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        IEC TC47/SC47D標(biāo)準(zhǔn)體系研究

        2023-03-02 16:12:36彭博崔波吳亞光李麗霞鄭鑌
        標(biāo)準(zhǔn)科學(xué) 2023年13期

        彭博 崔波 吳亞光 李麗霞 鄭鑌

        關(guān)鍵詞:IEC TC47/SC47D,半導(dǎo)體器件封裝,標(biāo)準(zhǔn)體系,系列標(biāo)準(zhǔn)

        1 IEC TC47/SC47D簡介

        在半導(dǎo)體器件的標(biāo)準(zhǔn)化工作中影響最大的國際或國外先進標(biāo)準(zhǔn)組織有國際電工委員會(IEC)、國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料組織(SEMI)、電子器件聯(lián)合工程協(xié)會(JEDEC)、歐洲電工標(biāo)準(zhǔn)化委員會電子器件委員會(CECC)等 [1]。

        國際電工委員會(IEC)是專門從事電工電子產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化工作的國際標(biāo)準(zhǔn)化組織。1961年IEC設(shè)立了TC47,即第47技術(shù)委員會—“半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會”,專門從事半導(dǎo)體器件相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)制定工作[2]。隨著封裝重要性的不斷提高,于1993年在TC47內(nèi)成立了半導(dǎo)體器件封裝標(biāo)準(zhǔn)化分技術(shù)委員會(SC47D)。

        SC47D的工作范圍是制定有關(guān)半導(dǎo)體器件封裝的機械和熱方面、封裝組裝技術(shù)和測量方法(包括晶圓級封裝)的國際標(biāo)準(zhǔn)。SC47D下設(shè)兩個工作組:WG1—封裝外形:負(fù)責(zé)外形圖和設(shè)計指南等方面的標(biāo)準(zhǔn)制定、協(xié)調(diào)和復(fù)審工作;WG2—半導(dǎo)體器件封裝的術(shù)語、定義、測試方法和相關(guān)要求:負(fù)責(zé)制定、協(xié)調(diào)和復(fù)審半導(dǎo)體器件封裝的術(shù)語、定義、測試方法和相關(guān)要求的標(biāo)準(zhǔn)[3]。

        截至2022年10月,IEC TC47/SC47D及其工作組共有9個P成員國和18個O成員國。P成員國有:奧地利、巴基斯坦、德國、韓國、比利時、美國、日本、新加坡、中國,現(xiàn)任主席由美國專家擔(dān)任,秘書處由日本國家委員會承擔(dān)。O成員國有:白俄羅斯、波蘭、丹麥、俄羅斯、芬蘭、法國、荷蘭、捷克、羅馬尼亞、葡萄牙、瑞士、瑞典、泰國、烏克蘭、西班牙、意大利、伊朗、英國。與IEC TC47/SC47D相關(guān)聯(lián)的國際標(biāo)準(zhǔn)化組織有IEC TC3/SC3D、IEC TC40、IEC TC47/SC47A、IEC TC65/SC65E、IEC TC91和JEITA。

        2 IEC TC47/SC47D標(biāo)準(zhǔn)體系

        IEC TC47/SC47D發(fā)布的現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)共24項,分別由2個工作組承擔(dān)制定和維護工作,標(biāo)準(zhǔn)可以分為兩類:第一類是半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化,第二類是半導(dǎo)體封裝的熱標(biāo)準(zhǔn)化。IEC TC47/SC47D標(biāo)準(zhǔn)體系架構(gòu)如圖1所示。

        標(biāo)準(zhǔn)制定的年份分布情況如圖2所示,從圖中可以看出,在1993年分技術(shù)委員會成立之前,在27年間僅新制定標(biāo)準(zhǔn)共6項,主要為第一類 IEC 60191的第1部分至第6部分標(biāo)準(zhǔn)。2000-2012年新制定標(biāo)準(zhǔn)17項,均為IEC 60191-6的分標(biāo)準(zhǔn)。2013-2020年無新標(biāo)準(zhǔn)制定。2021年新制定1項標(biāo)準(zhǔn),且開啟了第二類系列標(biāo)準(zhǔn),即IEC 63378。

        2.1 IEC 60191《半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化》標(biāo)準(zhǔn)

        IEC 60191-1《半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化 第1部分:分立器件外形圖繪制的一般規(guī)則》規(guī)定了分立器件(包括引線數(shù)小于8的分立式表面貼裝半導(dǎo)體器件)的外形圖繪制的一般規(guī)則,該標(biāo)準(zhǔn)由WG2負(fù)責(zé)制定和維護。

