劉飛飛,史 磊,孫一航
(中國電子科技集團公司第十三研究所,河北石家莊 050051)
隨著電子技術和半導體工藝的持續(xù)發(fā)展,現代無線電系統(tǒng)對接收鏈路的線性度要求不斷提高,而ADC前級限幅保護電路的高線性度與低泄露功率之間的矛盾凸顯出來。在ADC 的保護方面,傳統(tǒng)的自動增益控制(AGC)電路和限幅器存在著一些限制,存在起限功率較低、漏功率較高、以及線性度不足等缺點[1]。
GaN 材料因其禁帶寬度大、反向擊穿電壓高和散熱性能優(yōu)越而被選用,確保了高線性限幅器的高耐功率和高可靠性。為了克服傳統(tǒng)AGC 電路和限幅器之間的矛盾,本文提出了一種基于氮化鎵(GaN)PIN 二極管的高線性限幅器,該限幅器采用薄膜混合集成工藝,在5mm×5mm×2.5mm 的一體化陶瓷表貼封裝內實現了100MHz~1000MHz 的工作帶寬、40dBm 耐功率與26dBm 的輸入P-1dB 指標,體積小巧,性能優(yōu)異。該限幅器非常適合用于在復雜的電磁環(huán)境中ADC 芯片的功率防護。
在射頻信號輸入功率較小時,PIN 二極管的I 層(本征層)表現出較高的電阻,射頻信號正常通過限幅電路。當輸入功率增加到一定程度時,二極管內的載流子數量增多,此時二極管開始導通,限幅電路隔離度變大。當輸入功率達到一定水平后,導通后的電阻值會保持在較低的水平,即使輸入功率繼續(xù)增加,限幅電路的隔離度也不會改變。圖1 為限幅器輸入輸出功率曲線。
圖1 限幅器輸入輸出功率曲線
圖2 為PIN 二極管芯片剖面及其射頻等效電路。在限幅器電路中,PIN 二極管可以使用電荷控制理論和射頻電導率調制效應來建模。在正向偏置狀態(tài)下的PIN二極管可以有效地表示為一個電流控制的可變電阻[1]。通過電阻的變化,可以實現對信號幅度的限制,即限幅功能。
圖2 PIN 二極管剖面及其射頻等效電路
限幅器線性度通??梢杂?dB 功率壓縮點表征,即隔離度達到1dB 的狀態(tài)。限幅器電路通常由PIN 二極管并聯到地構成,此時限幅器隔離度由式(1)決定。
式中:Z0——特性阻抗;Ri——二極管正向導通電阻。隔離度為1dB 時的正向導通電阻約為205Ω。
參考文獻[2]中詳細介紹了PIN 二極管正向導通時串聯電阻Ri 的計算方法,當限幅器施加交流信號時,PIN 二極管的正向導通電阻由式(2)決定,載流子擴散系數計算如式(3)所示。
式中:W——PIN 二極管I 層厚度;f——功率信號頻率;q——電子電荷量,等于1.602×10-19C;Dap——載流子擴散系數;k——玻爾茲曼常數;T——絕對溫度;Irf——正向偏置電流;μ——載流子遷移率。
圖3 為PIN 二極管剖面圖及其射頻等效電路,根據圖3 電路結構分析,當線性度指標為給定值時,即此時的輸入功率已明確,那么流經串聯電阻的電流Irf為恒定值。根據式(2)和式(3),只有調整I 層厚度W 或者電子遷移率,才能得到合適的導通電阻。
圖3 限幅器等效電路圖
由于數模轉換器(ADC)的輸入電壓有上限且對信號的線性度有較高要求,本文的目標是設計一款高線性限幅器。期望該限幅器的輸入P-1達到26dBm,同時將漏功率控制在30dBm 以下。
這種限幅器很難通過單級實現,需增加限幅器級數,并將級間間隔控制到λ/4 電長度來降低漏功率。線性限幅器工作原理如圖4 所示,頻率高時使用微帶線調整級間電長度,頻率低時可以采用集總元件移相[3]。
圖4 線性限幅器工作原理
由集總元件電感電容組成的移向網絡中,電容量和電感量用式(4)和式(5)得出[4]。
式中:ω——角頻率;Z0——特性阻抗。
增加PIN 二極管的I 層厚度,可以增加限幅器的串聯電阻,提高線性度。但同時會降低其響應速度并提高漏功率的尖峰泄露。另一方面過厚的I 層厚度會增加PIN 二極管的導通電阻,使限幅器的耗散功率變大[5]。
本設計采用GaN 工藝設計制造PIN 二極管。GaN材料具有較低的電子遷移率,其制成的PIN 二極管在流經相同電流時,具有更大的導通電阻。此種方法可以提高線性度,滿足P-1要求。表1 為常見的PIN 二極管材料的特性對比。
表1 常見的PIN 二極管材料的特性對比
在本論文中,采用了雙級限幅結構,并在兩級之間插入T 型移相網絡。為了平衡產品的高頻與低頻性能,并考慮整體帶寬,選擇了1000MHz 作為移相網絡的中心頻率。
由式(4)和式(5)計算得:
使用電磁仿真軟件對電路進行仿真,其中PIN 二極管模型使用A.G.M.Strollo 提出的模型[6],并將I 層厚度、器件參數等帶入模型。移相網絡中電感模型選擇貴州順絡迅達QEC0402 系列8nH,電容采用MIS3.2pF 電容,設置1000MHzQ 值為50。線性限幅器仿真電路如圖5 所示。
圖5 線性限幅器仿真電路
限幅電路小信號及大信號特征仿真結果如圖6所示。
圖6 小信號及大信號特性仿真結果
本文設計的高線性限幅器采用混合集成電路工藝制作,為保證其高可靠性,采用一體化陶瓷管殼進行電路封裝,最終實物如圖7 所示,產品尺寸僅為5mm×5mm×2.5mm。小信號及大信號特性實測結果如圖8 所示,其中大小信號采用矢量網絡分析儀測試,小信號測試時,輸入功率為-20dBm;大信號輸入1dB 功率測試時,輸入功率從15dBm 掃描至30dBm,間隔0.5dBm;大信號漏功率測試時,輸入功率為40dBm,掃頻間隔150MHz。
圖7 線性限幅器實物
圖8 小信號及大信號特性實測結果
由實測結果看出,輸出P-1>26dBm,漏功率<30dBm。
本文成功設計了一款基于氮化鎵(GaN)PIN 二極管和薄膜混合集成工藝的高線性限幅器,有效解決了傳統(tǒng)自動增益控制(AGC)電路和限幅器在大信號環(huán)境下的性能指標不足問題。經測試,該限幅器在100MHz至1000MHz 的寬頻帶內插入損耗小于0.6dB,輸入P-1dB大于26dBm,最大可以承受連續(xù)波功率10W。本研究實現了線性限幅器技術的重大突破,為現代無線電系統(tǒng)提供了一種高效、可靠的微波防護方案。