Koshida

Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures

2009

Hardback

ISBN9780387786889

Koshida著

在納米尺度,半導體器件將會呈現出不同于宏觀尺度的光學、電學性能,充分利用這些性能可以制備很多具有特殊用途的器件。本書分別介紹了硅納米晶及其納米結構在光電器件、電子器件及功能器件等三方面的應用。

本書共11章,1.介紹了富硅介質在有源光電器件中的應用。本章比較了富硅氧化物和富硅氮化物在晶體結構、發(fā)光效應和發(fā)光效率的區(qū)別,認為發(fā)光效應及效率主要來自硅納米晶,并指出硅納米晶結構在有源光電器件中的重要作用;2.硅納米結構的場致發(fā)光器件,介紹了多空納米硅、富硅氧化物或氮化物、硅超晶格等硅結構,分析了硅納米晶結構場致發(fā)光器件中的作用,硅納米晶作為激發(fā)物而不是發(fā)光物質;3.介紹了si/sio2超晶格結構的光學性能、制備過程和采用的技術以及它的發(fā)展前景;4.首先介紹了納米硅結構在注入式激光器設計中的作用,然后進行了實驗分析得到了大量的數據,最后指出了納米硅在激光器制造中的應用前景;5.介紹了硅單電子器件,這種器件可以對單電子進行控制,具有優(yōu)越的性能,應用前景很廣,目前比較典型的是應用在存儲和邏輯器件上;6.spin-based 硅晶體管,分別介紹了幾種新型的硅晶體管及其性質;7.首先從納米尺度分析了電子在硅納米晶的傳輸特性,然后介紹了電子在硅納米晶陣列上的傳輸特性;8.首先介紹了硅納米晶永久性存儲器的發(fā)展歷史,分析了將自上而下和自下而上兩種設計方法進行集合的應用前景以及自組裝硅納米晶在Flash制造中的應用;9.首先介紹了BSD的性能及其發(fā)光機理,然后分析了器件發(fā)光效率和納米結構之間的關系,最后著重介紹了玻璃基BSD;10.介紹了多孔硅光電器件的結構和基本性能,以及在label-free生物傳感器中的應用;11.介紹了一種基于多孔硅納米晶的超聲發(fā)射器。

作者nobuyoshi koshida 1943年出生于日本北海道,分別于1966、1968、1973獲得了東京大學工學學士、電子工程碩士和博士學位。1981年他進入東京農工大學電機系任教,1988年成為電子工程專業(yè)教授,2002年成為工學研究生院納米科學與技術教授。他分別于1992-1993年在馬薩諸塞學院,1993年在卡文迪實驗室,1996年在法國傅立葉大學擔任客座教授。他發(fā)表的文章,出版的專著合計超過280余篇,目前他擔任ECS日本分會主席,是日本應用物理協(xié)會理事、美國材料學會及美國物理協(xié)會成員。

本書是一本論文匯編,所收錄的論文是由相關領域的專家完成的,對于從事微電子設計、納米技術研究的人有重要的參考價值。

劉軍濤,博士生

(中國科學院電子學研究所)

Liu juntaoDoctoral Candidate

(Institute ofElectronics,,CAS)