丁曉兵，陳朝暉，周兆慶，張 堯

繼電保護(hù)裝置單粒子效應(yīng)的測(cè)試方法與失效率研究

丁曉兵1，陳朝暉1，周兆慶2,3，張 堯2,3

(1.中國(guó)南方電網(wǎng)電力調(diào)度控制中心，廣東 廣州 510530；2.國(guó)電南京自動(dòng)化股份有限公司，江蘇 南京 210003；3.南京國(guó)電南自電網(wǎng)自動(dòng)化有限公司，江蘇 南京 211153)

單粒子效應(yīng)引發(fā)的存儲(chǔ)器軟錯(cuò)誤對(duì)微機(jī)繼電保護(hù)具有不可忽略的影響。介紹了粒子和高能中子的來(lái)源，以及中國(guó)部分城市的大氣中子通量。討論了對(duì)繼電保護(hù)裝置進(jìn)行中子輻照試驗(yàn)的方案細(xì)節(jié)，以及根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)求取現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境下單粒子失效率的方法。從現(xiàn)有可靠性指標(biāo)出發(fā)，推導(dǎo)得到繼電保護(hù)裝置單粒子效應(yīng)的可接受失效率。將該指標(biāo)和輻照試驗(yàn)得出的失效率相比較，可以判斷裝置是否滿足現(xiàn)場(chǎng)運(yùn)行要求。該方法對(duì)評(píng)價(jià)繼電保護(hù)裝置的單粒子失效率具有一定的參考意義。

繼電保護(hù)；單粒子效應(yīng)；軟錯(cuò)誤；加速中子輻照試驗(yàn)；失效率

0 引言

繼電保護(hù)裝置負(fù)責(zé)在電力系統(tǒng)故障時(shí)快速切除故障，其可靠性直接影響電力系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。近年來(lái)微機(jī)繼電保護(hù)因存儲(chǔ)器軟錯(cuò)誤(soft errors, SE)而導(dǎo)致的誤動(dòng)時(shí)有報(bào)道，如不加以防范將影響繼電保護(hù)的正常功能，嚴(yán)重情況下可引起繼電保護(hù)裝置的拒動(dòng)或誤動(dòng)。

排除設(shè)計(jì)、制造因素，長(zhǎng)期運(yùn)行中的芯片也會(huì)因?yàn)楦吣芰Ｗ幼矒舳l(fā)生數(shù)據(jù)改變，稱為單粒子效應(yīng)(single-event effect, SEE)。高能粒子有兩類來(lái)源：一是芯片封裝材料中殘留的放射性雜質(zhì)釋放的粒子；二是宇宙射線與地球大氣層作用而產(chǎn)生的中子[1]。單粒子效應(yīng)包括單粒子翻轉(zhuǎn)(SEU)、多位翻轉(zhuǎn)(MBU)、多單元翻轉(zhuǎn)(MCU)、單粒子功能中斷(SEFI)和單粒子閂鎖(SEL)等[2]。單粒子效應(yīng)導(dǎo)致的軟錯(cuò)誤具有隨機(jī)發(fā)生、事后不復(fù)現(xiàn)的特點(diǎn)。

文獻(xiàn)[3]報(bào)道了一起SEU導(dǎo)致的繼電保護(hù)誤動(dòng)。文獻(xiàn)[4]提出了一種存儲(chǔ)異常變位的容錯(cuò)設(shè)計(jì)方法，輻照加速試驗(yàn)表明該方法消除了SEE導(dǎo)致的定值變化、文件系統(tǒng)出錯(cuò)和裝置宕機(jī)等異常。

本文介紹了中國(guó)主要城市大氣高能中子微分通量，討論了與保護(hù)裝置中子輻照試驗(yàn)有關(guān)的問(wèn)題，對(duì)中子源選擇、測(cè)試對(duì)象和加速因子提出建議。根據(jù)加速試驗(yàn)的觀測(cè)結(jié)果并結(jié)合現(xiàn)場(chǎng)輻射水平，推算保護(hù)裝置現(xiàn)場(chǎng)運(yùn)行中的單粒子效應(yīng)失效率。該指標(biāo)與繼電保護(hù)裝置故障可接受度比較，形成單粒子效應(yīng)的量化評(píng)價(jià)結(jié)論。

