萬(wàn) 浩,顧村鋒,計(jì)淞耀,靳子凡,段宇文,許 進(jìn)
(1.西北工業(yè)大學(xué)電子信息學(xué)院,陜西 西安 710072;2.上海機(jī)電工程研究所,上海 201109)
毫米波雷達(dá)因其工作頻率較高、天線尺寸較小且測(cè)量精度較高,其應(yīng)用越來(lái)越廣泛,比如導(dǎo)彈制導(dǎo)、安防監(jiān)控等。但毫米波的大氣衰減較為嚴(yán)重,因此,毫米波雷達(dá)需要更高增益的天線以及更大的發(fā)射功率來(lái)實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)距離的探測(cè)。具有高增益意味著波束寬度變窄,單個(gè)高增益天線能夠覆蓋的范圍十分有限,需要多波束天線實(shí)現(xiàn)波束掃描,從而達(dá)到更大的覆蓋范圍[1]。如今多波束子系統(tǒng)可以通過(guò)微帶、基片集成波導(dǎo)(substrate integrated waveguide,SIW)、共面波導(dǎo)等多種方式實(shí)現(xiàn)[2]。然而微帶傳輸線在毫米波頻段損耗較大、傳統(tǒng)介質(zhì)波導(dǎo)體積較大且不易集成等問(wèn)題限制了多波束子系統(tǒng)在毫米波中的應(yīng)用,嚴(yán)重影響了多波束天線小型化、寬帶化和集成化發(fā)展。
銅基微同軸線由于其獨(dú)特的結(jié)構(gòu),在寬頻帶內(nèi)具有損耗低、色散效應(yīng)弱(橫電磁波傳播)、線間隔離度高以及功率上限高(全金屬結(jié)構(gòu))等優(yōu)點(diǎn)[3],能夠滿(mǎn)足高集成度、高效率、低損耗、寬波束掃描范圍的多波束天線的工藝需求。圖1為銅基微同軸線的三維視圖及橫截面示意圖,主要包括矩形金屬內(nèi)導(dǎo)體、與內(nèi)導(dǎo)體平行的矩形金屬外導(dǎo)體、犧牲層釋放的通孔以及解決內(nèi)導(dǎo)體懸空問(wèn)題的介質(zhì)支撐條[4]。本文選用的銅基微同軸由九層金屬層構(gòu)成,其中1~4、6~9層的厚度為100 μm,第5層金屬的厚度為60 μm,外導(dǎo)體釋放孔的尺寸為200 μm×200 μm×200 μm,排布周期約為700 μm,介質(zhì)支撐條的介電常數(shù)εr為2.85,損耗角正切tanδ為0.045,寬度為100 μm,厚度hd為18μm,排布周期也為700 μm。
圖1 銅基微同軸三維視圖及橫截面示意圖Fig.1 3-D view and cross-sectional view of copper based micro coaxial
本文采用銅基微同軸工藝設(shè)計(jì)寬帶化低損耗的正交耦合器、移相器以及交叉結(jié)3個(gè)基本單元來(lái)實(shí)現(xiàn)Butler矩陣饋電網(wǎng)絡(luò),結(jié)合Vivaldi天線設(shè)計(jì)1×4天線陣列。利用銅基微同軸-倒裝芯片封裝技術(shù),實(shí)現(xiàn)銅基微同軸與有源芯片的異構(gòu)集成,最終仿真設(shè)計(jì)出Ka波段Butler矩陣饋電且波束可切換的1×4多波束天線子系統(tǒng),解決了多波束系統(tǒng)在毫米波頻段高損耗、窄帶寬以及低集成度的問(wèn)題。
Butler矩陣是具有多個(gè)輸入和輸出端口的網(wǎng)絡(luò),一個(gè)N×N的矩陣對(duì)輸入端口之一施加信號(hào),被均分為1/N后從輸出端口輸出。各個(gè)輸出端口之間輸出信號(hào)的最終相位偏移是恒定的,并且取決于輸入端口的選擇。圖2為基于Butler矩陣饋電的多波束天線示意圖,其中4×4 Butler矩陣是最常見(jiàn)的Butler矩陣,相鄰端口之間可以實(shí)現(xiàn)±45°、±135°的相位差[5]。
圖2 基于Butler矩陣的多波束天線Fig.2 Multi-beam antenna based on Butler matrix
在多波束天線網(wǎng)絡(luò)中,天線陣波束指向可以通過(guò)相鄰端口間的相位差來(lái)改變。圖3為N元直線陣示意圖,圖中,I1~IN為方向圖主瓣偏移角度為θ的N個(gè)天線單元,d為相鄰天線單元之間的距離。相鄰天線單元之間的波程差為d×sinθ,則波程時(shí)延的計(jì)算式為
圖3 N元直線陣Fig.3 N-element linear array
