段彥周

［英諾賽科（蘇州）半導體有限公司，江蘇 蘇州 215000］

0 引言

隨著科技和工業(yè)的迅速發(fā)展，集成電路（芯片）成為現代生活的核心組件，從計算機、手機到物聯網和無人駕駛汽車都離不開它。芯片不僅是數字時代的基石，更是全球技術創(chuàng)新的關鍵。因此深入了解芯片的生產制造技術對科研工作者和普通消費者都是至關重要的。全球對高效、低功耗芯片的需求增加，芯片生產技術研究也加深，每一次技術進步都可能為行業(yè)帶來變革。同時芯片制造技術成為國家競爭力的指標，其先進程度直接影響國家的全球地位。本文旨在探討現代芯片制造技術，為讀者提供深入解析并展望未來趨勢。

1 現代芯片簡述

1.1 芯片的含義

芯片，正式稱為集成電路，是一個微小的硅片，上面集成了數百萬至數十億的微小電子元件，如晶體管、電阻、電容。這些元件按照特定的設計布局，協同工作以實現各種復雜的電子功能。在硅基材料的支撐下，通過多層納米級的刻蝕、沉積和掩膜技術，將電路圖形轉移并連接，從而實現對數據的高速處理或存儲。從物理結構上看，芯片主要由半導體材料制成，其中最常用的是硅。硅不僅具有優(yōu)良的半導體特性，而且豐富、廉價。在芯片制造過程中，純凈的硅經過多次復雜的化學和物理過程，形成超薄的硅晶片，然后在其表面形成納米級的電子元件。在功能上，芯片可以看作是執(zhí)行特定任務的微小計算機。根據設計，它們可以執(zhí)行從基本的邏輯運算到復雜的數據處理任務[1]。

1.2 現代芯片的發(fā)展

隨著摩爾定律的推進，芯片的晶體管數量每18～24 個月翻倍，這使得集成電路的性能得到飛速提升，同時成本下降。從第一代集成電路的數十個晶體管到現今的數十億晶體管，芯片的復雜度和功能性得到了極大的增強。

技術的進步也帶來了新的制造工藝。例如，7nm、5nm 甚至更小尺寸的工藝節(jié)點已經在生產中，這意味著晶體管的尺寸在繼續(xù)縮小，密度在進一步增加。與此同時，三維集成技術、多核設計和異質集成等技術也為芯片的性能和效率提供了新的增長空間。

在功能性方面，除了傳統(tǒng)的數字計算任務，芯片也開始擁有更多的特定功能，如人工智能處理、圖形處理、高速通信等。這為各種應用，從邊緣計算到云計算，提供了強大的支持。盡管面臨制造技術極限、功耗墻和其他挑戰(zhàn)，但隨著新材料、新結構和新設計范式的出現，集成電路仍然在繼續(xù)發(fā)展，滿足人類對于高效、高性能和智能化技術的持續(xù)需求。

2 現代芯片生產制造技術

2.1 芯片的設計

芯片的設計是一個復雜的過程，需要綜合硬件工程師、軟件工程師和系統(tǒng)架構師的知識與技能。設計開始于確定集成電路的功能和性能要求。一旦確定了這些要求，電路設計師使用計算機輔助設計（CAD）工具來繪制電路圖，這些工具可以自動化許多設計任務，包括布局、布線和模擬。電路設計完成后，進行邏輯驗證以確保設計滿足所有功能和性能要求。在邏輯驗證期間，電路被模擬運行，以檢測并糾正潛在的設計錯誤。一旦電路通過邏輯驗證，會進入物理設計階段，其中電路圖轉化為實際的幾何形狀，這些形狀定義了晶體管、電阻和電容的實際位置和大小。物理設計結束后，生成所謂的“掩?！?，這是一套為每個生產步驟制造的光罩，用于在硅片上創(chuàng)建晶體管和其他組件。完成所有這些步驟后，芯片設計準備進入生產階段，此時將設計數據發(fā)送到制造工廠進行實際的芯片制造[2]。

2.2 掩膜的制作

掩膜是芯片制造過程中至關重要的元素，用于傳輸芯片設計的特定模式到硅片上。每一層集成電路都需要一套獨特的掩膜。掩膜由透明的基材（通常是石英或玻璃）制成，上面覆蓋有一個不透明的薄膜，通常是鉻。

掩膜制作的初始階段是將設計數據轉化為掩膜的模式。這些數據首先被輸入專門的繪圖設備中，稱為電子束曝光機，該機器利用微細的電子束來刻畫鉻薄膜，形成所需的模式。在電子束曝光過程后，未被電子束擊中的鉻區(qū)域被腐蝕劑移除，留下的則是所需的模式。之后，通過一系列的清洗和處理步驟確保掩膜的清潔度和精度。由于芯片尺寸的持續(xù)縮小，對掩膜的精度要求也日益增加。為了滿足這些要求，掩膜制造過程需要在高度受控的環(huán)境中進行，以確保其不受塵埃和其他雜質的污染。完成后，掩膜被仔細檢查以確保其完美無瑕并符合設計規(guī)范。

