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        硅基低介質(zhì)損耗樹脂的合成及研究

        2024-04-27 11:03:26楊昊東唐安斌1
        絕緣材料 2024年4期
        關(guān)鍵詞:改性結(jié)構(gòu)

        楊昊東,周 友,唐安斌1,

        (1. 中國科學(xué)院成都有機(jī)化學(xué)研究所,四川 成都 610041;2. 中國科學(xué)院大學(xué),北京 100049;3. 四川東材科技集團(tuán)股份有限公司 國家絕緣材料工程技術(shù)研究中心,四川 綿陽 621000)

        0 引 言

        5G 時代需要更高速、更精準(zhǔn)的信息傳遞,使得人們對電子設(shè)備的要求越來越高,對設(shè)備零部件的材料要求也越來越高[1]。在印制電路板(PCB)中,材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗越高,信號傳輸速率越慢,損耗越大,且頻率越高,介電性能對傳輸損耗的影響越明顯[2]。因此,5G 時代要求在高頻(10 GHz)下5G 通訊用覆銅板(CCL)的基體樹脂具有更低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗以及更高的耐熱性,并且在提高性能的同時,提高樹脂的工藝操作性和溶解性等。

        雙馬來酰亞胺(bismaleimide,BMI)樹脂是以馬來酰亞胺基團(tuán)為活性端基的雙官能團(tuán)聚合物,是從聚酰亞胺樹脂體系分離出來的一類樹脂[3]。BMI 樹脂具有良好的熱穩(wěn)定性、耐輻射性、抗腐蝕性和耐水性等,并且其成本相對較低、固化工藝簡單,是傳統(tǒng)的CCL 基體樹脂[4]。但是BMI 樹脂的介質(zhì)損耗較高,加工性能較差,需要對其進(jìn)行改性才能適應(yīng)新的應(yīng)用要求[5]。顧善群等[6]采用酯化反應(yīng)制備了含硼烯丙基化合物并用于BMI 樹脂改性,增強(qiáng)了BMI 樹脂的加工性能和韌性。REN Z D 等[7]通過化學(xué)反應(yīng)在BMI 主鏈上引入含磷化合物DOPO,制備了含磷BMI樹脂,改善了BMI樹脂的溶解性和加工性,大幅提升了BMI 樹脂的耐熱性。LI Z 等[8]合成了低聚倍半硅氧烷,然后用有機(jī)硅與BMI 樹脂進(jìn)行共聚,制備了新型含硅BMI 樹脂,其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度達(dá)到330℃,介電常數(shù)Dk為3.6,介質(zhì)損耗因數(shù)Df為0.007(1 GHz)。目前對于改性雙馬來酰亞胺的研究報道有很多,但這些研究多數(shù)是對改性BMI 樹脂的熱學(xué)性能、力學(xué)性能進(jìn)行研究,僅有部分對低頻條件下BMI樹脂的介電性能進(jìn)行探究。

        有機(jī)硅樹脂是一種以Si-O-Si 為主鏈結(jié)構(gòu),側(cè)鏈上連接甲基、苯基、乙烯基等有機(jī)基團(tuán)的有機(jī)無機(jī)雜化高分子材料[9]。Si-O 鍵的鍵長較長,具有較高的旋轉(zhuǎn)自由度,同時鍵能較高,而Si-C 鍵具有很高的熱穩(wěn)定性,且Si-O 鍵與Si-C 鍵極性較低,在耐高溫芳雜環(huán)樹脂主鏈上引入有機(jī)硅結(jié)構(gòu)不會或很少降低樹脂的耐高溫性能,因此有機(jī)硅可以作為改性材料[10]。QI H X等[11]將硅元素引入到聚酰亞胺中制備了聚酰亞胺硅氧烷薄膜,當(dāng)硅氧烷的摩爾分?jǐn)?shù)達(dá)到75%時,共聚物薄膜PI-75的介電常數(shù)低至2.48(1 MHz,25℃)。李倩等[12]將硅元素引入雙酚A 型二氰酸酯樹脂(BCE)中進(jìn)行改性,當(dāng)環(huán)氧基硅烷含量達(dá)到6%時,改性BCE樹脂的介電性能明顯提升,介質(zhì)損耗因數(shù)低至0.003 5(1 MHz)。

