馬子婷， 張先哲， 戴鵬鵬， 沈麗娜

（新疆師范大學 物理與電子工程學院， 新疆發(fā)光礦物與光功能材料研究自治區(qū)重點實驗室， 新疆 烏魯木齊 830054）

1 引 言

近紅外光譜分析是一種高效、無損的分析技術，廣泛應用于夜視照明、植物生長和生物成像等領域。為了滿足實時監(jiān)測、快速分析和方便攜帶的應用需求，開發(fā)體積小、重量輕的智能近紅外光源成為當前的研究熱點[1-6]。然而，傳統(tǒng)的鹵鎢燈、紅外激光器和近紅外發(fā)光二極管（NIR LED）等NIR 光源存在體積大、發(fā)光效率低、壽命短、半高寬（FWHM）較窄等問題[7-9]，已不能滿足多樣化的應用需求。相比之下，由近紅外熒光粉與藍光LED 芯片構成的NIR pc-LED, 具有體積小、壽命長、光譜可調節(jié)、成本低等優(yōu)點，逐漸成為人們研究的焦點。近紅外熒光粉作為NIR pc-LED 器件的關鍵組成部分之一，直接決定了器件的發(fā)光效率、光譜等性能。一般來說，近紅外熒光粉發(fā)射譜帶越寬, 則從NIR pc-LED 所得到的光譜信息就越多[10-11]。然而，能夠有效被可見光，尤其是藍光激發(fā)的寬帶近紅外熒光粉的研究剛剛起步，種類匱乏。因此，探索寬帶發(fā)射且能被藍光有效激發(fā)的近紅外熒光粉是NIR pc-LED 應用發(fā)展的迫切需求。

常見的近紅外激活離子有稀土離子（Eu2+、Pr3+、Sm3+、Nd3+、Yb3+）和過渡金屬離子（Mn2+/4+、Ni2+、Cr3+）。稀土離子大多具有窄帶發(fā)射的特點，Eu2+雖能實現寬帶發(fā)射，但發(fā)光效率較低、波長較短，不能滿足生物檢測等方面的應用需求。過渡金屬離子Mn2+/4+發(fā)射波長短，Ni2+發(fā)光效率較低，而Cr3+因其高量子效率、超寬的發(fā)射帶 （600～1 300 nm）以及可被藍光LED 有效激發(fā)等優(yōu)異特性，在發(fā)光學術界和照明產業(yè)界受到廣泛關注[12]。多格位占據策略被認為是實現Cr3+激活寬帶近紅外發(fā)射熒光粉的有效方法之一。例如，Liu 等成功開發(fā)了一種具有雙發(fā)光中心的超寬帶 （FWHM 為330 nm）近紅外熒光粉La3Ga5GeO14∶Cr3+[13]。Sun 等利用三個Cr3+的光譜疊加設計了一種超寬帶（FWHM 為275 nm）近紅外熒光粉La3Ga5TiO14∶Cr3+[14]。Wang等利用四個Cr3+構建了一種新型寬帶（FWHM 為244 nm）近紅外熒光粉Mg3Ga2GeO8∶Cr3+[15]。然而，過多的Cr3+發(fā)光中心會引發(fā)不同的熱發(fā)射衰減行為以及有害的非輻射交叉弛豫，從而導致近紅外光譜的不穩(wěn)定性和不理想的發(fā)射位置[16-19]。相比之下，單格位Cr3+發(fā)光中心激活的近紅外熒光粉可以避免上述問題[19]。因此，通過單格位占據策略開發(fā)具有寬帶發(fā)射和光譜穩(wěn)定的近紅外熒光粉極具吸引力。

前期研究表明，焦磷酸鹽具有較低的合成溫度，容易制備，化學穩(wěn)定性好，常被作為基質材料[20-22]。單斜晶系焦磷酸鹽AMP2O7（A= Na, K,Rb；M= Ga, Sc, In）具有單一的[AO6]八面體單元，其中M3+離子被[P2O7]二聚體基團很好地隔離，這使得各八面體顯著分離，從而為Cr3+提供單一配位環(huán)境[23]。基于此，我們認為焦磷酸鹽家族中的KScP2O7（KSP）化合物是單格位占據寬帶近紅外熒光粉的合適基質候選者之一。本文通過高溫固相法制備了一種具有單一Cr3+發(fā)光中心的寬帶近紅外熒光粉KSc1-xP2O7∶xCr3+（x= 0.01～0.09）；然后對其晶體結構、發(fā)光性能、熱穩(wěn)定性進行研究和分析，并對可能的熱猝滅機理進行探討；最后制備了相應的NIR pc-LED 器件，證實其在夜視、生物醫(yī)學成像以及食品檢測領域的應用潛力。

