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        不同溫度條件下晶體硅光伏組件光/電致衰減

        2023-04-12 00:00:00朱冰潔宋昊陳昊旻懷朝君胡旦何一峰
        太陽能學(xué)報 2023年6期

        收稿日期:2022-01-24

        基金項目:浙江省領(lǐng)軍型創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團隊項目(2019R01012)

        通信作者:朱冰潔(1991—),女,碩士、工程師,主要從事光伏器件性能及可靠性檢測技術(shù)方面的研究。cpvtzbj@163.com

        DOI:10.19912/j.0254-0096.tynxb.2022-0111 文章編號:0254-0096(2023)06-0227-07

        摘 要:晶體硅光伏組件存在多種光/電衰減機制,為了研究不同衰減條件的影響,該文首先對不同條件的衰減機理進行探討;然后進行不同類型的衰減試驗,并對試驗結(jié)果進行分析。通過試驗發(fā)現(xiàn),所有類型的太陽電池均有光致或電致衰減現(xiàn)象;相較于PERC太陽電池,TOPCon太陽電池的光致及電致衰減速率較慢,同時在光致衰減(LID)試驗中穩(wěn)定周期最長;在LID試驗后,所有類型太陽電池均會發(fā)生高溫光致衰減。分析電致衰減(CID)與高溫光致衰減(LeTID)試驗衰減數(shù)據(jù),發(fā)現(xiàn)組件功率衰減與填充因子變化呈正相關(guān)。

        關(guān)鍵詞:光伏組件;光/電致衰減;載流子注入;高溫;可靠性

        中圖分類號:TM914 """"""" 文獻標(biāo)志碼:A

        0 引 言

        光伏組件在投入使用之初都受到光致衰減(light induced degradation, LID)現(xiàn)象的困擾,導(dǎo)致光伏組件的功率在使用早期發(fā)生一定衰減[1]。除LID外,一些研究機構(gòu)提出可在光伏組件上施加適當(dāng)電流來模擬衰減,稱為電致衰減(current induced degradation, CID)[4]。近年來,另一種只有在較高溫度下才出現(xiàn)的光照衰減模式——高溫光致衰減(light and elevated temperature induced degradation, LeTID)引起了制造商的注意[5-6]。LID和CID的機理已有研究發(fā)現(xiàn)(硼氧絡(luò)合物的形成[7]和鐵硼對的離解[8]),然而,LeTID的機制尚不清楚,目前逐漸形成了兩種猜想:1)高溫載流子注入時,金屬雜質(zhì)引起太陽電池性能衰減[9];2)太陽電池中氫含量太高造成太陽電池性能衰減[10]。

        雖然目前LID測試有一些標(biāo)準(zhǔn),但CID或LeTID測試無公認的標(biāo)準(zhǔn)。為了探討不同溫度下光/電誘導(dǎo)衰減對光伏組件性能的影響,本文設(shè)計并進行幾種實驗條件不同的衰減試驗,并根據(jù)試驗結(jié)果總結(jié)出合理的CID及LeTID試驗方案。

        1 試驗設(shè)計

        選擇5種類型的太陽電池:鎵摻雜單晶PERC太陽電池、硼摻雜單晶雙面PERC太陽電池、多晶鋁背場太陽電池、多晶PERC太陽電池及TOPCon太陽電池[11],太陽電池尺寸均為156 mm×156 mm。各類型的太陽電池初始功率相近,將其分別制備成4片一組的同尺寸光伏組件,光伏組件均為單玻封裝,使用福斯特F406PS/806PS的EVA膠膜以及賽伍KPf白色背板,光伏組件類型及數(shù)量見表1。