        為了改善BMI 樹脂的韌性、溶解性,提高BMI樹脂在高頻高速覆銅板領(lǐng)域的應(yīng)用性,本文采用硅氫加成的方法,設(shè)計并合成了一種有機(jī)硅改性雙馬來酰亞胺樹脂(Si-D936),利用有機(jī)硅改性雙馬來酰亞胺得到一種硅基低介質(zhì)損耗樹脂,并探究不同硅含量對改性樹脂加工性能、熱學(xué)性能、10 GHz 下介電性能的影響。

        1 試 驗

        1.1 主要原材料

        雙馬來酰亞胺(型號為D936),工業(yè)級,四川東材科技集團(tuán)股份有限公司;1,1,3,3-四甲基二氫二硅氧烷(HMM),純度為98%,阿拉丁生化科技股份有限公司;甲苯、異丙醇、無水乙醇、氯化鉍,均為分析純,成都市科隆化學(xué)品有限公司。

        1.2 樣品制備

        1.2.1 改性樹脂的合成

        稱量70 g D936、2.5 mL 氯化鉍丙酮溶液(質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%)、適量甲苯加入到帶有機(jī)械攪拌和溫控儀的四口瓶中,升溫至60~70℃攪拌保溫1 h。然后稱取7.0 g HMM(D936 與HMM 物質(zhì)的量之比約為3∶1),用恒壓滴液漏斗滴入到四口瓶中,升溫至100~110℃,反應(yīng)12 h。反應(yīng)結(jié)束后,減壓蒸餾除去大部分甲苯,然后將剩余溶液滴入到適量無水乙醇中進(jìn)行沉析,經(jīng)過濾、干燥,得到淡黃色固體產(chǎn)物,標(biāo)記為Si-D936-1。合成路線如圖1所示。

        圖1 有機(jī)硅改性雙馬來酰亞胺樹脂(Si-D936)的合成路線Fig.1 Synthetic route of silicone modified bismaleimide resin(Si-D936)

        將D936與HMM 的物質(zhì)的量之比分別調(diào)整為2∶1、 1.5∶1,按上述步驟進(jìn)行反應(yīng),合成不同硅含量的改性BMI 樹脂,分別標(biāo)記為Si-D936-2、Si-D936-3。

        1.2.2 結(jié)構(gòu)表征用樹脂的純化

        為了分析改性樹脂的結(jié)構(gòu),證實(shí)硅氧結(jié)構(gòu)引入到雙馬來酰亞胺樹脂(D936)中,將上述合成步驟得到的Si-D936-1 采用薄層色譜進(jìn)行分離純化,得到硅基-D936單體。

        1.2.3 樹脂的固化

        將D936、Si-D936-1、Si-D936-2、Si-D936-3 放置于金屬模具中,在真空熱壓機(jī)中壓制固化成型。壓合參數(shù):真空度為6.7~9.3 kPa,壓力為0.5~2.0 MPa,固化工藝為200℃/1 h+225℃/0.4 h+250℃/2.2 h。

