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        釩含量對(duì)磁控濺射TiAlVN薄膜性能的影響

        2023-03-03 11:04:56陸昆趙立軍
        電鍍與涂飾 2023年3期

        陸昆 ,趙立軍

        1.滁州城市職業(yè)學(xué)院,安徽 滁州 239000

        2.江蘇科技大學(xué),江蘇 鎮(zhèn)江 210003

        薄膜技術(shù)是改善材料表面性能的重要方法之一[1-2]。TiN薄膜因其硬度低、抗高溫氧化性能差等原因,已經(jīng)不能適應(yīng)現(xiàn)代高溫切削行業(yè)的需求。TiAlN薄膜是在TiN薄膜基礎(chǔ)上衍生并發(fā)展起來(lái)的硬質(zhì)薄膜材料,因其具有優(yōu)異的力學(xué)性能、抗高溫氧化性能和耐摩擦磨損性能,被廣泛應(yīng)用在刀具、汽車(chē)零部件、航空航天等領(lǐng)域,具有良好的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益[3-6]。

        隨著“中國(guó)制造2025”戰(zhàn)略的實(shí)施和臨近,在現(xiàn)有金屬氮化物薄膜中加入一種或多種元素(如W、Mo、C、V等)來(lái)提高薄膜的綜合性能,已成為當(dāng)前研究的重點(diǎn)。許俊華等[7]在TaN薄膜中引入V元素,發(fā)現(xiàn)TaVN膜的硬度和耐摩擦磨損性能都顯著優(yōu)于TaN薄膜。胡紅霞等[8]在NbN薄膜中加入了V元素,得到綜合性能良好的NbVN膜。可見(jiàn)在過(guò)渡金屬薄膜中引入V元素已成為制備具有優(yōu)異性能薄膜的常用手段。為獲得性能更加優(yōu)異的納米薄膜材料,以滿足高端制造的需要,本課題組在前期TiAlN薄膜研究的基礎(chǔ)上,采用磁控濺射法將V元素?fù)饺隩iAlN薄膜中,通過(guò)控制V靶功率制備了一系列不同V含量的TiAlVN膜,研究了V原子分?jǐn)?shù)對(duì)膜層微觀結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能及抗高溫氧化性能的影響。

        1 實(shí)驗(yàn)

        1.1 薄膜制備

        采用純度均為99.99%的Ti靶、Al靶和V靶,直徑均為75 mm,厚度均為5 mm。單晶Si片做基片, 實(shí)驗(yàn)前依次用丙酮和無(wú)水乙醇超聲波清洗15 min,干燥后備用。

        采用JGP-450多靶磁控濺射設(shè)備制備薄膜,設(shè)備包含兩個(gè)射頻濺射槍和一個(gè)直流濺射槍。基片架與靶相距110 mm。Ti靶和Al靶分別安裝在兩個(gè)獨(dú)立的射頻陰極上,V靶安裝在直流電源上。將預(yù)處理過(guò)的基片裝入真空室內(nèi)的可旋轉(zhuǎn)基片架上。待真空度低于6.0 × 10-4Pa后,同時(shí)通入純度均為99.999%的Ar和N2,Ar和N2的流量分別為10 mL/min和3 mL/min(均為標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)),并保持工作氣壓為0.3 Pa不變,基體溫度保持在200 ℃。為提高薄膜與基體之間的結(jié)合力,先在單晶Si片表面鍍100 nm左右的純V作為過(guò)渡層,再沉積2 μm厚左右的TiAlVN膜。在磁控濺射TiAlVN薄膜的過(guò)程中,Ti靶和Al靶的功率分別固定為250 W和140 W,V靶功率調(diào)節(jié)為0、30、60、90或120 W,以獲得不同V含量的薄膜。