        依據(jù)不同的測試程序?qū)⒋郎y組件分為A、B、C共3組。A組中,光伏組件在輻照度1000 W/m2,溫度40 ℃的條件下進行光照衰減(LID)試驗,同時保持樣品為開路狀態(tài)。B組中,在室溫條件下對光伏組件進行電注入載流子(CID)試驗,電流值為標(biāo)準(zhǔn)測試條件下光伏組件在最大功率點(maximum power point tracking,MPP)工作時的電流[Impp]。C組對組件進行LeTID試驗,試驗溫度75 ℃,同時注入[Isc-Impp]的電流[12]。為了防止LID的影響,所有光伏組件在進行LeTID試驗前均需進行LID初始穩(wěn)定性試驗。試驗序列如圖1所示,試驗中標(biāo)準(zhǔn)測試(standard test conditiom,STC)條件為:測試輻照度1000 W/m2,樣品溫度(25±2)℃。

        2 試驗結(jié)果與分析

        2.1 LID試驗

        LID試驗后同種類型光伏組件樣品衰減趨勢基本一致,對2件光伏組件樣品選取其中一件作為代表,功率歸一化后變化趨勢結(jié)果如圖2。

        LID試驗后各種類型光伏組件穩(wěn)定所需時長及22 h試驗后平均衰減率見表2,參照標(biāo)準(zhǔn)IEC 63202-1: 2019[13]穩(wěn)定條件為:

        [Pmax-PminPaverage×100%lt;0.5%]" (1)

        式中:[Pmax]、[Pmin]、[Paverage]——[Pn-2、][Pn-1]和[Pn]連續(xù)3次LID試驗后的最大功率的最大值、最小值與平均值。

        通過圖2及表2可看出,LID試驗后,按照IEC 63202-1的穩(wěn)定判定依據(jù),單晶光伏組件MA、MB到達穩(wěn)定的時長短于多晶光伏組件PA、PB,但穩(wěn)定后繼續(xù)進行LID試驗仍會發(fā)生功率衰減,且整體衰減率高于多晶光伏組件,其中MB即硼摻雜多晶雙面太陽電池22 h試驗后的光致衰減率最高,說明LID的發(fā)生的確與硼摻雜有較大關(guān)系。TOPCon光伏組件在進行光致衰減試驗時功率先升高后降低,整體穩(wěn)定時長最長,但衰減程度最小。

        2.2 CID試驗

        將CID試驗后各類型光伏組件電性能參數(shù)進行整理,同種光伏類型組件樣品衰減趨勢基本一致,對兩件光伏組件樣品選取其中一件作為代表,功率歸一化后各電性能參數(shù)變化趨勢結(jié)果如圖3所示,其中Isc為短路電流,Voc為開路電壓,F(xiàn)F為填充因子。

        試驗84 h后,各樣品平均衰減率見表3。

        對最大功率[Pmax]與開路電壓[Voc、]短路電流[Isc、]填充因子[FF]進行皮爾遜(Pearson’s)相關(guān)系數(shù)([r])分析,相關(guān)系數(shù)分析公式為:

        [r=i=1nXi-XYi-Yi=1nXi-X2i=1nYi-Y2]" (2)

        式中:[X、][Y]——隨機變量;[Xi、][Yi]——[X、][Y]對應(yīng)[i]點的觀測值;[X][、][Y]——[X、][Y]對應(yīng)的樣本平均數(shù)。

        相關(guān)性分析結(jié)果如表4。

        分析圖3、表3與表4可發(fā)現(xiàn):單晶樣品中,MB類型即硼摻雜單晶雙面PERC光伏組件的衰減同樣高于MA類型即鎵摻雜單晶PERC光伏組件;多晶樣品中,PA類型即多晶鋁背場光伏組件的衰減率高于PB類型即多晶PERC光伏組件;TOPCon光伏組件在CID試驗后功率衰減趨勢與LID試驗后衰減趨勢基本一致,同樣存在先升高后衰減的現(xiàn)象,且衰減程度最小。但84 h試驗后,多晶光伏組件的功率衰減整體高于單晶光伏組件的衰減。說明電注入與光注入均會對光伏組件造成一定的功率衰減影響,且衰減趨勢基本一致,因為兩種注入方式均為載流子注入,只是衰減的速率稍有差異。通過分析最大功率的變化與短路電流、開路電壓、填充因子變化的相關(guān)系數(shù),可發(fā)現(xiàn)填充因子與最大功率的相關(guān)系數(shù)最接近于1,即最大功率的衰減主要與填充因子的衰減呈完全正相關(guān)關(guān)系。