1 單粒子效應(yīng)對(duì)繼電保護(hù)的影響

大氣中子無(wú)處不在，其中高能中子(＞10 MeV)是地面SEE的主要誘因[1]。影響高能中子數(shù)量的主要因素是海拔[5]，中子對(duì)保護(hù)裝置的影響因地而異。例如羊八井地區(qū)的中子通量是廣州地區(qū)的10倍以上，如圖1所示。

圖1 羊八井、廣州大氣中子能譜

除了海拔，地面中子輻射水平還與經(jīng)緯度和地磁剛度有關(guān)，根據(jù)文獻(xiàn)[2]給出的近似公式可以推算出中國(guó)部分城市的地面中子輻射水平，如表1所示。

微機(jī)繼電保護(hù)裝置的存儲(chǔ)器主要包括非易失性存儲(chǔ)器和隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器有兩類：一是NOR Flash用于存放程序；二是NAND Flash用于存放事件記錄與錄波。NOR Flash數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)后會(huì)造成程序加載失敗，裝置上電后無(wú)法自舉。NAND Flash數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)會(huì)使保護(hù)事件信息丟失。

表1 中國(guó)部分城市高能中子(＞10 MeV)通量

多數(shù)嵌入式系統(tǒng)的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM或DRAM)既存放代碼也存放數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)發(fā)生在代碼段會(huì)使繼電保護(hù)程序失控，造成誤動(dòng)、拒動(dòng)的嚴(yán)重后果，發(fā)生在數(shù)據(jù)段則要視程序中有無(wú)冗余邏輯而具體分析，危害性相對(duì)較輕。

文獻(xiàn)[3]建議微機(jī)繼電保護(hù)裝置系統(tǒng)采用雙CPU(保護(hù)+保護(hù))冗余架構(gòu)模式，只有兩個(gè)CPU都滿足完整的動(dòng)作出口邏輯后保護(hù)才能動(dòng)作出口，從而顯著降低SEE的不良后果。文獻(xiàn)[4]通過(guò)冗余文件系統(tǒng)克服程序Flash的變位，利用FPGA并行計(jì)算的能力，在每個(gè)中斷周期內(nèi)校驗(yàn)RAM中的保護(hù)代碼，并監(jiān)視諸如定值、壓板狀態(tài)之類的關(guān)鍵數(shù)據(jù)。

芯片廠商通過(guò)在存儲(chǔ)器硬件中添加糾錯(cuò)電路(error checking and correcting, ECC)實(shí)現(xiàn)單粒子效應(yīng)防護(hù)。具備ECC功能的CPU/FPGA，可以實(shí)現(xiàn)位翻轉(zhuǎn)的“糾一檢二”。由于在1個(gè)字節(jié)中2個(gè)或2個(gè)以上的位翻轉(zhuǎn)出現(xiàn)的概率較低，所以ECC被認(rèn)為基本滿足可靠性要求[1]。但ECC邏輯會(huì)耗費(fèi)額外的資源，開(kāi)啟后RAM的可用容量會(huì)下降40%以上，讀寫速率會(huì)降低2%左右。

2 單粒子效應(yīng)的測(cè)試方法

在器件選型階段審核芯片的材料，就可實(shí)現(xiàn)對(duì)粒子的防范。評(píng)估單粒子效應(yīng)的主要工作聚焦在中子輻照上。

單粒子效應(yīng)最準(zhǔn)確的評(píng)估方法是在高海拔地區(qū)進(jìn)行實(shí)時(shí)測(cè)試(real-time test)，但該方法需要利用大量并行設(shè)備來(lái)減少所需的測(cè)試時(shí)間[6-7]。用加速器可以在很短的時(shí)間內(nèi)向測(cè)試對(duì)象注入20年以上的大氣中子劑量，快速評(píng)估芯片、插件和裝置的抵御能力[2]?？蛇x的中子加速試驗(yàn)環(huán)境有14 Mev單能中子源和散裂中子源，散裂中子源的能譜類似于大氣中子環(huán)境，測(cè)試效果更有說(shuō)服力[8]。

2.1 測(cè)試對(duì)象選擇

測(cè)試單粒子效應(yīng)有面向元件和面向系統(tǒng)兩種方法，前者測(cè)試芯片，后者測(cè)試整機(jī)。面向芯片的測(cè)試方法雖然相對(duì)成熟[9-10]，但是存在以下不足。

