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        TiAl合金片層形成及其穩(wěn)定性研究現(xiàn)狀

        2022-11-23 06:58:18于永浩寇宏超王亞榕李雨晴李金山
        精密成形工程 2022年11期
        關(guān)鍵詞:變體服役合金

        于永浩,寇宏超,王亞榕,李雨晴,李金山

        TiAl合金片層形成及其穩(wěn)定性研究現(xiàn)狀

        于永浩,寇宏超,王亞榕,李雨晴,李金山

        (西北工業(yè)大學(xué) 凝固技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,西安 710072)

        TiAl合金具有低密度和優(yōu)異的高溫性能,是650~850 ℃溫度區(qū)間內(nèi)替代鎳基高溫合金的重要候選材料。具有片層組織的TiAl合金高溫綜合性能優(yōu)異,但片層組織形成機(jī)理、高溫服役條件下片層穩(wěn)定性仍是關(guān)注的重點(diǎn)。綜述了近年來(lái)片層形成和組織穩(wěn)定性的研究成果,主要分析片層形成機(jī)制和γ變體選擇機(jī)制,以及片層特征對(duì)組織穩(wěn)定性的影響,并對(duì)未來(lái)的研究方向進(jìn)行了展望。

        TiAl合金;片層形成;變體選擇;穩(wěn)定性;片層特征

        γ-TiAl合金具有低密度和優(yōu)異的高溫強(qiáng)度、高溫蠕變、抗氧化性能等特點(diǎn),已成為航空航天和汽車(chē)等熱端部件極具潛力的候選材料[1-3]。2007年,美國(guó)Boeing公司宣布在GEnx發(fā)動(dòng)機(jī)中采用鑄造Ti?48Al?2Cr?2Nb合金(4822合金)制造第6、7級(jí)低壓渦輪葉片,有效地提升了航空發(fā)動(dòng)機(jī)的推重比和燃油效率,同時(shí)可以減少有害氣體排放和噪音污染,極大地促進(jìn)了TiAl合金的研制和開(kāi)發(fā)[4-8]。TiAl合金制造的汽車(chē)增壓器葉輪和排氣閥也被成功應(yīng)用,顯著提升了動(dòng)力裝置的性能[1,9-10]。

        TiAl合金優(yōu)異的高溫性能與其微觀組織密切相關(guān)。在全片層、近片層、雙態(tài)和近γ等4種典型的微觀組織中,全片層組織具有更為優(yōu)異的高溫強(qiáng)度和高溫蠕變性能[11]。然而,高溫服役條件下(650~850 ℃)組織的不穩(wěn)定限制了TiAl合金的廣泛應(yīng)用[12-14]。在高溫長(zhǎng)期熱暴露(熱)和持久蠕變(熱力耦合)過(guò)程中,TiAl合金的顯微組織發(fā)生了明顯的變化,進(jìn)而導(dǎo)致性能顯著降低,例如:高溫服役后,合金的室溫延伸率降低了原始延伸率的一半以上(剩余的室溫延伸率幾乎為0)[12-14]。片層組織穩(wěn)定性對(duì)片層特征十分敏感,包括片層界面、相含量、片層寬度和片層成分等[3,12-20]。近年來(lái),國(guó)內(nèi)外學(xué)者已經(jīng)對(duì)片層分解現(xiàn)象及片層特征對(duì)組織穩(wěn)定性的影響進(jìn)行了大量的研究,探索了片層特征對(duì)組織穩(wěn)定性的影響,并總結(jié)了一些相對(duì)穩(wěn)定片層組織所具備的特征[3,16-17]。事實(shí)上,片層特征在片層組織形成后基本上已經(jīng)確定,后續(xù)的一些穩(wěn)定化處理工藝僅能對(duì)片層特征進(jìn)行微調(diào),也就是說(shuō),片層特征需要從片層形成初期進(jìn)行調(diào)控。在穩(wěn)定化過(guò)程中,片層形成機(jī)制是調(diào)控片層特征的理論依據(jù),而相對(duì)穩(wěn)定的片層組織特征則是調(diào)控片層特征的方向。由此可見(jiàn),深入認(rèn)識(shí)片層形成機(jī)制及片層形成特征對(duì)組織穩(wěn)定性的影響對(duì)調(diào)控片層特征、提高片層穩(wěn)定性是非常重要的。因此,文中系統(tǒng)地總結(jié)了片層形成機(jī)制、片層團(tuán)內(nèi)γ變體選擇及片層特征對(duì)組織穩(wěn)定性的影響,以期為設(shè)計(jì)片層組織穩(wěn)定化工藝,進(jìn)而控制片層特征以提升片層組織的穩(wěn)定性提供依據(jù)。

