高 云,植傳威,劉峂欣,呂麗萍

(上海大學(xué)環(huán)境與化學(xué)工程學(xué)院,上海 200444)

超級(jí)電容器的功率密度(power density,PD)高,能夠快速地進(jìn)行充電或者放電,長(zhǎng)循環(huán)下比較穩(wěn)定,相較于其他儲(chǔ)能器件有較大的發(fā)展?jié)摿?但是大規(guī)模的工業(yè)實(shí)際應(yīng)用仍然受其較低能量密度(energy density,ED)的限制.因此,目前研究多致力于提高電極的能量密度,以獲得同時(shí)具有較高功率密度和能量密度的超級(jí)電容器.配位聚合物材料尤其是一些配位聚合物框架材料,可提供較大的比表面積、豐富的孔結(jié)構(gòu)及金屬配位中心,已成為極具潛力的儲(chǔ)能器件電極材料[1].但是,由于大部分配位聚合物骨架存在導(dǎo)電性差、循環(huán)穩(wěn)定性較低等問題影響電化學(xué)儲(chǔ)能性能,因此將其直接作為超級(jí)電容器電極材料的報(bào)道較少,雙金屬基配位聚合物更是鮮有報(bào)道.Li等[2]制備的雙金屬配位聚合物框架材料Ni-Co-MOF在電流密度1 A·g-1下經(jīng)過1 000次循環(huán)后,僅保留初始容量的48.8%.Wang等[3]制備的雙金屬配位框架材料NiCo-MOF/NF在電流密度下6 A·g-1循環(huán)3 000次時(shí)的容量約保留為80%,經(jīng)過6 000次循環(huán)后僅保持68.5%.較低的循環(huán)穩(wěn)定性主要是材料本身導(dǎo)電性及結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性不高導(dǎo)致.

應(yīng)用于超級(jí)電容器電極材料的配位聚合物可以劃分為兩類:一種是以配位聚合物,尤其是配位聚合物骨架材料為犧牲模板制備的多孔碳材料、金屬氧化物以及金屬硫化物等[4],衍生物繼承了配位聚合物前驅(qū)體的多孔、高比表面積等特征,在超級(jí)電容器的應(yīng)用中表現(xiàn)出巨大的潛力,但煅燒往往會(huì)破壞配位聚合物骨架原本的結(jié)構(gòu),直接導(dǎo)致比表面積的降低;另一種則是將配位聚合物材料直接應(yīng)用于電極活性材料,充分地吸收電解液中的離子,有利于產(chǎn)生大的雙電層電容[5].但是,材料存在導(dǎo)電性差、循環(huán)穩(wěn)定性較低等問題,為了提高配位聚合物制備電極材料的導(dǎo)電性能及長(zhǎng)循環(huán)穩(wěn)定性,需要對(duì)其組成如有機(jī)配體和金屬離子種類等進(jìn)行合理選擇和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì).

釩是位于副族的過渡金屬元素,原子外層有5個(gè)價(jià)電子,因此存在多個(gè)價(jià)態(tài),可以提供豐富的贗電容.釩基配位聚合物骨架材料V-MOFs為MIL-47,在吸附、催化和鋰離子電池中有著良好的應(yīng)用前景[6-8].MIL-47是由無數(shù)的正八面體組成的三維斜方晶系結(jié)構(gòu),表現(xiàn)出大的孔隙,有利于電子傳輸.目前,V-MOFs在超級(jí)電容器中的應(yīng)用還比較少,但其擁有的較大孔隙和多變的電子價(jià)態(tài)使它作為超級(jí)電容器的電極材料時(shí)具有較大的優(yōu)勢(shì).因此,若能對(duì)釩基配位聚合物材料進(jìn)行適當(dāng)?shù)亟Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),提高體系的離子/電子導(dǎo)電性及結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,同時(shí)提供更多的活性位點(diǎn),其應(yīng)用于超級(jí)電容器將會(huì)獲得更大的潛力.

