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        一種用于負壓LDO 芯片的過溫保護電路

        2023-06-29 05:42:28茍超劉一鍇保興潤趙鐿翔
        環(huán)境技術 2023年5期
        關鍵詞:基極基準負壓

        茍超,劉一鍇,保興潤,趙鐿翔

        (中國電子科技集團公司第二十四研究所,重慶 400060)

        引言

        低壓差電壓調(diào)整器(Low-Dropout Regulator,LDO)廣泛應用于電源系統(tǒng)中,其輸出電流能力可以達到數(shù)安培。在大電流應用條件下,LDO 本身消耗的功耗比較大,芯片自身的溫升也較大,從而影響可靠性。當溫度超過一定值時,芯片失效率呈指數(shù)規(guī)律增加,溫升50 ℃時的壽命只有溫升25 ℃時的1/6 左右。除了電應力之外,溫度是影響LDO 芯片可靠性和穩(wěn)定性的最重要因素。因此,LDO 芯片中一般會集成過溫保護電路[1-6]。

        當芯片溫度超過過溫保護點TH時,過溫保護電路使芯片進入低功耗狀態(tài),降低芯片溫度,防止燒毀;當芯片溫度降低到過溫恢復點TL時,過溫保護電路使芯片恢復到正常工作狀態(tài)。為了防止芯片在過溫保護點附近反復改變工作狀態(tài)而引起輸出振蕩,TH>TL是必要的設計。

        本文設計了一種用于負壓LDO芯片的過溫保護電路:首先產(chǎn)生一個具有零溫度系數(shù)的負壓帶隙基準電壓,然后將其與具有負溫度系數(shù)的三極管BE 結電壓進行組合,產(chǎn)生一個具有正溫度系數(shù)的電壓,最后將該電壓與三極管BE 結電壓進行比較,產(chǎn)生過溫保護信號。經(jīng)過仿真、流片和測試,驗證了該電路能夠有效地實現(xiàn)過溫保護功能。

        1 電路設計與實現(xiàn)

        1.1 負壓LDO 芯片功能框圖

        該負壓LDO 芯片為一款負壓輸入、負壓可調(diào)輸出的芯片,內(nèi)部主要包括:啟動電路、使能控制、帶隙基準、誤差放大器、保護電路、驅動、功率管等模塊,其功能框圖如圖1 所示。

        圖1 負壓LDO 芯片功能框圖

        其中,過溫保護電路通過驅動電路將功率管的基極電壓拉低,從而關斷輸出電壓,起到保護作用。輸出電壓通過外接電阻RF1、RF2調(diào)整,輸出電壓表達式為:

        1.2 電路設計

        1.2.1 負壓帶隙基準電路設計

        本文設計的過溫保護電路需要使用帶隙基準電壓,利用其零溫漂的特性。因此,首先設計了負壓帶隙基準電路。

        如圖2 所示,負壓帶隙基準電路包括同類型的電阻R11~R14,三極管Q11~Q13 以及運放OP1,VREF為負壓帶隙基準電壓,VIN是負電源。OP1 作用是將R13 和R14 兩端的電壓鉗位至相等,由于R13 和R14 的阻值相等,流過兩者的電流也相等,因此Q11 和Q12 的集電極電流IC也相同。而Q11 和Q12 的發(fā)射極面積之比為12:1,那么可以推導出R12 兩端電壓VR12的表達式為[7]:

        圖2 負壓帶隙基準電路原理圖

        圖3 過溫保護電路原理圖

        式中:

        VBE(Q11)、VBE(Q12)—Q11、Q12 的BE 結電壓;

        VT=kT/q—熱電壓,室溫下約為26 mV[8];

        k、q—常量;

        T—熱力學溫度。

        因此,熱電壓VT隨著溫度的增加而增加,具有正溫度系數(shù)。

        流過R12 的電流IB表達式為:

        根據(jù)圖2 中的連接關系,VREF可以表示為:

        將公式(3)帶入公式(4),得到:

        公式(5)中,等式右邊第一項為三極管的BE 結電壓,具有負溫度系數(shù),第二項為熱電壓的倍數(shù),具有正溫度系數(shù)。通過調(diào)節(jié)電阻的阻值,改變第二項正溫度系數(shù)電壓的大小,可以進行溫度補償,實現(xiàn)近似零溫度系數(shù)的帶隙基準電壓VREF輸出。

        在使用VREF時,會有電流流入VREF端口中,Q13 的作用就是吸收流入的電流,即本文所設計的負壓帶隙基準具有帶載能力,能夠在一定負載范圍內(nèi)保持VREF的穩(wěn)定。

