管 月,紀(jì) 飛,汪渭濱
(中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所,江蘇無錫 214035)
開關(guān)電源的飛速發(fā)展促使充電器、電源模塊朝著小型化、輕型化和高效率的方向持續(xù)發(fā)展。在中、小功率變換器的研究中,反激變換器因其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)簡單、磁性元件少而被廣泛研究[1]。反激變換器的變壓器作為儲(chǔ)能元件,磁芯氣隙較大,導(dǎo)致漏感較大。當(dāng)原邊開關(guān)管關(guān)斷時(shí),漏感能量通過開關(guān)管結(jié)電容釋放,形成LC 振蕩,造成較大的電壓尖峰,導(dǎo)致開關(guān)管承受較大電壓,同時(shí)造成電磁干擾問題。傳統(tǒng)的RCD 無源箝位[2]反激變換器中,漏感能量通過二極管釋放至電阻和電容上,解決了電壓尖峰問題,但造成變換器效率的降低。有源箝位電路由開關(guān)管和電容構(gòu)成,漏感能量通過開關(guān)管轉(zhuǎn)移至諧振電容,實(shí)現(xiàn)了漏感能量的回收,降低了漏感損耗。此外,有源箝位電路允許諧振電流雙向流動(dòng),可以實(shí)現(xiàn)開關(guān)管零電壓開關(guān)(ZVS),降低或消除了開關(guān)損耗,進(jìn)一步提高了反激變換器的效率。因此,有源箝位反激(ACF)變換器[3-5]在中、小功率隔離型DC-DC 變換器中長期處于主流地位,廣泛應(yīng)用于不間斷供電系統(tǒng)(UPS)[6]和電源適配器等領(lǐng)域。
根據(jù)工作過程中變壓器勵(lì)磁電流狀態(tài)的不同,ACF 變換器存在2 種工作模式:勵(lì)磁電流連續(xù)模式(CCM)[7]和過渡模式(TM)[5]。CCM-ACF 變換器由于勵(lì)磁電流始終為正,因此適用于大功率場(chǎng)合,但結(jié)電容的放電條件僅由漏感電流提供,由于漏感較小,實(shí)現(xiàn)ZVS 難度大。TM-ACF 變換器在開關(guān)管驅(qū)動(dòng)信號(hào)上升沿來臨之前,勵(lì)磁電流為負(fù),勵(lì)磁電感參與諧振,由于勵(lì)磁電感較大,因此容易實(shí)現(xiàn)ZVS。這使得多數(shù)高頻、高效、高功率密度變換器的研究均采用TM-ACF架構(gòu)。
盡管TM-ACF 架構(gòu)更容易實(shí)現(xiàn)開關(guān)管ZVS,但是依然受到負(fù)載的限制,傳統(tǒng)電壓控制模式的TM-ACF變換器只能在一定負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)ZVS。實(shí)現(xiàn)全負(fù)載范圍的ZVS 既可以保證平均效率的提高,又可以保證電路工作狀態(tài)的一致性,降低前級(jí)電磁干擾(EMI)濾波器的設(shè)計(jì)難度。文獻(xiàn)[8]提出了一種動(dòng)態(tài)諧振周期控制策略,該策略使ACF 變換器隨負(fù)載變化工作在4 種不同的工作模態(tài)下,但也導(dǎo)致開關(guān)頻率變化范圍(2~220 kHz)較寬,增加了磁性元件的設(shè)計(jì)難度。文獻(xiàn)[9]提出了動(dòng)態(tài)死區(qū)時(shí)間的控制策略,在一定程度上擴(kuò)大了實(shí)現(xiàn)ZVS 的負(fù)載范圍。本文同樣采用動(dòng)態(tài)死區(qū)時(shí)間思想,并將電流引至控制環(huán)路,提出一種勵(lì)磁電感電流谷值恒定的控制策略,實(shí)現(xiàn)全負(fù)載范圍軟開關(guān)控制,通過仿真軟件PSIM 進(jìn)行仿真分析,驗(yàn)證了控制策略的有效性。
TM-ACF 變換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖1 所示,相比于傳統(tǒng)反激拓?fù)?,其增加了由開關(guān)管S2和箝位電容Cc構(gòu)成的有源箝位電路,反激變換器由漏感Lr、勵(lì)磁電感Lm和理想反激變壓器模型共同組成。Coss為S1的結(jié)電容,SW 為電壓跳變點(diǎn),RL是負(fù)載電阻,T 為變壓器。