雙金屬有機(jī)配位聚合物可以提供兩個(gè)氧化還原反應(yīng)中心,在作為電極材料使用時(shí),可以得到超出兩個(gè)中心單獨(dú)作用之和的效果,即兩中心的協(xié)同作用會(huì)使電化學(xué)性能得到很好地提升[9].此外,Cu2+摻雜能提高體系的導(dǎo)電性,提供更多的活性位點(diǎn),同時(shí)具有成本較低的優(yōu)勢(shì)[10-12].因此,本工作先通過一步微波法制備V-HHTP,再采用二次微波離子交換的方法,將部分的V3+替換成Cu2+,得到具有微球形貌的釩銅雙金屬有機(jī)配位聚合物V-Cu-HHTP.體系中部分替代的Cu2+可以增加V-Cu-HHTP的電子傳導(dǎo)性能,同時(shí)賦予結(jié)構(gòu)雙金屬的協(xié)同作用,在用作超級(jí)電容器(supercapacitor,SC)電極材料時(shí),V-Cu-HHTP表現(xiàn)出較高比電容、大倍率下容量保留率達(dá)55.7%和較長(zhǎng)循環(huán)下容量保持穩(wěn)定(98.6%)等特點(diǎn).此外,該電極材料與AC組裝成非對(duì)稱超級(jí)電容器(asymmetric supercapacitor,ASC)器件時(shí)也表現(xiàn)出優(yōu)異的電化學(xué)性能,進(jìn)一步證明了V-Cu-HHTP作為電極材料的應(yīng)用潛力.

1 實(shí)驗(yàn)

1.1 V-Cu-HHTP的制備

稱取1.1 mmol(0.172 g)的三氯化釩(VCl3)和0.524 mmol(0.179 g)的2,3,6,7,10,11-六羥基三亞苯基苯(2,3,6,7,10,11-hexahydroxytriphenylene,HHTP),依次加入到5 mL去離子水和5 mL N,N-二甲基甲酰胺(dimethyl for mamide,DMF)的混合溶劑中,待攪拌溶解分散均勻后,將上述溶液均分為兩份,分別加入到兩個(gè)微波反應(yīng)釜中,攪拌5 min后,120°C下微波輔助加熱30 min,得到V-HHTP.隨后分別向兩個(gè)V-HHTP反應(yīng)液中直接加入0.4 mmol(0.068 g)的CuCl2·2H2O(物質(zhì)的量比m(V)∶m(Cu)=1∶0.7),攪拌5 min后,120°C下繼續(xù)微波輔助加熱30 min.反應(yīng)結(jié)束后,以去離子水和DMF離心數(shù)次,在60°C烘箱中烘干得到產(chǎn)物V-Cu-HHTP.此外,通過調(diào)整V-HHTP反應(yīng)液中加入CuCl2·2H2O的量為0.55和0.3 mmol,分別得到m(V)∶m(Cu)為1∶1和1∶0.55的樣品V-Cu-HHTP-1和V-Cu-HHTP-0.5.

1.2 材料表征

制備樣品的物相組成通過X射線衍射(X-ray diffraction,XRD)進(jìn)行表征,選用Rigaku D/max-2550V,光源為Cu Kα射線(40 kV/30 mA,λ=0.154 178 nm),掃描的衍射角為5°～85°.通過場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope,SEM)JEM-6700F以及配備的能量色散X射線光譜儀(energy-dispersive X-ray spectroscopy,EDS)研究V-Cu-HHTP的表面形貌和組成成分.透射電子顯微鏡(transmission electron microscopy,TEM)圖像由JEM-200CX進(jìn)行采集.選用PHI 5000C ESCA(Perkin Elmer),通過X射線光電子能譜(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)進(jìn)行元素及價(jià)態(tài)的分析,結(jié)合能數(shù)據(jù)使用284.5 eV處的C 1s峰作為參照進(jìn)行校準(zhǔn).采用ASAP 2460 M+C的全自動(dòng)比表面積分析儀進(jìn)行BET(Brunner-Emmet-Teller)比表面積測(cè)試,孔徑分布測(cè)量范圍為0.35～500 nm.

2 結(jié)果與討論

圖1為V-Cu-HHTP的合成示意圖.可以看出:通過微波法得到一種新穎微球形貌的釩基金屬有機(jī)配位聚合物V-HHTP,其中釩離子與相鄰的2個(gè)HHTP分子的4個(gè)—OH鍵進(jìn)行配位形成六邊形蜂窩狀的多孔結(jié)構(gòu),同時(shí)上下相互堆積形成一維孔道;通過微波離子交換的方法,部分的V3+替換成Cu2+,得到V-Cu-HHTP.部分替代的Cu2+可以增加配位聚合物結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電性,在后期電化學(xué)性能測(cè)試中還可提供雙金屬協(xié)同作用.