        2.3 LeTID試驗

        將LeTID試驗后各類型光伏組件電性能參數(shù)進行整理,對兩件樣品的光伏組件選取其中一件樣品作為代表,功率歸一化后各電性能參數(shù)變化趨勢結(jié)果如圖4所示。圖4中,初始穩(wěn)定性數(shù)據(jù)體現(xiàn)在初始~0 h階段,試驗456 h后,各類樣品平均衰減率見表5。

        對最大功率[Pmax]與開路電壓[Voc、]短路電流[Isc、]填充因子FF進行皮爾遜相關(guān)系數(shù)([r])分析,分析結(jié)果見表6。

        分析圖4、圖5與表6可發(fā)現(xiàn):進行光致衰減,樣品達到穩(wěn)定后,各類型光伏組件然會在高溫小電流情況下發(fā)生衰減。單晶樣品中,MA類型即鎵摻雜單晶PERC光伏組件的衰減高于MB類型即硼摻雜單晶雙面PERC光伏組件;多晶樣品中,PB類型即多晶PERC光伏組件的衰減率高于PA類型即多晶鋁背場光伏組件;單晶、多晶光伏組件的衰減與LID或CID的衰減程度均相反;TOPCon光伏組件仍存在先升高后衰減的現(xiàn)象,衰減程度高于其他兩類單晶光伏組件。456 h試驗后,多晶光伏組件的功率衰減整體高于單晶光伏組件的衰減。通過分析最大功率的變化與短路電流、開路電壓、填充因子變化的皮爾遜相關(guān)系數(shù),可發(fā)現(xiàn)各類型樣品的填充因子與最大功率的相關(guān)系數(shù)最接近于1,即最大功率的衰減主要與填充因子的衰減呈完全正相關(guān)關(guān)系。

        由于試驗時間有限, 456 h的試驗時長并未使所有樣品達到穩(wěn)定狀態(tài),相信隨著試驗時間的增加,衰減仍會繼續(xù)進行,此部分試驗有待進一步驗證。

        2.4 CID與LeTID衰減分析

        對于常溫及高溫電注入試驗(CID及LeTID),光伏組件均發(fā)生明顯衰減,其衰減趨勢的原因仍有待解釋。雖然很多研究提出復(fù)合中心的假說[14-15],但這些復(fù)合假說與光伏組件性能之間缺乏對應(yīng)的因果聯(lián)系。根據(jù)上述相關(guān)性系數(shù)分析結(jié)果可發(fā)現(xiàn),測試光伏組件在CID與LeTID中的性能衰減主要與[FF]的衰減相關(guān),因此建立[FF]與光伏組件內(nèi)部的參量變化是該工作的重點。[FF]的定義為:

        [FF=PmppVocIsc×100%]"" (3)

        式中:[Pmpp]——特定太陽電池或光伏組件在最大功率點的輸出光功率,W;[Voc]——組件開路電壓,V;[Isc]——光伏組件短路電流,I。

        可看出[FF]實際定義了光電轉(zhuǎn)換過程中光功率輸出能力的矩形比,也就是說,[FF]可衡量光電轉(zhuǎn)換過程中光電流對外輸出的能力強弱。因此,光伏組件內(nèi)部的阻值分布情況直接影響太陽電池的輸出能力。根據(jù)試驗前后的綜合,總結(jié)了光伏組件在CID與LeTID的阻值變化情況,如表7所示

