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        B10白銅晶界特征分布對耐腐蝕性能的影響

        2023-06-20 05:51:29姜濤付少利董健龍
        有色金屬材料與工程 2023年1期

        姜濤 付少利 董健龍

        摘要:B10白銅(Cu-Ni合金)管材作為一種船舶常用的管道用材料,耐腐蝕性一直是困擾其被廣泛應用的一大原因。以4種不同的BlO白銅管材為試驗樣品,采用電子背散射衍射及電化學腐蝕試驗研究了B10白銅晶界特征分布及其對腐蝕性能的影響。結果表明:低重位點陣(coincidencesite lattice,CSL)晶界比例越高,其耐腐蝕性能越強,特別是低CSL ∑3”(n=1,2,3)晶界的大量存在,降低了普通晶界的網(wǎng)絡連通性,阻礙了腐蝕沿晶界的擴展,提高了B10白銅對海水的耐腐蝕性。當樣品B中∑3”晶界的長度為47.07%時,其腐蝕電勢為-0.289V、腐蝕電流密度為3.341×10 -6 A/cm2、腐蝕膜阻抗為33.102 Ω/cm2、腐蝕膜厚度為17.5 μm。

        關鍵詞:BlO白銅管材;晶界特征分布;電化學腐蝕;靜態(tài)腐蝕

        中圖分類號:TG 146 文獻標志碼:A

        Cu-Ni合金由于其良好的耐海水腐蝕性能,在船舶工程、海水淡化等方面被廣泛應用[1]。Cu-Ni合金在海水中存在較多的腐蝕失效現(xiàn)象,提高Cu-Ni合金的耐腐蝕性能一直是研究的熱點[2-3]。宋春梅[4]研究了釔元素微合金化對BlO白銅(一種Cu-Ni合金)耐腐蝕性的影響。Zhu等[5]發(fā)現(xiàn)Mn的質量分數(shù)為0.87%時,BlO白銅中可以生成更多的Ni0,產(chǎn)生更厚的氧化膜。Shao等[6]經(jīng)過研究得出,F(xiàn)e,Mn質量比為1.69:0.69時,BlO白銅有更好的耐腐蝕性能。

        20世紀90年代出現(xiàn)了晶界工程研究領域[7]。為了提高Cu-Ni合金的耐腐蝕性能,晶界工程技術廣泛應用其中[8]。Gao等[9]發(fā)現(xiàn),隨著變形量的增加,Cu-Ni合金的強度和硬度均提高,塑性降低。趙清等[10]研究發(fā)現(xiàn),Ni基825合金的低重位點陣(coincidence site lattice,CSL)晶界比例隨退火溫度的升高不斷下降。

        本文選取4種BlO白銅管材,分析其特征晶界分布,之后在人工模擬海水中進行靜態(tài)腐蝕試驗,分析其耐腐蝕性能,探究BlO白銅的晶界特征分布和耐腐蝕性之間的聯(lián)系。

        1 試驗

        1.1 試驗材料

        試驗選用4種BlO白銅管材,記為樣品A、樣品B、樣品C、樣品D。采用電感耦合等離子體光譜儀對合金成分進行測定,并測量每種樣品的管徑和壁厚,結果見表1。從表1中可以看出,4種樣品中,3種主要合金元素Ni,F(xiàn)e,Mn的質量分數(shù)接近,并且均符合GB/T 26291-2020標準的規(guī)定。樣品A、樣品C的變形工藝為單道次冷軋,樣品B、樣品D的變形工藝為多道次冷軋。

