劉松卓,任旭虎,喬輝玥,馮陽,由鄭
(中國石油大學(xué)(華東)海洋與空間信息學(xué)院,山東青島 266580)
多頻管中電流法(Pipeline Current Mapper,PCM)因設(shè)備價格便宜、操作簡單,已被行業(yè)內(nèi)廣泛應(yīng)用于埋地管道的檢測[1-2]。隨著埋地管網(wǎng)的建設(shè)里程不斷攀升,長輸油氣管道的里程也顯著增長,目前我國長輸油氣管道總里程數(shù)已超過16 萬公里,這類管道多采用定向鉆拖拽方式進(jìn)行鋪設(shè),管道埋深均超過10 m[3-4]。目前市面上PCM 設(shè)備發(fā)射機(jī)的功率均在150 W 以下,只適用于非開挖埋深小于6 m 的管線,超過這一埋深則無法對管道施加足夠的檢測電流,因此開發(fā)一款適用于大埋深管道探測的發(fā)射機(jī)成為石油行業(yè)目前亟需解決的問題。
在檢測管道長度相對較短的檢測現(xiàn)場,檢測人員可以通過短接法提高檢測電流強(qiáng)度[5-6],但是對于檢測端較長或是穿越航道的管段,短接法往往由于環(huán)境限制難以實(shí)施;天津嘉信公司創(chuàng)造了一種新的大埋深管段檢測信號施加方法——衛(wèi)星同步的埋地及水下金屬管道探測信號發(fā)射裝置及其探測方法,開發(fā)出了能夠?qū)崿F(xiàn)電流信號同步施加的發(fā)射機(jī)——衛(wèi)星同步發(fā)射機(jī)[7]。多臺發(fā)射機(jī)的同步機(jī)制能夠使檢測信號呈現(xiàn)疊加效果,得到大埋深管道檢測所需的信號強(qiáng)度。
針對上述問題,該文提出了一種基于STM32 的地下管道探測系統(tǒng)發(fā)射機(jī)設(shè)計方法,其輸出電流大且電流頻率、幅值可調(diào),可以滿足大埋深管道探測的需求,具有較高的應(yīng)用價值。
PCM 管道檢測系統(tǒng)由發(fā)射機(jī)和接收機(jī)兩部分組成,如圖1 所示。發(fā)射機(jī)通過測試樁向管道施加特定頻率(4 Hz、8 Hz、128 Hz)的電流信號,電流通過大地電容流向大地,使發(fā)射機(jī)、管道和大地構(gòu)成一個回路。根據(jù)畢奧-薩法爾定律,電流流經(jīng)管道時會以管道為軸心產(chǎn)生一個同頻率的磁場,通過接收機(jī)分析磁場分布便可確定管道走向、埋深以及防腐層破損點(diǎn)位置。
圖1 PCM探測地下管道示意圖
由畢奧-薩法爾定律可知,地面磁場強(qiáng)度大小與管道電流大小成正比,通過增加管道電流強(qiáng)度,即可增加檢測深度?,F(xiàn)有的PCM 發(fā)射機(jī)輸出電流幅值在0~3 A 之間,可滿足埋深5 m 以內(nèi)的管道檢測需求,因此要實(shí)現(xiàn)對埋深10 m 以上的大埋深管道進(jìn)行檢測,發(fā)射機(jī)輸出電流要在現(xiàn)有設(shè)備兩倍以上。
綜合PCM 檢測原理與大埋深管道探測需求之后,確定了發(fā)射機(jī)主要技術(shù)指標(biāo):可在單頻、雙頻和三頻模式下輸出0~10 A 的交流電流,發(fā)射機(jī)最大功率為500 W。
在確定技術(shù)指標(biāo)之后對發(fā)射機(jī)系統(tǒng)進(jìn)行了設(shè)計,發(fā)射機(jī)整體框圖如圖2 所示。發(fā)射機(jī)主要包括主控系統(tǒng)、驅(qū)動電路、逆變主電路、濾波電路、電流電壓采樣電路以及保護(hù)電路等模塊。
圖2 系統(tǒng)總體設(shè)計框圖
