摘要 本文闡述了天線罩材料對(duì)二氧化硅體系透波材料的性能要求，分析了二氧化硅體系透波材料的透波機(jī)理，論述了二氧化硅體系透波材料的研究現(xiàn)狀，并指出了其發(fā)展方向。

關(guān)鍵詞 透波材料，透波機(jī)理，天線罩，二氧化硅體系

1引 言

微波透波材料[1]是指對(duì)波長(zhǎng)在1～1000mm，頻率在0.3～300GHz范圍的電磁波的透過(guò)率大于70%的材料。這種材料可用于制作雷達(dá)天線罩，也可用作高能陀螺儀的窗口材料、一些診療儀器的透波材料以及用于微波通訊設(shè)施中[2]。本文主要介紹二氧化硅體系透波材料的透波機(jī)理以及在導(dǎo)彈雷達(dá)天線罩中的應(yīng)用。雷達(dá)(包括地面雷達(dá)、移動(dòng)雷達(dá)和導(dǎo)彈雷達(dá))天線罩作為制導(dǎo)武器系統(tǒng)的重要組成部分，首當(dāng)其沖面臨著高技術(shù)、高性能的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)[3]。微波透波材料屬結(jié)構(gòu)-防熱-透波一體化的功能材料，涉及多學(xué)科專(zhuān)業(yè)和設(shè)計(jì)、材料、功能、性能檢測(cè)等系統(tǒng)工程[4]。美、俄、德、英等國(guó)對(duì)此進(jìn)行了深入的研究和應(yīng)用。隨著航空航天技術(shù)的進(jìn)步，二氧化硅體系天線罩材料獲得了很大的發(fā)展。

2透波材料的性能要求[5]

天線罩的性能依賴(lài)于所選擇的材料。反之，在天線罩的研制過(guò)程中需根據(jù)天線罩的工作環(huán)境和性能來(lái)確定在性能上對(duì)材料的要求。

材料的介電性能(介電常數(shù)ε和損耗角正切值tanδ)是選擇天線罩材料的主要依據(jù)[6]。具體來(lái)講，首先要考察材料的傳輸系數(shù)，此為關(guān)鍵參數(shù)，它主要受材料的介電常數(shù)ε和損耗角正切值tanδ制約。制導(dǎo)系統(tǒng)中，天線罩的傳輸效率和瞄準(zhǔn)誤差特性十分敏感地依賴(lài)材料的介電性能及它們與溫度、頻率等的關(guān)系。介質(zhì)損耗角越大，電磁波在透過(guò)材料時(shí)所損耗的能量就越多。介電常數(shù)越大，則電磁波在空氣與天線罩的分界面上的反射越大，降低了信號(hào)的傳播效率。因此要求天線罩材料的損耗角正切值很低，介電常數(shù)也盡可能低，以獲得較高的傳輸系數(shù)和較寬的壁厚容差，從而可增加罩壁厚度，提高結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，改善加工性能。一般情況下，在0.3～300GHz頻率范圍內(nèi)，透波材料的適宜ε值為1～4，tanδ為10^-3～10^-2數(shù)量級(jí)，這樣才能獲得較理想的透波性能和較小的損失。

導(dǎo)彈的高馬赫數(shù)使天線罩的瞬時(shí)加熱速率高達(dá)120℃/s以上，因此要求材料具有良好的抗熱沖擊性能。材料的熱膨脹系數(shù)用來(lái)衡量材料的耐熱沖擊性能。另外，材料還必須具有耐高溫性，包括升高溫度時(shí)材料分子結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，材料特性(如介電性能、機(jī)械性能)變化不大，以保證在最高溫度時(shí)天線罩能正常工作。

材料的力學(xué)性能，如抗沖擊強(qiáng)度直接關(guān)系到材料的耐雨蝕、耐砂蝕能力。飛行中的天線罩承受著由空氣動(dòng)力和縱向或橫向加速度引起的機(jī)械應(yīng)力，要求天線罩材料在滿足對(duì)其耐熱性能和介電性能要求的同時(shí)，必須具有足夠的機(jī)械強(qiáng)度和適當(dāng)?shù)膹椥阅Ａ俊?/p>