        1 片層組織特征及其與性能的關(guān)系

        1.1 片層組織特征

        圖1 γ片層內(nèi)部特征[26]

        1.2 片層組織與服役性能的關(guān)系

        高溫下TiAl合金片層組織的分解不可避免,會(huì)對(duì)合金服役性能產(chǎn)生嚴(yán)重的影響。Huang等[12-14]發(fā)現(xiàn),隨著熱暴露時(shí)間的延長(zhǎng),室溫和700 ℃下的延伸率會(huì)逐漸降低。延伸率的降低有2種解釋:一是α2相分解釋放的氧原子可能會(huì)在γ片層內(nèi)部或α2/γ界面上析出一些氧化物沉淀,從而導(dǎo)致延伸率下降;二是α2相分解形成大量的β0相和ω相等硬脆相,會(huì)加劇合金的脆化[13-14]。片層團(tuán)界面附近片層等軸化和片層團(tuán)內(nèi)部α2片層分解會(huì)引起蠕變速率的加快[17,27-28],但α2片層的分解對(duì)蠕變性能并不一定總是有害的。蠕變前片層團(tuán)內(nèi)彌散分布的β0相則可以提高蠕變性能[29-30]。另外,有研究報(bào)道表明,大多數(shù)TiAl合金在熱暴露后的疲勞極限會(huì)增加,其原因有待進(jìn)一步研究[13-14]。

        2 TiAl合金片層形成

        2.1 片層形成過(guò)程

        TiAl合金片層形成路徑對(duì)Al含量極其敏感。對(duì)于β凝固TiAl合金(Al<45%),α相首先通過(guò)有序化轉(zhuǎn)變?yōu)棣?相,然后再析出γ片層,其相變路徑可總結(jié)為α→α2→α2+γ;而對(duì)于包晶凝固TiAl合金(Al>45%),α相首先析出γ片層,其相變路徑可總結(jié)為α→α+γ→α2+γ[11,22,31]。上述兩種路徑的差異在于γ片層析出前α相是否有序化為α2相,即γ片層從不同的母相(α/α2)中析出。

        γ片層是在(α/α2+γ)相區(qū)冷卻過(guò)程中析出的,γ片層析出前后存在一些典型的特征。Li等[32]利用中子衍射法研究了Ti?47.5Al合金的片層形成發(fā)現(xiàn),在α單相區(qū)保溫過(guò)程中存在α2相的衍射環(huán),說(shuō)明在α晶粒內(nèi)存在一些有序的α2微區(qū),如圖2a所示;隨著溫度降低,當(dāng)進(jìn)入(α+γ)相區(qū),γ片層并不會(huì)立即析出,而合金冷卻到1 553 K(1 280 ℃)時(shí)才發(fā)現(xiàn)γ相的析出,如圖2b所示,這說(shuō)明在γ片層形成前存在大于50 ℃的過(guò)冷區(qū)間。在Ti?42Al、Ti?45Al、Ti?48Al和Ti?47Al?2Cr?2Nb合金中均發(fā)現(xiàn)片層形成前存在過(guò)冷區(qū)間[24-25,33-34],說(shuō)明過(guò)冷區(qū)間是TiAl合金片層形成過(guò)程中的普遍特征。通過(guò)激光共聚焦顯微鏡原位觀察片層形成時(shí)發(fā)現(xiàn),一旦γ片層開(kāi)始形成,片層形成的速度非??靃32,35]。另外,原位透射加熱實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),Ti?45Al? 7.5Nb合金片層形成過(guò)程伴隨著位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)[36]。