        1.3 測試方法

        采用PE公司的RX-1型傅里葉紅外光譜儀進(jìn)行紅外光譜分析,選用KBr 壓片法進(jìn)行制樣;采用Tosoh 公司的HLC-8420GPC 型凝膠滲透色譜儀進(jìn)行分子量及分子量分布分析,以四氫呋喃(THF)為流動相;采用瑞士布魯克公司的Bruker Avance600型核磁共振譜儀進(jìn)行核磁共振氫譜分析,以氘代氯仿(CDCl3)為溶劑;采用甲苯、丁酮、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、THF 為溶劑,在25℃下進(jìn)行溶解度測試;采用美國TA 儀器公司的Q20 型差示掃描量熱儀進(jìn)行DSC 測試分析,氮?dú)夥諊?,速率分別為10、15、20℃/min;采用美國TA 儀器公司的Discovery 熱重分析儀器進(jìn)行TGA 測試分析,氮?dú)夥諊?,速率?0℃/min;采用深圳三思縱橫科技的UTM6104型電子萬能試驗機(jī),按照GB/T 1303.2—2019 以5 mm/min的速度測試?yán)鞆?qiáng)度,按照GB/T 9341—2008 測試彎曲強(qiáng)度;采用吳忠材料試驗機(jī)廠的XJ-300A 型沖擊試驗機(jī),按照GB/T 1303.2—2019 測試沖擊強(qiáng)度;采用質(zhì)量法進(jìn)行吸水率測試,沸水浸泡1 h;采用是德科技(中國)有限公司的P937XA USB矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測試介電常數(shù)和介質(zhì)損耗(10 GHz)。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 結(jié)構(gòu)表征

        2.1.1 紅外光譜分析

        D936 和硅基-D936 單體的紅外光譜如圖2 所示。從圖2 可以看出,D936 在3 000 cm-1處為碳碳雙鍵中碳?xì)滏I(C=C-H)的伸縮振動峰以及芳環(huán)上C-H鍵的伸縮振動峰,在1 715 cm-1處為羰基(C=O)的伸縮振動峰,在1 605 cm-1處為苯環(huán)骨架振動峰。硅基-D936單體在1 046 cm-1處出現(xiàn)了Si-O-Si的特征吸收峰,在3 500 cm-1處出現(xiàn)了1 個寬峰,可能是硅基-D936單體中引入的硅氧結(jié)構(gòu)中的氧與苯環(huán)上的氫形成的氫鍵伸縮振動峰[13],表明1,1,3,3-四甲基二氫二硅氧烷(HMM)中的Si-O-Si 結(jié)構(gòu)通過硅氫加成的方式,引入到D936 中,得到含有Si-O-Si 結(jié)構(gòu)的Si-D936。

        圖2 D936與硅基-D936單體的紅外光譜圖Fig.2 Infrared spectra of D936 and the silicon-based D936 monomer

        2.1.2 凝膠滲透色譜分析

        D936 與硅基-D936 單體的凝膠滲透色譜(GPC)如圖3所示,得到凝膠滲透色譜數(shù)據(jù)如表1所示。從圖3 和表1 可以看出,D936 的GPC 曲線為單峰,餾出時間為24.4 min,分子量(Mn)約為439。硅基-D936 單體GPC 的餾出時間相比D936 提前,為22.5 min,分子量為1 011,表明D936 與HMM 發(fā)生硅氫加成反應(yīng)得到了硅基-D936單體結(jié)構(gòu)。

        表1 D936與硅基-D936單體凝膠滲透色譜數(shù)據(jù)Tab.1 The GPC data of D936 and the silicon-based D936 monomer

        圖3 D936與硅基-D936單體凝膠滲透色譜Fig.3 The GPC spectra of D936 and the silicon-based D936 monomer

        2.1.3 核磁共振分析

        為了進(jìn)一步確定D936 中是否引入了硅氧結(jié)構(gòu),對D936 與硅基-D936 單體進(jìn)行了1H-NMR 表征。圖4、圖5 分別為D936 和硅基-D936 單體的核磁共振氫譜氫以及相應(yīng)的質(zhì)子峰的歸屬。比較圖4和圖5 可以看出,在δ=7.13 處都存在與碳碳雙鍵相連的氫的質(zhì)子峰,而圖5 在δ=0.11 處出現(xiàn)了與Si 相連的甲基的質(zhì)子峰[14],在δ=2.88 處出現(xiàn)了次甲基的質(zhì)子峰,表明D936 與HMM 通過硅氫加成反應(yīng),將HMM 的硅氧結(jié)構(gòu)成功引入到Si-D936上,進(jìn)一步證明成功合成了硅基-D936單體。