此外，材料的密度也是一個(gè)重要的性能參數(shù)，較低的材料密度，可以獲得較高的啟動(dòng)速度，同時(shí)還可以減小重量。

3二氧化硅體系透波材料的透波機(jī)理

材料的透波性能與材料的化學(xué)組成、微觀結(jié)構(gòu)以及環(huán)境條件等因素有關(guān)。

3.1 介電常數(shù)ε的機(jī)理

透波材料一般為電介質(zhì)材料。電介質(zhì)材料由許多一端帶正電，另一端帶負(fù)電的分子（或偶極子）組成。一般情況下，介質(zhì)內(nèi)的偶極子做雜亂無(wú)章的熱運(yùn)動(dòng)，因此分子的排列毫無(wú)規(guī)則，當(dāng)介質(zhì)材料處于直流電場(chǎng)中時(shí)，介質(zhì)內(nèi)部的偶極子在電場(chǎng)的作用下重新排列，即帶正電的一端趨向于負(fù)極，使雜亂運(yùn)動(dòng)的毫無(wú)規(guī)則的偶極子，變成了有一定取向的有規(guī)則排列的極化分子，即介質(zhì)在外加電場(chǎng)作用下有極化現(xiàn)象，介質(zhì)極化產(chǎn)生的束縛電荷有自己的電場(chǎng)，這個(gè)電場(chǎng)的方向與外加電場(chǎng)的方向相反，因而削弱了外電場(chǎng)。對(duì)于不同的介質(zhì)，極化越厲害，合成電場(chǎng)就越弱，此時(shí)，介質(zhì)的介電常數(shù)ε越大。所以，介電常數(shù)ε是標(biāo)志介質(zhì)極化難易程度的一個(gè)物理量，它反映了介質(zhì)對(duì)外電場(chǎng)反作用的強(qiáng)弱。

3.1.1 介質(zhì)總極化的分類(lèi)

介質(zhì)的總極化一般包括三個(gè)部分：電子極化、離子極化和偶極子轉(zhuǎn)向極化。這些極化的基本形式又分為兩種：第一種是位移式極化。這是一種彈性的、瞬間完成的極化，不消耗能量，電子極化和離子極化都屬于這種情況；第二種是松馳極化，這種極化與熱運(yùn)動(dòng)有關(guān)，完成這種極化需要一定的時(shí)間，并且是非彈性的，因而消耗了一定的能量，偶極子轉(zhuǎn)向極化即屬于這種情況。

3.1.2 各種極化產(chǎn)生的條件

電子極化是由于在外電場(chǎng)作用下，原子外圍的電子云相對(duì)于原子核發(fā)生位移產(chǎn)生偶極矩；離子極化是由于弱聯(lián)系離子在平衡范圍附近發(fā)生相對(duì)位移而產(chǎn)生偶極矩；而偶極子轉(zhuǎn)向極化是由具有永久電偶極矩的諸分子所產(chǎn)生，它們的電偶極矩在外加電場(chǎng)中可以改變其取向。

3.2 損耗角δ的機(jī)理

如果把電介質(zhì)放在交變電場(chǎng)中，則電介質(zhì)在交變電場(chǎng)的作用下被反復(fù)極化，外電場(chǎng)的變化越快（即頻率越高），偶極子反復(fù)極化的運(yùn)動(dòng)也越劇烈，從電磁場(chǎng)所得到的能量也越多。它里面的束縛電荷將在小范圍內(nèi)發(fā)生迅速的振動(dòng)或轉(zhuǎn)動(dòng)，形成交變電流。這種電流不同于自由電荷的運(yùn)動(dòng)形成的傳導(dǎo)電流，叫做位移電流。如果束縛電荷的位移能夠迅速跟上電場(chǎng)的變化而達(dá)到同相時(shí)，那么束縛電荷將在半個(gè)周期內(nèi)從電場(chǎng)中取得能量，在另半個(gè)周期內(nèi)又將能量送回電場(chǎng)。從電路的角度來(lái)分析，此時(shí)的位移電流將超前高頻電壓π/2的相角，因而完全是電抗性的無(wú)功電流。但實(shí)際上束縛電荷在介質(zhì)內(nèi)劇烈運(yùn)動(dòng)的同時(shí)又在相互作用，并受到周?chē)橘|(zhì)的摩擦阻力，所以在電場(chǎng)中取得的能量不可能全部交回給電場(chǎng)，其位移也跟不上電場(chǎng)變化的速度，此時(shí)位移電流超前高頻電壓的相位角達(dá)不到π/2，而是比π/2要小一個(gè)角度δ。這樣，位移電流就有了有功分量，由此可見(jiàn)，角度δ的大小與介質(zhì)吸收電能轉(zhuǎn)變?yōu)樽陨韮?nèi)能的程度有密切關(guān)系，所以把δ叫做損耗角。