式中:c為真空中的光速。假設(shè)天線工作頻率為f,相鄰天線單元之間相位差為ψ,由c=λf可知,ψ=2πf×τ=ω×τ,由此可以得出天線陣波束指向θ與相鄰端口間的相位差ψ的關(guān)系式為
在實(shí)際應(yīng)用中,Butler的輸入端口外接開(kāi)關(guān)芯片,實(shí)現(xiàn)輸入端口的切換,輸出端口給天線陣饋電,從而通過(guò)開(kāi)關(guān)的切換獲得不同的相位差,實(shí)現(xiàn)天線波束的偏轉(zhuǎn),擴(kuò)大波束的覆蓋范圍,完成波束掃描。
4×4 Butler矩陣由4個(gè)正交耦合器、2個(gè)45°移相器以及2個(gè)交叉結(jié)構(gòu)成。設(shè)計(jì)寬帶Butler矩陣,需要實(shí)現(xiàn)上述3種器件的寬帶化。
由于二分支線正交耦合器需要有四分之一波長(zhǎng),所以其帶寬會(huì)被限制在10%~20%[6]。使用多節(jié)級(jí)聯(lián)是最常用的提高帶寬的方法,但多節(jié)級(jí)聯(lián)耦合器分支線的并聯(lián)臂的阻抗過(guò)小,使用銅基微同軸線實(shí)現(xiàn)的難度比較大。綜合考慮后,選擇在二分支線耦合器的基礎(chǔ)上加載短路枝節(jié)的方法實(shí)現(xiàn)寬帶特性[7]。
短路枝節(jié)加載的分支線耦合器在HFSS中進(jìn)行仿真建模,主要工作為特定阻抗的傳輸線以及接地短路傳輸線的實(shí)現(xiàn)。圖4為28~35 GHz寬帶分支線耦合器HFSS模型,圖5為銅基微同軸線28~35 GHz寬帶分支線耦合器仿真結(jié)果。在頻帶內(nèi),回波損耗優(yōu)于20 dB,隔離端口輸出小于-20 dB,兩個(gè)輸出端口|S21|、|S31|的輸出幅度為-3.26 dB,且不平衡度小于0.16 dB,兩個(gè)輸出端口相位正交,相位誤差小于0.8°。綜上所述,分支線耦合器在寬頻帶內(nèi)的回波和隔離特性很好,而且輸出端口的幅度和相位的不平衡度都很小。
圖4 28~35 GHz寬帶分支線耦合器HFSS模型Fig.4 HFSS model of 28~35 GHz broadband branch line coupler
圖5 28~35 GHz寬帶分支線耦合器仿真結(jié)果Fig.5 Simulation Results of 28~35 GHz Broadband Branch Line Coupler
Butler矩陣兩級(jí)正交耦合器之間需要連接交叉結(jié),第一級(jí)正交耦合器輸出等幅正交的信號(hào)通過(guò)交叉結(jié)向下一級(jí)正交耦合器輸入,從而實(shí)現(xiàn)4個(gè)端口的輸出。寬帶交叉結(jié)可以通過(guò)級(jí)聯(lián)兩個(gè)寬帶正交耦合器實(shí)現(xiàn)[8],其中一個(gè)輸出端口的兩組信號(hào)相位相反,互相抵消,所以信號(hào)只從疊加信號(hào)的輸出端口輸出。這樣的特性滿(mǎn)足了交叉結(jié)的功能需求,因此利用這種寬帶正交耦合器級(jí)聯(lián)來(lái)實(shí)現(xiàn)所需要的寬帶交叉結(jié)。圖6為銅基微同軸28~35 GHz寬帶交叉結(jié)的HFSS模型,圖7為交叉結(jié)HFSS建模仿真結(jié)果。在28~35 GHz內(nèi),回波損耗均優(yōu)于17.8 dB,|S31|在頻段內(nèi)為-0.24~-0.40 dB。隔離端口2的隔離度優(yōu)于32.30 dB,隔離端口4的隔離度優(yōu)于17.55 dB。
圖6 28~35 GHz寬帶交叉結(jié)的HFSS模型Fig.6 HFSS Model of 28~35 GHz Broadband Crossover
圖7 28~35 GHz寬帶交叉結(jié)仿真結(jié)果Fig.7 Simulation Results of 28~35 GHz Broadband Crossover
根據(jù)Butler矩陣的組成原理,在兩級(jí)正交耦合器的中間需要一個(gè)寬帶45°移相器,第二級(jí)耦合器與輸出端口之間還需要一個(gè)0°移相器。加載U形耦合線,可以在線性直線上疊加正弦變化的曲線改變其相位特性[9],當(dāng)兩者近似平行并且正弦曲線處于幅度最小時(shí),可實(shí)現(xiàn)寬帶相移。在移相器的設(shè)計(jì)中,參考線通過(guò)彎折以實(shí)現(xiàn)更小的尺寸,但電流會(huì)因?yàn)檫^(guò)多彎曲而產(chǎn)生積累,造成參考線的損耗變大。根據(jù)文獻(xiàn)[10],可通過(guò)對(duì)直角彎進(jìn)行切割補(bǔ)償,改善電流因內(nèi)導(dǎo)體彎曲而不連續(xù)的現(xiàn)象。