主控芯片STM32 接收到來自交互界面的指令后輸出SPWM 調(diào)制信號,調(diào)制信號經(jīng)過驅(qū)動電路后通過控制逆變電路MOSFET 的導(dǎo)通與關(guān)斷,將直流輸入逆變?yōu)榻涣餍盘枺?jīng)過濾波模塊濾除高次諧波之后,即可得到平滑的交流信號。電壓電流采樣電路對輸出電流和負(fù)載電壓進(jìn)行采樣,經(jīng)過調(diào)理電路后送入STM32 的AD 模塊,根據(jù)電流采樣結(jié)果經(jīng)過內(nèi)部PI 運(yùn)算實(shí)時調(diào)整SPWM 信號的占空比,從而改變電壓實(shí)現(xiàn)恒流的功能,根據(jù)采集的電壓與電流數(shù)據(jù)可以得到發(fā)射機(jī)輸出的瞬時功率,當(dāng)輸出功率超過額定功率時系統(tǒng)停止工作。保護(hù)電路的功能主要是當(dāng)設(shè)備過流過壓時,產(chǎn)生對應(yīng)的中斷信號及時關(guān)閉設(shè)備,達(dá)到保護(hù)設(shè)備的目的。人機(jī)交互模塊通過串口通信協(xié)議實(shí)現(xiàn)與STM32 的雙向通信進(jìn)行逆變電源實(shí)時數(shù)據(jù)的顯示和設(shè)置。
由于單片機(jī)輸出的SPWM 信號電平較低,無法直接驅(qū)動MOSFET 的導(dǎo)通與關(guān)斷,且單片機(jī)輸出的SPWM 信號屬于弱電信號,容易受到強(qiáng)電干擾,所以需要驅(qū)動電路對SPWM 驅(qū)動信號進(jìn)行適當(dāng)?shù)母綦x與放大。圖3 為具體電路,主電路與控制電路之間使用光耦隔離芯片HCPL-4504 進(jìn)行信號連接,實(shí)現(xiàn)強(qiáng)電回路與弱電回路之間的電氣隔離,驅(qū)動芯片IR2110 起到信號放大的作用,達(dá)到驅(qū)動MOSFET 的目的。
圖3 驅(qū)動電路
逆變電路就是將輸入的直流轉(zhuǎn)換為交流的電路[7],逆變電路有半橋與全橋兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),由于半橋電路的輸出效率只有全橋電路的一半,降低了直流電源的利用率,所以該文采用單相全橋逆變電路,逆變電路如圖4 所示。
圖4 逆變及LC型濾波結(jié)構(gòu)電路
根據(jù)設(shè)計的指標(biāo),發(fā)射機(jī)輸出功率為500 W,發(fā)射機(jī)效率為85%,則發(fā)射機(jī)的輸入功率P為588 W。
直流母線電壓Ud為120 V,可得最大放電電流為:
式中,Ka表示過載因數(shù),Kr表示安全系數(shù)。根據(jù)逆變器的設(shè)計規(guī)則,Ka一般取1.5,Kr一般取1.3[8]。
文中設(shè)計的發(fā)射機(jī)為小功率輸出,一般采用N溝道型MOSFET 作為開關(guān)器件[9];在選擇MOS 管時,還需要留出50%的安全裕量,所以選取的MOS 管耐流值應(yīng)大于15 A,耐壓值應(yīng)大于180 V,綜合考慮之后選取型號為IXFH80N25 的MOSFET 作為逆變電路開關(guān)器件。
由逆變電路輸出信號的傅里葉級數(shù)可知,輸出波形中含有許多高次諧波[10],需要對輸出信號進(jìn)行濾波才能得到較為理想的波形。常用的硬件濾波有L型、LC 型和LCL 型濾波等[11],L 型結(jié)構(gòu)簡單但濾波效果差,LCL 型濾波效果好且可適應(yīng)多種場合,但是結(jié)構(gòu)相對復(fù)雜,綜合考慮之后,該文采用LC 型濾波結(jié)構(gòu),具體電路如圖4 所示。
1)電感參數(shù)計算
對于全橋逆變電路,電感上的壓降可以表示為:
式中,TS為開關(guān)頻率,Δipp為電流紋波。由式(2)推導(dǎo)得:
