余嶺 司超 許競予 葉素榮 葉子桐 唐倩 楊陸一
上頜側(cè)切牙腭側(cè)錯位在牙列擁擠患者中較為常見,以往研究認(rèn)為牙列擁擠、牙齒比例不調(diào)、創(chuàng)傷、乳牙滯留、多生牙及牙齒傾斜等都會導(dǎo)致上頜側(cè)切牙發(fā)生腭側(cè)錯位[1-2]。已有研究表明骨性Ⅰ類患者上頜腭側(cè)錯位側(cè)切牙牙根偏向唇側(cè)且牙槽骨菲薄[3],而臨床中骨性Ⅲ類上頜側(cè)切牙腭側(cè)錯位發(fā)生率也較高[4],目前缺乏骨性Ⅰ類與骨性Ⅲ類腭側(cè)錯位的上頜側(cè)切牙牙槽骨形態(tài)及冠根形態(tài)差異的研究。本研究基于CBCT對骨性Ⅰ類和骨性Ⅲ類上頜側(cè)切牙腭側(cè)錯位的牙根唇腭側(cè)牙槽骨厚度、冠長、根長、冠根比及冠根角(crown-root angle,CRA)進行比較,探討骨性Ⅰ類與骨性Ⅲ類上頜腭側(cè)錯位側(cè)切牙牙槽骨形態(tài)及冠根形態(tài)的差異,為正畸治療過程中該類牙齒移動設(shè)計提供依據(jù)。
納入2019 年4 月~2022 年4 月間在正畸科就診的存在上頜腭側(cè)錯位側(cè)切牙并形成個別牙反的100例患者的CBCT,其中骨性Ⅰ類50例(0≤ANB≤4°,男性:-3.6 mm 1.2.1 CBCT的拍攝 受試者坐位,平靜呼吸,用頭顱固定裝置使眶耳平面與地平面平行,正中矢狀面與CBCT機長軸一致,咬合為牙尖交錯位。采用CBCT機掃描(HiRes3D,北京朗視),拍攝參數(shù)為電壓100 kV,電流4 mA,視野大小16 cm×15 cm,體素0.25 mm,掃描時間15 s,掃描范圍為眶上緣至下頜體下緣。 1.2.2 圖像的處理 將Dicom數(shù)據(jù)導(dǎo)入三維圖像分析軟件(11.0, Dolphin Imaging, &Management Solutions公司,USA)生成頭顱側(cè)位片,進行頭影測量并篩選出符合條件的患者100 例,分為骨性Ⅰ類50 例和骨性Ⅲ類50 例。 1.2.3 測量方法將錐形束CBCT數(shù)據(jù)經(jīng)SmartV2圖像處理系統(tǒng)三維重建,調(diào)整三維坐標(biāo)系,獲取上頜側(cè)切牙牙頸部的各平面滿足以下條件(圖1):橫斷面(圖1A):調(diào)整截面獲取上頜側(cè)切牙最大唇舌向截面,使得冠狀線(綠色)平分牙頸部唇舌向且矢狀線(紅色)平分近遠(yuǎn)中徑;冠狀面(圖1B):調(diào)整矢狀線(紅色)通過根尖及切緣中點;矢狀面(圖1C):調(diào)整到最大矢狀界面,調(diào)整冠狀線(綠色),直到其穿過根尖和唇側(cè)舌側(cè)釉牙骨質(zhì)界連線的中點。使用SmartV2軟件在受測牙的矢狀面上進行測量(圖2)。所有測量結(jié)果由兩名檢查者測量,測量3 次,每次測量間隔2 周, 3 次測量的平均值作為最終測量值。 圖2 測量標(biāo)志點及測量項目Fig 2 Survey landmarks and survey items 1.2.4 測量項目測量標(biāo)志點 如圖2A, CEJ表示唇側(cè)或舌側(cè)牙釉質(zhì)交界處。i點為上頜側(cè)切牙切緣點,R點為根尖。B點為唇側(cè)牙釉質(zhì)交界點,L點為舌側(cè)牙釉質(zhì)交界點,O點為B點與L點之間的中點。線段iO代表牙冠的長軸,RO代表牙根的長軸。作RO的垂直線,為準(zhǔn)確描述牙根位置及牙槽骨厚度變化趨勢,將RO平分為8等分[3],自根尖點標(biāo)記為T1-T8(圖2B)。測量項目:如圖2B,冠長:iO,根長:RO,冠根比:定義為iO與RO的比值,冠根角:iO與RO所夾之鈍角,若RO位于iO的延長線唇側(cè)則冠根角為大于180°的角。測量T1-T8界面上唇側(cè)牙槽骨到牙根唇側(cè)面的線段距離為唇側(cè)牙槽骨厚度,腭側(cè)牙槽骨到牙根腭側(cè)面的線段距離為腭側(cè)牙槽厚度。 圖3為實際截面測量項目示意圖。 圖3 矢狀面測量項目示意圖Fig 3 Schematic diagram of sagittal measurement items 骨性Ⅲ類患者ANB角、Wits值均小于骨性Ⅰ類患者(P<0.01),兩組在年齡與性別方面無統(tǒng)計學(xué)差異(P>0.05)(表1)。 