據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)報道，美國能源部勞倫斯伯克利國家實驗室和加州大學(xué)伯克利分校的科學(xué)家成功地將厚度僅為10納米的超薄半導(dǎo)體砷化銦層集成在一個硅襯底上，制造出一塊納米晶體管，其電學(xué)性能優(yōu)異，在電流密度和跨導(dǎo)方面也表現(xiàn)突出，可與同樣尺寸的硅晶體管相媲美。該研究結(jié)果發(fā)表在最新一期《自然》雜志上。

盡管硅擁有很多令人驚奇的電子特性，但這些特性已經(jīng)快被利用到極限，科學(xué)家一直在尋找能替代硅的半導(dǎo)體材料，以制造未來的電子設(shè)備。伯克利實驗室材料科學(xué)分部的首席科學(xué)家、加州大學(xué)伯克利分校電子工程和計算機(jī)科學(xué)教授艾里·杰維表示，最新的研究證明，半導(dǎo)體家族Ⅲ—Ⅴ族化合物中的一個成員砷化銦具有超強(qiáng)的電子遷移率和電子遷移速度，可以成為性能優(yōu)異的“硅替身”，用于制造未來低能耗、高速率的電子設(shè)備。