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        MoS2 對樹脂基器件耐磨層改性的研究

        2024-03-06 10:06:50王云飛孟銀娜高志廷
        材料保護(hù) 2024年2期
        關(guān)鍵詞:靶材磁控濺射功率密度

        王云飛, 孟銀娜, 高志廷

        (1.河南機電職業(yè)學(xué)院智能工程學(xué)院, 河南 鄭州 451191;2.洛陽鷹揚機電科技有限公司, 河南 洛陽 457000)

        0 前 言

        酚醛樹脂被廣泛應(yīng)用于家用電器、打印材料,能代替部分金屬。 但是樹脂的耐熱性和耐磨性差,在多次摩擦磨損的工況條件下會產(chǎn)生熱量,使長分子鏈C-C、C-H 鍵斷裂,分解成CO、H2等,加速器件老化。 例如打印機機頭樹脂材料在頻繁打印的高速摩擦下,壽命極短。 而廢棄的樹脂基器件在大氣中不易分解,造成不容忽視的環(huán)保壓力。

        對材料結(jié)構(gòu)進(jìn)行改性能提高酚醛樹脂的耐磨性能。 有機硅能改善酚醛樹脂的熱穩(wěn)定性、韌性、抗酸、抗堿和抗鹽性能[1]。 隨固化溫度的升高,納米氧化鋁改性的酚醛樹脂增強紙基摩擦材料的耐熱性能提高[2]。

        在酚醛樹脂基器件表面鍍膜可使其改性。 Ti 元素可以活化樹脂表面,DLC(Diamond Like Carbon)是一種非晶態(tài)薄膜,具有高硬度和高彈性模量。 采用中頻磁控濺射方式制備的Ti-DLC 混合膜層在樹脂表面改性方面有一定的應(yīng)用前景[3]。 MoS2屬于六方晶系,結(jié)構(gòu)與石墨相似,層內(nèi)的Mo-S 化合鍵的鍵能很大,不易被破壞,MoS2的層間作用力是分子之間的范德華力,層內(nèi)作用力是原子之間的范德華力,MoS2具有良好的各向異性與較低的摩擦系數(shù)[4,5]。 同時,S 與樹脂中的C 原子有一定的親和性,使MoS2能很好地附著在樹脂材料表面,始終發(fā)揮潤滑功能[6,7]。

        為進(jìn)一步提高樹脂基器件表面的摩擦磨損性能,本工作在樹脂基器件表面覆蓋上Ti-DLC-MoS2復(fù)合膜層,并采用多種規(guī)格靶材、靶間距離、腔體壓力、Ar 流量和功率密度濺射各膜層,通過摩擦磨損性能試驗,探索摩擦性能最好的工藝參數(shù)組合。

        1 試 驗

        1.1 鍍膜工藝

        樹脂基材為注塑成型的熱固性酚醛樹脂。 在鍍膜之前,必須清洗樹脂基材的表面。 如不清洗,基材表面的粉塵、油污等雜物會在后續(xù)磁控濺射過程的真空環(huán)境中分解、脫落,于是在膜層表面產(chǎn)生空穴的缺陷,影響鍍膜的沉積效果,從而降低結(jié)合力,對材料的耐磨性和使用壽命產(chǎn)生不利影響。

        分別制備無膜層樹脂材料、表面鍍Ti-DLC 混合膜層樹脂基材料和表面鍍Ti-DLC-MoS2復(fù)合膜層樹脂基材料。 清洗后的樹脂基材即為無膜層樹脂材料。 表面鍍Ti-DLC-MoS2復(fù)合膜層樹脂基材料的制備過程如下:在樹脂基體上覆蓋一層Ti 膜,再在Ti 膜上覆蓋一層DLC 膜(此時即得到表面鍍Ti-DLC 混合膜層樹脂基材料),再在DLC 膜上覆蓋一層MoS2膜。 制備工藝步驟如下:(1)超聲波清洗樹脂基體5 ~20 min;(2)在MSP-300B 型磁控濺射鍍膜機的腔體內(nèi)通入氬氣,流量為40~60 cm3/min,腔體內(nèi)氣壓調(diào)整為1.00 ~2.00 Pa,以直流偏壓模式清洗樣片基材,偏壓值為50 ~100 V,在腔體內(nèi)部偏壓清洗5 ~10 min;3)采用射頻磁控濺射鍍膜方式鍍Ti 膜,采用φ80 mm、厚度4.0 ~6.0 mm 的Ti 靶材,靶間距離為80 mm,腔體壓力2.00 ~4.00 Pa,Ar 流量60~80 cm3/min,Ti 靶材功率密度為0.20~0.50 W/cm2;(4)采用射頻磁控濺射鍍膜方式鍍DLC 膜,采用φ80 mm、厚度4.0~6.0 mm 的石墨靶材,靶間距離為80 mm,腔體壓力0.50 ~0.80 Pa,Ar 流量40 ~60 cm3/min,石墨靶材功率密度為3.00 ~5.00 W/cm2;(5)采用射頻磁控濺射鍍膜方式鍍MoS2膜,采用φ80 mm、厚度4.0~6.0 mm 的MoS2靶材,靶間距離為80 mm,腔體壓力2.00 ~5.00 Pa,Ar 流量10 ~100 cm3/min,MoS2靶材功率密度為5.00~10.00 W/cm2。 采用了6 組工藝制備Ti-DLC-MoS2復(fù)合膜層樹脂基材料,具體工藝參數(shù)及成膜厚度如表1 所示。

