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        納米氮化硅粉體的制備

        2007-01-01 00:00:00何艷陽(yáng)陳易明進(jìn)
        佛山陶瓷 2007年6期

        摘 要 本文用碳熱還原法制備了納米氮化硅粉體,研究了納米氮化硅顆粒的表面形貌及其電子自旋共振譜。

        關(guān)鍵詞 納米氮化硅粉體,碳熱還原法

        1 前 言

        目前世界上研究最多的氮化硅的制備方法主要有硅粉直接氮化法、碳熱還原法、熱分解法、低氨氣壓下燃燒合成法和氣相反應(yīng)法。本文利用碳熱還原法制備了納米氮化硅粉粒。

        2 納米氮化硅粒子的制備

        用SiO2碳熱還原氮化法制備Si3N4粉體,是將SiO2細(xì)粉與碳粉混合后,通過(guò)熱還原生成SiC,然后SiC再被氮化生成納米氮化硅顆粒,總的化學(xué)反應(yīng)式為:

        上述反應(yīng)屬氣固相反應(yīng),反應(yīng)速度慢,反應(yīng)過(guò)程復(fù)雜,除上述總過(guò)程外還有許多中間過(guò)程:首先是形成SiO(g),形成的SiO(g)再與N2反應(yīng)生成Si3N4。工藝上選擇SiO2和過(guò)量的碳細(xì)粉反應(yīng),控制反應(yīng)溫度(1350~1480℃)進(jìn)行氮化,過(guò)量的碳粉在空氣中熱處理(600~700℃)形成CO氣體被除去。

        3 分析與討論

        3.1 納米氮化硅粒子的TEM分析

        本實(shí)驗(yàn)采用透射電子顯微鏡觀察納米氮化硅粒子。將樣品與乙二醇混合研磨后,超聲振蕩分散25min,然后將懸浮液滴在鍍有碳膜的銅網(wǎng)上,用紅外燈照射使乙醇揮發(fā)后放入透射電鏡樣品臺(tái)進(jìn)行觀察。圖2為納米氮化硅粒子的透射電鏡照片。

        圖2(a)的納米Si3N4樣品是在氮化溫度為1350℃,反應(yīng)時(shí)間為2h,氮?dú)饬髁繛?L·min-1的反應(yīng)條件下生成的,其粒徑大小分布較均勻,顆粒由分散而又細(xì)密的球形顆粒組成,這些顆粒的粒徑均在5~15nm間。圖2(b)的納米Si3N4樣品是在氮化溫度為1400℃,反應(yīng)時(shí)間為2h,氮?dú)獾牧髁繛?L·min-1的反應(yīng)條件下生成的,其粒徑大小分布較均勻,顆粒由分散而又細(xì)密的球形顆粒組成,這些顆粒的粒徑均在10~25nm間。

        3.2 納米氮化硅粉體的電子自旋共振譜分析

        g因子、強(qiáng)度峰峰值ΔIpp和線寬ΔHpp是ESR波譜中的重要參數(shù),g因子可以通過(guò)g=hν/βH求出,其中β為玻耳磁子,β=9.2741×10-28J/G;h為普朗克常數(shù),h=6.6262×10-34J·s;H為外加磁場(chǎng);ν為微波頻率,本實(shí)驗(yàn)中ν=9.60GHz。自由電子ge=2.0023,但分子中未成對(duì)電子的g值往往偏離ge。使g因子偏離于ge的原因,主要來(lái)源于軌道磁矩,此軌道磁矩的貢獻(xiàn)通過(guò)自旋-軌道耦合使激發(fā)態(tài)摻入基態(tài)而產(chǎn)生。圖3為100K溫度下測(cè)量的納米氮化硅的電子自旋共振譜。計(jì)算所得的g因子為2.0045,比自由電子和常規(guī)材料的g因子大(常規(guī)g為2.003),而自旋濃度為1018/m3,比常規(guī)Si3N4的自旋濃度高。這種偏離反映了納米態(tài)和常規(guī)態(tài)鍵結(jié)構(gòu)的差別。納米氮化硅由于界面組元配位不全,很可能包含大量的懸鍵和不飽和鍵。一般來(lái)說(shuō),g因子直接反映了被測(cè)量對(duì)象所包含的自由電子或者未成鍵電子的狀態(tài)。對(duì)納米材料,由于顆粒尺寸小,與常規(guī)材料相比,在ESR信號(hào)上就會(huì)產(chǎn)生g因子的位移(△g)。所以g因子的變化也是納米微?;蚣{米材料結(jié)構(gòu)的特征。

        圖3 溫度100K下測(cè)量的納米氮化硅電子自旋共振譜

        圖4是不同溫度(100~280K)下測(cè)量的納米氮化硅樣品的電子自旋共振譜,g因子測(cè)量值為2.0045??梢钥闯觯{米氮化硅樣品的ESR譜線是一個(gè)單峰,并且具有對(duì)稱性。當(dāng)測(cè)量溫度升高時(shí),g因子的值并不改變, 但氮化硅的ESR共振信號(hào)變?nèi)?,隨著溫度的升高,氮化硅曲線的峰值下降。

        4 結(jié) 語(yǔ)

        碳熱還原法的制備工藝條件不同,所得納米氮化硅顆粒的粒徑大小不同,溫度越高,粒徑越大。在100~280K測(cè)量溫度下隨著溫度的升高,氮化硅ESR譜線的峰值下降。

        參考文獻(xiàn)

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        Preparation of Si3N4 Nano-powders

        Hong Jun1He Yanyang2Chen Yiming2 Chen Jin2

        (1Guangdong Industry Technical CollegeGuangzhouGuangdong5103002

        2Guangdong University of TechnologyGuangzhouGuangdong 510090)

        Abstract: In this thesis,Si3N4 nano-powders were prepared by carbon reduction method and its surface morphology and electron spin resonance were discussed.

        Keywords: Si3N4 nano-powders,carbon reduction

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