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        TNTs電極光電協(xié)同降解磺胺類抗生素的研究*

        2023-01-06 12:08:38陳梓慧陳慧英夏建新
        功能材料 2022年12期
        關(guān)鍵詞:納米管鈦酸嘧啶

        陳梓慧,秦 撼,楊 鵬,魯 玥,2,姚 碩,肖 飛,陳慧英,夏建新,邢 璇

        (1. 中央民族大學(xué) 生命與環(huán)境科學(xué)學(xué)院,北京 100081; 2.呼和浩特民族學(xué)院 化學(xué)與環(huán)境學(xué)院,呼和浩特 100051;3. 中國節(jié)能環(huán)保集團(tuán)有限公司,北京 100082)

        0 引 言

        抗生素是一類具有抑制微生物活性的天然、半合成或人工合成的化合物,因其具有的良好藥物作用而被廣泛應(yīng)用于疾病治療、預(yù)防保健等領(lǐng)域[1]。我國是抗生素的生產(chǎn)和使用大國,年均使用量約2.5萬噸,占全球總使用量的20%左右[2-3]。在抗生素的使用過程中,有一半左右無法被人體或牲畜吸收而排除體外進(jìn)入到環(huán)境當(dāng)中[4],進(jìn)而誘導(dǎo)超級細(xì)菌的產(chǎn)生,嚴(yán)重威脅環(huán)境安全和人類健康[5]。因此,對于抗生素的治理刻不容緩。在諸多種類的抗生素中,磺胺類抗生素(sulfonamides,SAs)因具有廣譜抗菌性被大量使用,而其較高的水溶性導(dǎo)致該類藥物在地表水體中被檢出頻率最高,對其進(jìn)行治理和控制具有重要意義[6]。

        在各類抗生素的處理技術(shù)中,高級氧化技術(shù)是最具有應(yīng)用前景的技術(shù)。在諸多高級氧化技術(shù)中,光催化技術(shù)憑其綠色、高效等特點(diǎn)受到了最廣泛的關(guān)注[7]。在各種光催化材料中,鈦酸鹽納米管(titanate nanotubes,TNTs)作為一種在TiO2基礎(chǔ)上發(fā)展起來的、具有光催化能力的材料,同時(shí)可以吸附去除重金屬離子逐漸受到關(guān)注[8]。目前,對于粉末狀TNTs的制備和光催化性能的研究日益增多[9],胡曉靜[10]、史鴻雁[11]等探索了水熱合成法制備TNTs的相關(guān)條件,2004年Zhu等[12]研究發(fā)現(xiàn),在紫外燈的照射下,催化劑濃度為0.5 g/L時(shí),H型TNTs對染料酸性桃紅(SRB)有著較好的光催化降解。但很多實(shí)驗(yàn)表明水熱合成的TNTs光催化性能較差,需要后期進(jìn)行適當(dāng)?shù)母男砸蕴岣吖獯呋到獾哪芰?,國?nèi)一些課題組已經(jīng)在該方面取得了一定的進(jìn)展:李海龍[13]等將Ag離子負(fù)載于TNTs表面,光降解處理甲基橙,降解率可以從未改性前的57.2%(TNTs)提高至92.2%(Ag/TNTs),有效提高了其光催化活性;Chen[14]等利用微波水熱法合成的CdS/TNTs應(yīng)用在光催化去除水體中NH3的實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn),復(fù)合半導(dǎo)體材料的降解效果要優(yōu)于兩種單獨(dú)的半導(dǎo)體材料。

        光電協(xié)同催化是以材料光催化性能為基礎(chǔ),輔以電場,使得其催化降解性能得以增強(qiáng)的技術(shù)[15],但目前TNTs的光電協(xié)同催化性能研究較少。同時(shí),粉末狀催化劑在應(yīng)用中存在著回收困難,容易造成二次污染等問題,因此,本研究擬制備TNTs板狀電極,進(jìn)行系統(tǒng)表征,并探索其光電催化降解抗生素的性能。選用磺胺嘧啶(SD)作為目標(biāo)污染物,研究在TNTs為陽極的系統(tǒng)中其降解效果和降解機(jī)理。