        可看出,經(jīng)過CID與LeTID測試,光伏組件的串聯(lián)電阻Rs均有明顯升高,說明光伏組件內(nèi)的復(fù)合中心被激活,故電荷在傳輸過程中受到復(fù)合中心的牽引而偏離向電極的定向傳導(dǎo)[16]。此時,太陽電池不對外供電,串聯(lián)電阻反映光伏組件內(nèi)部阻值的復(fù)合情況。故,CID與LeTID試驗過程都能激發(fā)光伏組件內(nèi)部的復(fù)合態(tài),引起串聯(lián)電阻增加,從而導(dǎo)致光伏組件對外輸出能力下降,最終使光伏組件性能衰減。

        為進一步證明串聯(lián)電阻是導(dǎo)致衰減測試效率降低的原因,對比CID與LeTID試驗前后光伏組件的電致發(fā)光(electroluminescence, EL)圖像,如圖5及圖6所示,試驗前后EL測試時采用的電流為0.1倍[Isc]。

        從圖5及圖6可看出,CID與LeTID試驗后,光伏組件電致發(fā)光圖像未發(fā)生明顯缺陷,但整體亮度變暗。在輸入功率一定的條件下,由于內(nèi)部非輻射復(fù)合加劇,輻射復(fù)合分擔(dān)的能量減少,EL發(fā)光的光子數(shù)減少,故經(jīng)過衰減試驗的樣品整體發(fā)光強度弱于初始狀態(tài)([E=Nhv]其中,E為總光子能量,N為總光子數(shù),h為普朗克常數(shù),V為頻率);[FF]的降低也導(dǎo)致了光伏組件流經(jīng)的電流整體下降,故發(fā)光效率隨內(nèi)部復(fù)合增加而減小,導(dǎo)致光伏組件EL圖像整體變暗。

        3 結(jié) 論

        通過上述試驗數(shù)據(jù)的分析,可得到以下結(jié)論:

        1)所有類型的光伏組件在不同試驗溫度下均存在不同程度的光致/電致衰減。

        2)在LID及CID試驗中,與其他單晶、多晶光伏組件相比,TOPCon光伏組件衰減最小,且在LID試驗中,其所需的穩(wěn)定時間最長。

        3)在所有試驗中,TOPCon光伏組件的功率均存在先升高后降低的衰減趨勢。

        4)在進行光致穩(wěn)定LID試驗后,所有類型光伏組件仍存在高溫光致衰減LeTID現(xiàn)象,說明所有光伏組件在戶外到達初始光致穩(wěn)定后,仍在高溫條件下存在光致衰減的風(fēng)險,此類試驗有必要在實驗室內(nèi)評估光伏組件可靠性的前期階段進行。

        5)分析CID與LeTID試驗衰減數(shù)據(jù),發(fā)現(xiàn)光伏組件功率衰減與FF變化呈正相關(guān),對比試驗前后串聯(lián)電阻及EL圖像變化,發(fā)現(xiàn)主要是由于試驗導(dǎo)致光伏組件內(nèi)部非輻射復(fù)合加劇,引起串聯(lián)電阻增加,從而導(dǎo)致光伏組件對外輸出能力下降,最終使光伏組件的性能衰減。通過該研究,為光伏組件實驗室內(nèi)可靠性測試提供了試驗方向。

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        LIGHT/CURRENT-INDUCED DEGRADATION OF CRYSTALLINE SILICON PHOTOVOLTAIC MODULES UNDER DIFFERENT TEMPERATURES

        Zhu Bingjie1,Song Hao1,Chen Haomin1,Huai Chaojun1,Hu Dan1,He Yifeng2

        (1. Wuxi Institute of Inspection, Testing and Certification, Wuxi 214000, China;

        2. Zhejiang Beyondsun PV Co., Ltd., Huzhou 313008, China)

        Keywords:PV modules; light/current-induced degradation; carrier injection; high temperature; reliability

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