        1.2 樣品制備及測試

        試驗選用的BlO白銅管材示意圖見圖1。從管材上切取表面尺寸為1 cmx1 cm的正方形塊狀樣品,對樣品的內(nèi)表面進行打磨拋光,然后進行觀察。之后,進行30 d的人工模擬海水靜態(tài)腐蝕試驗,人工模擬海水的成分如表2所示。隨后,進行電化學腐蝕試驗,以3.5%NaCI(%為質量分數(shù),下同)水溶液為腐蝕介質,掃描速度為l mV/s,電勢波動控制在±1 mV以內(nèi),采用以鉑片為輔助電極、飽和甘汞電極為參比電極的三電極體系。樣品的測試面與導線和導電膠連接,其他面采用石蠟密封,只留下1 cmxl cm的實際工作區(qū)域與鉑電極對齊。采用電化學工作站對4種樣品的極化曲線和電化學阻抗譜(electrochemical impedance spectroscopy, EIS)進行測試。以20 mV/min的掃描速率測試4種樣品的極化曲線,開路電勢測試時間為400 s,測試范圍為-0.5~0.5 V。電化學阻抗譜測試頻率為0.01 Hz~100 kHz,交流信號激發(fā)幅值為5 mV。試驗結束后,利用Origin軟件和ZSimpWin3.3Demo軟件對試驗數(shù)據(jù)進行擬合,比較4種樣品的耐腐蝕性能。為了減少試驗誤差和樣品之間的相互干擾,對每個樣品進行3次電化學測試。利用掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope,SEM)、SEM自帶的能譜儀(energy disperse spectroscopy,EDS)和電子背散射衍射(electron back-scattered diffraction,EBSD)系統(tǒng)分析樣品的微觀結構、腐蝕后的表面形貌、腐蝕膜(Cu基體和海水發(fā)生反應生成的氧化膜)的組成。

        2 試驗結果與分析

        2.1 腐蝕性能測試

        圖2為在人工模擬海水中靜態(tài)腐蝕30d的樣品(以下簡稱為:靜態(tài)腐蝕樣品),在3.5%NaCl水溶液中測得的極化曲線,其腐蝕電流密度(icorr)和腐蝕電勢(Ecorr)如表3所示。通常情況下,樣品的icorr越低、Ecorr越高,其耐腐蝕性越強。從圖2中可以看出,管徑較大的樣品A和樣品B的Ecorr和i corr均小于管徑較小的樣品C和樣品D的,這是由于擴徑工藝相當于一次正火處理,使其組織更加均勻,晶粒更加細小。且對于相同管徑,多道次冷軋的樣品比單道次冷軋的樣品的耐腐蝕性能更好,這是因為多道次冷軋配合的中間退火使其組織更加均勻[11]。樣品B的Ecorr為-0.289 V,明顯高于其他樣品的,且icorr最小(3.34lx10 -6 A/cm2),所以,樣品B的鈍化現(xiàn)象更加明顯,耐腐蝕性更好。

        圖3和圖4分別為4種靜態(tài)腐蝕樣品在3 .5%NaCI水溶液中測得的EIS的Nyquist圖和Bode圖。其中,Z'為阻納數(shù)據(jù)的實部;Z''為阻納數(shù)據(jù)的虛部;lZl為阻抗模。由圖3可知,大管徑的容抗弧半徑更大,說明其耐腐蝕性更強,其中,樣品B的容抗弧半徑最大。Bode圖顯示,樣品B的阻抗模值最大,說明該樣品的電極反應阻力大,耐腐蝕能力強。這與圖2中測得的極化曲線結果一致。圖5為電化學阻抗譜的等效電路圖,4種樣品都為典型的雙層腐蝕膜結構[12],在擬合元器件中,Rn為溶液阻抗,C1和C2分別為內(nèi)層腐蝕膜和外層腐蝕膜的恒定相元,Rfl和Rf2分別為內(nèi)層腐蝕膜和外層腐蝕膜的阻抗。從表4中可以看出,樣品B的阻抗最大。表4中,Rtotal為膜層總阻抗;x為卡方,代表擬合的質量;n表示偏離理想電容的程度,n1對應C1,n2對應C2。

        2.2 表面形貌分析

        圖6為靜態(tài)腐蝕樣品A的腐蝕膜表面形貌圖。4種樣品的腐蝕膜均為雙層,形貌與成分都相差不大,因此,只對樣品A進行分析。根據(jù)文獻[6]和表5中的EDS分析可以看出,A代表的外層腐蝕膜以較為穩(wěn)定的Cu2(OH)3CI為主,且Fe和Ni的含量高于表1中所示的含量,這表明存在Fe和Ni的富集現(xiàn)象,由B代表的內(nèi)層腐蝕膜以Cu2O為主。