介質(zhì)損耗主要有松馳極化損耗、電導(dǎo)損耗及結(jié)構(gòu)損耗等形式。在極化過(guò)程中，束縛電荷由于與周?chē)橘|(zhì)不斷發(fā)生摩擦而消耗掉一部分能量，此即為松馳極化損耗；由于電介質(zhì)不是理想的絕緣體，不可避免地存在一些弱聯(lián)系的導(dǎo)電載流子，在外電場(chǎng)作用下定向漂移，從而形成小的傳導(dǎo)電流，這些傳導(dǎo)電流以熱的形式消耗掉，即為電導(dǎo)損耗；還有一類(lèi)和介質(zhì)內(nèi)部結(jié)構(gòu)的緊密程度密切相關(guān)的介質(zhì)損耗稱(chēng)為結(jié)構(gòu)損耗。

3.3 ε、tanδ和頻率的關(guān)系

介質(zhì)在交變電場(chǎng)中通常發(fā)生弛豫現(xiàn)象，介質(zhì)放在外電場(chǎng)的作用之中，從開(kāi)始的瞬間到極化穩(wěn)定狀態(tài)的建立需要一定的時(shí)間，這個(gè)時(shí)間稱(chēng)為極化的弛豫時(shí)間，位移極化為10-15～10-12秒，而轉(zhuǎn)向極化為10-5～10^-3秒。

介電常數(shù)ε以及損耗角正切tanδ和入射微波的頻率是有關(guān)系的，它們隨頻率的變化關(guān)系總趨勢(shì)是：頻率升高時(shí)，ε降低，損耗角正切值tanδ隨著頻率的升高呈波動(dòng)式變化，tanδ值最大點(diǎn)與ε值下降的區(qū)域相對(duì)應(yīng)。具體來(lái)說(shuō)：當(dāng)入射波頻率很低時(shí)，ω→0，介質(zhì)的各種極化都能跟上外加電場(chǎng)的變化，此時(shí)不存在極化損耗，介電常數(shù)達(dá)最大值，介電損耗主要由漏導(dǎo)引起；當(dāng)外加電場(chǎng)頻率逐漸升高時(shí)，轉(zhuǎn)向極化在某一頻率開(kāi)始跟不上外加電場(chǎng)的變化，轉(zhuǎn)向極化對(duì)介電常數(shù)的貢獻(xiàn)逐漸減小，因而ε隨ω升高而減小。在這一頻率范圍內(nèi)，tanδ隨著ω的升高而增大，當(dāng)頻率很高時(shí)，ε→ε∞，介電常數(shù)僅由位移極化決定。此時(shí)，tanδ隨著ω的升高而減小。

3.4 ε、tanδ和溫度的關(guān)系

溫度對(duì)松馳極化產(chǎn)生影響，因而ε和tanδ在不同的溫度下也是不同的。一般來(lái)說(shuō)：當(dāng)溫度很低時(shí)，弛豫時(shí)間Τ較大，ωΤ＞＞1，分子熱運(yùn)動(dòng)很弱，ε主要由快極化提供，在一段溫度變化范圍內(nèi)變化不大；隨著溫度Τ的升高，分子的熱運(yùn)動(dòng)加強(qiáng)，削弱了物質(zhì)的結(jié)構(gòu)力。所以，在外電場(chǎng)的作用下，介質(zhì)比較容易被極化，ε呈指數(shù)式規(guī)律上升，且熱運(yùn)動(dòng)越強(qiáng)，對(duì)極化越有利。在此溫度范圍內(nèi)，Τ減小，tanδ也減小；但當(dāng)溫度升高到一定數(shù)值時(shí)，再繼續(xù)升溫，ε值反而有下降的趨勢(shì)。這是因?yàn)椋藭r(shí)的熱運(yùn)動(dòng)占據(jù)了主導(dǎo)地位，反而削弱了外電場(chǎng)的作用，定向極化發(fā)生困難，因此ε值急劇下降。但由于此時(shí)電導(dǎo)損耗劇烈上升，tanδ也隨溫度上升，并呈指數(shù)規(guī)律急劇上升。故對(duì)一定物質(zhì)來(lái)說(shuō)，有一個(gè)ε(Τ)最大的區(qū)域。