2 實 驗

2.1 樣品制備

本文通過高溫固相法，以K2CO3（99.9%）、Sc2O3（99.9%）、NH4H2PO4（99.9%）、Cr2O3（99.9%）作為原材料合成KScP2O7∶Cr3+熒光粉。首先，按照KSP∶Cr3+的化學計量比稱取以上原料，并倒入經無水乙醇消毒過的瑪瑙研缽中。然后，用研缽棒攪拌25 min，確保各個原材料充分混合均勻后，將混合物倒入氧化鋁坩堝中。隨后放入馬弗爐中在 1 100 ℃下煅燒6 h，并冷卻樣品至室溫，以備后續(xù)表征測試。

2.2 樣品表征

使用日本島津XRD-700 型粉末衍射儀進行物相鑒定和結構分析。X 射線光源為單色器過濾的Cu-Kα1 射線（波長λ=0.154 06 nm），工作電壓為40 kV，工作電流為30 mA，掃描范圍15°～60°，掃描速度為5（°）/min。使用配有變溫附件（富士電氣PXF4）的英國愛丁堡穩(wěn)態(tài)/瞬態(tài)熒光光譜儀（FLS920）測量樣品的光致發(fā)射（PL）光譜、激發(fā)（PLE）光譜和變溫發(fā)光光譜（300 ～ 473 K），激發(fā)光源為450 W 氙燈 （UshioUXL-500D）。漫反射光譜由日本島津公司紫外-可見-近紅外分光光度計（Shimadzu, UV-3900 plus） 采集，其中以BaSO4為反射標準進行校準。使用愛丁堡FLS920 熒光溫度控制裝置（CS202-SE Cryo, Edinburgh, England）和加熱裝置（Fuji Electric, PXF4），在5～300 K 范圍內收集溫度相關的PL/PLE 光譜。內部量子產率（IQE）采用絕對量子產率測量系統(tǒng)（Quantaurus-QY Plus, C13534-12, Hamamatsu Photonics）進行測量。

2.3 NIR pc-LED 的封裝與測試

將型號分別為OE-6650A 和OE-6650B 兩種環(huán)氧樹脂（道康寧品牌）按照1∶2 的比例混合均勻，再將制備的近紅外熒光粉KSP∶0.03Cr3+與混合后的環(huán)氧樹脂充分攪拌混合均勻。將粉膠混合物涂覆在藍色LED 芯片（450 nm）上，并置于150 ℃的加熱臺上烘干，使粉膠混合物完全與芯片固化?？梢姽夂徒t外圖像分別由iphone12 手機和近紅外相機拍攝，近紅外相機的檢測范圍為700～1 100 nm（深圳中衛(wèi)奧科科技有限公司） 。除非另有說明，所有測試均在室溫下完成。

3 結果與討論

3.1 晶體結構與物相表征

圖1 （a）為KScP2O7的晶體結構圖。焦磷酸鹽KSP 基質屬于單斜晶系，空間群為P21/c。KScP2O7樣品的晶格常數為ɑ= 0.746 34 nm，b= 1.039 02 nm，c= 0.837 47 nm，α=γ= 90°，β= 106.49°，晶胞體積V= 0.622 71 nm3。在該晶體中，每個Sc3+與6 個氧原子配位形成[ScO6]八面體；每個P5+與4個O 原子配位形成[PO4]四面體。相鄰的兩個PO4通過一個O 原子連接形成[P2O7]單元，[P2O7]與[ScO6]連接構成該基質最基本的結構[ScP2O7]，K原子位于基本結構[ScP2O7]的軌道縫隙當中[24]?？紤]到Cr3+（r= 0.062 nm，配位數CN = 6）和Sc3+（r= 0.075 nm，配位數CN = 6）具有相同的價態(tài)且離子半徑非常接近，并且鑒于Cr3+最有可能占據六配位八面體格位，在KSP 晶體中恰好僅存在一個具有八面體配位的Sc3+晶體學格位[ScO6]，因此，我們推測Cr3+占據KSP 晶體中的[ScO6]八面體格位，并產生寬帶近紅外發(fā)射。通常情況下可以用相對離子半徑Δr來評估摻雜離子能否成功摻雜到基質中，可以用公式（1）計算：