        此外,在負壓帶隙基準的設計中還引入了熔絲修調(diào),在芯片流片下線后根據(jù)實測結果調(diào)整電阻R11 和R12 的阻值,以補償由于工藝一致性差異引起的VREF變化。R11和R12的阻值都只能通過熔絲修調(diào)增加而不能減少。根據(jù)公式(5),當VREF偏小或者呈現(xiàn)負溫度系數(shù)時,修調(diào)R11;當VREF偏大或者呈現(xiàn)正溫度系數(shù)時,修調(diào)R12。

        1.2.2 過溫保護電路設計

        VPB是過溫保護電路的輸出,連接負壓LDO 芯片的驅動電路。忽略Q3 基極電流的影響,Q3 的基極電壓VA可以表示為:

        從公式(6)可以看出,VA具有正溫度系數(shù)。當溫度較低時,三極管Q3 的BE 結開啟電壓VBE(Q3)較高,其基極電壓VA不足以使Q3 開啟,因此Q2~Q6 均處于關斷狀態(tài),不影響LDO 芯片正常工作。

        隨著溫度的增加,VA電壓值增大,而VBE(Q3)降低。當溫度升高到一定值時,三極管Q3 開啟,因此Q2~Q6均處于開啟狀態(tài),VPB被拉低,通過驅動電路將功率管的基極電壓拉低,從而關斷LDO 芯片的輸出電壓,降低功耗。LDO 芯片的輸出電壓剛被關斷時的溫度即為過溫保護點TH。

        當Q4 導通后,將提供額外的電流到電阻R2,使得VA的電壓增加,因此,當LDO 芯片關斷后,隨著溫度的下降,LDO 輸出電壓恢復正常工作的溫度點,即過溫恢復點TL將低于過溫保護點TH,從而實現(xiàn)溫度遲滯功能,有效避免了芯片在過溫保護點附近輸出電壓振蕩。

        2 仿真結果

        2.1 負壓帶隙基準仿真結果

        如圖4 所示為負壓帶隙基準電壓VREF隨溫度變化的仿真曲線。仿真結果表明:在(-55~160)℃的溫度范圍內(nèi),VREF隨溫度變化的曲線呈現(xiàn)拋物線形狀,具有較好的溫度系數(shù),并且在工作電源電壓范圍內(nèi)(-10~-4)V,VREF基本不隨電源電壓變化。

        圖4 負壓帶隙基準電壓溫度特性仿真結果

        當VIN=-4 V、-10 V 時,在(-55~160)℃的溫度范圍內(nèi),VREF最大變化量?VREF均為20.4 mV,根據(jù)溫度系數(shù)TC 的計算公式:

        將VREF(25℃)=1.224 8 V,TMAX=160 ℃,TMIN=-55 ℃帶入公式(7)中,得到TC=77.5 ppm/℃。

        負壓帶隙基準電壓的低溫漂特性以及在160 ℃高溫下仍能夠正常工作的特性,保證了過溫保護電路功能的實現(xiàn)。

        2.2 過溫保護仿真結果

        如圖5 所示為Q3 的基極電壓VA隨溫度變化的仿真曲線。仿真結果表明:VA隨溫度的增加而升高,具有正溫度系數(shù),并且在工作電源電壓范圍內(nèi),VA基本不隨電源電壓變化。

        圖5 Q3 的基極電壓VA 溫度特性仿真結果

        如圖6 所示為LDO 芯片輸出電壓(ADJ 端口輸出,未外接反饋電阻)隨溫度變化的曲線。仿真結果表明:LDO 芯片的過溫保護點TH為161 ℃,過溫恢復點TL為108 ℃,并且在工作電源電壓范圍內(nèi),過溫保護點和過溫恢復點均不隨電源電壓變化。

        圖6 過溫保護仿真結果

        3 測試結果

        基于4 μm 標準雙極工藝,采用本文的過溫保護電路設計了負壓LDO 芯片,芯片版圖如圖7 所示。

        圖7 負壓LDO 芯片版圖

        電路流片下線后,對過溫保護功能進行了測試,測試線路如圖8 所示。

        圖8 過溫保護功能測試線路

        LDO 芯片本身消耗的電流約為1 mA,輸出電壓-1.22 V左右,因此負載電流約5 mA。在VIN=-4 V、-10 V時,LDO 芯片的功耗分別約為24 mW、60 mW,功耗均較小,不會造成芯片結溫明顯的上升,對過溫保護功能測試影響較小。

        過溫保護功能測試結果匯總后如表1 所示,過溫保護點和過溫恢復點均不隨電源電壓變化,實測值與仿真值基本吻合。

        表1 過溫保護測試結果

        4 結論

        本文介紹了一種用于負壓LDO芯片的過溫保護電路,經(jīng)過流片驗證,該電路可以在(165~170)℃時關斷芯片的輸出,在溫度降低到(95~100)℃時,芯片輸出恢復正常工作,從而保證了芯片在高溫和高功耗下的安全工作。

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