        表1 不同工藝參數(shù)及成膜厚度Table 1 Various process parameters and thickness of film

        1.2 摩擦磨損性能測試

        摩擦磨損性能測試設(shè)備采用HRT-A02C 型往復(fù)式摩擦磨損試驗機。 將無膜層樹脂材料、表面鍍Ti-DLC混合膜層樹脂基材料和表面鍍Ti-DLC-MoS2復(fù)合膜層樹脂基材料切割成36 mm×10 mm×3 mm 的試樣,分別與直徑6.35 mm 的Q235 鋼球進(jìn)行摩擦磨損性能測試。測試參數(shù):往復(fù)頻率5 Hz,振幅5 mm,載荷2 N。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 6 種復(fù)合膜層的耐磨性

        不同參數(shù)條件下制備Ti-DLC-MoS2復(fù)合膜層樹脂基材料與鋼對磨的摩擦系數(shù)如圖1 所示。

        圖1 不同工藝復(fù)合膜層的摩擦系數(shù)Fig.1 Friction coefficient of composite coatings prepared by different processes

        6 種工藝條件下的平均摩擦系數(shù)為0.114。 其中,序號3 條件下制備的復(fù)合膜層的摩擦系數(shù)最低,為0.077 6,比次優(yōu)的序號2 條件下制備的復(fù)合膜層的摩擦系數(shù)0.096 0降低了19%,比各序號的平均值降低了32%。

        序號3 條件下制備的MoS2薄膜(002)面擇優(yōu)生長,序號2、3、5、6 和7 條件下制備的MoS2薄膜(100)面擇優(yōu)生長。 (002)面是垂直于c 軸的非極性面,分子層間靠范德華力結(jié)合,當(dāng)受到剪切力時易于滑動,所以摩擦系數(shù)小。 而(100)面是沿Mo-S 斷裂的極性面,一方面由于層內(nèi)S-Mo-S 鍵能較大,在摩擦磨損時層間滑移阻力較大,造成摩擦系數(shù)增大;另一方面,薄膜表面組織缺陷使磨損部位粗糙度增加,導(dǎo)致摩擦系數(shù)增大。此外,在此工藝下,整個膜層之間界面的綜合強韌性使得制得的復(fù)合膜層的摩擦系數(shù)最低。

        2.2 不同膜層的耐磨性

        觀察圖1 中的6 組摩擦系數(shù)可知,最接近6 組摩擦系數(shù)平均值的是序號2。 選擇表1 中序號2 對應(yīng)的工藝制備的3 種材料進(jìn)行不同膜層耐磨性的對比試驗。無膜層樹脂材料、表面鍍Ti-DLC 混合膜層樹脂基材料和表面鍍Ti-DLC-MoS2復(fù)合膜層樹脂基材料與鋼對磨的摩擦系數(shù)如圖2 所示。

        圖2 不同膜層的摩擦系數(shù)Fig.2 Friction coefficient of different coatings

        3 種不同膜層中,Ti-DLC-MoS2復(fù)合膜層樹脂基材料與鋼對磨的摩擦系數(shù)最小,比表面鍍Ti-DLC 混合膜層降低了30%,比無膜層的樹脂材料降低了54%。

        Ti-DLC-MoS2復(fù)合膜層樹脂基材料中,Ti 膜層介于樹脂基體與DLC 膜層之間,由于Ti 元素具有較高的活性,Ti 原子可與樹脂和DLC 膜中的C 原子形成中間化合物TiC,中間化合物提高了膜層的結(jié)合力[6]。 中間膜層為DLC 膜層,DLC 膜層具有硬度高、摩擦系數(shù)小、耐腐蝕性和熱穩(wěn)定性優(yōu)良的特點。 表層為MoS2膜層,MoS2屬于過渡金屬層狀二元化合物(MX2),具有良好的潤滑性能,其潤滑性降低了復(fù)合膜層的摩擦系數(shù)。

        3 結(jié) 論

        (1)與表面鍍Ti-DLC 混合膜層相比,Ti-DLCMoS2復(fù)合膜層的耐磨性提高了30%;與無膜層的樹脂材料相比,Ti-DLC-MoS2復(fù)合膜層的耐磨性提高了54%。

        (2)Ti-DLC-MoS2復(fù)合膜層的摩擦系數(shù)最低為0.077 6。 其制備工藝如下:鍍Ti 膜腔體壓力3.00 Pa,Ar 流量70.00 cm3/min,Ti 靶材功率密度0.30 W/cm2;鍍DLC 膜腔體壓力0.65 Pa,Ar 流量50 cm3/min,石墨靶材功率密度4.00 W/cm2;鍍MoS2腔體壓力3.00 Pa,Ar 流量46 cm3/min,MoS2功率密度7 W/cm2。

        (3)Ti-DLC-MoS2復(fù)合膜層能增強膜層的結(jié)合力、增大耐磨性、增強潤滑性,可大大提高樹脂基器件的使用壽命。

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