本報綜合消息 2月27日，英特爾稱將投資10億～15億美元改建其設在新墨西哥州Rio Rancho市的芯片制造廠，以生產采用45納米制造工藝的芯片。英特爾表示，此舉既是為了滿足全球芯片需求，也是為了與宿敵AMD競爭。

這家工廠將成為英特爾第四家計劃采用45納米工藝的工廠。英特爾說，該工廠已經運營了27年，自2002年10月開始生產90納米芯片，計劃將于明年下半年開始生產45納米芯片。

英特爾與以AMD為代表的競爭對手爭相采用效率最高的技術生產芯片。近日，英特爾宣布開發(fā)出可以在芯片上容納更多45納米晶體管的材料。幾乎就在同時，AMD和IBM也表示它們正在合作開發(fā)類似的技術。英特爾的新工廠將使它在與AMD的競爭中領先一步。

英特爾表示，第一批45納米產品將由地處俄勒岡的名為D1D的芯片制造工廠生產。英特爾還正在建設兩家新的45納米工藝的芯片廠：在亞利桑那州Chandler市投資30億美元建設的工廠將于今年下半年開始生產芯片，設在以色列的投資35億美元的工廠將于明年上半年開始生產。

據(jù)了解，英特爾代號為“Penryn”的下一代45納米系列產品的早期版本已經能夠運行多個操作系統(tǒng)和應用，英特爾稱將如期于今年下半年開始生產45納米芯片。