圖1 銅離子摻雜的釩基金屬有機(jī)配位聚合物的合成示意圖Fig.1 Schematic illustration of the synthesis of copper-doped vanadium metalorganic coordination polymer

對(duì)HHTP和制備樣品進(jìn)行物相表征,結(jié)果如圖2所示.紅外光譜手段可對(duì)配位前后體系中的特征官能團(tuán)(如苯環(huán)和羥基)進(jìn)行分析.圖2(a)為V-Cu-HHTP和有機(jī)配體HHTP的紅外譜圖,其中波數(shù)為1 023和1 104 cm-1處的吸收峰可以歸因于C—O鍵的伸縮振動(dòng),位于1 633 cm-1處的吸收峰為芳香族主鏈C==C鍵的伸縮振動(dòng)峰,3 300 cm-1左右處的寬峰可歸屬于O—H鍵的伸縮振動(dòng)[14].相比于HHTP的紅外譜圖,V-Cu-HHTP中～3 300 cm-1處對(duì)應(yīng)于O—鍵的峰幾乎消失,進(jìn)一步佐證了金屬中心與配體HHTP中的羥基配位過程.圖2(b)為V-Cu-HHTP和V-HHTP的XRD譜圖,其中位于2θ=11.0°和25.5°處的衍射峰,與Cu3(HHTP)2的模擬標(biāo)準(zhǔn)卡片特征峰相對(duì)應(yīng)[15],佐證了V-Cu-HHTP的成功合成.圖2(c)和(d)為V-Cu-HHTP微球的吸脫附等溫線和孔徑分布.可以看出,材料孔隙由小孔和介孔主導(dǎo),孔徑主要分布在1～4 nm,比表面積為164 m2·g-1.

圖2 制備樣品的物相表征Fig.2 Phase characterization of prepared samples

采用XPS對(duì)主產(chǎn)物V-Cu-HHTP微球中各元素的價(jià)態(tài)進(jìn)行確認(rèn),結(jié)果如圖3所示.可以看出:制備材料由V、Cu、C、O 4種元素組成,其中位于517.1和524.8 eV的電子結(jié)合能對(duì)應(yīng)了V3+的2p3/2和2p1/2[16],結(jié)合能933.2(Cu 2p3/2)和952.5 eV(Cu 2p1/2)對(duì)應(yīng)樣品中處于氧化態(tài)的Cu2+[17];位于284.9和289.2 eV電子結(jié)合能分別對(duì)應(yīng)C—C鍵和C—O鍵;530.8、531.8和533.2 eV的結(jié)合能則分別對(duì)應(yīng)材料中存在的金屬-氧共價(jià)鍵、羥基和C—O鍵[15-16].

圖3 V-Cu-HHTP微球的XPS譜圖Fig.3 XPS spectra of V-Cu-HHTP microspheres

通過調(diào)節(jié)物質(zhì)的量比m(V)∶m(Cu)為1∶0、1∶0.55、1∶0.7和1∶1,分別得到樣品V-HHTP、V-Cu-HHTP-0.5、V-Cu-HHTP和V-Cu-HHTP-1.對(duì)制備的樣品形貌進(jìn)行表征,結(jié)果如圖4所示.可以看出:當(dāng)未添加銅離子或銅離子添加量較少時(shí)得到的V-HHTP和V-Cu-HHTP-0.5顯現(xiàn)出無規(guī)則的片狀形貌(見圖4(a)和(b));當(dāng)銅離子濃度與釩離子相同(m(V)∶m(Cu)=1∶1)時(shí),得到的樣品V-Cu-HHTP-1呈直徑約2μm的球形形貌(見圖4(c)),但存在比較明顯的團(tuán)聚現(xiàn)象,且形貌不均勻,這可能是高鹽濃度條件下晶核生長(zhǎng)過快造成的.當(dāng)m(V)∶m(Cu)=1∶0.7時(shí),得到了形貌比較規(guī)則均一的樣品V-Cu-HHTP.圖5(a)和(b)為V-Cu-HHTP的SEM和TEM圖,可以看出:V-Cu-HHTP在微觀下呈現(xiàn)均勻的微球形貌,尺寸大約為1.2～1.5μm,且為實(shí)心結(jié)構(gòu).圖5(c)為V-Cu-HHTP的選區(qū)EDS圖譜.可以看到,材料中存在V、Cu、C、O 4種元素,進(jìn)一步定量分析測(cè)試得到了微球中V、Cu、C、O的質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為13.5%、3.6%、44.6%、38.2%.圖5(d)～(h)為材料的元素映射圖,可以看到V、Cu、C、O 4種元素均勻分布.