假設(shè)調(diào)制度為ma,可以得到占空比為:
因此,逆變電路的輸出可以表示為:
將式(3)、(4)代入式(5)得:
對式(6)求導(dǎo)并求極點(diǎn),可知當(dāng)sin(ωt)=0.5ma時,電流紋波取得最大值。將其再次代入式(6)可得式(7),進(jìn)而得到式(8):
根據(jù)設(shè)計指標(biāo),系統(tǒng)開關(guān)頻率為12.8 kHz,母線電壓為120 V,設(shè)電流的紋波為10%,可以得到電感的最小取值為1.65 mH。
2)電容參數(shù)計算
LC濾波器是一個二階系統(tǒng),假設(shè)負(fù)載RL、電感L和電容C都是理想狀態(tài)時,其傳遞函數(shù)為:
可以得到LC濾波器的截止頻率為:
為了保證在開關(guān)頻率處的高頻諧波有40 dB的衰減,通常取LC濾波器的截止頻率fc為開關(guān)頻率的1/10 或更低[12]。根據(jù)設(shè)計指標(biāo),系統(tǒng)的開關(guān)頻率為12.8 kHz,因此將濾波電路的截止頻率確定為1.28 kHz,根據(jù)式(10)可以得出電容的大小為10.7 μF。
經(jīng)過實(shí)驗測試之后,最終確定電感與電容的大小為2 mH 和9.4 μF。
采樣電路包括直流母線電壓采樣電路、輸出電流采樣電路、輸出電壓采樣電路,母線電壓采樣電路實(shí)現(xiàn)母線電壓過壓、欠壓保護(hù);輸出電壓采樣電路以及輸出電流采樣電路實(shí)現(xiàn)閉環(huán)控制以及過流保護(hù)、過壓保護(hù)和過功率保護(hù)。
3.4.1 電流采樣電路設(shè)計
目前常用的電流檢測方法有電阻檢測法、電流互感器檢測法、霍爾傳感器檢測法等[13],霍爾電流傳感器因其高靈敏度、抗干擾性強(qiáng)、低功耗等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于電流采樣設(shè)計中。該文采用霍爾電流傳感器ACS724 實(shí)現(xiàn)電流采樣。具體電路如圖5 所示。
圖5 電流采樣電路
霍爾電流傳感器ACS724利用霍爾效應(yīng)將0~10 A的電流轉(zhuǎn)換為幅值0~5 V 的電壓信號,同時實(shí)現(xiàn)強(qiáng)電回路與弱電回路之間的電氣隔離;電阻R42和C59組成RC低通濾波電路,濾除信號中的高頻噪聲,根據(jù)設(shè)計指標(biāo),發(fā)射機(jī)輸出電流有4 Hz、8 Hz、128 Hz三種頻率,所以將RC 濾波的截止頻率設(shè)為500 Hz;電阻R43和電阻R45構(gòu)成分壓電路,防止霍爾傳感器輸出電壓過大將單片機(jī)燒毀;運(yùn)算放大器LM358構(gòu)成電壓跟隨電路,起到前后級隔離的作用,以增強(qiáng)信號的抗干擾能力。
3.4.2 電壓采樣電路設(shè)計
在發(fā)射機(jī)中,需要對輸出電壓進(jìn)行實(shí)時監(jiān)控,使得系統(tǒng)在出現(xiàn)過壓、過功率故障時,能及時對系統(tǒng)進(jìn)行保護(hù)。由于輸出端電壓屬于強(qiáng)電回路且幅值較大,而單片機(jī)只能采樣0~3.3 V 的單極性信號,所以需要對電壓信號進(jìn)行調(diào)理。該文采用電阻分壓的方式對電壓信號進(jìn)行采集,具體電路如圖6 所示。
圖6 電壓采樣電路