1) CPU/FPGA內(nèi)部的Cache和一些專用寄存器，本質(zhì)上也是SRAM，也有位翻轉(zhuǎn)的可能，但芯片在設(shè)計(jì)時(shí)未提供外部訪問(wèn)和控制的機(jī)制，從而無(wú)法測(cè)試。

2) 芯片級(jí)測(cè)試時(shí)嵌入系統(tǒng)只有部分電路工作，各元件之間的互動(dòng)不充分。單粒子效應(yīng)與器件工作溫度有關(guān)，溫度越高越顯著。只有在整機(jī)中運(yùn)行整機(jī)程序，才能讓芯片達(dá)到真實(shí)的溫升。

3) 很難從芯片軟錯(cuò)誤率(soft error rate, SER)推算系統(tǒng)的錯(cuò)誤率。統(tǒng)計(jì)表明，器件每發(fā)生10個(gè)位翻轉(zhuǎn)在系統(tǒng)級(jí)層面會(huì)輸出1～2個(gè)錯(cuò)誤[9]，但二者的關(guān)系難以進(jìn)一步明確。翻轉(zhuǎn)發(fā)生在代碼段中，發(fā)生的位置、時(shí)機(jī)不同造成的影響也不同。發(fā)生在數(shù)據(jù)段中可能會(huì)被三取二、多次采集多次判等應(yīng)用邏輯消除。此外，保護(hù)裝置采用何種雙CPU冗余模式，對(duì)是否誤動(dòng)/拒動(dòng)也有很大的影響。

4) 含氫元素豐富的高分子材料，如PCB中的環(huán)氧樹(shù)脂會(huì)顯著衰減中子的能量，繼而降低SEE發(fā)生的概率[1-2]。當(dāng)機(jī)箱中有多張PCBA時(shí)，這個(gè)衰減作用不可忽略。

綜上，從工程實(shí)際的角度出發(fā)，推薦以繼電保護(hù)裝置整機(jī)作為單粒子效應(yīng)的測(cè)試對(duì)象。

2.2 中子通量選擇

散裂中子源的中子注量可以比大氣水平高數(shù)千萬(wàn)倍，測(cè)試時(shí)間片一般為10～30 min。文獻(xiàn)[4]中當(dāng)中子通量達(dá)到大氣強(qiáng)度的5×109倍時(shí)，持續(xù)10 min 實(shí)驗(yàn)后，發(fā)現(xiàn)改造前的裝置幾乎每次必然宕機(jī)。由此，必須選擇合適的中子通量用于測(cè)試。

2.3 敏感方向選擇

高能中子對(duì)裝置整機(jī)的效應(yīng)有角度依賴關(guān)系[2]，散裂源輸出的中子束聚焦在有限面積內(nèi)[11]。因?yàn)樵诓煌肷浞较蛏希凶幽芰渴芙鸸ぜ筒寮乃p程度有別，中子束流與芯片頂面法線方向角度大小影響測(cè)試的效果，所以試驗(yàn)中應(yīng)調(diào)換裝置和中子束流的相對(duì)位置以找到敏感方向。

3 單粒子效應(yīng)失效率分析

因單粒子效應(yīng)而導(dǎo)致繼電保護(hù)運(yùn)行異常，是客觀存在的物理現(xiàn)象。ECC技術(shù)和冗余架構(gòu)設(shè)計(jì)只能減少異常發(fā)生的概率而不能完全杜絕，工程上只要單粒子異常事件率小于某個(gè)程度即視為可接受[12]。

《DL/T 587-2016 繼電保護(hù)和安全自動(dòng)裝置運(yùn)行管理規(guī)程》中建議：微機(jī)保護(hù)裝置的使用年限一般不低于12年[13-19]，考慮裕度后放大到20年[20-21]，推算出可接受失效率為