圖8為45°移相器的HFSS模型,該模型與0°移相器的模型區(qū)別在于參考線的長(zhǎng)度。圖9給出了45°移相器和0°移相器的HFSS模型仿真結(jié)果。在28~35 GHz的頻帶內(nèi),45°移相器參考線相對(duì)于交叉結(jié)輸出端口的相位差ψ=45°±1.34°,參考線的插入損耗優(yōu)于0.261 2 dB;0°移相器參考線相對(duì)于交叉結(jié)輸出端口的相位差ψ=0°±2.07°,參考線的插入損耗優(yōu)于0.256 5 dB。
圖8 寬帶移相器HFSS模型Fig.8 HFSS Model of Broadband Phase Shifter
圖9 寬帶移相器仿真結(jié)果Fig.9 Simulation Results of Broadband Phase Shifter
Vivaldi天線具有工作頻帶寬、增益高、方向性好、副瓣電平低、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。本文用到的Vivaldi天線結(jié)構(gòu)使用同軸線直接饋電,同軸饋線末端連接天線的金屬結(jié)構(gòu)一側(cè)的開(kāi)路腔與槽線的起始端相連[11]。銅基微同軸饋電后,電磁能量沿著槽線向自由空間輻射,根據(jù)漸變方程變化的槽線約束電磁能量,使其具有較強(qiáng)的方向性,從而使整個(gè)Vivaldi天線表現(xiàn)出良好的端射特性。其漸變槽線可用下面的參數(shù)方程表示:
式中:a、b分別是槽線的寬度和長(zhǎng)度;槽線在x方向上和y方向上的漸變分別由x(t)和y(t)控制,其中0≤t≤π/2。當(dāng)n=4時(shí),Vivaldi天線的結(jié)構(gòu)如圖10所示。金屬上的鋸齒狀凹槽可以改善天線的電壓駐波比。圖10還給出了天線的E面、H面方向圖。從E面、H面方向圖可以看出,天線主波束的最大增益為11.39 dBi,其半功率波束寬度為64°,副瓣電平為-10.52 dBi。
圖10 Vivaldi天線結(jié)構(gòu)示意圖及其E面、H面方向圖Fig.10 Vivaldi antenna structure diagram and its E-plane and H-plane patterns
使用上述寬帶分支線耦合器、寬帶交叉結(jié)以及寬帶移相器按照4×4 Butler矩陣的設(shè)計(jì)準(zhǔn)則組成了28~35 GHz寬帶Butler矩陣,Butler矩陣饋電網(wǎng)絡(luò)為1×4的寬帶Vivaldi天線線陣饋電,組成Ka波段1×4多波束天線。圖11為銅基微同軸線1×4多波束天線,圖12為不同頻率下1×4多波束天線方向圖。波束最大覆蓋范圍可達(dá)±32°,相鄰天線的相位差為45°時(shí),最大天線增益為14.47 dBi,相鄰天線的相位差為135°時(shí),最大天線增益為11.91 dBi。由于波束偏移,天線陣的最大增益比理想的寬帶Vivaldi 1×4天線陣的增益低2.92 dB,而且偏移的角度越大,天線增益逐漸下降。
圖11 基于銅基微同軸線1×4多波束天線Fig.11 1×4 multi-beam antenna based on copper micro coaxial line
圖12 多波束天線E面方向圖Fig.12 Multi-beam antenna E-plane pattern
射頻系統(tǒng)中放大器芯片可以放大信號(hào)功率,在Butler矩陣輸出端口與天線饋電端口之間集成放大器芯片,可以提高天線的增益;開(kāi)關(guān)芯片可以選擇不同的通路實(shí)現(xiàn)多波束陣列的波數(shù)切換,在銅基微同軸Butler饋電的1×4多波束天線的基礎(chǔ)上集成放大器芯片與開(kāi)關(guān)芯片,可以實(shí)現(xiàn)多波束天線子系統(tǒng)。
