黃曉俊　邢凌燕

0引言

隨著微波通信技術(shù)的發(fā)展，人們對通信系統(tǒng)的要求越來越高，比如小型化、可靠性等，微波單片集成電路(MMIC)憑借小型緊湊、穩(wěn)定性好、抗干擾能力強(qiáng)、批量生產(chǎn)成本低和產(chǎn)品性能一致性好等特點(diǎn)成為軍事電子對抗及民用通信系統(tǒng)最具吸引力的選擇。贗配高電子遷移率晶體管(PHEMT)具有增益、噪聲、功率方面更加良好的特性，成為微波與毫米波單片集成電路和超高速數(shù)字集成電路領(lǐng)域最具競爭力的有源器件之一，當(dāng)前，PHEMT MMIC研究已經(jīng)成為MMIC研究的一大熱點(diǎn)。本文的功率放大器便是采用PHEMT工藝技術(shù)，設(shè)計(jì)要求工作頻段在3～4 GHz左右，其工作帶寬要求大于500 MHz，要求信號線性特性好，頻帶內(nèi)增益平坦度平滑，電路工作性能穩(wěn)定。其功率增益的要求為30 dB左右。