圖1 TM-ACF 變換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
圖2 給出了TM-ACF 變換器的關(guān)鍵波形,勵(lì)磁電流ILm為雙向電流,這是其與CCM-ACF 變換器的主要區(qū)別。副邊電流Is在S2下降沿來臨之前降低至0,實(shí)現(xiàn)副邊整流管的軟開關(guān)。S2關(guān)斷時(shí),ILm為負(fù),使得Lm參與諧振,將Coss的電壓降低至0 V,從而實(shí)現(xiàn)S1的ZVS,由于Lm遠(yuǎn)大于Lr,所以Lm參與諧振時(shí),僅需很小的反向ILm值即可使電壓跳變點(diǎn)SW 的電壓Vsw降低至0 V,這是TM-ACF 變換器比CCM-ACF 變換器更容易實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)的根本原因。
圖2 TM-ACF 變換器的關(guān)鍵波形
圖3 給出TM-ACF 變換器的主要工作模態(tài),其與傳統(tǒng)反激變壓器基本原理相似,輸出電壓為Vo:
圖3 TM-ACF 變換器的工作模態(tài)
其中,占空比D 為S1導(dǎo)通時(shí)間與開關(guān)周期Ts的比值,N 為匝比。
工作模態(tài)a(t0~t1):S1導(dǎo)通,ILm線性上升,反激變壓器儲(chǔ)能,負(fù)載電壓由輸出電容Co保持,ILr為漏感電流。ILm的表達(dá)式及變化量為:
其中,ILm-為ILm的最小值,t 為時(shí)間變量,t0為該狀態(tài)開始的時(shí)間。
工作模態(tài)b:S1和S2均關(guān)斷,處于死區(qū)時(shí)間Td1,勵(lì)磁電流給S1的結(jié)電容Coss充電,由于Td1很小,可以看做Vsw線性上升至Vin+VCoss+VD(VD為體二極管導(dǎo)通閾值),使S2體二極管導(dǎo)通,進(jìn)入下一工作模態(tài)。Vsw及Td1的表達(dá)式為:
其中,ILm+為ILm的最大值。
工作模態(tài)c:Vsw線性上升至Vin+VCoss+VD后,S2體二極管及副邊二極管D 導(dǎo)通,Lr、Cc諧振回收漏感能量,此時(shí)S2上升沿來臨,即可實(shí)現(xiàn)S2的ZVS,Lm僅在副邊電流為0 時(shí)參與諧振。
工作模態(tài)d:副邊電流為0,Lm、Lr、Cc諧振,勵(lì)磁電感電流和漏感電流反向增大。
工作模態(tài)e:S2關(guān)斷,有源箝位電路的電流被中斷,Lm的電流仍為負(fù),Lm與Coss諧振,將Coss電壓降低至0 V,此后迎來S1導(dǎo)通信號(hào),即可實(shí)現(xiàn)ZVS。需滿足以下2 個(gè)條件,確保Coss電壓降低至0 V:1)Lm有足夠的能量;2)死區(qū)時(shí)間足夠,即:
根據(jù)式(6)可知,ILm必須反向增大至某一值時(shí)才能實(shí)現(xiàn)S1零電壓導(dǎo)通,將該值定義為Ivalley,即:
根據(jù)上述工作模態(tài)及軟開關(guān)條件的分析,本文設(shè)計(jì)了一種恒定谷值電流策略配合動(dòng)態(tài)死區(qū)時(shí)間控制來實(shí)現(xiàn)TM-ACF 變換器的軟開關(guān),具體信號(hào)波形及邏輯過程如圖4 所示。
圖4 固定谷值電流動(dòng)態(tài)死區(qū)時(shí)間控制策略邏輯
采樣勵(lì)磁電流ILm,當(dāng)ILm下降至Ivalley時(shí),觸發(fā)時(shí)鐘信號(hào),根據(jù)此時(shí)Vin、Vo及ILm-的值,計(jì)算死區(qū)時(shí)間Td2,并根據(jù)電壓外環(huán)比例積分(PI)計(jì)算結(jié)果得出導(dǎo)通時(shí)間Ton,從而生成導(dǎo)通時(shí)間為Td2及Td2+Ton的2 個(gè)信號(hào)x1和x2,通過邏輯關(guān)系生成控制信號(hào)S1;S1下降沿觸發(fā)ILm采樣及x3上升沿,根據(jù)此時(shí)Vin、Vo及ILm+的值計(jì)算死區(qū)時(shí)間Td1,從而得到導(dǎo)通時(shí)間為Td1的信號(hào)x3,x2和x3通過邏輯關(guān)系生成控制信號(hào)S2,ILm下降至Ivalley時(shí)觸發(fā)S2下降沿,并開始下一個(gè)開關(guān)周期。
