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        雙環(huán)型游標(biāo)時間-數(shù)字變換專用集成電路的設(shè)計(jì)

        2023-02-21 03:13:10秦家軍蔡永康郭東磊
        原子能科學(xué)技術(shù) 2023年2期
        關(guān)鍵詞:信號

        陳 晗,趙 雷,*,秦家軍,李 荘,蔡永康,郭東磊,安 琪

        (1.中國科學(xué)技術(shù)大學(xué) 核探測與核電子學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,安徽 合肥 230026;2.中國科學(xué)技術(shù)大學(xué) 近代物理系,安徽 合肥 230026)

        低增益雪崩探測器(low-gain avalanche detector, LGAD)是一種新型的硅基半導(dǎo)體探測器,因其同時具有高時間精度和高空間分辨能力,因而成為了粒子物理實(shí)驗(yàn)中的新研究熱點(diǎn)[1-4]。近年,大型強(qiáng)子對撞機(jī)(large hadron collider,LHC)計(jì)劃通過一系列升級提升其亮度,使之能更有效進(jìn)行粒子物理實(shí)驗(yàn),但亮度升級將帶來大量的堆積背景事件,為重建帶來困難。為應(yīng)對堆積帶來的挑戰(zhàn),LHC中的ATLAS和CMS實(shí)驗(yàn)團(tuán)隊(duì)提出利用LGAD在時間和空間上的高精度分辨能力,對不同的對撞粒子進(jìn)行區(qū)分,從而使對有效事件的重建更準(zhǔn)確[5-8]。中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)作為ATLAS實(shí)驗(yàn)的合作單位之一,正在開展LGAD的研究與測試工作;相應(yīng)的中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理電子學(xué)團(tuán)隊(duì)正在進(jìn)行LGAD讀出電子學(xué)的相關(guān)研究工作[9-10],并基于分立器件構(gòu)建了用于LGAD讀出與測試的電子學(xué)系統(tǒng)[11]??紤]到LGAD高通道密度的特點(diǎn),讀出電子學(xué)的面積和功耗都受到了嚴(yán)格的限制,在未來的大規(guī)模實(shí)際應(yīng)用中必須通過專用集成電路(application specific integrated circuit, ASIC)完成其高時間精度的讀出,該ASIC需具有放大、甄別以及時間-數(shù)字變換(time-to-digital conversion, TDC)功能,為此,中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理電子學(xué)團(tuán)隊(duì)正在進(jìn)行用于LGAD讀出的原型ASIC設(shè)計(jì)。該ASIC主要分兩個部分:一是模擬前端部分,用于探測器信號的放大與甄別;另一部分為TDC,負(fù)責(zé)高精度的時間測量并進(jìn)行數(shù)字化輸出。為此,需進(jìn)行TDC電路設(shè)計(jì),用于LGAD信號的高精度時間測量。這兩部分的研究與驗(yàn)證工作分別獨(dú)立進(jìn)行,本文將介紹TDC的電路設(shè)計(jì)與測試,該TDC將采用雙環(huán)型游標(biāo)結(jié)構(gòu),以兼顧高時間分辨率、低轉(zhuǎn)換時間和大動態(tài)測量范圍的需求。

        1 TDC基本結(jié)構(gòu)與原理

        為滿足時間精度的需求,需實(shí)現(xiàn)低于20 ps的量化步長,并達(dá)到好于10 ps的時間測量精度,此外,考慮到事例間隔的需求,TDC的轉(zhuǎn)換時間應(yīng)小于20 ns。而該TDC基于130 nm CMOS工藝設(shè)計(jì),其有源型受控延遲單元的延時無法直接滿足20 ps量化步長的需求,因此采用游標(biāo)TDC作為其基本技術(shù)路線[12],利用延遲單元的延時差作為量化步長完成時間的量化。但游標(biāo)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)精細(xì)化的量化步長的同時,對延遲單元的數(shù)量和轉(zhuǎn)換時間要求較高,因此,需進(jìn)一步對其結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化,以減小電路面積和轉(zhuǎn)換時間。一般電路面積優(yōu)化可采用環(huán)型結(jié)構(gòu);而量化時間上的優(yōu)化則可通過粗細(xì)結(jié)合的方式實(shí)現(xiàn)?;谏鲜鏊悸罚瑳Q定該TDC的基本結(jié)構(gòu)為雙環(huán)型游標(biāo)TDC,如圖1所示。