        1.2 性能表征

        采用島津XRD-6000型X射線衍射儀(XRD)分析薄膜的晶相結(jié)構(gòu),電壓40 kV,電流30 mA,掃描范圍30° ~ 80°,掃描速率4°/min。采用JSM-6480型掃描電鏡(SEM)及其附帶的能譜儀(EDS)分析薄膜的表面形貌和元素組成。采用CPX+NHT2+MST納米力學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)表征薄膜硬度,選擇3 mN的加載力,以防壓痕深度超過(guò)薄膜厚度的1/10,每個(gè)樣品測(cè)9個(gè)不同點(diǎn),取平均值。在SX-4-10箱式爐中對(duì)不同薄膜高溫退火2 h,升溫速率18 ℃/s,最高溫度1 200 °C,對(duì)比不同薄膜的抗高溫氧化性能。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 TiAlVN膜的成分和晶相結(jié)構(gòu)

        表1給出了不同V靶功率下磁控濺射得到的TiAlVN膜中Ti、Al和V元素的原子分?jǐn)?shù)。隨著V靶功率的增大,TiAlVN膜的Ti原子分?jǐn)?shù)顯著減小,Al原子分?jǐn)?shù)略微減小,V的原子分?jǐn)?shù)增大。

        表1 不同V靶功率下所得TiAlVN膜中各元素的原子分?jǐn)?shù) Table 1 Atom fractions of different elements in TiAlVN films sputtered at different powers of vanadium target (單位:%)

        從圖1可以看出,在TiAlN膜中引入V元素后,TiAlN膜的晶相結(jié)構(gòu)并沒(méi)有發(fā)生太大的變化。TiAlN膜和不同V含量的TiAlVN膜都呈現(xiàn)面心立方結(jié)構(gòu),擇優(yōu)取向面都是(111)面,并含有較弱的(222)面衍射峰。隨著V原子分?jǐn)?shù)的增大,TiAlVN膜的衍射峰逐漸向大角度偏移,但始終以(111)面為擇優(yōu)取向面。在TiAlN膜中添加V元素時(shí),V原子會(huì)取代Ti原子而生成TiAlVN置換固溶體。V原子半徑略小于Ti原子半徑,所以V原子取代Ti原子形成TiAlVN固溶體后其晶格常數(shù)降低,衍射峰向大角度偏移。VN和TiN的衍射峰相近,都呈(111)面擇優(yōu)取向,因此不同V含量的TiAlVN膜都呈(111)面擇優(yōu)生長(zhǎng)。

        圖1 不同V含量的TiAlVN膜的XRD譜圖 Figure 1 XRD patterns of TiAlVN films with different atom fractions of vanadium

        2.2 V含量對(duì)TiAlVN膜硬度的影響

        從圖2可見(jiàn),TiAlVN膜的硬度高于TiAlN膜。隨著V含量的增大,TiAlVN膜的硬度先升高后降低,在V的原子分?jǐn)?shù)為16.96%時(shí)TiAlVN膜的硬度最高,為31.67 GPa。

        圖2 V原子分?jǐn)?shù)對(duì)TiAlVN膜硬度的影響 Figure 2 Effect of atom fraction of vanadium on hardness of TiAlVN film

        V元素對(duì)TiAlN膜硬度的影響可以通過(guò)固溶強(qiáng)化和晶格錯(cuò)配度兩個(gè)方面來(lái)解釋。一方面,在TiAlVN膜制備過(guò)程中,V原子以置換的形式逐步取代Ti原子形成TiAlVN固溶體,V的原子半徑比Ti原子半徑小,從而引起晶格畸變[9],致使薄膜的硬度提高。另一方面,VN和AlN的晶格錯(cuò)配度小于TiN和AlN的晶格錯(cuò)配度[10]。隨著V原子分?jǐn)?shù)增大,VN的含量在增大,相反TiN含量減小。TiAlN膜的殘余應(yīng)力隨著晶格錯(cuò)配度降低而減小,使膜層硬度逐漸下降。當(dāng)V原子分?jǐn)?shù)從0升至16.96%時(shí),固溶強(qiáng)化機(jī)制起主要作用,膜層硬度逐漸升高;V原子分?jǐn)?shù)從16.96%繼續(xù)升高到36.20%時(shí),晶格錯(cuò)配度對(duì)TiAlN膜的硬度變化起決定性作用,所以膜層硬度逐漸降低。