本文設(shè)計(jì)了一款功率為45 W 的TM-ACF 架構(gòu)DC-DC 變換器,具體指標(biāo)如表1 所示,η 為效率。
表1 45 W ACF 變換器指標(biāo)
按上述工作原理計(jì)算關(guān)鍵參數(shù),過程如下。
1)計(jì)算變壓器匝比N:
將表1 中的指標(biāo)代入,取匝比為8。
2)計(jì)算勵(lì)磁電感Lm:
其中,Po為輸出功率。
將表1 中的指標(biāo)代入,得到Lm為123 μH,通常Lr約為Lm的1%,取Lr為1.23 μH。
3)計(jì)算Ivalley,按照式(8),取Ivalley為-0.5 A。
4)計(jì)算箝位電容Cr值,通常Lr、Cr諧振周期的四分之三與變壓器的磁復(fù)位時(shí)間相等,即:
得Cr約為75 nF。
在PSIM 中搭建如圖5 所示的TM-ACF 變換器仿真模型,輸出電容Co取22 μF,滿載時(shí)負(fù)載RL為5 Ω。
圖5 TM-ACF 變換器電路仿真模型
本文提出的固定谷值電流、動(dòng)態(tài)死區(qū)時(shí)間控制策略如圖6 所示,采用50 μA 電流源向0.01 μF 電容充電,當(dāng)電容電壓上升至0.6 V 時(shí),被二極管箝位,將電容電壓值作為系統(tǒng)參考信號(hào)VREF,實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)軟啟動(dòng)。輸出電壓采樣信號(hào)Vos與VREF之差,經(jīng)過PI 運(yùn)算后得到S1的導(dǎo)通時(shí)間Ton。PI 運(yùn)算中增益為22.6,時(shí)間常數(shù)為0.075 ms。當(dāng)負(fù)載變化時(shí),通過PI 運(yùn)算調(diào)節(jié)Ton從而維持輸出電壓穩(wěn)定。
圖6 恒定谷值電流控制策略仿真模型
勵(lì)磁電流ILm、輸出電壓Vo、輸入電壓Vin均被采樣用來實(shí)時(shí)計(jì)算死區(qū)時(shí)間Td1和Td2,按第3 節(jié)所述邏輯結(jié)構(gòu)形成S1和S2控制信號(hào)。
ACF 變換器工作在滿載狀態(tài)時(shí),S1和S2控制信號(hào)、輸出電流和輸出電壓、勵(lì)磁電流及漏感電流、SW點(diǎn)電壓波形如圖7 所示。可以看出,Vsw在S1控制信號(hào)上升沿來臨前下降至0 V,從而實(shí)現(xiàn)S1軟開關(guān),與第2節(jié)的理論分析一致。
圖7 滿載穩(wěn)態(tài)波形
當(dāng)負(fù)載在1.25 A 和2.5 A 間切換時(shí),利用傳統(tǒng)電壓控制的ACF 變換器和利用本文提出的恒定谷值電流控制的ACF 變換器勵(lì)磁電流和輸出電壓波形分別如圖8(a)(b)所示。可以看出,傳統(tǒng)控制策略中,勵(lì)磁電感電流谷值隨負(fù)載變化,而后者ILm-始終保持在-0.5 A。從局部放大波形中可以看出,前者在負(fù)載增加后,Vsw未降低到0 時(shí)產(chǎn)生了狀態(tài)切換,即ZVS 失?。欢笳呤冀K保持ZVS,證明了提出的控制策略的有效性。
圖8 1.25 A 和2.5 A 切換時(shí)變換器關(guān)鍵波形
負(fù)載從1.25 A 切換為2.5 A 時(shí),死區(qū)時(shí)間Td1的變化情況如圖9 所示,可以看到Td1下降,這是因?yàn)樨?fù)載增大導(dǎo)致ILm峰值增加,使得Coss充電更快,Vsw上升至Vin+NVo所需時(shí)間更短,與式(5)一致。
圖9 1.25 A 切換為2.5 A 時(shí)Td1 變化趨勢(shì)
本文提出了一種基于固定谷值電流、配合動(dòng)態(tài)死區(qū)時(shí)間的ACF 變換器控制策略。在PSIM 中搭建仿真模型,對(duì)比傳統(tǒng)控制策略和本文提出的控制策略下ACF 變換器在不同負(fù)載條件下ZVS 的實(shí)現(xiàn)情況,仿真結(jié)果驗(yàn)證了控制策略的有效性。