4二氧化硅體系透波材料的研究現(xiàn)狀

二氧化硅體系透波材料主要包括石英玻璃、石英陶瓷材料與硅質(zhì)纖維織物增強(qiáng)二氧化硅基復(fù)合材料。

4.1 國(guó)外研究現(xiàn)狀

熔融石英陶瓷是美國(guó)Georgia理工學(xué)院在20世紀(jì)60年代研制出的一種材料。它是以石英玻璃碎料為原料，按陶瓷工藝生產(chǎn)的一種非晶態(tài)產(chǎn)品。它既保留了石英玻璃的諸多優(yōu)點(diǎn)，又因?yàn)榭刹捎锰沾傻囊幌盗猩a(chǎn)工藝，所以可制成各種復(fù)雜的外形，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用在玻璃、冶金、航空航天等領(lǐng)域。熔融石英陶瓷是高速高空導(dǎo)彈天線罩的一種優(yōu)良材料。國(guó)外不同型號(hào)、不同空域的導(dǎo)彈，如美國(guó)的“愛(ài)國(guó)者”、“潘興”Ⅱ號(hào)及意大利的“Aspide”導(dǎo)彈、美國(guó)陸軍“Sam-D”導(dǎo)彈的天線罩均使用熔融石英陶瓷[9]。這種材料與其它天線罩材料相比有下列優(yōu)點(diǎn)：(1)極小的線膨脹系數(shù)（約0.5×10-6K-1），較好的抗熱沖擊性能；(2)低的介電常數(shù)（3.0～3.5）和損耗角正切（小于0.0004），且隨溫度變化小；(3)導(dǎo)熱系數(shù)小，熱防護(hù)能力好；(4)強(qiáng)度隨溫度的升高而升高；(5)制造工藝相對(duì)來(lái)說(shuō)較簡(jiǎn)單，成本較低。熔融石英陶瓷導(dǎo)彈天線罩的缺點(diǎn)是力學(xué)性能不佳，強(qiáng)度較低（45～70MPa），斷裂韌性較低（約1MPa·m^1/2），抗雨蝕性較差，易吸潮，不適合用在馬赫數(shù)在5以上的導(dǎo)彈上。

為保持石英陶瓷材料的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)克服其力學(xué)和抗侵蝕性能低等缺點(diǎn)，在70～80年代，以中遠(yuǎn)程導(dǎo)彈天線窗為應(yīng)用背景，美國(guó)General Electric和Philco-Ford分別研制了不同結(jié)構(gòu)的三維多向石英或氮化硼織物增強(qiáng)二氧化硅基復(fù)合材料，該材料一方面具有石英陶瓷優(yōu)異的電性能，同時(shí)又具有明顯好于石英陶瓷的力學(xué)性能、抗熱沖擊性能和抗雨蝕性能。由于受編織技術(shù)的限制，當(dāng)時(shí)難以獲得大尺寸整體織物，故未能在大型天線罩上獲得應(yīng)用。

后來(lái)美國(guó)General Electric和Philco-Ford[10～11]又采用無(wú)機(jī)先驅(qū)體浸漬燒成工藝，即硅溶膠（SiO2先驅(qū)體） 浸漬石英織物技術(shù)并在一定溫度下進(jìn)行熱處理，研制出3D石英纖維增強(qiáng)二氧化硅復(fù)合材料，牌號(hào)為AS-3DX和Markite 3DQ，其中AS-3DX材料常溫時(shí)ε=2.88，tanδ=0.00612(5.841GHz)。石英纖維織物增強(qiáng)石英復(fù)合材料的表面熔融溫度，使其與石英玻璃接近(約1735℃)，是高溫狀態(tài)再入型透波材料的理想選擇之一[12]，已用于美國(guó)“三叉戟”潛地導(dǎo)彈。