        2.3 V含量對(duì)TiAlVN膜抗高溫氧化性能的影響

        從圖3可以看到,V原子分?jǐn)?shù)為6.21%時(shí),即使在700 ℃高溫下退火也沒(méi)有出現(xiàn)氧化物的衍射峰,說(shuō)明此時(shí)TiAlVN膜的抗高溫氧化性能良好。V原子分?jǐn)?shù)增加到16.96%時(shí),在550 ~ 650 ℃下退火時(shí)無(wú)氧化物生成,但700 ℃退火后在2θ為20.26°、31.24°和41.46°處出現(xiàn)了V的氧化物衍射峰。V原子分?jǐn)?shù)達(dá)到26.72%時(shí),在550 ~ 600 ℃下退火時(shí)無(wú)氧化物生成,但在650 ℃下退火后2θ為41.46°處出現(xiàn)了V的氧化物衍射峰,700 ℃退火后在2θ為20.26°、31.24°、41.46°和46.58°處出現(xiàn)了V的氧化物衍射峰,2θ為26.36°處出現(xiàn)了Ti的氧化物衍射峰。V原子分?jǐn)?shù)進(jìn)一步增加到36.20%時(shí),600 ℃退火后在2θ為20.26°時(shí)就出現(xiàn)了微弱的V2O5衍射峰,700 ℃下退火后在2θ為20.26°、31.24°、41.46°、46.58°和52.28°處出現(xiàn)了V的氧化物衍射峰,2θ為26.36°處出現(xiàn)了Ti的氧化物衍射峰。由此可見(jiàn),隨著V含量增大,TiAlVN膜的抗高溫氧化性能逐漸降低。

        圖3 不同V原子分?jǐn)?shù)的TiAlVN膜高溫退火2 h后的XRD譜圖 Figure 3 XRD patterns of TiAlVN films with different atom fractions of vanadium after annealing at high temperature for 2 h

        進(jìn)一步采用掃描電鏡對(duì)經(jīng)700 ℃退火的不同V含量TiAlVN膜的表面形貌進(jìn)行觀察。從圖4可知,隨著V原子分?jǐn)?shù)的增大,TiAlVN膜表面的氧化程度逐漸加重。V原子分?jǐn)?shù)為6.21%的TiAlVN膜退火后表面無(wú)明顯變化;V原子分?jǐn)?shù)為16.96%的TiAlVN膜退火后表面形成了少量白色氧化物晶體,此時(shí)薄膜表面應(yīng)已發(fā)生一定程度的氧化;V原子分?jǐn)?shù)為26.72%和36.20%的TiAlVN膜退火后表面出現(xiàn)較多的白色氧化物晶體。這說(shuō)明TiAlVN膜的V原子分?jǐn)?shù)越大,其抗高溫氧化性能越差,與XRD分析結(jié)果一致。

        圖4 不同V原子分?jǐn)?shù)的TiAlVN膜在700 ℃下退火2 h后的SEM圖像 Figure 4 SEM images of TiAlVN films with different atom fractions of vanadium after annealing at 700 °C for 2 h

        3 結(jié)論

        通過(guò)控制V靶功率在單晶Si片表面磁控濺射得到V原子分?jǐn)?shù)不同的TiAlVN膜,得出如下結(jié)論:

        1) 隨著V靶功率增大,TiAlVN膜的V原子分?jǐn)?shù)增大,衍射峰逐漸向大角度偏移,但都為面心立方結(jié)構(gòu),并始終沿著(111)晶面擇優(yōu)取向生長(zhǎng)。

        2) 隨著TiAlVN膜的V原子分?jǐn)?shù)增大,其硬度先升高后降低,在V原子分?jǐn)?shù)為16.96%時(shí)達(dá)到最高硬度31.67 GPa。

        3) TiAlVN膜的抗高溫氧化性能隨著V含量的增大而逐漸變差。

        4) TiAlVN膜的V原子分?jǐn)?shù)為16.96%時(shí),即磁控濺射過(guò)程中控制V靶功率為60 W時(shí),所得TiAlVN膜的綜合性能最佳。

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