        IEC 60191-2《半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化 第2部分:外形尺寸》是IEC自1966年以來出版的活頁出版物,包含了220多張PDF格式的各種封裝外形的圖紙,便于不同國家間封裝外形圖繪制的標(biāo)準(zhǔn)化,目前以數(shù)據(jù)庫格式提供,該標(biāo)準(zhǔn)由WG1負(fù)責(zé)制定和維護。

        IEC 60191-3《半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化 第3部分:集成電路外形圖繪制的一般規(guī)則》規(guī)定了集成電路外形圖繪制的一般規(guī)則,該標(biāo)準(zhǔn)由WG1負(fù)責(zé)制定和維護。

        IEC 60191-4《半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化 第4部分:半導(dǎo)體器件封裝外形的分類和編碼體系》規(guī)定了半導(dǎo)體器件的封裝外形分類與命名方法,以及為半導(dǎo)體器件封裝生成通用性命名的系統(tǒng)方法,該標(biāo)準(zhǔn)由WG2負(fù)責(zé)制定和維護。

        IEC 60191-5《半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化 第5部分:用于集成電路載帶自動焊(TAB)的推薦值》規(guī)定了采用載帶自動焊(TAB)作為結(jié)構(gòu)和互連主要構(gòu)成的集成電路封裝推薦值,該標(biāo)準(zhǔn)適用于制造廠提供給用戶的成品單元,對集成電路(IC)到載帶的互連(內(nèi)引線焊接)沒有明確要求,該標(biāo)準(zhǔn)由WG1負(fù)責(zé)制定和維護。

        IEC 60191-6《半導(dǎo)體器件的機械標(biāo)準(zhǔn)化 第6部分:表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖繪制的一般規(guī)則》規(guī)定了標(biāo)準(zhǔn)貼裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖繪制的一般規(guī)則,該標(biāo)準(zhǔn)是對IEC 60191-1和IEC 60191-3的補充,規(guī)定了引線數(shù)大于或等于8的所有表面貼裝分立器件、以及IEC 60191-4中的“E形式”的集成電路的外形圖繪制的一般規(guī)則。IEC 60191-6標(biāo)準(zhǔn)由18個部分組成,18項標(biāo)準(zhǔn)及各部分關(guān)系如圖3所示。其中6-13、6-16、6-18、6-19、6-20、6-21和6-22由WG2負(fù)責(zé)制定和維護,其余標(biāo)準(zhǔn)由WG1負(fù)責(zé)制定和維護。

        2.2 IEC 63378《半導(dǎo)體封裝的熱標(biāo)準(zhǔn)化》標(biāo)準(zhǔn)

        IEC TR 63378-1《半導(dǎo)體封裝的熱標(biāo)準(zhǔn)化 第1部分:BGA,QFP型半導(dǎo)體封裝的熱阻和熱參數(shù)》是一份技術(shù)報告,規(guī)定了通常用于BGA和QFP型半導(dǎo)體封裝熱特性的術(shù)語和定義、熱參數(shù),以及封裝的使用指南,該技術(shù)報告由WG2負(fù)責(zé)制定和維護。

        3 IEC TC47/SC47D標(biāo)準(zhǔn)制定現(xiàn)狀

        目前,IEC TC47/SC47D分別在電子封裝模型標(biāo)準(zhǔn)和先進半導(dǎo)體封裝基板、半導(dǎo)體封裝的熱標(biāo)準(zhǔn)方面開展制定工作。

        (1)新項目提案:《電子封裝模型指南—XML要求》(Part model guideline for electronic-devicepackages - Part 1: XML requirements) ,于2020年2月由美國提出,該項目被同意作為技術(shù)報告提出,美國國家委員會將在2023年第二季度完成技術(shù)報告提交。該技術(shù)報告主要介紹了在封裝領(lǐng)域,電氣和電子產(chǎn)品中零件制造商與其客戶質(zhì)檢交互零件數(shù)據(jù)的要求,其適用于所有形式的電子零件。