在AS-3DX基礎(chǔ)上，美國(guó)Advanced Materials Development Laboratory（AMDL）研制出4D全向高純石英織物增強(qiáng)石英復(fù)合材料ADL-4D6，其工藝流程是[11]:Astro-quartz高純石英纖維織物(密度1.0g/cm3)經(jīng)510℃除膠，再用硅烷偶聯(lián)劑處理以提高材料強(qiáng)度和斷裂應(yīng)變；選用DuPont公司的低Na含量的As系列硅溶膠，經(jīng)穩(wěn)定化處理(pH=1)后浸漬石英織物，85℃烘干16h，再經(jīng)650℃熱處理4h，如此循環(huán)浸漬燒成6個(gè)周期以上，最后經(jīng)機(jī)械加工和表面致密化封孔處理，得到ADL-4D6天線罩材料，其密度為1.55g/cm3，彎曲強(qiáng)度35MPa，斷裂應(yīng)變1.0%，可視為“塑性”陶瓷，ε= 2.8～3.1，tanδ= 0.006(250MHz)。燒成后的二氧化硅基體為活性較高的多孔結(jié)構(gòu)，易吸附水蒸氣。利用鹵硅烷與基體表面的吸附水反應(yīng)生成硅氧烷涂層可以起到防潮作用，但要控制鹵硅烷加入量，以免高溫裂解后殘?zhí)加绊懡殡娦阅堋?/p>

1997年，在美國(guó)陸軍部資助下，又研制出無(wú)壓燒結(jié)的SiO2納米復(fù)合陶瓷天線罩，應(yīng)用于極超音速飛行器。該材料在25℃和1000℃下的介電常數(shù)和介電損耗分別為4.78、0.0014和5.00、 0.0025，介電常數(shù)變化不到4.7%，抗彎強(qiáng)度190MPa，為石英陶瓷(48MPa)的4倍，硬度10440MPa，為石英陶瓷(2120～5000MPa)的2～5倍，綜合性能顯著優(yōu)越于石英陶瓷[13]。

4.2 國(guó)內(nèi)研究現(xiàn)狀

國(guó)內(nèi)二氧化硅體系透波材料的研究進(jìn)展與軍事大國(guó)相比仍然存在較大差距。下表列出了國(guó)內(nèi)外復(fù)合材料天線罩性能水平的比較。中科院硅酸鹽研究所研制的3-3微晶玻璃是國(guó)內(nèi)第一種高溫天線罩材料，成功應(yīng)用于超音速中低空防空導(dǎo)彈天線罩上。該材料在組成上與9606微晶玻璃極為接近，性能上除介電損耗相對(duì)偏高外，其它性能與9606微晶玻璃非常相似。我國(guó)現(xiàn)行使用的天線罩主要是由石英玻璃制造的。石英玻璃由于具有良好的介電常數(shù)、突出的抗熱震性能和較低的密度而被用作導(dǎo)彈的整流罩。但其抗雨水沖刷能力差、吸水性強(qiáng)，這是由于材料不夠致密，存在一定的氣孔所致，且其機(jī)械性能較差(機(jī)械強(qiáng)度約為60MPa)，難以滿足飛行速度在5馬赫[7]以上的高速導(dǎo)彈的要求。姚俊杰等人[7～8]嘗試在SiO2中添加Si3N4顆粒，由于Si3N4和SiO2在熱膨脹系數(shù)上存在差異而形成的殘余應(yīng)力場(chǎng)以及高彈性模量，所以Si3N4顆粒的加入可使SiO2-Si3N4復(fù)合材料的力學(xué)性能比SiO2基體材料有很大的提高。但是復(fù)合材料的介電常數(shù)和介電損耗隨著Si3N4的增加而增加，破壞了SiO2基體材料的介電性能。

為發(fā)展5Ma以上的防空導(dǎo)彈，國(guó)內(nèi)采用石英陶瓷天線罩制造技術(shù)，研制出增強(qiáng)型石英陶瓷天線罩，目前已應(yīng)用于某型號(hào)高速防空導(dǎo)彈，在多次飛行試驗(yàn)中獲得成功。與俄羅斯同類(lèi)材料相比，國(guó)內(nèi)石英陶瓷的性能，特別是介電性能還有一定差距，目前正在進(jìn)一步改進(jìn)，以滿足更先進(jìn)型號(hào)的需求。為滿足中、遠(yuǎn)程地-地戰(zhàn)術(shù)和戰(zhàn)略導(dǎo)彈天線窗需求，國(guó)內(nèi)先后研制和發(fā)展了石英玻璃材料、高硅氧穿刺織物和正交三向石英織物增強(qiáng)二氧化硅基復(fù)合材料，這些材料己經(jīng)在多種型號(hào)上獲得應(yīng)用成功。為滿足精確制導(dǎo)中程導(dǎo)彈天線罩的需求，國(guó)內(nèi)以高硅穿刺和三向石英天線窗材料為基礎(chǔ)，已研究發(fā)展出整體石英織物增強(qiáng)二氧化硅基復(fù)合材料。