        圖1 雙環(huán)型游標(biāo)TDC的基本結(jié)構(gòu)Fig.1 Diagram of dual-ring vernier TDC

        該電路由兩個環(huán)型的壓控延遲鏈以及鑒相器陣列、計(jì)數(shù)器、頭部電路等部分構(gòu)成;此外,為能以時鐘為stop信號進(jìn)行時間戳模式的時間測量,stop在進(jìn)入游標(biāo)鏈前會經(jīng)1個使能電路,使得僅start到來后的第1個stop可進(jìn)入到TDC。

        該電路的工作原理如下:當(dāng)信號到來時,經(jīng)由鏈頭部的或門電路與SR鎖存器進(jìn)入到延遲鏈,當(dāng)延遲鏈上的信號到達(dá)第X級時,會反饋至鏈頭部并進(jìn)行reset操作,形成鏈上傳播信號的下降沿;而到達(dá)第N級時,會通過set操作形成鏈上傳播信號的上升沿,構(gòu)成循環(huán)。其中X需小于N的1/2,以確保信號傳輸至第N級之前,第X級處的信號已經(jīng)被拉低,reset功能被釋放。每個環(huán)型結(jié)構(gòu)具有圈數(shù)計(jì)數(shù)器用于記錄信號循環(huán)的次數(shù);作為冗余,兩條延遲鏈的中部和尾部各有1個計(jì)數(shù)器,以確??梢垣@得正確的圈數(shù)。各延遲鏈中,在構(gòu)成循環(huán)的第N級延遲單元后,仍連有若干個延遲單元作為冗余設(shè)計(jì)。此外,還有1個控制電路負(fù)責(zé)在量化完成后停止循環(huán)并將電路復(fù)位。

        該結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)粗細(xì)結(jié)合的原理如下:

        若start信號到來后,尚未進(jìn)入循環(huán)時,stop信號到來,這時兩路信號將在各自的環(huán)型延遲鏈上傳遞,直到stop信號追上start信號。這種情況下兩路信號經(jīng)過的延遲單元數(shù)量相同,計(jì)數(shù)器值也相同,可得出start與stop的時間間隔為:

        interval=(cycle_stopN+M)LSB

        (1)

        式中:interval為start和stop的間隔;cycle_stop為stop鏈完整循環(huán)的次數(shù)(此處與start鏈完整循環(huán)的次數(shù),即cycle_start,相同);N為每圈中延遲單元的數(shù)量;M為最后1個不完整圈中stop追趕上start時所經(jīng)歷的延遲單元數(shù)量;LSB為量化步長,即兩條延遲鏈中單元延時的差值。由此表達(dá)式可見,該過程完成了時間間隔的細(xì)測量。

        若stop和start的間隔較大,在stop到來前,start已完成了C次循環(huán),耗時CTstart,其中Tstart為start鏈循環(huán)一圈所需的時間,而C最終將反映在start與stop鏈圈數(shù)計(jì)數(shù)器的差值上;而后續(xù)的量化過程則與前一段中的描述一致,因此可得出start與stop的間隔為:

        interval=CTstart+(cycle_stopN+M)LSB

        (2)

        C=cycle_start-cycle_stop

        (3)

        而該TDC的轉(zhuǎn)換時間(stop到來與量化完成之間的時間間隔)取決于stop信號到來后需經(jīng)歷的游標(biāo)延遲單元數(shù)量,因此最大轉(zhuǎn)換時間為:

        (4)