圖1 （a）KScP2O7的晶體結構; KSP∶xCr3+（x = 0.01～0.09）樣品的XRD 圖譜（b）和放大的XRD 圖譜（c）;（d）隨著Cr3+濃度增加樣品晶格常數（ɑ、b、c）的變化。Fig.1 （a）Crystal structure of KScP2O7. XRD patterns（b） and magnified XRD patterns（c） of KSP∶xCr3+（x = 0.01-0.09） samples. （d）The calculated cell parameters（ɑ， b， c） as a function of Cr3+ concentration.

其中r1和r2 分別代表基質中被替換離子的半徑和摻雜離子的半徑。KSP∶Cr3+的Δr為17.4%，表明Cr3+可以占據Sc3+的格位。

圖1（b）為基質KSP 中摻雜不同Cr3+濃度時的XRD 圖譜，所有樣品的衍射峰與標準卡片匹配較好，表明我們合成了純相化合物。圖1（c）展示了KSP∶xCr3+（x= 0.01～0.09）樣品在29.5°～30°的放大XRD 圖譜，可以觀察到隨著Cr3+濃度的增加，衍射峰的位置逐漸向高角度方向移動，并伴隨著FWHM 展寬。這是由于半徑較小的Cr3+（r= 0.062 nm,CN = 6）占據了半徑較大的Sc3+（r= 0.075 nm,CN = 6）格位，導致晶胞收縮，該結果表明Cr3+成功地摻雜到KSP 基質中。此外，通過計算樣品的晶格常數（ɑ、b、c）值（圖1（d）），發(fā)現隨著Cr3+濃度增加，晶格常數（ɑ、b、c）呈單調遞減趨勢，這說明摻雜Cr3+導致晶胞收縮和輕微畸變，進一步證實了Cr3+成功地摻雜到基質中。

3.2 發(fā)光性能分析

KSP∶xCr3+（x= 0～0.09）的漫反射光譜如圖2（a）所示，當x= 0 時，可以看到KSP 基質在可見光區(qū)域沒有明顯的吸收。當Cr3+摻雜到基質中時，在315，471，688 nm 處明顯觀察到Cr3+的三個吸收帶，分別歸因于自旋允許的4A2→4T1（4P）、4A2→4T1（4F）和4A2→4T2（4F）躍遷[25]，同時也反映出KSP∶Cr3+熒光粉可以被藍光有效激發(fā)。使用Kubelka-Munk 方程[26]估算材料的光學帶隙（Eg） ：

圖2 （a）KSP∶xCr3+(x = 0.01～0.09) 樣品的漫反射光譜; （b）基質KSP 樣品（插圖）與KSP∶0.03Cr3+樣品的光學帶隙值。Fig.2 （a）Diffuse reflectance spectra of KSP∶xCr3+（x = 0.01-0.09） phosphors. （b）The optical band gap of KSP sample and KSP∶0.03Cr3+ sample.

其中，hν是光子能量，A和F（R）分別代表吸收常數和吸收系數，R代表反射率系數，Eg是所計算的光學帶隙。圖2（b）給出了KSP∶0.03Cr3+熒光粉及其基質KSP 的[F(R)hν]2與hν的關系圖，通過計算擬合得到該熒光粉基質的光學帶隙為5.48 eV，相對較寬的光學帶隙為Cr3+的引入提供了有利的環(huán)境。KSP∶0.03Cr3+的光學帶隙為4.78 eV, 較大的帶隙意味著較好的熱穩(wěn)定性。

圖3 （a）為KSP∶xCr3+（x= 0.01～0.09）系列熒光粉的濃度依賴PL 光譜。結果顯示該熒光粉在471 nm 激發(fā)下，呈現700～1 200 nm 范圍內的寬帶近紅外發(fā)射。圖3（a）插圖顯示，不同濃度下KSP∶xCr3+（x= 0.01～0.09）熒光粉的發(fā)光強度隨Cr3+濃度的增加逐漸增大，在x= 0.03 處達到最大值，隨后由于濃度猝滅，發(fā)射強度逐漸減小。最優(yōu)濃度時，KSP∶0.03Cr3+熒光粉的峰值波長為857 nm，半高寬為149 nm。通常，濃度猝滅可以通過三種機制產生，即輻射吸收作用、離子間交換相互作用和多極相互作用[27]。不同類型的相互作用取決于激活劑臨界距離Rc[28]：