        1 實(shí) 驗(yàn)

        1.1 試劑和儀器

        1.1.1 實(shí)驗(yàn)材料

        15 mm×20 mm×1.5 mm鈦板,15 mm×20 mm×1.5 mm不銹鋼電極,購自上海越磁電子科技有限公司。

        1.1.2 化學(xué)試劑

        甲醇(CH3OH),色譜純(>99.9%),購自北京邁瑞達(dá)科技有限公司;丙酮(CH3COCH3)、氫氟酸(HF)、硝酸(HNO3)均為分析純(>99.5%),購自北京化工廠責(zé)任有限公司;無水硫酸鈉(Na2SO4)、氫氧化鈉(NaOH)均為分析純,購自國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司;磺胺嘧啶(C10H10N4O2S)(>98%),購自山東西亞化學(xué)股份有限公司。

        1.1.3 儀器設(shè)備

        FA1004電子天平,GSL-1100X真空管式高溫爐,DZF-6020真空干燥箱,ULTRA VIALUX模擬紫外光源,JB-1A磁力攪拌器,DH1765-1型程控直流穩(wěn)壓穩(wěn)流電源,KQ-100DE數(shù)控超聲波清洗器,日本島津LC-20A高效液相色譜儀,安捷倫SB-C18(4.6 mm×250 mm×5 μm)色譜柱,TOC-VCPN總有機(jī)碳分析儀,QE Plus超高效液相色譜串聯(lián)高分辨質(zhì)譜儀。

        1.2 實(shí)驗(yàn)步驟

        1.2.1 鈦酸鹽納米管陣列電極的制備

        預(yù)處理階段先用砂紙打磨刨光厚為1.5 mm,面積為1.5 cm×2 cm的金屬Ti板,依次放入超純水、丙酮、超純水中分別超聲15 min去污后吹干備用;之后用HF∶HNO3∶H2O為1∶4∶5的酸溶液將鈦板清洗15 s后迅速用大量超純水清洗,然后放在60 ℃干燥箱中干燥備用。將預(yù)處理后的Ti板放入反應(yīng)釜中,加入30 mL的濃度為10 mol/L的NaOH,放入140 ℃的烘箱中加熱12 h,進(jìn)行水熱反應(yīng)。水熱結(jié)束后將樣品放入40 ℃下5 mol/L的NaOH中,緩慢降低pH洗滌,直至洗滌液接近中性,再將樣品放入60 ℃烘箱中干燥60 min。

        圖1 TNTs制備路徑圖Fig.1 Preparation methods of TNTs

        1.2.2 形貌表征

        將制備好的樣品通過XRD、TEM、SEM進(jìn)行表征,通過XRD峰圖中的特征峰判斷是否生成目標(biāo),通過TEM和SEM觀察制備樣品表面形貌。

        1.2.3 SD降解效果測定及機(jī)理分析

        暗反應(yīng)階段取50 mL濃度為80 mg/L的磺胺嘧啶溶液于石英管中,將制備出的電極放入石英管中于避光處暗吸附20 min。通電時(shí)以制備的TNTs電極為陽極,不銹鋼電極為陰極,置于裝有 50 mL的80 mg/L磺胺嘧啶的石英管內(nèi),放入光化學(xué)反應(yīng)器中進(jìn)行降解反應(yīng),在設(shè)計(jì)的反應(yīng)時(shí)間間隔(0,5,10,15,20,30,40,50 min)取樣3 mL,之后將樣品放入離心機(jī)中以轉(zhuǎn)速5 000 r/min離心5 min。

        利用高效液相色譜法(high performance liquid chromatography,HPLC)對降解率進(jìn)行測定,以甲醇-水(3∶2)溶液為流動(dòng)相進(jìn)行洗脫,流速為 1 mL/ min,檢測波長為 254 nm,柱溫 35 ℃,進(jìn)樣量 20 μL,標(biāo)準(zhǔn)溶液為 80 mg/L磺胺嘧啶溶液。測定降解過程中所取樣品,按色譜條件進(jìn)樣,測定色譜峰面積,計(jì)算得到SD降解率。