        式中:Tcon為轉(zhuǎn)換時間;tfast為游標(biāo)鏈中快速鏈的單元延遲時間。從上述各式可看出,該結(jié)構(gòu)無需額外的殘差傳遞電路便可實(shí)現(xiàn)以Tstart和LSB分別為粗、細(xì)量化步長進(jìn)行粗細(xì)結(jié)合的時間測量,保證了大動態(tài)范圍和低轉(zhuǎn)換時間。

        2 TDC電路設(shè)計(jì)

        確定TDC的基本結(jié)構(gòu)和原理后,需進(jìn)行關(guān)鍵的單元電路的設(shè)計(jì),包括壓控延遲單元、鑒相器,以及用于為游標(biāo)鏈提供控制電壓的延遲鎖相環(huán)電路(delay locked loop,DLL)設(shè)計(jì)。并在完成各單元電路設(shè)計(jì)后,構(gòu)建完整的TDC芯片。

        2.1 壓控延遲單元

        此處使用的是電流饑餓型反相器級聯(lián)構(gòu)成壓控延遲單元,根據(jù)不同情況下的不同需求,共使用了兩種不同的結(jié)構(gòu),如圖2所示。多個延遲單元通過Vout和Vin的依次連接,構(gòu)成壓控延遲鏈;為防止負(fù)載引起延時的變化,每級反相器的輸出均通過1個輸出驅(qū)動連接鏈外的負(fù)載。

        控制電壓VC用于控制上升沿的充電速度從而對延遲進(jìn)行控制,而在下個反相器中,會通過NMOS輸出1個快速的下降沿,完成信號整形。脈沖或時鐘信號的雙邊沿經(jīng)歷的電路對稱,因此該結(jié)構(gòu)下信號雙邊沿延時的一致性很高。圖2b中的電路結(jié)構(gòu)由圖2a中的電路演變而來,將用于延時調(diào)節(jié)的PMOS管的部分柵極接地,使其在不同的控制電壓下均有較快的速度,降低延時對控制電壓的敏感性,可減少控制電壓噪聲帶來的抖動,但調(diào)節(jié)范圍相應(yīng)較小。而圖2a的電路結(jié)構(gòu)延時調(diào)節(jié)范圍大,但相應(yīng)的電壓噪聲帶來的抖動也較大。圖2a、b中延遲單元的延時與控制電壓之間的關(guān)系分別如圖3a、b所示,可見在控制電壓為0時兩者相同,但隨控制電壓的升高,圖2a中的電路結(jié)構(gòu)的延時增加更快。

        圖2 電流饑餓型壓控延遲單元Fig.2 Current-starved voltage controlled delay cell

        圖3 單元延時與控制電壓間的關(guān)系Fig.3 Relationship between delay per cell and control voltage

        延遲單元間因工藝偏差導(dǎo)致的延時失配也是重要的性能參數(shù),通過蒙特卡羅仿真可對不同速度下的單元延時失配分布進(jìn)行估計(jì),如圖4所示,可清楚地看到延遲的時間越小,則其絕對漲落也更小。

        在游標(biāo)TDC中用于時間量化的是不同鏈中延遲單元間的延時差,而不是具體的延時,更小的延遲意味著更快的轉(zhuǎn)換速度;同時蒙特卡羅仿真也表明延遲小的情況下失配性能更優(yōu)。而圖2b的延遲調(diào)節(jié)范圍可滿足此處TDC對bin size的要求,因此使用該結(jié)構(gòu)的延遲單元。

        圖4 不同速度下的單元延時失配分布Fig.4 Mismatch distribution of cell delay under different speeds

        2.2 鑒相器

        鑒相器用于判斷兩個數(shù)字信號邊沿到來的先后順序,一般通過數(shù)字單元電路實(shí)現(xiàn),可分為線性鑒相器與Bang Bang(BB)鑒相器。線性鑒相器的輸出不僅可標(biāo)識邊沿的先后,且輸出脈寬正比于相位差,當(dāng)輸入信號的間隔非常小時,輸出也非常小,如圖5a所示。而BB鑒相器只輸出邊沿的先后關(guān)系,當(dāng)輸入的先后關(guān)系改變時,輸出會發(fā)生突變,如圖5b所示。實(shí)際應(yīng)用中,還存在兩者特性結(jié)合的鑒相器,其輸出與相位差正相關(guān),且在輸入信號的先后關(guān)系發(fā)生改變時,輸出會出現(xiàn)突變,如圖5c所示。