2.3 硅片的準備

硅片是集成電路制造的基礎材料。其來源是高純度的硅，經過單晶生長技術制得。在生長過程中，硅被加熱到其熔點以上，隨后以特定的方式冷卻，確保晶格結構的連續(xù)和一致。這個單晶硅塊通常被稱為硅錠。將硅錠切割成薄片是接下來的關鍵步驟。使用特殊的鋸切技術，硅錠被切割為數百微米厚度的硅片。這些硅片必須具有極高的平坦度和光滑度，以滿足后續(xù)工藝步驟的要求。硅片切割后，經過一系列的化學和機械清潔過程，確保硅片表面無塵埃、有機物或其他污染物，因為這些污染物可能妨礙后續(xù)的制程，導致電路故障或性能下降。最后硅片經過一個氧化步驟，在其表面形成一層氧化硅。這層氧化硅不僅作為一個電介質層，還為后續(xù)工藝步驟提供了一個保護層。此時硅片已經準備好，可以進入更復雜的集成電路制造過程。

2.4 光刻的實施

光刻是半導體制程中的關鍵步驟，用于將所需的電路圖案轉移到硅片上。首先，硅片上涂覆一層光敏性化學物質，通常稱為光刻膠。在涂覆后，光刻膠經過軟烘焙，從而驅散溶劑并為曝光做好準備。接下來選定一塊具有預定電路圖案的掩膜。掩膜被置于與涂有光刻膠的硅片之間的精確位置。當紫外光或其他類型的光源照射到掩膜上時，光通過掩膜上的開口部分傳輸，使光刻膠的那部分區(qū)域暴露于光下。經過曝光后，硅片進入顯影過程。在顯影過程中，未暴露于光下的光刻膠區(qū)域被化學溶液移除，而暴露于光下的部分則保留在硅片上，從而形成所需的圖案。最后硅片經過硬烘焙，進一步固化光刻膠圖案并為后續(xù)的沉積或蝕刻步驟做好準備。光刻的實施過程如圖1 所示。

圖1 光刻的實施過程

經過這些步驟，硅片上現在已經有了精確的圖案，這為半導體設備的制造奠定了基礎。

2.5 沉積與蝕刻

半導體制程中，沉積技術的應用非常廣泛，為芯片提供了不同材料的累積。常用的沉積方法包括物理氣相沉積（PVD）和化學氣相沉積（CVD）。PVD 利用高能濺射來形成薄膜，其中金屬或半導體材料在高真空環(huán)境下被原子化，這些原子再冷凝在硅片上形成均勻的薄膜。CVD 方法涉及氣態(tài)反應，通過化學反應在基片上形成均勻薄膜。不同的前驅氣體和反應條件可以用來沉積各種不同的薄膜，如導電、絕緣或半導體材料。與此同時原子層沉積（ALD）技術近年來也得到了廣泛關注。它是一種先進的沉積技術，允許在亞納米尺度上進行高度控制的沉積，對于制造先進的半導體節(jié)點尤為關鍵。

蝕刻過程為芯片雕刻出精細的結構，對于定義微觀特征至關重要。濕蝕刻利用特定的蝕刻溶液，可以快速、廉價地進行，但其選擇性和準確性可能不如干蝕刻。干蝕刻，特別是深反應離子蝕刻（DRIE），提供了極高的方向性和選擇性，能夠產生垂直側壁和高縱深比的微結構。隨著技術的進步，新的蝕刻技術如電子束蝕刻也開始應用于特定的半導體制造過程中，提供更高的解析度[3]。

2.6 殘留物清洗

殘留物清洗是半導體制程中的一個關鍵環(huán)節(jié)，確保硅片表面的純凈，為后續(xù)工藝步驟提供一個潔凈的基礎。在前一步驟如蝕刻或沉積后，硅片表面可能留有雜質、化學殘留或粒子。這些殘留物可能會影響電路的性能或造成制造缺陷。

清洗過程中，首先，使用特定的化學溶液，如硝酸或氫氟酸，以去除硅片上的有機或無機殘留。這些溶液能夠與殘留物發(fā)生化學反應，將其轉化為可溶于水的化合物，從而可以輕易被去除。其次，硅片經過超聲波處理，有助于從硅片表面移除任何附著的固態(tài)粒子。超聲波在液體中產生微小的氣泡，當這些氣泡破裂時，會產生強烈的沖擊力，有助于移除硅片上的固定粒子。最后，硅片在去離子水中進行數次沖洗，確保所有化學溶液和殘留雜質都被徹底去除。隨后使用純凈的氮氣將硅片吹干，確保硅片表面無水殘留。這一清洗過程不僅確保了硅片的純凈度，并為后續(xù)的工藝步驟如金屬化或封裝提供了一個無缺陷的基礎。