電阻R49-R59組成分壓電路,將輸出電壓信號衰減至±2.5 V 之內(nèi)。差動放大器LT1990 利用外部2.5 V基準(zhǔn)電壓與內(nèi)部加法器,將電壓信號抬升至0~5 V之間。精密放大器ISO122 實(shí)現(xiàn)強(qiáng)電回路與弱電回路之間的電氣連接。電阻R57和電容C70構(gòu)成RC低通濾波電路,用于濾除高頻噪聲,電阻R58與R62將電壓信號衰減至3.3 V 以內(nèi),防止電壓過大損壞單片機(jī)。電壓跟隨器LM358 起到前后級緩沖的作用,以增強(qiáng)信號的抗干擾能力。
3.4.3 直流母線電壓采樣電路設(shè)計
該設(shè)計采用電阻分壓的方式配合精密隔離放大器ISO122 進(jìn)行電壓采樣,電路如圖7 所示。
圖7 直流母線電壓采樣電路
直流母線電壓經(jīng)過電阻R7與R10分壓衰減至3.3 V以內(nèi),精密隔離放大器ISO122 實(shí)現(xiàn)強(qiáng)電回路與弱電回路之間的電氣隔離,電阻R9和C22組成RC低通濾波電路來濾除高頻噪聲信號。
當(dāng)系統(tǒng)發(fā)生過流、過壓等故障時,由于軟件處理存在一定的延時性,無法及時對硬件進(jìn)行保護(hù)。為了加快系統(tǒng)反應(yīng)速度,在電路中加入了硬件保護(hù)電路,包括過流保護(hù)電路、輸出過壓保護(hù)電路以及母線欠壓過壓保護(hù)電路。
以過流保護(hù)電路為例介紹保護(hù)電路,電路如圖8所示。利用四路差動比較器LM339D 構(gòu)成的門限比較器對電流信號與參考信號進(jìn)行比較。當(dāng)信號位于正常范圍時,比較器輸出高電平,當(dāng)超過設(shè)定的閾值時,比較器輸出由高電平跳變至低電平,STM32 檢測到下降沿信號后,產(chǎn)生相應(yīng)的中斷,關(guān)閉PWM 輸出,達(dá)到保護(hù)電路的目的。輸出過壓保護(hù)電路和直流母線欠壓過壓保護(hù)電路原理類似,不再贅述。
圖8 過流保護(hù)電路
人機(jī)交互模塊采用了淘晶馳串口屏TJC8048X 550_011,該屏幕具有800×480 像素分辨率,支持串口通信方式,具有120 MB FLASH 儲存空間,1 024 字節(jié)EEPROM 和512 字節(jié)RAM。用戶交互模塊通過串口通信方式與單片機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,實(shí)現(xiàn)控制指令的發(fā)送以及發(fā)射機(jī)數(shù)據(jù)的實(shí)時顯示。
主控芯片作為系統(tǒng)的控制核心,在完成系統(tǒng)狀態(tài)檢測與控制算法運(yùn)算的同時,還需將用戶指令轉(zhuǎn)換為對應(yīng)的控制指令,因此,主控芯片需要具備較高的運(yùn)算能力。綜合考慮之后,采用了ST 公司設(shè)計的單片機(jī)STM32F401RCT6 作為主控芯片,該芯片以Cortex-M4 內(nèi)核作為硬件架構(gòu),具有性價比高、運(yùn)行速度快、尋址方式靈活、執(zhí)行效率高、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。該芯片內(nèi)部集成256 字節(jié)FLASH,支持FPU 浮點(diǎn)單元,可以滿足該設(shè)計復(fù)雜運(yùn)算的需求[14]。
系統(tǒng)軟件采用模塊化的方式進(jìn)行編程,由主程序和各個子程序構(gòu)成,子程序包括初始化程序、輸出電壓電流采樣程序、SPWM 波形產(chǎn)生程序、PI 控制程序、中斷保護(hù)程序等。程序流程圖如圖9與圖10所示。
圖9 主程序流程圖
圖10 中斷程序流程圖