圖4 3種樣品的形貌表征Fig.4 Morphology characterization of three kinds of samples

圖5 V-Cu-HHTP的形貌表征Fig.5 Morphology characterization of V-Cu-HHTP

基于4種樣品的形貌特點(diǎn),同時(shí)考慮到電極活性材料如果出現(xiàn)明顯聚集堆疊,將不利于充放電過程中電解液的浸入和電荷的傳輸,本工作選取V-Cu-HHTP作為主產(chǎn)物進(jìn)行后續(xù)的表征和電極性能測(cè)試,其中V-HHTP作為對(duì)比產(chǎn)物,結(jié)果如圖6所示.V-Cu-HHTP和V-HHTP的三電極體系的電化學(xué)性能由電化學(xué)工作站CHI760D進(jìn)行采集.三電極體系由工作、參比和對(duì)電極組成,分別對(duì)應(yīng)于V-Cu-HHTP或V-HHTP,Ag/AgCl以及Pt片,電解液為1 mol·L-1Na2SO4溶液.對(duì)比V-Cu-HHTP和V-HHTP在10 mV·s-1掃描速率下的循環(huán)伏安(cyclic voltammetry,CV)曲線可知,V-Cu-HHTP具有更大的CV曲線面積,相比VHHTP具有更高的比電容.V-Cu-HHTP在0～0.8 V內(nèi)的CV曲線如圖6(b)所示,可以看到,CV曲線表現(xiàn)出矩形特征,結(jié)合材料的性質(zhì)可以得到電容特征,可能的反應(yīng)機(jī)理為[14]

圖6(c)為V-Cu-HHTP在不同電流密度下的恒電流充放電(galvanostatic chargedischarge,GCD)曲線.曲線形狀類似等腰三角形,佐證了V-Cu-HHTP電極的電容特征和高的庫侖效率.根據(jù)GCD曲線以及C=iΔt/mΔV可計(jì)算得到V-Cu-HHTP在1、2、5、10 A·g-1的電流密度下的比電容分別為287、240、189、160 F·g-1.V-Cu-HHTP在電流密度10 A·g-1時(shí)仍能保持初始電容值的55.7%,這一性能明顯高于沒有Cu摻雜的V-HHTP的電容性能(見圖7).V-HHTP在1、2、5、10 A·g-1的電流密度時(shí),其比電容分別為227、194、156、107 F·g-1,大電流時(shí)的電容保持率為47.1%.

圖6 V-Cu-HHTP的電化學(xué)性能Fig.6 Electrochemical properties of V-Cu-HHTP

圖7 V-HHTP的電化學(xué)性能Fig.7 Electrochemical properties of V-HHTP

通過不同掃速的CV曲線還可對(duì)V-Cu-HHTP在電化學(xué)測(cè)試過程中的反應(yīng)動(dòng)力學(xué)和電容貢獻(xiàn)進(jìn)行驗(yàn)證.在不同掃描速率下,CV曲線中電流與電壓的關(guān)系可以描述為[18]

式中:I為響應(yīng)電流,V為電壓;ν為掃描速率;a和b為控制參數(shù),b值可以由上述方程取對(duì)數(shù)后擬合得到.當(dāng)b=1時(shí),表明為完全電容控制的表面氧化還原反應(yīng)過程;當(dāng)b越接近0.5時(shí),則表明為擴(kuò)散控制過程.如圖6(e)所示,分別在0.2、0.4、0.6 V處取電流和電壓值進(jìn)行擬合,可以看到擬合得到的b=0.768 9,0.869 3,0.847 0,說明材料主要的比電容來自于電容貢獻(xiàn).除此之外,電容貢獻(xiàn)和擴(kuò)散電池型行為可以通過以下方程進(jìn)行定量[18],

式中:k1和k2為常數(shù).隨著掃描速率增加,從10到50 mV s-1電容貢獻(xiàn)比例由64.3%增加到80.3%(見圖6(f)),再次說明主要的儲(chǔ)能機(jī)理來自于表面控制的電容貢獻(xiàn).