2.7 接觸與金屬化

接觸與金屬化在微電子領域中占據著中心地位，因為它們確保了微小的半導體結構之間可以進行有效的電信號傳輸。這種電連接的微觀性質對于整體設備的性能起到了決定性的作用，特別是當芯片內部有數十億乃至數千億的晶體管時。為了確保高質量的金屬接觸，經常需要考慮與基底材料之間的界面特性。界面處的缺陷、氧化物或其他不純物會影響電子的傳輸，并可能導致接觸電阻增加。為了解決這一問題，開發(fā)了多種表面處理技術，如濕化學處理或等離子清洗，以確保金屬和半導體之間有一個清潔、親和的界面。為了應對制程中的熱應力和熱膨脹問題，經常選擇與襯底材料熱膨脹系數相匹配的金屬。否則在后續(xù)的高溫處理中，金屬與襯底之間可能會出現斷裂或脫落[4]。

在3D 集成電路中，垂直金屬互連的制造尤為關鍵。這種垂直結構使得芯片的各個層能夠進行更為高效的通信，但也帶來了金屬沉積和模式化的新挑戰(zhàn)。為此，電化學沉積等新技術得到了廣泛應用，因為它們可以在高方面比的微觀結構中實現均勻的金屬填充。隨著技術的進步，納米級的金屬線寬變得日益普遍。這要求使用的金屬材料具有極高的導電性和良好的遷移特性，以避免信號傳輸中的損失或延遲。所以對使用的新型材料和工藝的研究，成為半導體制造的前沿領域。

2.8 封裝與測試

封裝在集成電路生產中起到至關重要的角色。它為芯片提供了物理和電氣保護，確保其在各種環(huán)境條件下正常工作，同時為外部世界提供了電氣連接接口。

芯片首先被固定在一個承載基板或引腳上。隨后導線鍵合技術被用來連接芯片上的細小焊盤到封裝的外部引腳。這些導線通常由金或鋁制成，其直徑僅有幾微米。一旦導線鍵合完成，封裝過程繼續(xù)，涉及將芯片和其連接的導線封閉在一個塑料、陶瓷或金屬殼體中。這不僅為芯片提供了物理保護，還隔離了外部的電磁干擾。完成封裝后，進入測試環(huán)節(jié)。確保每個芯片都滿足其設計規(guī)范。測試包括對芯片功能的驗證，以及確保它在設計的所有操作條件下都能正常工作。為此使用特定的測試設備和軟件，模擬各種實際工作場景對芯片進行全面測試。芯片在封裝和測試流程中經過的每一個步驟都對其性能和可靠性至關重要。不合格的芯片在此階段被識別并篩選出，確保到達市場的產品達到最高的質量和性能標準[5]。

3 現代芯片生產制造的未來展望

隨著摩爾定律的逐步放緩，集成電路行業(yè)面臨巨大的挑戰(zhàn)和機遇。納米技術繼續(xù)推動半導體技術向更小的尺寸進化，預計未來的芯片將使用5 納米、3 納米甚至更小的制程。新的材料和技術將為芯片制造開辟新的領域。二維材料如石墨烯和過渡金屬硫屬化合物正受到廣泛關注，因為它們展現了在極端小尺寸下優(yōu)越的電氣性能。此外自旋電子學的進展可能為更高效和低能耗的電子設備提供解決方案。

三維集成電路技術預計將在未來得到更廣泛的應用。這種技術允許多個芯片層堆疊在一起，從而提高集成度和性能，同時降低功耗。量子計算的前景為芯片制造帶來了全新的機遇和挑戰(zhàn)。利用量子物理現象，量子計算機有望解決傳統(tǒng)計算機難以解決的問題。量子計算機設計和制造芯片將需要開發(fā)全新的制造技術和工藝。持續(xù)的研究和投資將確保集成電路技術繼續(xù)向前發(fā)展。盡管面臨許多挑戰(zhàn)，但芯片制造的未來仍充滿無限可能和機遇。

4 結語

集成電路技術作為現代科技和信息社會的核心，其發(fā)展不僅影響著個體消費者的日常生活，更關乎到國家的經濟、科技甚至戰(zhàn)略地位。通過深入剖析芯片生產制造的每一個環(huán)節(jié)，我們更加明晰地看到了其背后的技術魅力和不懈探索。未來，芯片制造將面臨更多挑戰(zhàn)與機遇。在持續(xù)創(chuàng)新與研發(fā)的推動下，相信人類將開創(chuàng)一個更為先進、高效、可持續(xù)的數字時代。對于每一位研究者、工程師以及對此感興趣的讀者，愿本文能為你提供啟示，激發(fā)對未來更大的期許和探索的勇氣。