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        超大雙負(fù)通帶的超結(jié)構(gòu)微波左手材料研究

        2010-01-11 07:26:56韓俊霞
        長治學(xué)院學(xué)報(bào) 2010年5期
        關(guān)鍵詞:通帶實(shí)部磁導(dǎo)率

        韓俊霞

        (山西機(jī)電職業(yè)技術(shù)學(xué)院 材料工程系,山西 長治 046011)

        超大雙負(fù)通帶的超結(jié)構(gòu)微波左手材料研究

        韓俊霞

        (山西機(jī)電職業(yè)技術(shù)學(xué)院 材料工程系,山西 長治 046011)

        文章設(shè)計(jì)、制備了具有超大負(fù)折射通帶的微波左手材料。通過透射實(shí)驗(yàn)和Snell折射實(shí)驗(yàn)共同證明了其雙負(fù)通帶的存在,在3.0GHz到9GHz范圍內(nèi),最大雙負(fù)(ε和μ同時(shí)為負(fù)值)的通帶為3GHz~6.3GHz。樣品首次采用多層電路板一次成型工藝,5個(gè)周期總厚度僅4mm,其合理的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使得這種諧振型左手材料的強(qiáng)度和雙負(fù)通帶帶寬得到了顯著地增大,有望加速實(shí)現(xiàn)諧振型左手材料在微波領(lǐng)域的應(yīng)用。

        左手材料;負(fù)介電常數(shù);負(fù)磁導(dǎo)率;負(fù)折射率

        1 引言

        1968年,蘇聯(lián)科學(xué)家Veselago首次指出:當(dāng)ε和μ同時(shí)為負(fù)值時(shí),Maxwell方程仍然成立,但電磁波將逆波矢方向傳播,并可表現(xiàn)出一些奇異的電磁特性,如逆多普勒效應(yīng)(ReversedDopplerEffect),逆斯涅爾折射效應(yīng)(ReversedSnellRefraction)及逆Cerenkov輻射效應(yīng)(ReversedCerenkovRadiation)等[1]。1996年JohnPendry指出可以用細(xì)金屬線陣列構(gòu)造構(gòu)造有效介電常數(shù)為負(fù)的人工材料[2],1999年又提出可以用諧振環(huán)陣列構(gòu)造有效磁導(dǎo)率為負(fù)的人工媒質(zhì)[3]。2001年Smith采用Pendry的方法,構(gòu)造出有效介電常數(shù)和有效磁導(dǎo)率同時(shí)為負(fù)的人工媒質(zhì),并用實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了其在微波頻段的“負(fù)折射”現(xiàn)象[4]。

        1992年提出的Ω型諧振環(huán)陣列人工媒質(zhì)以其較大的左手帶寬、較小的損耗特性近年來引起了極大的關(guān)注[5-8]。Huangfu等人報(bào)道了在11.4GHz~12.6GHz可得到負(fù)折射率的型人工復(fù)合材料,其左手帶寬可達(dá)1.2GHz[7]。能否在較低的頻段得到更大的左手帶寬,對于某些微波器件來說,更具有吸引力。文獻(xiàn)[8]及前期研究[9]發(fā)現(xiàn)基板厚度對諧振頻率和左手通帶寬度有顯著的影響。在此基礎(chǔ)上,本文通過模擬計(jì)算確定了合理的基板厚度,同進(jìn)采用先進(jìn)的多層板一次成型技術(shù)來消除諧振型左手材料的缺陷,并通過透射實(shí)驗(yàn)和Snell折射實(shí)驗(yàn)共同證明了其雙負(fù)通帶的存在及通帶的頻率范圍。

        2 樣品制備與實(shí)驗(yàn)測試

        用 0.4mm 的 FR4 基片(ε≈4.9,μ≈1.0),雙面印刷正反向Ω型諧振結(jié)構(gòu),Ω型諧振結(jié)構(gòu)如圖1所示,圖中 a=5mm,r=1.5mm,R=1.9mm,c=0.4mm,d=0.4mm。試樣采用多層板一次成型技術(shù),共5個(gè)周期(印刷板與基板等厚度相間),總厚度為4mm。圖1(a)為樣品整體圖,圖 1(b)為諧振環(huán)結(jié)構(gòu)示意圖。多層板一次成型技術(shù)嚴(yán)格保證了周期結(jié)構(gòu)的完整性,避免了粘結(jié)或熱壓等方法引入的附加界面和雜質(zhì)。

        圖1 多層板一次成型樣品結(jié)構(gòu)示意圖

        實(shí)驗(yàn)采用文獻(xiàn)[4]中介紹的平行板透射和Snell棱鏡實(shí)驗(yàn)裝置。通過透射實(shí)驗(yàn)確定樣品的通帶,進(jìn)一步通過Snell棱鏡實(shí)驗(yàn)確定負(fù)折射出現(xiàn)的頻段。透射實(shí)驗(yàn)樣品沿波傳播方向5個(gè)周期,棱鏡實(shí)驗(yàn)樣品角度為110。測試采用HP 8720ES網(wǎng)絡(luò)分析儀,平行板透射實(shí)驗(yàn)測試結(jié)果如圖2所示,Snell棱鏡實(shí)驗(yàn)測試結(jié)果如圖3所示。