可推算繼電保護(hù)設(shè)備運(yùn)行中的單粒子效應(yīng)失效率為

4 單粒子效應(yīng)的評(píng)價(jià)方法

表2 異常事件的權(quán)重

用微機(jī)繼電保護(hù)裝置整機(jī)進(jìn)行中子加速測(cè)試。關(guān)閉芯片的ECC功能，在10～30 min內(nèi)向裝置施加20年以上的海平面大氣中子注量。試驗(yàn)時(shí)除了觀察裝置自檢異常、宕機(jī)之外，還需加動(dòng)作門檻90%量考察裝置是否誤動(dòng)，加動(dòng)作門檻110%量觀察裝置是否拒動(dòng)。試驗(yàn)每個(gè)階段完成后，調(diào)取裝置定值和保護(hù)動(dòng)作事件記錄，觀察是否有異常。最后電源重上電，觀察裝置能否自舉。

5 結(jié)論

微機(jī)保護(hù)裝置內(nèi)存儲(chǔ)器受到粒子轟擊發(fā)生軟錯(cuò)誤，是一種客觀存在的物理現(xiàn)象。繼電保護(hù)從業(yè)人員從軟件和系統(tǒng)架構(gòu)的角度采取了多種加固措施，芯片設(shè)計(jì)中ECC功能也在逐步普及，但單粒子效應(yīng)導(dǎo)致的保護(hù)裝置異常仍然無(wú)法完全避免。

鑒于繼電保護(hù)裝置的重要性，有必要盡快形成繼電保護(hù)裝置單粒子效應(yīng)的測(cè)試方法和可接受度標(biāo)準(zhǔn)，用于指導(dǎo)裝置型式試驗(yàn)。本文推薦用裝置整機(jī)進(jìn)行高能中子加速試驗(yàn)，求取現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境下裝置的故障率和可接受失效率比較，形成具有工程實(shí)用價(jià)值的評(píng)價(jià)方法。該方法對(duì)于繼電保護(hù)裝置和電力系統(tǒng)的穩(wěn)定安全運(yùn)行具有參考意義。

[1] NICOLAIDIS M. 現(xiàn)代電子系統(tǒng)軟錯(cuò)誤[M]. 韓鄭生, 畢津順, 譯. 北京: 電子工業(yè)出版社, 2016.

[2] JESD89A: measurement and reporting of alpha particle and terrestrial cosmic ray-induced soft errors in semiconductor devices[S]. Arlington: JEDEC Solid State Technology Association, 2006.

[3] 周浩, 石磊, 彭濤, 等. 一起繼電保護(hù)裝置單粒子翻轉(zhuǎn)軟錯(cuò)誤分析及應(yīng)對(duì)措施[J]. 電力系統(tǒng)保護(hù)與控制, 2021, 49(7): 144-149.

ZHOU Hao, SHI Lei, PENG Tao, et al. Analysis and countermeasures of single event upset soft errors in a relay protection device[J]. Power System Protection and Control, 2021, 49(7): 144-149.

[4] 李友軍, 周華良, 鄭玉平, 等. 繼電保護(hù)裝置存儲(chǔ)異常變位的容錯(cuò)設(shè)計(jì)與應(yīng)用[J]. 電力系統(tǒng)自動(dòng)化, 2021, 45(7): 155-162.

LI Youjun, ZHOU Hualiang, ZHENG Yuping, et al. Error-tolerant design and application of relay protection device against unexpected memory bit change[J]. Automation of Electric Power Systems, 2021, 45(7): 155-162.

[5] GORDON M S, GOLDHAGEN P, RODBELL K P, et al. Measurement of the flux and energy spectrum of cosmic-ray induced neutrons on the ground[J]. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2004, 51(6): 3427-3434.

[6] 張戰(zhàn)剛, 雷志鋒, 黃云, 等. 基于高海拔地區(qū)的大氣中子單粒子效應(yīng)實(shí)時(shí)測(cè)量試驗(yàn)研究[J]. 原子能科學(xué)技術(shù), 2022, 56(4): 725-733.

ZHANG Zhangang, LEI Zhifeng, HUANG Yun, et al. Experimental study on real-time measurement of atmospheric-neutron induced single event effect based on high-altitude area[J]. Atomic Energy Science and Technology, 2022, 56(4): 725-733.

[7] ZHANG Zhangang, LEI Zhifeng, TONG Teng, et al. Tibetan-plateau-based real-time testing and simulations of single-bit and multiple-cell upsets in QDRII+ SRAM devices[J]. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2019, 66(7): 1368-1373.