在系統(tǒng)上電后,首先進(jìn)行初始化設(shè)置,包括I/O口的初始化、通用串口的初始化以及中斷初始化等,然后等待來自用戶交互模塊的指令,當(dāng)接收到來自用戶交互模塊的指令后,對定時器進(jìn)行初始化,并生成對應(yīng)的電流基準(zhǔn)波形儲存在單片機(jī)內(nèi)部,隨后對電流、電壓等數(shù)據(jù)進(jìn)行采樣,利用PI 算法對采樣得到的電流信號與內(nèi)部基準(zhǔn)電流信號進(jìn)行比較并實(shí)時調(diào)節(jié)SPWM 波形占空比,達(dá)到恒流輸出的目的。當(dāng)出現(xiàn)過壓、過流、過功率等情況時,則運(yùn)行對應(yīng)的中斷保護(hù)子程序,關(guān)閉系統(tǒng)輸出。
PID 控制器為一二階線性控制器,通過調(diào)整比例、積分和微分三項參數(shù),使得大多數(shù)閉環(huán)系統(tǒng)能夠獲得良好的性能[15]。PID 調(diào)節(jié)器的時域表達(dá)式為:
式中,u(t)為控制器的輸出;e(t)為設(shè)定值為被控制量之間的誤差;Kp為比例系數(shù);Ki為積分系數(shù);Kd為微分系數(shù)。
在對系統(tǒng)進(jìn)行數(shù)字控制時,數(shù)字信號的形式是離散的,需要對PID 控制進(jìn)行離散化,才能在數(shù)字控制系統(tǒng)中應(yīng)用PID 控制[16]。離散化后的PID 調(diào)節(jié)器表達(dá)式為:
由于發(fā)射機(jī)工作時會運(yùn)行在較高頻率下,響應(yīng)速度較快,而微分環(huán)節(jié)包含相位超前補(bǔ)償,如果引入微分環(huán)節(jié),系統(tǒng)會產(chǎn)生超調(diào)、振蕩以及嚴(yán)重的噪聲影響[16],所以,該文只采用比例和積分環(huán)節(jié)對系統(tǒng)進(jìn)行控制。對于比例系數(shù)和積分系數(shù)兩個參數(shù),該文采用試湊法先比例后積分的方式來確定參數(shù),經(jīng)過實(shí)驗驗證最終確定比例系數(shù)Kp為0.2,積分系數(shù)Ki為3。
為了驗證設(shè)計與算法的正確性,制作了一臺樣機(jī),并在實(shí)驗室環(huán)境下搭建了實(shí)驗平臺,對發(fā)射機(jī)輸出波形進(jìn)行測試。
為了比較實(shí)際輸出電流與設(shè)定電流之間的誤差,在0~10 A 之間選擇了十個測試點(diǎn)進(jìn)行比較,數(shù)據(jù)如表1 所示。由表1 可知,發(fā)射機(jī)在輸出有效值0~10 A 的電流時,相對誤差小于3%,且對單頻電流的控制略優(yōu)于雙頻及三頻電流。
表1 系統(tǒng)輸出電流值與設(shè)定值比較
為了測試發(fā)射機(jī)輸出波形頻率的準(zhǔn)確性,分別對三種不同頻率的電流進(jìn)行取樣,并在Matlab 軟件中進(jìn)行傅里葉變換,分析其頻率組成。三種電流波形圖如圖11 所示。
圖11 電流波形圖
由測試結(jié)果可知,發(fā)射機(jī)輸出波形的頻率沒有明顯誤差,符合設(shè)計要求。
針對大埋深管道探測的需求,該文設(shè)計了一款大功率發(fā)射機(jī)裝置。發(fā)射機(jī)由主控電路、逆變電路、濾波電路、保護(hù)電路等部分組成,通過主控芯片STM32 產(chǎn)生載波頻率、占空比可變的SPWM 波,從而產(chǎn)生頻率、幅值可調(diào)的交流電。實(shí)驗結(jié)果表明,發(fā)射機(jī)可以穩(wěn)定地輸出有效值0~10 A 的單頻(128 Hz)、雙頻(4 Hz+128 Hz)以及三頻(4 Hz+8 Hz+128 Hz)交流電流,可以適應(yīng)不同地質(zhì)環(huán)境下的管道探測需求。