        實(shí)驗(yàn)中使用TOC-VCPN總有機(jī)碳分析儀對最優(yōu)降解條件下的降解樣品進(jìn)行TOC(total organic carbon,TOC)測定,觀察SD降解過程中TOC的去除率,并與SD去除率進(jìn)行對比。

        利用Gaussian 09軟件和密度泛函理論(density functional theory,DFT)在B3LYP/6-31+g(d,p)水平下優(yōu)化SD的幾何結(jié)構(gòu),并計(jì)算SD分子中各原子的福井函數(shù)與電子云密度,結(jié)合兩個(gè)值的大小判斷SD分子中的反應(yīng)活性位點(diǎn)。

        使用高效液相色譜串聯(lián)質(zhì)譜儀(liquid chromatograph mass spectrometer,LC-MS)測定SD降解中間產(chǎn)物,實(shí)驗(yàn)中使用QE Plus超高效液相色譜串聯(lián)高分辨質(zhì)譜儀對SD降解過程中0.5,1,1.5,2,3,4,5 h時(shí)間點(diǎn)所取樣品進(jìn)行中間產(chǎn)物測定,采用Waters X Bridge C18(3. 0 mm×150 mm,3.5 μm),樣品過0.22 μm濾膜后進(jìn)樣分析。在正離子模式下質(zhì)譜條件:進(jìn)樣量5 μL;離子源類型:電噴霧離子源(electron spray ionization,ESI);噴霧電壓3 500 V,霧化溫度500 ℃;掃描范圍50~1 200。所得質(zhì)譜圖用于分析SD降解過程中的中間產(chǎn)物,并結(jié)合上一步驟中的計(jì)算結(jié)果分析SD降解機(jī)制。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 TNTs形貌結(jié)構(gòu)表征

        2.1.1 XRD分析

        圖2為鈦酸鹽納米管電極的XRD表征圖。在140 ℃反應(yīng)12 h的水熱反應(yīng)條件下,樣品表面出現(xiàn)了24.0 °,28.0 °和48.0 °的衍射峰,分別對應(yīng)與Na2TiO5·H2O的(110)、(310)和(020)晶面的衍射[15],因此證明所得薄膜材料主要成分為Na2TiO5·H2O[16],即鈦酸鹽材料。

        2.1.2 SEM分析

        圖3為鈦酸鹽納米管電極的SEM表征圖。可以看出電極表面的鈦酸鹽納米管整體呈無序排列的細(xì)長形納米管狀,平行于鈦基底方向生長,這一結(jié)果與史鴻雁[15]等制備得到的對未經(jīng)表面處理的鈦酸鹽薄膜相似。

        圖2 TNTs電極XRD表征圖Fig.2 XRD patterns of samples

        圖3 TNTs的SEM表征圖Fig.3 SEM image of TNTs

        2.1.3 TEM分析

        圖4為鈦酸鹽納米管TEM表征圖。從圖4(a)中可見,鈦酸鹽納米管為無序排列,放大后,單根鈦酸鹽納米管的TEM圖(圖4(b))顯示,鈦酸鹽納米管內(nèi)徑約為5 nm。這一結(jié)果與前期其他學(xué)者的研究報(bào)道相一致。郝彥忠等[17]以TiO2粉末為基底,用水熱法制備出的鈦酸鹽納米管管徑在5~30 nm、管長約0.1~1 μm;史鴻雁[15]利用水熱法制備的鈦酸鹽納米管電極表面納米管內(nèi)徑約為3~5nm。