表1 兩組患者基本資料Tab 1 General data of the 2 groups of patients mm) (1)骨性Ⅰ類患者T1-T5界面牙根明顯偏唇側(cè),骨性Ⅲ類T1-T6界面牙根明顯偏唇側(cè),有顯著統(tǒng)計學(xué)差異(P<0.01);(2)骨性Ⅰ類患者T2-T4、T8界面唇側(cè)牙槽骨厚度小于1 mm,而骨性Ⅲ類T4-T6、T8平面唇側(cè)牙槽骨厚度小于1 mm;(3)骨性Ⅰ類與骨性Ⅲ類患者腭側(cè)牙槽骨厚度自T8-T1即牙槽嵴頂向牙根尖方向逐漸增厚(P<0.01);(4)在T1-T3界面骨性Ⅲ類患者唇側(cè)牙槽骨厚度明顯大于骨性Ⅰ類,在T5-T6界面骨性Ⅲ類唇側(cè)牙槽骨厚度明顯小于骨性Ⅰ類(P<0.01), T4、 T7、 T8唇側(cè)及各界面腭側(cè)牙槽骨厚度均無統(tǒng)計學(xué)意義(P>0.05)(表2)。 表2 骨性Ⅰ類與骨性Ⅲ類腭側(cè)錯位上頜側(cè)切牙牙槽骨厚度對比結(jié)果Tab 2 Comparison of alveolar bone thickness of maxillary lateral incisors with palatal malposition between skeletal class Ⅰ and class Ⅲ mm) 骨性Ⅲ類患者冠根角明顯小于骨性Ⅰ類(P<0.01),其余無統(tǒng)計學(xué)差異(P>0.05)(表3)。 表3 骨性Ⅰ類與骨性Ⅲ類冠根形態(tài)對比結(jié)果Tab 3 Comparison of the crown-root morphology of maxillary lateral incisors with palatal malposition between skeletal class Ⅰ and class Ⅲ mm) (1)骨性Ⅰ類患者根尖區(qū)總厚度、T1、T2、T8唇側(cè)及T6腭側(cè)牙槽骨厚度均與冠根角呈負(fù)相關(guān)(r<-0.3,P<0.05);(2)骨性Ⅲ類患者根尖部總厚度、T1、T8唇側(cè)牙槽骨厚度均與冠根角呈負(fù)相關(guān)(r<-0.3,P<0.05)(表4)。 前牙冠根成角可能會影響前牙牙齒移動方向、托槽放置與轉(zhuǎn)矩表達等[14]。同時牙齒冠長和根長決定了在正畸治療過程中可以傳遞的正畸力,且與牙齒的運動模式有關(guān)[15-16]。因此,正畸醫(yī)生在臨床診療時對牙齒冠根形態(tài)的評估是非常必要的。目前關(guān)于切牙冠根成角的形成機制仍具有爭議。有學(xué)者認(rèn)為遺傳因素是影響冠根形態(tài)的重要因素[17],而有學(xué)者認(rèn)為冠根形態(tài)主要與下唇等軟組織形態(tài)有關(guān)[18]。也有學(xué)者推測在前牙關(guān)系初步建立時,沿切牙長軸傳導(dǎo)的咬合力不足以抵抗牙齒萌出,也不能平衡頜面肌群的作用,使牙冠和牙根形成角度[11,19]。本研究發(fā)現(xiàn)骨性Ⅰ類與骨性Ⅲ類患者根尖區(qū)總厚度及T1唇側(cè)牙槽骨厚度都與冠根角呈負(fù)相關(guān)。因此推測在上頜側(cè)切牙萌出形成腭側(cè)錯位時,牙根因根尖1/3未礦化[20],仍按照萌出前牙齒礦化的方向生長,同時受到唇側(cè)骨壁的阻力而偏向腭側(cè)生長,從而形成冠根成角。而上頜側(cè)切牙腭側(cè)錯位易使罹患下頜功能性移位及TMJ紊亂[21-22]等的概率增加,這提醒早期糾正腭側(cè)錯位的上頜側(cè)切牙,有利于形成正常牙根形態(tài)及維護顳下頜關(guān)節(jié)健康。 牙齒移動類型是正畸力與力偶矩綜合作用的結(jié)果。單根牙傾斜移動一般是以牙根中1/3與根尖1/3交界處為支點,牙冠和牙根朝相反方向移動[23]。臨床操作中,醫(yī)生常將腭側(cè)錯位的上頜側(cè)切牙托槽旋轉(zhuǎn)180°,使托槽表達負(fù)轉(zhuǎn)矩將牙根做唇向控根移動[4]。而本研究證實,骨性Ⅰ類與骨性Ⅲ類腭側(cè)錯位的上頜側(cè)切牙的根尖1/3牙根位置均相對偏向唇側(cè),且存在一些區(qū)域唇側(cè)牙槽骨厚度小于1 mm或已出現(xiàn)骨開窗,若此時仍采用倒粘托槽使牙根表達負(fù)轉(zhuǎn)矩,根部唇側(cè)牙槽骨發(fā)生骨開窗、骨開裂及牙根吸收的概率會大大增加。本研究同時發(fā)現(xiàn)骨性Ⅰ類與骨性Ⅲ類腭側(cè)錯位的上頜側(cè)切牙牙根頸1/3以上腭側(cè)牙槽骨較厚,且自牙槽嵴向根尖方向呈遞增趨勢,因此牙根向腭側(cè)有足夠的移動空間。故臨床中針對此類牙齒宜使用輕力,優(yōu)先選擇傾斜移動,不宜直接倒粘托槽或使牙根做過度的唇向控根移動。1.2 研究方法
1.3 統(tǒng)計學(xué)分析
2 結(jié) 果
2.1 患者基本資料
2.2 骨性Ⅰ類與骨性Ⅲ類各界面牙槽骨厚度對比
2.3 骨性Ⅰ類與骨性Ⅲ類冠根形態(tài)對比
2.4 骨性Ⅰ類及骨性Ⅲ類冠根形態(tài)與牙槽骨形態(tài)相關(guān)性分析
3 討 論