        圖4 D936核磁共振氫譜Fig.4 1H-NMR spectrum of D936

        圖5 硅基-D936單體核磁共振氫譜Fig.5 1H-NMR spectrum of the silicon-based D936 monomer

        2.2 溶解性分析

        在BMI 樹脂的加工過程中,一般是將其溶解在溶劑中后再進(jìn)行處理,溶解度越大,其加工性能越好。為了比較D936 與Si-D936 的加工性能,通過表征D936與Si-D936的溶解性能進(jìn)行評判。表2給出了D936、Si-D936-1、Si-D936-2、Si-D936-3 在25℃下,分別在甲苯、丁酮、DMF、THF 4種溶劑中的質(zhì)量溶解度。從表2 可以看出,Si-D936 在丁酮、DMF、THF 溶劑中均比D936 具有更好的溶解性能。分析溶解度差異的原因為Si-D936 在結(jié)構(gòu)中引入了Si-O-Si 鏈段,導(dǎo)致分子結(jié)構(gòu)的對稱性下降,分子排列的無序度增加,分子的結(jié)晶性降低,溶解性能提高[15]。此外Si-D936 較D936 在甲苯中的溶解性降低,可能的原因是Si-D936 分子量比較大,超過了其他影響溶解性能的因素。對比Si-D936-1、Si-D936-2、Si-D936-3 可以看出,隨著Si 含量的增加,樹脂的分子量增大,溶解度有所下降。

        表2 D936與Si-D936在溶劑中的溶解度Tab.2 Solubility of D936 and Si-D936 in solvent %

        2.3 固化動力學(xué)研究

        為了探究D936 與Si-D936 的固化條件,在Si-D936 中選取Si-D936-2 為代表,對D936 和Si-D936-2 進(jìn)行非等溫差示掃描量熱法測試,得到DSC 曲線如圖6和圖7所示。

        圖6 D936在不同升溫速率下的DSC曲線Fig.6 DSC curves of D936 at different heating rates

        圖7 Si-D936-2在不同升溫速率下的DSC曲線Fig.7 DSC curves of Si-D936-2 at different heating rates

        由圖6~7 可知,D936 和Si-D936-2 在受熱過程中先后出現(xiàn)吸熱峰和放熱峰,表明樹脂受熱時先吸熱熔融,然后進(jìn)行雙鍵固化交聯(lián)反應(yīng)。D936的吸熱峰為尖銳單峰,這是因為D936 為純度較高的單體,熔點(diǎn)溫度約為167℃,而Si-D936-2 為D936 和有機(jī)硅改性D936 的混合物,所以Si-D936-2 的放熱峰為寬峰。把放熱峰起始固化溫度記為Ti,峰值溫度記為Tp,終點(diǎn)溫度記為Tf。隨著升溫速率(β)的增大,Ti、Tp、Tf均向高溫方向移動,這是由于測試溫度升高過快,樹脂的固化反應(yīng)沒有充分進(jìn)行,導(dǎo)致固化反應(yīng)的放熱峰向高溫方向移動,與此同時單位時間內(nèi)產(chǎn)生的熱量較多,放熱峰面積增大,固化時間縮短[16]。記錄Ti、Tp、Tf數(shù)據(jù),并計算得到特征參數(shù)lnβ、ln(β/)、1 000/Tp,結(jié)果如表3~4所示。

        表3 D936在不同升溫速率下的DSC數(shù)據(jù)Tab.3 DSC data of D936 at different heating rates

        表4 Si-D936-2在不同升溫速率下的 DSC數(shù)據(jù)Tab.4 DSC data of Si-D936-2 at different heating rates

        為了揭示D936 與Si-D936-2 的固化反應(yīng)動力學(xué),使用表3~4 數(shù)據(jù),采用Kissinger[17]法進(jìn)行分析計算表觀活化能Εa、表觀指前因子Α,采用Crane[18]方程計算反應(yīng)級數(shù)n。