[8] 王勛, 張鳳祁, 陳偉, 等. 中國(guó)散裂中子源在大氣中子單粒子效應(yīng)研究中的應(yīng)用評(píng)估[J]. 物理學(xué)報(bào), 2019, 68(5): 38-47.

Wang Xun, Zhang Fengqi, Chen Wei, et al. Application and evaluation of Chinese spallation neutron source in single-event effects testing[J]. Acta Physica Sinica, 2019, 68(5): 38-47.

[9] XILINX: device reliability report (second half 2020), UG116(v10.13)[R]. 2020.

[10] NGUYEN H T, YAGIL Y, SEIFERT N, et. al. Chip-level soft error estimation method[J]. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2005, 5(3): 365-381.

[11] 林倩, 黃奕銘, 張戰(zhàn)剛, 等. 智能手機(jī)大氣中子單粒子效應(yīng)試驗(yàn)研究[J]. 電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn), 2021, 39(增刊1): 46-51.

LIN Qian, HUANG Yiming, ZHANG Zhangang, et al. Experimental study of atmospheric neutron induced single event effects in smartphones[J]. Electronic Product Reliability and Environmental, 2021, 39(S1): 46-51.

[12] 奧康納, 克萊納. 實(shí)用可靠性工程[M].金春華, 藍(lán)曉理, 譯. 北京: 機(jī)械工業(yè)出版社, 2020.

[13] 中國(guó)電力企業(yè)聯(lián)合會(huì).繼電保護(hù)和安全自動(dòng)裝置運(yùn)行管理規(guī)程: DL/T 587—2016[S]. 北京: 中國(guó)電力出版社, 2017.

China Electricity Council. Code for operating management of relaying protection and security automatic equipment: DL/T 587—2016[S]. Beijing: China Electric Power Press, 2017.

[14] 賀春, 陳光華, 王朋飛, 等. 高加速壽命試驗(yàn)在就地化保護(hù)裝置可靠性研究中的應(yīng)用[J]. 電力系統(tǒng)保護(hù)與控制, 2018, 46(20): 181-186.

HE Chun, CHEN Guanghua, WANG Pengfei, et al. Application of highly accelerated life test in reliability study of outdoor installation protection device[J]. Power System Protection and Control, 2018, 46(20): 181-186.

[15] 黃烽, 鄧勇, 任曉輝, 等. 繼電保護(hù)裝置運(yùn)行年限評(píng)價(jià)的研究[J]. 電力系統(tǒng)保護(hù)與控制, 2017, 45(22): 158-163.

HUANG Feng, DENG Yong, REN Xiaohui, et al. Assessment for service life of relay protection device[J]. Power System Protection and Control, 2017, 45(22): 158-163.

[16] 郭鵬, 王文煥, 詹榮榮, 等. 基于Petri網(wǎng)出現(xiàn)序列的繼電保護(hù)業(yè)務(wù)模型[J]. 電力科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào), 2020, 35(4): 169-175.

GUO Peng, WANG Wenhuan, ZHAN Rongrong, et al. Research on model of protection relay procedure based on the Petri net occurrence sequence[J]. Journal of Electric Power Science and Technology, 2020, 35(4): 169-175.

[17] 楊胡萍, 黃煌, 何志勤, 等. 基于數(shù)據(jù)擬合的繼保設(shè)備失效率調(diào)整因子模型[J]. 中國(guó)電力, 2021, 54(9): 96-101.

YANG Huping, HUANG Huang, HE Zhiqin, et al. Adjustment factor model of relay protection equipment failure rate based on data fitting[J]. Electric Power, 2021, 54(9): 96-101.

[18] 索江鐳, 劉琨, 袁亮榮, 等. 繼電保護(hù)靜態(tài)模擬并行測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)建[J]. 廣東電力, 2020, 33(10): 46-55.

SUO Jianglei, LIU Kun, YUAN Liangrong, et al. Construction of parallel test system for relay protection static simulation[J]. Guangdong Electric Power, 2020, 33(10): 46-55.

[19] 葉遠(yuǎn)波, 謝民, 陳曉東, 等. 基于故障率分析的繼電保護(hù)系統(tǒng)狀態(tài)檢修策略[J]. 電力系統(tǒng)保護(hù)與控制, 2021, 49(7): 167-173.