銅基微同軸具有異構(gòu)集成的能力,Ralston P提出了一種利用液態(tài)金屬倒裝芯片實(shí)現(xiàn)銅基微同軸線與砷化鎵MMIC有源芯片互聯(lián)的方法[12]。本文使用MACOM公司的MAAL-011111低噪聲放大芯片,圖13為銅基微同軸線與放大器芯片集成互連結(jié)構(gòu)及仿真結(jié)果,工作頻率22~38 GHz,覆蓋上節(jié)設(shè)計(jì)的Butler矩陣的工作頻段,利用該互連結(jié)構(gòu)對(duì)銅基微同軸線與低噪聲放大器芯片集成后,回波損耗在工作頻帶內(nèi)優(yōu)于8.90 dB,增益可達(dá)18.5 dB。根據(jù)切換4×4 Butler輸入端口的需求,本文選擇MACOM公司的MASW-011087高功率、低損耗、高隔離的單刀四擲開(kāi)關(guān)芯片,該芯片工作頻率為14~38 GHz。使用銅基微同軸線連接芯片的輸入和4個(gè)輸出端口,并通過(guò)4個(gè)直流輸入端為開(kāi)關(guān)芯片提供直流偏置,芯片倒裝在支撐體與銅基微同軸線穩(wěn)定互連,利用開(kāi)關(guān)芯片的特性實(shí)現(xiàn)輸入端口的切換。圖14為銅基微同軸線與開(kāi)關(guān)芯片集成互連結(jié)構(gòu)及其仿真結(jié)果,利用該互連結(jié)構(gòu)對(duì)銅基微同軸線與開(kāi)關(guān)芯片集成后,導(dǎo)通通路的回波損耗在24~37 GHz的工作頻帶內(nèi)優(yōu)于20 dB,插入損耗在頻帶內(nèi)低于0.9 dB,截止通路的隔離在工作頻帶內(nèi)高于32 dB。
圖13 銅基微同軸線與放大器芯片集成互連結(jié)構(gòu)及仿真結(jié)果Fig.13 Integrated interconnection structure of copper based micro coaxial line and amplifier chip and its simulation result
圖14 銅基微同軸線與開(kāi)關(guān)芯片集成互連結(jié)構(gòu)及仿真結(jié)果Fig.14 Integrated interconnection structure of copper based micro coaxial line and switch chip and its simulation result
圖15為Ka波段多波束天線子系統(tǒng)。Butler矩陣的輸入端口集成開(kāi)關(guān)芯片,控制信號(hào)饋入不同輸入端口,實(shí)現(xiàn)波束切換,Butler矩陣的輸出端口與天線之間集成放大器芯片,提高天線的發(fā)射功率,實(shí)現(xiàn)多波束天線發(fā)射微系統(tǒng)。圖16給出銅基微同軸線多波束天線子系統(tǒng)的仿真結(jié)果,開(kāi)關(guān)芯片切換不同端口輸入。從圖中可以看出:在28~35 GHz的頻段內(nèi),回波損耗優(yōu)于13.7 dB。各端口饋電時(shí)的幅度特性:開(kāi)關(guān)芯片選擇1、4端口導(dǎo)通,輸出幅度為11.73 dB±0.75 dB;開(kāi)關(guān)芯片選擇1、4端口導(dǎo)通,輸出幅度為11.51 dB±0.82 dB;集成放大器后輸出幅度提高18.3 dB。在28~35 GHz的頻段內(nèi),各端口分別饋電時(shí),相位不平衡度在±7.3°以?xún)?nèi)。
圖15 Ka波段多波束天線子系統(tǒng)示意圖Fig.15 Schematic diagram of Ka band multi-beam antenna subsystem
圖16 Ka波段多波束天線子系統(tǒng)仿真結(jié)果Fig.16 Simulation results of Ka band multi-beam antenna subsystem
本文基于4×4 Butler矩陣以及多波束天線理論提出了Ka波段多波束天線子系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法,不僅能夠解決毫米波在自由空間中高損耗和信號(hào)干擾的問(wèn)題,而且通過(guò)波束掃描實(shí)現(xiàn)了更大的波束覆蓋范圍。采用的新型銅基微同軸線工藝不僅解決了傳統(tǒng)傳輸線在毫米波頻段損耗大的問(wèn)題,還結(jié)合自身準(zhǔn)平面、自封裝、易互連集成的特點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了更緊湊的多波束天線子系統(tǒng),能夠滿(mǎn)足5G毫米波頻段通信系統(tǒng)的實(shí)際應(yīng)用需求。