        計算得到D936 的Εa為33.30 kJ/mol,表觀指前因子Α為2.590×102,反應(yīng)級數(shù)n為0.866,得出D936的固化反應(yīng)動力學(xué)方程如式(1)所示。計算得到Si-D936-2 的Εa為27.93 kJ/mol,表觀指前因子Α為79.722,反應(yīng)級數(shù)n為0.873,得出Si-D936-2 的固化反應(yīng)動力學(xué)方程式如式(2)所示。

        式(1)~(2)中:a為固化反應(yīng)程度;T為溫度;t為時間;R為氣體常數(shù)。

        由以上DSC 數(shù)據(jù)分析可知,Si-D936-2 的表觀活化能較D936 的表觀活化能小,表明經(jīng)過改性后的樹脂固化反應(yīng)難度降低。Si-D936-2和D936反應(yīng)級數(shù)相近,表明改性前后樹脂的固化歷程無明顯變化。

        2.4 熱性能分析

        為了分析有機(jī)硅結(jié)構(gòu)的引入對材料耐熱性的影響,將D936、Si-D936-1、Si-D936-2、Si-D936-3 固體粉末放置于金屬模具中,在真空熱壓機(jī)中經(jīng)過200℃/1 h+225℃/0.4 h+250℃/2.2 h 壓制固化成型,制成固化樹脂片。樹脂在固化過程中,碳碳雙鍵受熱進(jìn)行加成反應(yīng),形成交聯(lián)固化網(wǎng)絡(luò)。對樹脂固化物進(jìn)行TGA 測試,結(jié)果如圖8 和表5 所示。從圖8和表5 可以看出,D936 和Si-D936 樹脂固化物均具有良好的耐熱性,在D936 中引入有機(jī)硅結(jié)構(gòu)后,樹脂固化物的5%熱失重溫度(Td5%)和殘?zhí)悸氏陆怠_@是因為HMM 的側(cè)鏈含有容易脫落的甲基結(jié)構(gòu),與D936 反應(yīng)后,Si-D936 中的甲基含量增加;同時因硅基-D936 單體分子量增加,樹脂固化物交聯(lián)密度下降,從而導(dǎo)致耐熱性能下降。樹脂固化物殘?zhí)悸氏陆狄才cSi-D936 改性樹脂中的甲基含量增加有關(guān)[19]。

        表5 D936與Si-D936固化物的TGA數(shù)據(jù)Tab.5 TGA data of D936 and Si-D936 cured resin

        圖8 D936和Si-D936固化物的TGA曲線Fig.8 TGA curves of D936 and Si-D936 cured resin

        2.5 力學(xué)性能分析

        為了分析有機(jī)硅結(jié)構(gòu)的引入對材料力學(xué)性能的影響,分別對D936、Si-D936固化物進(jìn)行力學(xué)性能測試,結(jié)果如表6所示。

        表6 D936與Si-D936固化物的力學(xué)性能數(shù)據(jù)Tab.6 The mechanical properties data of D936 and Si-D936 cured resin

        從表6 可以看出,D936 固化物的沖擊強(qiáng)度為2.0 kJ/m2,彎曲強(qiáng)度為35.2 MPa,拉伸強(qiáng)度為17.5 MPa,引入硅氧結(jié)構(gòu)后,Si-D936-1 固化物的沖擊強(qiáng)度提升了35%,彎曲強(qiáng)度提升了8.8%,拉伸強(qiáng)度提升了24.6%。在D936 結(jié)構(gòu)中引入少量的有機(jī)硅結(jié)構(gòu),對樹脂的沖擊強(qiáng)度、彎曲強(qiáng)度、拉伸強(qiáng)度均有一定的提升效果,表明硅氧結(jié)構(gòu)可以改善D936 樹脂的脆性,提高力學(xué)性能。這是因為Si-O鍵相比C-O鍵、C-C 鍵等更具柔順性[20]。隨著Si 含量的增加,Si-D936 固化物的沖擊強(qiáng)度、彎曲強(qiáng)度、拉伸強(qiáng)度有所下降,這是因為引入硅氧結(jié)構(gòu)使得分子鏈鏈長增加,降低了樹脂的交聯(lián)程度,使其力學(xué)性能下降。