YE Yuanbo, XIE Min, CHEN Xiaodong, et al. A condition-based maintenance strategy for a relay protection system based on failure probability analysis[J]. Power System Protection and Control, 2021, 49(7): 167-173.

[20] 丁毅, 陳新之, 潘可, 等. 基于電力專用多核異構(gòu)芯片架構(gòu)的低壓保護(hù)測(cè)控裝置設(shè)計(jì)[J]. 南方電網(wǎng)技術(shù), 2020, 14(1): 58-64.

DING Yi, CHEN Xinzhi, PAN Ke, et al. Design of low voltage protection device integrated with measurement and control function based on power dedicated multi-core heterogeneous chip architecture[J]. Southern Power System Technology, 2020, 14(1): 58-64.

[21] BO Zhiqian, LIN Xiangning, WANG Qingping, et al. Developments of power system protection and control, Protection and Control of Modern Power Systems, 2016, 1(1): 1-8.

[22] 梁文武, 朱維鈞, 李輝, 等. 基于粗糙集的智能變電站保護(hù)設(shè)備仿生故障診斷方法[J]. 電力系統(tǒng)保護(hù)與控制, 2021, 49(21): 132-140.

LIANG Wenwu, ZHU Weijun, LI Hui, et al. A rough set-based bio-inspired fault diagnosis method for smart substation protection equipment[J]. Power System Protection and Control, 2021, 49(21): 132-140.

[23] 張戰(zhàn)剛, 雷志鋒, 童騰, 等. 14 nm FinFET和65 nm平面工藝靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中子單粒子翻轉(zhuǎn)對(duì)比[J].物理學(xué)報(bào), 2020, 69(5): 133-140.

ZHANG Zhangang, LEI Zhifeng, TONG Teng, et al. Comparison of neutron induced single event upsets in 14 nm FinFET and 65 nm planar static random access memory devices[J]. Acta Physica Sinica, 2020, 69(5): 133-140.

[24] 鄭美松, 王子龍, 涂吉, 等. 可編程器件的選擇性雙模冗余加固方法[J]. 計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)與圖形學(xué)學(xué)報(bào), 2016, 28(2): 356-362.

ZHENG Meisong, WANG Zilong, TU Ji, et al. A selective dual modular redundancy approach for FPGA hardening technique[J]. Journal of Computer-Aided Design & Computer Graphics, 2016, 28(2): 356-362.

Test method and failure rate of the single-particle effect of a relay protection device

DING Xiaobing1, CHEN Zhaohui1, ZHOU Zhaoqing2, 3, ZHANG Yao2, 3

(1. Dispatching Center of China Southern Power Grid, Guangzhou 510530, China; 2. Guodian Nanjing Automation Co., Ltd.,Nanjing 210003, China; 3. Nanjing SAC Power Grid Automation Co., Ltd., Nanjing 211153, China)

Memory soft errors induced by the single-particle effect have a non-negligible effect on microcomputer relay protection. This paper introduces the sources of Alpha particles and high-energy neutrons, as well as atmospheric neutron fluxes in some cities in China. The details of the neutron irradiation tests on relay protection devices and the method of obtaining the single particle failure rate in the field environment based on experimental data are discussed. Based on the existing reliability metrics, the acceptable failure rate of the single-particle effect of the relay protection device is promoted. Comparing this indicator with the failure rate obtained by the irradiation test, it can be judged whether the device fulfills the requirements of field operation. This method has a certain reference significance for evaluating the failure efficiency of single particles of relay protection devices.

relay protection; single-event effect; soft errors; accelerated neutron irradiation test; failure rate

10.19783/j.cnki.pspc.220310

南方電網(wǎng)公司重點(diǎn)科技項(xiàng)目資助(ZDKJXM20200056)

This work is supported by the Key Scientific and Technological Project of China Southern Power Grid Corporation (No. ZDKJXM20200056).

2022-03-10；

2022-04-28

丁曉兵(1979—)，男，通信作者，碩士，高級(jí)工程師，從事電力系統(tǒng)繼電保護(hù)管理工作；E-mail: dingxb@csg.cn

陳朝暉(1979—)，男，博士，高級(jí)工程師，從事電力系統(tǒng)繼電保護(hù)管理工作；

周兆慶(1973—)，男，碩士，從事智能變電站及嵌入式平臺(tái)技術(shù)研究。

(編輯 魏小麗)