        (2)新項目提案:IEC 6xxxx Ed.1《先進半導(dǎo)體封裝基板的要求規(guī)范:第1部分 封裝基板的回流焊評估測試方法》(Required Specifications of packagesubstrates for advanced semiconductor packaging : Part1- Current Reflow Evaluation Test Method for PackageSubstrate) ,2022年10月在美國舊金山召開的IECTC47/SC47D WG2工作組會議上,日本國家委員會提出此提案,并計劃做新的系列標(biāo)準(zhǔn),同時提出后續(xù)該系列標(biāo)準(zhǔn)第2部分和第3部分的計劃,計劃第2部分:《封裝基板的可靠性試驗失效分析方法》(IEC 6xxxxx - 2 Part2 Failure Analysis Methods forReliability Test of Packaged Substrates),第3部分:《用于封裝基板可靠性評估的標(biāo)準(zhǔn)基板》(IEC6xxxxx - 3 Part3 Standard Substrates for ReliabilityEvaluation of Package Substrates)回流焊評估測試方法。第1部分計劃于2023年2月完成新工作項目(NP)文件。

        (3)正在制定中的IEC 63378-2 ED.1:《半導(dǎo)體封裝熱標(biāo)準(zhǔn)化 第2部分:穩(wěn)態(tài)分析用半導(dǎo)體封裝的三維熱仿真模型》(Thermal standardizationon semiconductor packaging - Part 2: 3D thermalsimulation models of semiconductor packages forsteady-state analysis ),其規(guī)定了半導(dǎo)體封裝的三維熱仿真模型,該模型用于電子器件穩(wěn)態(tài)熱流體分析,以準(zhǔn)確評估結(jié)溫。該標(biāo)準(zhǔn)是由日本國家委員會于2022年3月提出的新工作項目,預(yù)計2023年1月完成委員會草案(CD)文件。

        (4)正在制定中的IEC 63378-3 ED.1: 《半導(dǎo)體封裝熱標(biāo)準(zhǔn)化 第3部分:瞬態(tài)分析用半導(dǎo)體封裝的熱電路仿真模型》(Thermal standardizationon s emiconductor p ackages - P art 3 : T hermal c ircuitsimulation models of semiconductor packages fortransient analysis ),其規(guī)定了單芯片半導(dǎo)體封裝的熱電路網(wǎng)絡(luò)模型,該模型用于電子器件瞬態(tài)分析,以便在封裝制造前評估芯片結(jié)溫。該標(biāo)準(zhǔn)是由日本國家委員會于2021年1月提出的新工作項目,預(yù)計2023年1月完成委員會草案(CD)文件。

        (5)新項目提案:IEC 63378-4 Ed.1: 《半導(dǎo)體封裝熱標(biāo)準(zhǔn)化 第4部分:用于評估細(xì)節(jié)距半導(dǎo)體封裝熱特性的印制電路板規(guī)范》(Printed circuitboard specifications to evaluate thermal characteristicsof fine pitch semiconductor packages ),該標(biāo)準(zhǔn)主要解決JEDEC標(biāo)準(zhǔn)不適用于細(xì)節(jié)距半導(dǎo)體封裝熱特性評估的問題,計劃將JEITA對應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)化為IEC標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)是由日本國家委員會提出,計劃于2023年2月完成新工作項目(NP)文件。

        (6)正在制定中的IEC TR 63378-5 Ed.1:《半導(dǎo)體封裝熱標(biāo)準(zhǔn)化 第5部分:半導(dǎo)體封裝材料的熱導(dǎo)率測試方法和樣品》(Thermal conductivitymeasurement methods and samples for semiconductorpackaging materials ),以技術(shù)報告的形式給出熱導(dǎo)率測試指南,通過不同熱導(dǎo)率測試方法,提供與試驗結(jié)果最接近的仿真結(jié)果。該標(biāo)準(zhǔn)是由日本國家委員會提出,計劃于2023年1月完成技術(shù)報告(TR)文件。

        (7)新項目提案:IEC 63378-6 Ed.1:《 半導(dǎo)體封裝熱標(biāo)準(zhǔn)化 第6部分:用于結(jié)測點瞬態(tài)溫度預(yù)測的熱阻和熱容模型》(Thermal resistance andcapacitance model for transient temperature predictionat junction and measurement points ),規(guī)定了用于在結(jié)點和測試點瞬態(tài)溫度預(yù)測的熱阻和熱容模型,該模型被定義為數(shù)字轉(zhuǎn)換模型。該標(biāo)準(zhǔn)計劃成為《半導(dǎo)體器件封裝電阻和電容的數(shù)字變換》(DigitalTransformation of Resistance & Capacitance,簡稱DXRC)系列標(biāo)準(zhǔn),后續(xù)計劃IEC 63378-6-1《使用半導(dǎo)體器件封裝數(shù)據(jù)表的模型創(chuàng)建方法》(Modelcreation method using a datasheet of semiconductordevice),IEC 63378-6-2《使用半導(dǎo)體器件封裝測量數(shù)據(jù)的模型創(chuàng)建方法》(Model creation methodusing a measurement data of semiconductor device)。

