授權(quán)公告號：CN101065827B

授權(quán)公告日：2016.08.31

專利權(quán)人：阿德文泰克全球有限公司

地址：英屬維爾京群島托托拉島

發(fā)明人：杰弗里·W·康拉德

Int.Cl.：H01L21/00（2006.01）I；H01L21/44（2006.01）I

優(yōu)先權(quán)：10/996，142 2004.11.23 US

PCT進入國家階段日：2007.05.23

PCT申請數(shù)據(jù)：PCT/US2005/042468 2005.11.22

PCT公布數(shù)據(jù)：WO2006/058081 EN 2006.06.01

對比文件：US 2004232109 A1，2004.11.25，

摘 要：該發(fā)明提供了一種多層陰影掩膜及其使用方法。所述多層陰影掩膜包括與沉積掩膜結(jié)合的犧牲掩膜。所述犧牲掩膜對沉積掩膜上蒸發(fā)物的累積提供保護以防止沉積掩膜變形。