此外,在10-2～105Hz的頻率區(qū)間對(duì)電極進(jìn)行電化學(xué)阻抗(electrochemical impedance spectroscopy,EIS)測(cè)試,結(jié)果如圖6(g)所示.可以看到:在高頻半圓區(qū)域中,曲線在橫坐標(biāo)軸上的截距值,對(duì)應(yīng)于等效串聯(lián)電阻Rs,其主要包括集流體和活性物質(zhì)之間的溶液電阻和接觸電阻.半圓的直徑則對(duì)應(yīng)于微球表面的傳質(zhì)電阻Rct.低頻直線區(qū),由直線計(jì)算出的斜率為Warburg阻抗.Warburg阻抗是由電解液中的離子運(yùn)輸/擴(kuò)散到電極表面的擴(kuò)散電阻所造成[16].V-Cu-HHTP和V-HHTP的Rs較小,Rct分別為1.05和1.47Ω,表明在經(jīng)過Cu摻雜之后,電解液離子更容易擴(kuò)散到V-Cu-HHTP電極中,從而可以提高活性材料的利用率.低頻區(qū),V-Cu-HHTP的直線部分傾斜角度更大,說明材料的擴(kuò)散阻力是更小的.循環(huán)穩(wěn)定性是考量材料的電化學(xué)性能的重要指標(biāo).在10 A·g-1的電流密度下循環(huán)3 000次后,V-Cu-HHTP的電容保持率為98.6%(見圖6(h)),優(yōu)于V-HHTP的94.2%.這主要是因?yàn)樵谘h(huán)過程中Cu摻雜提高了導(dǎo)電性,同時(shí)提供優(yōu)越的雙金屬協(xié)同效應(yīng).

基于V-Cu-HHTP在三電極體系中的電化學(xué)性能,以V-Cu-HHTP為正極材料,AC為負(fù)極材料,1 mol·L-1的Na2SO4為電解液,組裝ASC.AC在三電極體系中的電化學(xué)性能如圖8中所示.在-0.8～0 V(vs.Ag/AgCl)的電位窗口內(nèi),曲線是相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的矩形,按照相應(yīng)的公式經(jīng)過計(jì)算得到質(zhì)量比電容為175 F·g-1.為了獲得大的操作電位窗口,正負(fù)極材料質(zhì)量配比應(yīng)符合關(guān)系q+=q-,以此平衡正極和負(fù)極之間的電荷.因此,AC與V-Cu-HHTP的質(zhì)量比設(shè)定為1.69.在10 mV·s-1的掃描速率下,不同電壓窗口的GCD曲線如圖9(a)所示.可以看到,當(dāng)電壓窗口增加到1.6 V時(shí),曲線形狀保持良好.因此,選取0～1.6 V作為ASC的電壓窗口.V-Cu-HHTP//AC在不同掃描速率下的CV曲線保持近似的矩形形狀,表明了組裝器件的電容特征,且具有穩(wěn)定的快速充放過程(見圖9(b)).ASC在電流密度1～10 A·g-1時(shí)的GCD曲線表現(xiàn)出近似線性的充放過程(見圖9(c)).由GCD曲線計(jì)算得到1、2、5、8和10 A·g-1的電流密度下,V-Cu-HHTP//AC的比電容分別為124、108、87、74和66 F·g-1.在電流密度10 A·g-1時(shí)有53.2%的電容保持率,表明ASC具有良好的倍率性能.此外,V-Cu-HHTP//AC的奈奎斯特曲線(見圖9(d))顯示該ASC具有較小的Rs,較大的斜率表明其具有較小的Warburg電阻(2.8Ω).