        圖5 線性鑒相器與BB鑒相器的輸入輸出曲線Fig.5 IO curves of linear phase detector and BB phase detector

        在TDC的時間測量過程中,只需判斷先后即可。

        BB鑒相器一般可通過SR鎖存器實(shí)現(xiàn),但在輸入信號翻轉(zhuǎn)時,常規(guī)SR鎖存器的輸出也會發(fā)生翻轉(zhuǎn)。對于TDC來說,這會使鑒相數(shù)據(jù)的保持時間較短,不利于數(shù)據(jù)的讀出。而對于DLL,則情況更嚴(yán)重,會導(dǎo)致1個時鐘周期內(nèi)的部分時間中,鑒相器的輸出與需要的結(jié)果相反,如圖6a所示。時鐘相位差越大,相反輸出的持續(xù)時間越長,這使其在DLL的鑒相反饋中不能直接用于電荷泵的控制,必須配合額外的電路。

        a——基于與非門的常規(guī)SR型鑒相器;b——經(jīng)特殊優(yōu)化后的SR型鑒相器圖6 SR型鑒相器及輸出波形Fig.6 SR type phase detector and its output waveform

        考慮上述兩種情況,對SR型的鑒相器進(jìn)行了改動,通過增加兩個由輸入時鐘控制的PMOS,限制翻轉(zhuǎn)的發(fā)生,便使其更符合應(yīng)用需求,其電路圖如圖6b所示,此圖中還畫出了輸出驅(qū)動器,用于隔離鑒相器和輸出驅(qū)動的負(fù)載,防止負(fù)載對鑒相的結(jié)果產(chǎn)生影響。經(jīng)特殊優(yōu)化后,輸出狀態(tài)會一直保持,直到輸入信號均為0時復(fù)位。

        通過蒙特卡羅方法對鑒相器的失調(diào)時間進(jìn)行仿真,結(jié)果如圖7所示。由失配導(dǎo)致的轉(zhuǎn)變點(diǎn)改變的標(biāo)準(zhǔn)差低于2.5 ps,250次仿真的最大絕對偏差不超過6 ps。

        圖7 鑒相器失配仿真Fig.7 Mismatch simulation of phase detector

        對于游標(biāo)型TDC而言,其利用延時的差實(shí)現(xiàn)較小的bin size,但與此同時,雙鏈會加大bin size的不一致性,因此游標(biāo)型TDC的相對DNL一般較大。在這里目標(biāo)實(shí)現(xiàn)20 ps以內(nèi)的bin size,仿真中3.2 ps的分布標(biāo)準(zhǔn)差基本可保證當(dāng)bin size>13 ps(約4倍標(biāo)準(zhǔn)差)時不出現(xiàn)失碼情況。

        2.3 DLL

        游標(biāo)TDC中需對兩條延遲鏈的延遲進(jìn)行控制,使其差值為設(shè)計(jì)所需的量化步長。對于游標(biāo)TDC,兩條鏈的控制電壓可各由1個DLL產(chǎn)生,也可通過“延時差鎖定”的方法直接對游標(biāo)的步長進(jìn)行控制[13]。第1種方法需兩個DLL和兩個控制電壓,但只用于對延時差這1個量進(jìn)行控制,存在資源浪費(fèi),一般在DLL有其他用途時進(jìn)行復(fù)用;而第2種方法可使電路結(jié)構(gòu)更簡潔。此外,由于是對延時差進(jìn)行調(diào)節(jié),可讓其中的快速鏈?zhǔn)冀K以最高速度運(yùn)行,這樣可優(yōu)化量化的轉(zhuǎn)換時間,并減小延遲單元間的失配。