        圖2 樣品透射模擬及實(shí)驗(yàn)曲線

        圖2是平行板透射實(shí)驗(yàn)曲線與數(shù)值模擬曲線圖。數(shù)值計(jì)算表明,在 3 GHz~5 GHz和 10 GHz~12 GHz應(yīng)分別各存在一個(gè)通帶。經(jīng)平行板透射實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證發(fā)現(xiàn),這兩個(gè)通帶的范圍分別為3 GHz~6.3 GHz和11 GHz~12.3 GHz。

        圖3表示了棱鏡樣品的Snell折射實(shí)驗(yàn)測試結(jié)果。結(jié)果表明,在3 GHz~9 GHz范圍內(nèi),有明顯得負(fù)折射現(xiàn)象,最大負(fù)折射通帶3 GHz~6.3 GHz,折射中心角度約為750,折射率為5.06;在11.5 GHz~13 GHz范圍內(nèi),存在明顯的正折射現(xiàn)象,折射中心角度約為110,折射率為1.0。

        圖3 Snell折射實(shí)驗(yàn)

        通過上述的平行板透射實(shí)驗(yàn)和Snell棱鏡實(shí)驗(yàn),證實(shí)了本文所設(shè)計(jì)、制備的人工復(fù)合材料試樣表現(xiàn)出了明顯的左右手特性,其左手通帶表現(xiàn)出了極大的帶寬和較小的損耗特性。

        3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析

        為了進(jìn)一步了解有效介電常數(shù)、有效磁導(dǎo)率與結(jié)構(gòu)的關(guān)系,采用文獻(xiàn)[9]的公式進(jìn)行定性分析。

        文獻(xiàn)中的同心圓柱公式磁諧振頻率和磁等離子頻率為:

        圖5和圖6是通過S參數(shù)反演計(jì)算得到了有效介電常數(shù)、有效磁導(dǎo)率和有效折射率實(shí)部與頻率的關(guān)系。從圖中可以看出在3 GHz~5 GHz的范圍內(nèi),有效介電常數(shù)、有效磁導(dǎo)率和有效折射率實(shí)部均為負(fù)值;而在10 GHz~12 GHz的范圍內(nèi),它們均為正值,計(jì)算得到的有效折射率實(shí)部數(shù)值與實(shí)驗(yàn)測量值基本一致,進(jìn)一步證實(shí)了實(shí)驗(yàn)結(jié)果的可靠性。

        圖5 有效介電常數(shù)、磁導(dǎo)率、折射率實(shí)部曲線

        圖6 有效介電常數(shù)、磁導(dǎo)率、折射率實(shí)部曲線放大圖

        4 結(jié)論

        文中采用多層電路板一次成型工藝技術(shù),制備了具有5個(gè)周期,板厚為4mm的諧振型左手復(fù)合材料。通過透射實(shí)驗(yàn)和Snell折射實(shí)驗(yàn)共同證明了在3.0GHz到9GHz范圍內(nèi)存在負(fù)折射,其中最大的負(fù)折射帶寬可達(dá)3.3GHz。通過S參數(shù)反演計(jì)算,證實(shí)了在3.0GHz到6.3GHz范圍內(nèi),有效磁導(dǎo)率、有效介電常數(shù)和有效折射率的實(shí)部同為負(fù)值。進(jìn)一步優(yōu)化諧振環(huán)結(jié)構(gòu)與基板厚度,可望促進(jìn)該諧振型左手材料在微波器件上的應(yīng)用。

        [1]陳錦昌等.基于構(gòu)型設(shè)計(jì)的工程圖學(xué)教學(xué)體系的探討[J].工程圖學(xué)學(xué)報(bào),2006,(5):130-132.

        [2]陳熾坤.現(xiàn)代工程圖學(xué)中的十大問題[M].圖學(xué)教育研究[C].機(jī)械工業(yè)出版社,2004,19-23.

        [3]毛昕,黃英.關(guān)于我國圖學(xué)教育發(fā)展的若干思考[J].工程圖學(xué)學(xué)報(bào),2004,25(3):96-100.

        [4]田凌,童秉樞,馮娟.機(jī)類機(jī)械制圖新課程體系的研究及實(shí)踐[J].工程圖學(xué)學(xué)報(bào),2005,26(5):120-125.

        [5]黃向裕.構(gòu)形設(shè)計(jì)的研究與實(shí)踐[J].機(jī)械工程與自動化,2005,(8):121-122.

        O487

        A

        1673-2014(2010)05-0030-03

        2010-09-11

        韓俊霞(1982— ),女,山西屯留人,助教,主要從事金屬材料研究。

        (責(zé)任編輯 王璟琳)

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