        2.6 吸水率分析

        為了表征有機(jī)硅結(jié)構(gòu)的引入對材料吸水性能的影響,分別對D936、Si-D936固化物進(jìn)行飽和吸收水率測試,將D936、Si-D936固化物放入沸水中浸泡1 h 并稱量其質(zhì)量,計算得到其飽和吸水率,結(jié)果如表7 所示。從表7 可以看出,引入有機(jī)硅結(jié)構(gòu)后,Si-D936 固化物的吸水率有所降低,且Si 含量越高,吸水率越低。這是因為硅氧結(jié)構(gòu)及其甲基側(cè)鏈具有很好的疏水性,同時改性樹脂親水結(jié)構(gòu)酰胺的比例下降,造成固化樹脂的吸水率下降[21]。

        表7 D936與Si-D936固化物的飽和吸水率數(shù)據(jù)Tab.7 Water absorption data of D936 and Si-D936 cured resin

        2.7 介電性能分析

        為了表征有機(jī)硅的引入對材料介電性能的影響,分別對D936、Si-D936 固化物在溫度為24~26℃、濕度為35%~50%環(huán)境下進(jìn)行介電測試(10 GHz),介電常數(shù)與介質(zhì)損耗因數(shù)結(jié)果如圖9 和表8所示。

        表8 D936與Si-D936固化物的介電性能數(shù)據(jù)Tab.8 Dielectric properties data of D936 and Si-D936 cured resin

        圖9 D936與Si-D936固化物的介電性能Fig.9 Dielectric properties of D936 and Si-D936 cured resin

        從圖9和表8可以看出,4種固化物的Dk與Df隨著時間的延長先緩慢增加后逐漸趨于平穩(wěn),4 種固化物的介質(zhì)損耗因數(shù)隨硅含量的增加而減小。這是因為樹脂固化成型后,隨著時間的延長,會逐漸吸收空氣中的水分,造成樹脂的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗因數(shù)增大;而Si-O 鍵與Si-C 鍵的極性較低,引入有機(jī)硅結(jié)構(gòu)后會降低分子極化率,減少樹脂的極化損耗,從而改善樹脂的介電性能,降低了固化樹脂的介質(zhì)損耗因數(shù)[22]。

        3 結(jié) 論

        (1)通過紅外光譜、凝膠滲透色譜與核磁共振氫譜分析證實(shí)了HMM 的硅氧結(jié)構(gòu)被引入到樹脂中,成功合成了硅基-D936單體。

        (2)溶解度分析表明,采用HMM 改性D936 樹脂可改善其溶解性,提高其加工性能,其中Si-D936-1(D936 與HMM 物質(zhì)的量之比為3∶1)室溫下在丁酮溶液中的溶解度可達(dá)到30%。但添加過量的HMM,樹脂的溶解性反而有所下降。

        (3)熱學(xué)分析表明,采用HMM 改性D936 樹脂后,樹脂固化物體系仍具有良好的耐熱性,但隨著Si 含量的增加,改性樹脂的5%熱失重溫度和殘?zhí)悸手饾u下降。

        (4)力學(xué)性能分析表明,采用HMM 改性D936樹脂可以改善其韌性,與D936相比,Si-D936-1的沖擊強(qiáng)度提升了35%,彎曲強(qiáng)度提升了8.8%,拉伸強(qiáng)度提升了24.6%。但添加過量的HMM,力學(xué)性能反而有所下降。

        (5)介電性能分析表明,采用HMM 改性D936樹脂能降低樹脂的介質(zhì)損耗,隨著Si 含量的增加,樹脂的介質(zhì)損耗因數(shù)逐漸下降,最低能達(dá)到0.007 2(10 GHz)。

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