總之，在無(wú)機(jī)材料中，石英陶瓷材料以其優(yōu)良性能不但能適用于飛行速度3～5馬赫的導(dǎo)彈天線罩，還能滿足再入環(huán)境條件下的熱絕緣、抗熱沖擊特性要求以及雷達(dá)透明性要求。但對(duì)于中程導(dǎo)彈機(jī)動(dòng)飛行彈頭，由于其飛行馬赫數(shù)高，且加熱時(shí)間相對(duì)較長(zhǎng)(約1min)，采用單一的石英陶瓷材料，不能滿足熱應(yīng)力的承載要求。因此，從70 年代開(kāi)始，俄已在幾種中程精確制導(dǎo)導(dǎo)彈中淘汰石英陶瓷罩[14]，改用復(fù)合材料天線罩或復(fù)相陶瓷。一般來(lái)說(shuō)，高馬赫數(shù)短時(shí)間飛行可采用硅質(zhì)纖維增強(qiáng)二氧化硅基復(fù)合材料、含除碳劑的硅樹(shù)脂基復(fù)合材料或復(fù)相陶瓷，中低馬赫數(shù)長(zhǎng)時(shí)間飛行的必須選用不碳化的陶瓷基復(fù)合材料，如織物增強(qiáng)磷酸鹽和二氧化硅基體等。經(jīng)纖維增強(qiáng)后的石英陶瓷材料天線罩在電性能方面不會(huì)受到影響，材料的介電性能穩(wěn)定，且強(qiáng)度比原來(lái)提高14%左右。除采用纖維增強(qiáng)石英陶瓷外，還可采用退火、制造表面壓應(yīng)力層、彌散顆粒增強(qiáng)等方法來(lái)提高石英陶瓷天線罩的強(qiáng)度。目前，可采用化學(xué)氣相沉積法在石英陶瓷材料表面涂覆石英玻璃層來(lái)作為表面壓應(yīng)力層[9]。

5展 望

二氧化硅體系透波材料具有小的介電常數(shù)，極小的線膨脹系數(shù)，較好的抗熱沖擊性能和很好的熱防護(hù)能力等優(yōu)點(diǎn)，但其力學(xué)性能不佳、強(qiáng)度較低（45～70MPa）、斷裂韌性較低（約1MPa·m1/2）、抗雨蝕性較差、易吸潮等缺點(diǎn)限制了它的應(yīng)用，尤其是在要求高可靠性的導(dǎo)彈武器系統(tǒng)中。如何提高它的韌性一直是各國(guó)研究的核心課題之一。就目前研究進(jìn)展來(lái)看，連續(xù)纖維增韌效果最好，它可以同時(shí)提高材料強(qiáng)度和抗熱震性能，但是長(zhǎng)纖維在基體中的均勻分布和界面結(jié)合的問(wèn)題還沒(méi)有得到很好的解決。穩(wěn)定的高頻介電性能、良好的熱性能、良好的力學(xué)性能和耐環(huán)境性能是新型高性能透波材料的研究重點(diǎn)和發(fā)展方向。

二氧化硅體系透波材料的發(fā)展首先緣于其軍用目的，但隨著科技的發(fā)展和人民生活水平的提高，其應(yīng)用將進(jìn)一步拓寬，會(huì)由軍用轉(zhuǎn)向民用，如一些天文望遠(yuǎn)鏡的保護(hù)罩，一些診療儀器的透波窗[15]，以及用于通訊系統(tǒng)、彩電中心、微波塔樓、微波中繼站等科技和民用設(shè)施[16]。

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16 杜耀惟.天線罩電信設(shè)計(jì)方法[M].國(guó)防工業(yè)出版社，1993

Microwave-transparent Mechanism and Recent Achievements of Microwave-transparent Materials by SiO2 System

Hao Hongshun1 Fu Peng2 Gong Li1 Wang Shuhai1

(1 Dept.of Materials Science and EngineeringShandong University of TechnologyZibo Shandong 255049

2 Dept.of Materials Science and EngineeringLiaocheng University LiaochengShandong 252059)

Abstract: The elemental requirements for microwave-transparent materials by SiO2 system were reviewed and the mechanism of SiO2 system microwave-transparent materials was analyzed， and the recent achievements in the research of microwave-transparent materials by SiO2 system were discussed in this paper.

Keywords: microwave-transparent materials，microwave-transparent mechanism，radome，SiO2 system