圖3 （a）KSP∶xCr3+（x = 0.01～0.09） 的發(fā)射光譜，插圖為摻雜不同Cr3+濃度時的發(fā)光強度變化；（b）KSP∶xCr3+（x = 0.01～0.09）的lgx 與lg(I/x) 的擬合曲線；（c）Cr3+在KSP 中的Tanabe-Sugano 能級圖；（d）KSP∶0.03Cr3+的激發(fā)和發(fā)射光譜。Fig.3 （a）PL spectra of KSP∶0.03Cr3+ phosphors. The inset shows PL intensity as a function of Cr3+ concentration.（b）Fitting curve of lgx and lg(I/x) of KSP∶xCr3+（x = 0.01-0.09）. （c）Tanabe-Sugano energy level diagram of Cr3+ in KSP. （d）PL and PLE spectra of KSP∶0.03Cr3+ phosphors.

其中，V代表晶胞體積，x表示最佳摻雜濃度，N是單位晶胞內能被Cr3+離子占據的陽離子格位數。當熒光粉的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜大范圍重疊時，會發(fā)生輻射吸收作用。當Rc的值大于0.5 nm 時，濃度猝滅屬于多級相互作用。當Rc的值小于0.5 nm 時，則屬于離子間交換相互作用。為了進一步探究該樣品的濃度猝滅機理，根據公式（4）計算得到其臨近距離Rc= 2.148 nm，表明該濃度猝滅屬于多級相互作用。需要根據Dexter 的理論[27]（公式 （5）） 對多極相互作用的類型進行進一步確認：

其中x是摻雜濃度，I表示與之相對應的發(fā)光強度，K和β都是常數。為了更好地觀察Cr3+濃度與發(fā)光強度的關系，將公式（5）轉換成公式（6）。當θ= 3 時，表示該猝滅是由于相鄰的Cr3+之間能量傳遞引起的。當θ= 6，8，10 時，表示該猝滅源于偶極-偶極相互作用、偶極-四極相互作用和四極-四極相互作用[27]。根據公式（6），該樣品lgx和lg(I/x) 的線性擬合關系如圖3（b）所示，其斜率為-0.971 1，由此可計算得出θ= 2.913 3 ≈ 3。綜上所述，可知該熒光粉的濃度猝滅主要是由于相鄰Cr3+-Cr3+之間的能量傳遞引起的。

眾所周知，Cr3+離子的3d 軌道電子不受外層殼及其周圍環(huán)境的屏蔽，因此Cr3+的光致發(fā)光對主晶格的晶體場環(huán)境極為敏感[29]。當Cr3+占據八面體位置（Oh點群）時，可以用Tanabe-Sugano 圖（圖3（c））來描述其能級隨晶體場強度變化的情況，具體計算過程如下[1]：

其中，ΔE表示E（4A2→4T1）和E（4A2→4T2）兩個能級之間的能量差。Stokes 位移（ΔS）由光譜數據中激發(fā)波段對應的E（4A2→4T2）峰位置與發(fā)射光譜中對應的E（4T2→4A2）峰位置相減得到。Dq是晶體場參數，B代表Racah 參數，Dq/B的值對晶體場有很大影響，并且影響Cr3+的發(fā)射帶寬。當Dq/B＜2.3 時，Cr3+的4T2→4A2躍遷占主導地位，Cr3+占據弱晶體場，呈現寬帶發(fā)射。相反，當Dq/B＞ 2.3時，Cr3+占據強晶體場，表現出一個對應于2E→4A2的窄帶發(fā)射[30]。根據上述理論計算得知KSP∶0.03Cr3+樣品的Dq和B的值分別為1 335 cm-1和674 cm-1，因此Dq/B值為1.98，小于2.3，表明Cr3+在KSP 基質中占據具有弱晶體場的Sc3+格位，這與該樣品室溫下寬帶發(fā)射的特征相吻合。