        2.2 降解SD效果分析

        2.2.1 SD去除率測試

        (1)不同作用條件對SD的降解率的影響

        圖5為制備TNTs電極在光,電和光電協(xié)同作用下對SD的降解效率對比,其中光電組與電解組的電壓均設(shè)置為5 V。從圖中可知,3種作用下,SD的含量均有下降,但光解組與光電協(xié)同組降解效率更為顯著。由圖可見,在暗反應(yīng)過程中,SD降解去除率均很低,表明電極吸附作用對SD去除影響較小。從總體降解率來看,電解組的效果最差,電解50 min后SD去除率不足10%。光解的效果較好,光電協(xié)同催化降解的效果最佳,當(dāng)降解時(shí)間為20 min時(shí),光解組降解率為37.08%,而光電協(xié)同組降解率達(dá)65.82%,反應(yīng)至50 min時(shí),光電協(xié)同催化組降解率達(dá)97.38%,而光解組降解率為86.13%??偟膩碚f,在通電電壓為5 V時(shí),光電協(xié)同作用下SD降解效率更高。產(chǎn)生該現(xiàn)象的原因是外加偏壓可加快光電子-空穴的分離,促使·OH和O2-的迅速產(chǎn)生,從而大大提高了光電協(xié)同催化的效率。

        圖5 TNTs電極在3種作用下對SD的降解效率圖Fig.5 Degradation efficiency of TNTS electrode to SD under three kinds of effects

        (2)不同穩(wěn)壓下對光電協(xié)同催化效率的影響

        圖6研究了光電協(xié)同作用下,不同操作電壓下對SD的降解影響。從圖中可看出,電壓為0.8,2 和5 V條件下,SD降解率均有所提升,即不同穩(wěn)壓條件對SD的降解均有促進(jìn)作用,在電壓<5 V時(shí),隨著電壓的增大SD降解效果不斷提升。在降解時(shí)間為20 min時(shí),5.0 V組的降解率超過2.0 與0.8 V組分別達(dá)到12.3%與19.5%;50 min時(shí),降解率超過2.0與0.8 V組降解率5.8%與6.3%。綜上可看出,適當(dāng)增大電壓對光電協(xié)同作用有明顯的促進(jìn)效果。

        2.2.2 TOC去除率的測定與分析

        圖7為TNTs在SD初始濃度為80 mg/L,外加穩(wěn)壓5 V的條件下TOC隨反應(yīng)時(shí)間變化的趨勢??梢钥闯龇磻?yīng)10 min后,TOC去除率隨反應(yīng)時(shí)間變化不大,當(dāng)反應(yīng)時(shí)間到50 min時(shí),SD去除率接近100%,而TOC去除率仍在20%左右,表明在短時(shí)間的光電協(xié)同催化作用下,SD 分子可被高效去除,但水體中仍會存在大量的難以礦化的中間產(chǎn)物,這與 Kim等[18]的研究報(bào)道相似。

        2.3 SD分子在 TNTs 光電協(xié)同催化作用下的降解機(jī)制

        2.3.1 Gaussian軟件模擬測定結(jié)果

        使用Gaussian 09軟件在B3LYP/6-31+g(d,p)水平下優(yōu)化SD的幾何結(jié)構(gòu),如圖8所示。

        圖6 TNTs電極在不同電壓下對SD的降解效率圖Fig.6 Degradation efficiency of SD by TNTS electrode at different voltages

        圖7 TOC去除率隨反應(yīng)時(shí)間的變化圖Fig.7 TOC removal rate changes with reaction time

        圖8 采用Gaussian在B3LYP/6-31+g(d,p)水平優(yōu)化后的SD構(gòu)象Fig.8 SD conformation optimized by Gaussian at the B3LYP/6-31+ g (d, p)

        福井函數(shù)的左導(dǎo)數(shù)、右導(dǎo)數(shù)和左右導(dǎo)數(shù)的平均值分別對應(yīng)親電、親核和自由基反應(yīng),即:

        (1)

        (2)

        (3)

        式中:qN+1、qN、qN-1分別代表體系在原始狀態(tài)(N電子)、結(jié)合一個(gè)電子狀態(tài)(N+1電子)和電離掉一個(gè)電子狀態(tài)(N-1電子)下的電子云密度。計(jì)算qN+1、qN、qN-1時(shí),體系的幾何結(jié)構(gòu)保持不變。計(jì)算結(jié)果如表1所示。

        表1 SD分子各原子電荷分布及福井函數(shù)Table 1 Atomic charge distribution and Fukui function of SD molecule