        這種延時差鎖定的DLL結(jié)構(gòu)如圖8所示,其包含1個常規(guī)的DLL,除可用于時鐘分相等功能外,還將產(chǎn)生一對具有一定延遲的信號,送入延時差鎖定電路中。經(jīng)過若干級延遲單元后,在鏈尾處通過鑒相反饋使兩者的邊沿對齊,實(shí)現(xiàn)對延時差的鎖定控制。

        圖8 具有延時差鎖定功能的DLLFig.8 DLL with locked delay difference

        未鎖定時,為加快鎖定速度,需較大的電荷泵出,而鎖定后則需較小的泵出電荷以優(yōu)化電壓波動,為兼顧此二者,設(shè)計(jì)了圖9所示的鎖定檢測電路,可根據(jù)鎖定狀態(tài)對電荷泵的電流進(jìn)行調(diào)節(jié)。鎖定檢測電路基于一種特殊的反相器和基本門電路。這種特殊反相器具有很快的下降沿和很慢的上升沿。電路未鎖定時,鑒相器會持續(xù)降低或提升控制電壓,則圖中兩個反相器的輸入端中會有一個長時間處于0的狀態(tài),反相器的輸出為1,經(jīng)過組合電路,判斷為未鎖定(LD =0,NLD=1)。但鎖定后,鑒相器會在兩種狀態(tài)之間不斷轉(zhuǎn)換,兩個反相器的輸出均會放電到0而沒有足夠時間充電到1,此時為鎖定狀態(tài)。鎖定后,電荷泵的充放電支路會被部分關(guān)閉,減小輸出的電路,使控制電壓的紋波性能得到優(yōu)化。

        圖9 鎖定檢測電路與變流電荷泵Fig.9 Lock detector circuit and variable current charge pump

        2.4 完整芯片

        該TDC芯片的整體結(jié)構(gòu)如圖10所示。該TDC包含多個通道,共用1個DLL電路產(chǎn)生的控制電壓。每個通道內(nèi)有兩個TDC,hit的前沿經(jīng)邊沿檢測電路后進(jìn)入到這兩個TDC的start端口,而stop端口分別接系統(tǒng)時鐘(經(jīng)過stop使能電路)和hit信號的后沿脈沖,從而實(shí)現(xiàn)對hit信號的TOA以及脈寬(對于模擬前端甄別電路的TOT)測量。完成時間測量后,TDC的量化數(shù)據(jù)通過讀出電路送至片外。

        圖10 TDC ASIC整體結(jié)構(gòu)示意圖Fig.10 Overall structure diagram of TDC ASIC

        基于雙環(huán)型游標(biāo)結(jié)構(gòu),最終該TDC的核心電路中僅24級游標(biāo)延遲鏈,尺寸約為240 μm×40 μm,在保證量程的情況下,優(yōu)化了電路面積。

        3 TDC測試

        3.1 測試系統(tǒng)構(gòu)建

        該TDC包含TOA與脈寬的測量,其中TOA為事例信號在系統(tǒng)時鐘周期中的相位,測試系統(tǒng)的整體結(jié)構(gòu)如圖11所示,其中TDC測試板的實(shí)物如圖12所示。該測試系統(tǒng)需進(jìn)行兩類測試,一是TDC的時間精度性能測試,二是通過碼密度方法進(jìn)行TDC的非線性測試[14-15]。

        圖11 測試系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖Fig.11 Diagram of test system

        圖12 TDC測試板照片F(xiàn)ig.12 Photo of TDC test board

        其中時間精度測試通常可使用延遲線法實(shí)現(xiàn)[16-18],其概念如圖13所示。該方法中功分器輸出的兩路信號源于同一輸入信號,具有很高的相關(guān)性,即非常小的相對抖動,且不受信號源自身抖動的影響,因此輸出結(jié)果之間的相對抖動幾乎完全源于待測電路,從而可得出待測電路時間性能的準(zhǔn)確結(jié)果。但該方法中雙通道的時間差由功分器與待測電路之間的電纜長度差決定,無法進(jìn)行細(xì)致、靈活的調(diào)節(jié)。