3.3 熱穩(wěn)定性分析

熒光粉的發(fā)光熱猝滅性能是判斷其能否應用的重要指標之一[32]。圖4（a）展示了KSP∶0.03Cr3+熒光粉在300～425 K 溫度范圍內的變溫發(fā)射光譜。在471 nm 激發(fā)下，隨著溫度升高，樣品的積分發(fā)光強度逐漸減小，而光譜的譜型幾乎無明顯變化。在373 K 時，KSP∶0.03Cr3+的發(fā)射強度降低至室溫發(fā)光強度的60.2%，表明該熒光粉具有良好的熱穩(wěn)定性。同時，溫度升高伴隨著熱展寬現象，其FWHM 從室溫時的149 nm 展寬至高溫373 K 時的173 nm（圖4（b）），這一現象歸因于高溫下增強的電聲子耦合效應。

圖4 KSP∶0.03Cr3+熒光粉（λex = 471 nm）在300～425 K 隨溫度變化的發(fā)射光譜（a）及溫度在300～425 K 升溫過程中積分強度和半高寬的變（b）; （c）Cr3+離子的位形坐標圖; （d）KSP∶0.03Cr3+的ln（I0/IT-1）和1/kT 關系圖。Fig.4 Temperature-dependent PL spectra（a） of KSP∶0.03Cr3+ sample from 300 K to 425 K and the corresponding variations in integrated intensity and FWHM（b）. （c）Schematic configuration coordinates diagram of KSP∶0.03Cr3+. （d）Illustration of ln（I0/IT-1） related to 1/kT of KSP∶0.03Cr3+.

接下來我們用位形坐標模型（圖4（c））解釋發(fā)光熱猝滅現象[33]。當處于4A2能級的電子受光激勵時，會躍遷到4T2能級，部分電子從4T2能級底部躍遷回到4A2能級并發(fā)射近紅外光；另一部分電子在熱激勵下躍遷至4T2與4A2能級的交叉點，通過無輻射躍遷回到低振動能級4A2。 因此，熱猝滅活化能 (ΔE) 越大，需要克服的勢壘也越大，則發(fā)生無輻射躍遷的幾率越小，從而導致熱猝滅現象不容易發(fā)生，這意味著材料具有更好的熱穩(wěn)定性。據報道，熒光粉發(fā)光強度與溫度的關系可通過Arrhenius 方程（公式11）來描述，可以利用該方程估算熱猝滅活化能ΔE[34]：

其中IT為溫度為T(K) 時的發(fā)射強度；I0為初始發(fā)射強度；kB為玻爾茲曼常數；A為常數；ΔE為熱猝滅活化能，表示電子從4T2能級最低點到達4T2與4A2能級交叉點需要克服的勢壘。根據公式（12）擬合KSP∶0.03Cr3+樣品的ln（I0/IT-1）和1/kT關系如圖4（d）所示，斜率即代表-ΔE，由此計算得到該熒光粉的ΔE= 0.34 eV。當x= 0.03 時，KSP∶0.03Cr3+熒光粉的內部量子效率（IQE） 為28.42%。

為了探究KSP∶0.03Cr3+熒光粉寬帶發(fā)射的來源，我們測試了5～300 K 的低溫發(fā)射光譜，如圖5（a）所示。隨著溫度升高，由于電聲子耦合作用增強，發(fā)射強度逐漸減弱，FWHM 值從5 K 時的110 nm 不斷增到300 K 時的149 nm（圖5（b））。值得注意的是，發(fā)射光譜的譜型與溫度變化無關，這表明在KSP 中只存在一個Cr3+發(fā)光中心。為了進一步驗證這一結論，我們在～5 K 時測試了其依賴于發(fā)射波長的激發(fā)光譜，如圖5（c）所示。在不同發(fā)射波長監(jiān)測下，KSP∶0.03Cr3+熒光粉的激發(fā)光譜幾乎相同。上述結果表明PL 和PLE 光譜都獨立于溫度，熒光粉具有良好的光譜穩(wěn)定性。這進一步證明了該寬帶近紅外發(fā)射源于KSP∶0.03Cr3+熒光粉中Cr3+占據單一Sc3+格位[35]。

圖5 （a）KSP∶0.03Cr3+熒光粉（λex = 471 nm）在5～300 K 隨溫度變化的發(fā)射光譜；（b）KSP∶0.03Cr3+熒光粉在5 K 和300 K 時的歸一化發(fā)射光譜比較；（c）在5 K 時依賴于發(fā)射波長的激發(fā)光譜（λem = 826，857，950 nm）。Fig.5 （a）Temperature-dependent emission spectra of KSP∶0.03Cr3+ phosphor（λex = 471 nm） from 5 K to 300 K.（b）The comparison of PL spectra of KSP∶0.03Cr3+phosphor recorded at 5 K and 300 K. （c）At 5 K emission wavelength-dependent.