        圖9 SD分子中可能的反應(yīng)活性位點(diǎn)Fig.9 Possible active sites identified by Fukui index and cloud density

        2.3.2 LC-MS測定結(jié)果及機(jī)理分析

        通過超高效液相色譜串聯(lián)高分辨質(zhì)譜儀對SD降解過程中中間產(chǎn)物進(jìn)行測定,測定結(jié)果如圖10所示。

        圖10 TNTs電極光電協(xié)同降解SD中間產(chǎn)物質(zhì)譜圖Fig.10 Photoelectric degradation of SD intermediate substance by TNTS electrode

        測定結(jié)果表明,磺胺嘧啶在降解過程中產(chǎn)生了質(zhì)荷比為96(氨基嘧啶,C4H5N3)、187(N-(2-氨基嘧啶-1)苯胺,C10H10N4)、117(丁烯二酸,C4H4O4)等物質(zhì),這與茍璽瑩等[20-21]報(bào)道相一致,此外還檢測出質(zhì)荷比為60和246的產(chǎn)物,現(xiàn)結(jié)合Gaussian 09計(jì)算結(jié)果對磺胺嘧啶降解途徑進(jìn)行分析,如圖11所示,提出SD的降解主要通過以下兩種途徑:

        首先,N10具有最高的電負(fù)性,具有更高的反應(yīng)活性,容易受到·OH自由基進(jìn)攻導(dǎo)致S-N斷裂,進(jìn)而生成A[22]和B(m/z=96)。而后,A中的C15具有最高的福井函數(shù)值,反應(yīng)活性較高,因此C-S鍵易斷裂分解為硫酸根離子和E[22]。由于N1和N2也具有較高的電子云密度,E上原C15易與B中原N1或N2成鍵生成F(m/z=187),該過程與上述福井函數(shù)值及電子云密度計(jì)算結(jié)果大小相一致。之后E中C-N鍵受到·OH的攻擊,氨基被羥基取代生成H,此后隨著反應(yīng)繼續(xù)進(jìn)行,H受到O2-攻擊開環(huán)生成J(m/z=117),而后C=C斷裂生成L(m/z=60)。最終,F(xiàn)及L都會被礦化為各種小分子及無機(jī)離子。

        由于N1和N2電子云密度較大,反應(yīng)活性較高,C-N容易斷裂生成C和D[22]。而后,由N25和N2電子云密度較大推測D中N25的氨基被氧化為硝基[22]生成G,N2被· OH進(jìn)攻I(m/z=246)。此后,N10具有較高的電子云密度,易受到·OH攻擊導(dǎo)致S-N鍵斷裂生成K[22],最終發(fā)生氧化取代反應(yīng),生成小分子及無機(jī)離子。

        圖11 TNTs電極光電協(xié)同作用下SD降解途徑機(jī)理圖Fig.11 Mechanism of SD degradation pathway under photoelectric synergistic effect of TNTs electrode

        3 結(jié) 論

        (1)成功制備出了表面覆蓋著內(nèi)徑約為5 nm的無序排列的鈦酸鹽納米管的電極,并對制得的電極形貌進(jìn)行了系統(tǒng)的表征。

        (2)通過對比光,電及光電協(xié)同3種條件下電極對于SD的降解效果,證實(shí)了鈦酸鹽納米管光電協(xié)同催化降解抗生素的優(yōu)勢。

        (3)TOC 測定結(jié)果表明,在光電協(xié)同作用下,SD 分子本身可在電極表面被高效地降解,但水體中仍會存在大量的難以被礦化的中間產(chǎn)物。因此,研究利用密度泛函理論分析了SD分子反應(yīng)的活性位點(diǎn),同時(shí)結(jié)合LC-MS解析SD降解過程中的中間產(chǎn)物,推測了SD可能的兩種降解路徑,即體系匯總生成的·OH和O2-會使S-N鍵和C-N鍵率先斷裂,生成大分子中間產(chǎn)物,而后進(jìn)一步被氧化為簡單結(jié)構(gòu)的有機(jī)物,少部分被完全礦化。

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