        4種靜態(tài)腐蝕樣品的表面形貌如圖7所示,圖中白色顆粒為NaCI晶體,這導致了圖6中A、B區(qū)域的CI含量偏高。圖7中的4種樣品均有裂紋,這是由于腐蝕多為沿晶界腐蝕,圖中腐蝕產(chǎn)物膜上的裂紋為Cl侵蝕后的形貌。4種樣品的表面膜層均生長得較為均勻、致密,可以看到樣品B、樣品D的裂紋比例小于樣品A和樣品C的。

        圖8為4種靜態(tài)腐蝕樣品的橫截面圖。其腐蝕膜厚度通過不同區(qū)域的10次測量取平均值。樣品B的腐蝕膜總厚度為17.5 μm,在4種樣品中最厚,且其膜層分布較為均勻。結合電化學測試的結果可知,腐蝕膜越厚、分布越均勻,樣品的icorr越小、膜層電阻越大,具備更好的耐腐蝕性能。

        2.3 晶界特征分布

        4種樣品的歐拉圖如圖9所示,晶粒尺寸統(tǒng)計如表6所示。從圖9和表6中可以看出,對于同一管徑,單道次冷軋的樣品,其平均晶粒尺寸明顯大于多道次冷軋的。樣品A、樣品B經(jīng)過擴徑工藝后,其平均晶粒尺寸小于樣品C和樣品D的。耐腐蝕性最好的樣品B的平均晶粒尺寸為5.582 μn,晶粒個數(shù)為605個,方差為33.498,晶粒尺寸較為均勻。晶粒尺寸越大,晶界的總面積越小,這樣可以有效減少腐蝕介質在基體內(nèi)部運輸?shù)耐ǖ溃瑥亩鴾p少參與腐蝕的活性原子數(shù)量,使腐蝕速率降低[13]。

        4種樣品的相鄰晶粒取向差如圖10所示。從圖10中可以看出,樣品的相鄰晶粒取向差主要集中在600附近,這在中低層錯能的面心立方結構的Cu中較為常見,多為退火孿晶。其余的晶粒取向差隨機分布。退火孿晶越多,與退火孿晶形成的低CSL晶界的比例越大[14]。

        圖II為4種樣品晶界的特征分布結果,不同顏色的線條代表不同的晶界,∑3晶界中以{111}為孿晶面的稱作共格孿晶界,記為{111}-∑3晶界[15]。數(shù)據(jù)統(tǒng)計見表7。將表7中的數(shù)據(jù)繪制成如圖12所示的柱狀圖,可以清晰地看到4種樣品的差異。結果表明,4種樣品中低CSL∑3”晶界以∑3晶界為主,且占比很大;樣品A和樣品B中的低CSL∑3”晶界分別占所有晶界總長度的44.93%和47.07%,明顯高于樣品C和樣品D的12.23%和18.92%,大管徑的{111).∑3晶界的長度也遠高于后兩者,占據(jù)了∑3晶界的絕大部分。低CSL晶界,特別是∑3”(n=1,2,3)晶界的大量存在,降低了普通晶界的網(wǎng)絡連通性[16],阻礙了腐蝕沿晶界擴展,提高了Cu基體的耐腐蝕性。4種樣品橫截面的晶粒取向分布情況如圖13所示??梢钥闯鲈谌∠蚍植紙D中沒有特別占優(yōu)勢的某種顏色,說明4種樣品橫向的晶粒取向都是隨機分布的,沒有明顯的擇優(yōu)取向。從圖13(c)中可以看出,樣品C在<111>方向稍有偏聚,即在圖13(c)中接近藍色的晶粒較多。

        3 結 論

        (1)多道次冷軋可以細化晶粒,并產(chǎn)生更多的特殊晶界,多道次冷軋的樣品比單道次軋制的樣品有更好的耐腐蝕性能。擴徑工藝使得大管徑樣品的耐腐蝕性能提高。

        (2)低CSL晶界比例與耐腐蝕性能有一定的關系,特殊晶界比例越高,樣品的耐腐蝕性能越好,∑3”晶界的大量存在,降低了普通晶界的網(wǎng)絡連通性,阻礙了腐蝕沿晶界擴展,提高了基體的耐腐蝕性能,提高了樣品的耐海水腐蝕能力。

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