3.4 NIR pc-LED 器件的應用

為了進一步探究所制備近紅外熒光粉的應用潛力，我們將KSP∶0.03Cr3+熒光粉涂在商用藍光LED 芯片上制備出NIR pc-LED 器件。圖6 （b） 顯示了該設備接通電源時使用近紅外相機拍攝的照片，可以觀察到非常強烈的近紅外光信號，插圖展示了未接通電源時器件的實物圖。首先，按照如圖6 （a） 所示順序擺放近紅外相機、手掌和器件。得益于所制備近紅外熒光粉發(fā)射光波具有強大的穿透力，利用不同生物組織對近紅外光的吸收差異性[36]，可以清晰地觀察到手指和手掌血管的分布情況（圖6（c））。其次，我們用700 nm 濾波片覆蓋獼猴桃的下半部分，在可見光相機拍攝的圖片 （圖6（d））中無法看到被遮擋的部分。然而，當使用制備的NIR pc-LED 作為光源時，用近紅外相機拍攝的圖片（圖6（e））可以清晰地顯示整個獼猴桃。最后，相比于自然光照射下可見光相機拍攝的梨（圖6（f）），在制備器件照射下近紅外相機拍攝的照片中，可以直觀地檢測到梨子不新鮮的部位（圖6（g））。上述實驗結果表明，我們所制備的近紅外熒光粉KSP∶Cr3+性能優(yōu)良，在夜視、生物醫(yī)學成像以及食品檢測等領域具有良好的潛在應用價值。

圖6 （a）生物穿透應用拍攝位置擺放示意圖；（b）近紅外相機拍攝工作狀態(tài)下的NIR pc-LED 器件照片，插圖為該器件的實物圖；（c）NIR pc-LED 器件照射下手掌的照片；使用可見光相機（（d）～（f））和近紅外照相機（（e）～（g））分別拍攝自然光/近紅外器件照射下的獼猴桃和梨的照片。Fig.6 （a）The map of the shooting position placement for biological penetration application. （b）The pictures of NIR pc-LED device in the working state captured by a NIR camera， with the image of the NIR pc-LED device shown as an inset. （c）Photographs of the palm illuminated by the NIR pc-LED device. A visible light camera（（d）～（f）） and a NIR camera（（e）～（g）） were used to capture images of a kiwifruit and pear under natural light/near infrared device irradiation.

4 結 論

本文以具有[ScO6]八面體結構的KSP 化合物作為基質材料，采用高溫固相法成功制備了一系列單格位占據近紅外熒光粉KSc1-xP2O7∶xCr3+（x=0.01～0.09），該熒光粉的晶體結構和熒光光譜分析結果顯示，Cr3+被成功摻雜到基質晶格當中，在471 nm 的藍光激發(fā)下，該熒光粉具有700～1 200 nm 的寬帶近紅外發(fā)射，發(fā)射主峰位于857 nm，半高寬為149 nm，最高發(fā)光量子產率為28.42%。通過低溫光譜分析和晶體場強度計算證實了這種寬帶近紅外發(fā)射歸因于Cr3+占據弱晶體場（Dq/B=1.98）中的單一八面體Sc3+格位。變溫光譜分析結果顯示，在高溫373 K 時，其發(fā)光強度達到室溫下發(fā)光強度的60.2%，表明該熒光粉具有良好的熱穩(wěn)定性。最后，由該熒光粉與商用藍光LED 芯片制備的NIR pc-LED 器件具有良好性能，證明該單格位占據的寬帶近紅外熒光粉KSP∶0.03Cr3+在夜視、生物醫(yī)學成像以及食品檢測領域具有潛在應用價值。

本文專家審稿意見及作者回復內容的下載地址：http://cjl.lightpublishing.cn/thesisDetails#10.37188/CJL.20230218.