.Phys.13 473

［6］Gou J，Wang Y H，Li F，He L 2006 Acta Phys.Sin.55 4310 (in Chinese)［茍婧、王育華、李峰、何玲2006物理學(xué)報55 4310］

［7］Yang Z P，Liu Y F 2006 Acta Phys.Sin.55 4946(in Chinese)［楊志平、劉玉峰2006物理學(xué)報55 4946］

［8］Zeng J H，F(xiàn)u H L，Lou T J，Yu Y，Sun Y H，Li D Y 2009 Mater.Res.Bull.44 1106

［9］Mai M，F(xiàn)eldmann C 2009 Solid State Sci.11 528

［10］Lukic＇S R，Petrovic＇D M，Dramic＇anin M D，Mitric＇M，Dacˇanin L 2008 Scripta Mater.58 655

［11］Wan J X，Wang Z H，Chen X Y，Mu L，Yu W C，Qian Y T 2006 J.Lumin.121 32

［12］Cho T H，Chang H J 2003 Ceram.Int.29 611

［13］Barthou C，Benoit J，Benalloul P 1994 J.Electrochem.Soc. 141 524

［14］Pappalardo R G，Miniscalco W J，Peters T E 1993 J.Lumin.55 87

［15］Kolk E V，Dorenbos P，Eijk C V，Bechtel H，Justel T，Nikol H，Ronda C R，Wiechert D U 2000 J.Lumin.87-89 1246

［16］Kang Y C，Lim M A，Park H D，Han M 2003 J.Electrochem. Soc.150 H7

［17］Hao Y，Wang Y H 2009 J.Alloy.Compd.470 565

［18］Hao Y，Wang Y H 2006 Electrochem.Solid St.9 H100

［19］Sharma P，Bhatti H S 2009 J.Alloy.Compd.473 483

［20］Hao Y，Wang Y h 2007 J.Lumin.122-123 1006

［21］Wang Y h，Hao Y，Li h，Yu w 2006 J.Alloy.Compd.425 339

［22］Im S J，Choi S Y，Manashirov O Y，Lee W T，Lee S J，Lee J W，Kim J M 1999 Proceedings of the 19th International Display Research Conference，Berlin Germany，September 6-9，1999 P61

［23］Mishra K C，Johnson K H，DeBoer B G，Berkowitz J K，Olsen J 1991 J.Lumin.47 197

［24］Masaaki，Tamatani 1974 Jpn.J.Appl.Phys.13 950

［25］Morimo R，Mochinaga R，Nakamura K 1994 Mater.Res.Bull. 29 751

［26］Dexter D L 1954 J.Chem.Phys.22 1063

［27］Lin Y h，Tang Z L，Zhang Z T，Nan C W 2002 Appl.Phys. Lett.81 996

［28］Harlow G E，Shankland T J 1974 Geochim.Cosmochim.Acta. 38 589

PACC:7855E，7855，3320N

*Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.10874061)and the Industry and Research by the Ministry of Education and Guangdong Province(Grant No.0712226100023).

?Corresponding author.E-mail:wyh@lzu.edu.cn

Synthesis and luminescent properties of Mg2+doped Zn2SiO4:Mn2+phosphor under VUV excitation*

Liu Ji-Di Wang Yu-Hua?
(School of Physical Science and Technology，Lanzhou University，Lanzhou730000，China)
(Received 3 August 2009;revised manuscript received 23 September 2009)

A series of phosphors of Zn1.92－xMgxSiO4:0.08Mn(0≤x≤0.12)were successfully synthesized at various heating atmosphere via sol-gel method.The structure and luminescent properties of the samples were characterized by X-ray diffractometer(XRD)and the FLS920T Spectrophotometer，respectively.The results indicated that in the Zn1.92SiO4: 0.08Mn system，the Mg2+doped could substitute for the Zn2+site and result in the decrease of lattice parameters.The absorption band of the MgO4cluster was located at about 154nm in vacuum ultraviolet region.Mg2+ion doping has favorable influence on the photoluminescence properties of Zn2SiO4:Mn2+，the optimum concentration of Mg2+being 0.06 mol under 147nm excitation.The emission intensity of Zn1.92－xMgxSiO4:0.08Mn2+phosphors calcined in the mixture of nitrogen and hydrogen were stronger than those of the phosphors calcined in other heating atmospheres，and the emission intensity of Zn1.86Mg0.06SiO4:0.08Mn2+calcined in the mixture of N2and H2was 113%of that of Zn1.92SiO4:0.08Mn2+，being 5%higher than that of commercial phosphor.After Mg2+doping the decay time of phosphor was much shortened and the decay time of Zn1.86Mg0.06SiO4:0.08Mn2+was 3.89 ms，which was shorter by 1.33 ms than that of commercial product.

Mg2+doped，Zn2SiO4:Mn2+，sol-gel method，vacuum ultraviolet(VUV)

book=114,ebook=114

10.1016/ j.cie.2009.05.008

*國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號:10874061)，廣東省教育部產(chǎn)學(xué)研結(jié)合項目(批準(zhǔn)號:0712226100023)資助的課題.

?通訊聯(lián)系人.E-mail:wyh@lzu.edu.cn

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