圖8 AC的電化學(xué)性能Fig.8 Electrochemical properties of AC

根據(jù)ED=CV2/7.2,PD=3 600ED/t及不同電流密度下的GCD曲線,可以計(jì)算組裝的ASC的能量密度(energy density,ED)和功率密度(power density,PD),其中C和V分別為電極的比容量和工作電壓,t為放電時(shí)間.圖9(e)顯示了在不同電流密度下ASC的Ragone圖.組裝的V-Cu-HHTP//AC在功率密度為795.0 W·Kg-1時(shí),最大能量密度為44.1 Wh·Kg-1,在最大的功率密度7 906.5 W·Kg-1時(shí)仍有23.5 Wh·Kg-1的能量密度.V-Cu-HHTP//AC所表現(xiàn)出的最大能量密度優(yōu)越于許多已報(bào)道的釩基超級(jí)電容器,比如CNS@VN//Co3O4(18.8 Wh·Kg-1/800 W·Kg-1)[20],rGO/V2O5//rGO/V2O5(31.3 Wh·Kg-1/249.7 W·Kg-1)[21],Ni(OH)2//VN/C(43 Wh·Kg-1/800 W·Kg-1)[22],Ni(OH)2//N-CNS/VNNPs(29.5 Wh·Kg-1/385 W·Kg-1)[23],VNQD/CNF//Ni(OH)2(31.2 Wh·Kg-1/774.6 W·Kg-1)[24],VOx-3DG//rGO(16 Wh·Kg-1/200 W·Kg-1)[25].圖9(f)為V-Cu-HHTP//AC的長(zhǎng)循環(huán)性能圖.可以看出,在經(jīng)過長(zhǎng)達(dá)8 000次的充放電后,所保留下的電容可以達(dá)到最初電容值的91.9%,這也說明電極在長(zhǎng)循環(huán)條件可以保持優(yōu)異的穩(wěn)定性.

圖9 V-Cu-HHTP//AC ASC的電化學(xué)性能Fig.9 Electrochemical performance of the as-fabricated V-Cu-HHTP//AC ASC

3 結(jié)論

本工作通過兩步微波和離子交換的方法得到一種新穎微球形貌的V-Cu-HHTP雙金屬有機(jī)配位聚合物,運(yùn)用XRD、EDS、XPS等表征手段確認(rèn)了材料的組成和化學(xué)結(jié)構(gòu).由于部分替代的Cu2+提高了導(dǎo)電性,并提供V、Cu金屬氧化還原反應(yīng)中心,二者對(duì)電極的電化學(xué)儲(chǔ)能產(chǎn)生協(xié)同效果.當(dāng)V-Cu-HHTP用于超級(jí)電容器電極材料時(shí),可獲得287 F·g-1的穩(wěn)定比電容

(1 A·g-1),高于未摻雜銅離子的V-HHTP(227 F·g-1).將V-Cu-HHTP電極電流密度升至10 A·g-1,其所保留的電容與原始容量相比,占比仍有55.7%,而相比之下,V-HHTP電極僅保留了原始電容值的47.1%.針對(duì)于較長(zhǎng)循環(huán)下的容量穩(wěn)定情況來看,在10 A·g-1的大電流下,歷時(shí)3 000次充放電,V-Cu-HHTP的電容值仍可保留在原始電容的98.6%,高于V-HHTP的94.2%.另外,采用V-Cu-HHTP為正極,AC為負(fù)極組裝的非對(duì)稱超級(jí)電容器表現(xiàn)出良好的功率密度及能量密度.當(dāng)功率密度為795.0 W·Kg-1時(shí),最大能量密度為44.1 Wh·Kg-1,當(dāng)功率密度達(dá)到最大值7 906.5 W·Kg-1時(shí),能量密度仍有23.5 Wh·Kg-1.我們將超級(jí)電容器優(yōu)異的電化學(xué)性能歸因于以下因素:①雙金屬有機(jī)配位聚合物結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為體系提供了優(yōu)異的雙金屬協(xié)同效應(yīng),提高其循環(huán)過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性;②Cu2+摻雜提高了配位聚合物的導(dǎo)電性,促進(jìn)了體系電化學(xué)性能的發(fā)揮;③金屬有機(jī)配位聚合物的多孔特征提供了大量的活性位點(diǎn),進(jìn)一步提高了體系的儲(chǔ)能潛力.