        IEC 63378-6 Ed.1標(biāo)準(zhǔn)由日本國家委員會提出,計劃于2023年1月完成新工作項目(NP)文件。

        (8)準(zhǔn)備中的新提案 IEC 63378-7 Ed.1:《半導(dǎo)體封裝熱標(biāo)準(zhǔn)化 第7部分:半導(dǎo)體封裝熱仿真和簡化熱模型的背景和術(shù)語》(Backgroundand glossary of thermal simulation and compact thermalmodels on semiconductor packaging),本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定半導(dǎo)體封裝中三維熱仿真簡化模型的原理和技術(shù)背景,以及通過術(shù)語表來明確簡化模型的不同類型和作用。該標(biāo)準(zhǔn)是由日本國家委員會提出,計劃于2023年作為新項目提案。

        4 標(biāo)準(zhǔn)趨勢分析及國內(nèi)采標(biāo)情況

        2022年10月31日至11月3日第86屆IEC大會在美國舊金山召開,期間IEC TC47/SC47D召開了全體會議及其工作組會議,在IEC TC47/SC47D會議上,完成下一屆主席人員調(diào)整,新一屆主席仍由美國專家擔(dān)任,新一屆主席提出當(dāng)涉及半導(dǎo)體封裝及其材料(尤其是封裝基板)的評估方法時,將著重考慮與IPC的關(guān)系。

        5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的飛速發(fā)展,對半導(dǎo)體封裝的要求越來越高。目前半導(dǎo)體工藝正在接近其物理極限,多年來遵循的摩爾定律(Moore's Law)特征尺寸等比例縮小原則已不能滿足半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展需要,因此提出了“延續(xù)摩爾”(More Moore)和“超越摩爾”(More thanMoore)的技術(shù)發(fā)展方向。封裝作為超越摩爾定律的重要技術(shù),也迎來了新的發(fā)展時代與新的挑戰(zhàn),如:散熱技術(shù)、系統(tǒng)集成技術(shù)、嵌入式技術(shù)和新材料技術(shù),從目前世界各國對封裝熱標(biāo)準(zhǔn)和先進封裝標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)注可以看出,標(biāo)準(zhǔn)的制定趨勢與封裝發(fā)展趨勢一致,同時也將會給現(xiàn)行的半導(dǎo)體封裝標(biāo)準(zhǔn)體系帶來較大的變革。

        IEC TC47/SC47D系列標(biāo)準(zhǔn)在國內(nèi)以等同采用國家標(biāo)準(zhǔn)為主,采標(biāo)情況見表1,從表中可以看出,已采標(biāo)率16.7%,后續(xù)仍需要加大采標(biāo)力度,鼓勵開展國際封裝標(biāo)準(zhǔn)的轉(zhuǎn)化和研究工作。

        此外,技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化也是技術(shù)水平的體現(xiàn),現(xiàn)行及在研中IEC TC47/SC47D系列標(biāo)準(zhǔn)暫無我國牽頭起草制定的標(biāo)準(zhǔn),作為半導(dǎo)體封裝大國,亟需突破目前標(biāo)準(zhǔn)跟研的狀態(tài),制定封裝標(biāo)準(zhǔn)化策略,配置相應(yīng)的資源,從半導(dǎo)體封裝行業(yè)整體發(fā)展考慮,系統(tǒng)管理、重點突破重大封裝技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),填補國際封裝標(biāo)準(zhǔn)空白。

        5 結(jié)語

        中國在半導(dǎo)體器件封裝領(lǐng)域有基礎(chǔ)優(yōu)勢,在先進封裝研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面也取得了較大成果,我國應(yīng)密切關(guān)注國際封裝標(biāo)準(zhǔn)趨勢,積極參與國際標(biāo)準(zhǔn)制定,適時將國內(nèi)封裝技術(shù)領(lǐng)域的設(shè)計、工藝、材料、產(chǎn)品及其可靠性等方面的科研成果轉(zhuǎn)化為國際標(biāo)準(zhǔn),實質(zhì)性參與國際標(biāo)準(zhǔn)化工作,推動、引領(lǐng)國際半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)的快速、有序發(fā)展。

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