        圖13 延遲線測試概念圖Fig.13 Diagram of cable-delay test

        在LGAD信號讀出中,更關(guān)心的是信號到來的絕對時間,即與系統(tǒng)時鐘的相位關(guān)系,因此時間精度測試中沒有使用上述延遲線方法,而是使用相位掃描的方法。即通過信號源輸出相位固定的系統(tǒng)時鐘與事例信號,這樣每次TDC的輸入時間間隔均固定,其輸出的漲落則可反映TDC的時間精度。改變信號源輸出信號之間的延遲,則可得到不同輸入信號間隔下TDC的性能。下面以TOA測量為例,展示該TDC的測試結(jié)果。

        3.2 TDC測試結(jié)果

        首先通過TDC的進(jìn)位位置可得出其平均bin size,隨后使用碼密度法對TDC的非線性性能進(jìn)行標(biāo)定。測試中coarse bin size(即start鏈循環(huán)1圈的周期)約2.5 ns,分172個(24個/圈×7圈)游標(biāo)單元進(jìn)行進(jìn)一步的細(xì)時間量化,由此可得平均的游標(biāo)量化步長為2.5 ns/172=14.53 ps。從這些數(shù)據(jù)可估計(jì)出游標(biāo)鏈中慢速鏈的單元延時約為104 ps,而快速鏈單元延時約為90 ps,根據(jù)式(4)可得出該TDC的最大轉(zhuǎn)換時間約15.5 ns,滿足設(shè)計(jì)對轉(zhuǎn)換時間的需求。

        碼密度測試的結(jié)果如圖14所示,其DNL分布主要集中于(-0.5~0.5)LSB,與預(yù)期一致,DNL相對分布較離散,但未出現(xiàn)失碼,而由于DNL基本為正負(fù)隨機(jī)分布,因此INL沒有出現(xiàn)非常大的偏差,主要在(-2.5~1.0)LSB之間分布。且在圖中可見,碼密度呈現(xiàn)明顯的周期性,這是環(huán)型結(jié)構(gòu)帶來的結(jié)果。

        圖14 碼密度測試結(jié)果與非線性Fig.14 Result of code density test and nonlinearity

        然后進(jìn)行TDC的時間精度測試。由于測試中沒有使用延遲線法,因此TDC輸出的結(jié)果中將包含來自信號源的系統(tǒng)性抖動。利用高時間精度的示波器可對信號源抖動的程度進(jìn)行粗略評估,結(jié)果表明,信號源與示波器整體的時間抖動約2 ps(單獨(dú)的信號源抖動將更小),遠(yuǎn)高出設(shè)計(jì)中對TDC的性能需求,因此下面的結(jié)果中未剔除信號源貢獻(xiàn)的時間抖動。測試結(jié)果如圖15所示,可看出,在包含信號源貢獻(xiàn)的抖動的情況下,TDC在10 ns的輸入變化范圍內(nèi),時間精度整體分布在4~9 ps,達(dá)到10 ps的設(shè)計(jì)需求。

        圖15 不同時間間隔下的時間精度Fig.15 Time precision with different time intervals

        4 結(jié)論

        該TDC基于130 nm CMOS工藝,采用雙環(huán)型游標(biāo)結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)粗細(xì)結(jié)合的時間測量方式,兼顧了大動態(tài)范圍、低量化時間和低面積消耗,并達(dá)到小于20 ps的時間量化步長。測試表明,在100 MHz的系統(tǒng)時鐘下,該TDC可實(shí)現(xiàn)整體好于10 ps的時間測量精度,滿足LGAD讀出ASIC對TDC的性能要求,達(dá)到設(shè)計(jì)目標(biāo)。

        感謝中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)的劉衍文教授、楊霄、李馳昊在本研究工作中給予的幫助。

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