        圖2 中子衍射法原位觀察Ti?47.5Al合金片層形成[32]

        2.2 γ片層形成機(jī)制

        近30年來(lái),國(guó)內(nèi)外學(xué)者圍繞TiAl合金片層形成展開(kāi)了大量的研究工作。然而,片層形成機(jī)制一直存在爭(zhēng)議,主要觀點(diǎn)有“缺陷控制臺(tái)階遷移”和“位移-擴(kuò)散”2種機(jī)制[37-38]。

        片層形成的核心是α→γ相變。從晶體學(xué)角度來(lái)講,α→γ相變主要涉及2種變化:結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變(hcp→ L10+D019)和成分轉(zhuǎn)變(Al、Ti及合金元素的再分配),如圖3所示。結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變和成分轉(zhuǎn)變的先后順序決定了相變路徑和相變機(jī)制,這就可能產(chǎn)生3種情況:成分和結(jié)構(gòu)同時(shí)轉(zhuǎn)變;先結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變后成分轉(zhuǎn)變;先成分轉(zhuǎn)變后結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變。文獻(xiàn)結(jié)果表明,前2種情況是可能的,目前的片層形成機(jī)制是基于前2種情況提出的。

        圖3 α→γ相變的晶體學(xué)分析

        國(guó)內(nèi)外大多數(shù)學(xué)者認(rèn)為,片層形成過(guò)程中成分和結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變是同時(shí)完成的,稱其為“擴(kuò)散控制臺(tái)階遷移”機(jī)制。這種機(jī)制最早是Denquin等[39]于1996年提出的,認(rèn)為片層形成可以分為預(yù)形核、形核、生長(zhǎng)和有序化4個(gè)階段。研究表明,TiAl合金α相中分布著大量的層錯(cuò),這些層錯(cuò)一般被認(rèn)為是γ片層的前驅(qū)體,降低了γ片層形成的阻力,進(jìn)而通過(guò)肖克萊不全位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)來(lái)實(shí)現(xiàn)片層的縱向生長(zhǎng),并通過(guò)“平臺(tái)-臺(tái)階-扭折”(terrace-ledge-kink)的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)片層沿厚度方向的生長(zhǎng),形成fcc固溶體片層,再通過(guò)有序化轉(zhuǎn)變?yōu)長(zhǎng)10結(jié)構(gòu)的γ片層[39]。但Zhang等[22]發(fā)現(xiàn),Ti?44Al?4Nb?4Zr合金淬火過(guò)程中析出的片層為γ相,認(rèn)為片層形成過(guò)程中不存在fcc固溶體片層向γ片層有序化的過(guò)程。Pond等[38]、Shang等[40]和Aindow等[41]通過(guò)研究γ和α2片層界面上出現(xiàn)的臺(tái)階高度、Burgers矢量及這些特征的分布等進(jìn)一步完善了“平臺(tái)-臺(tái)階-扭折”這個(gè)過(guò)程,并最終提出γ片層形成“擴(kuò)散控制臺(tái)階遷移”的過(guò)程,具體可描述為:肖克萊不全位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生臺(tái)階,原子運(yùn)動(dòng)推動(dòng)臺(tái)階遷移。

        一些學(xué)者認(rèn)為,片層形成是先結(jié)構(gòu)后成分的轉(zhuǎn)變,稱其為“位移-擴(kuò)散”機(jī)制,可以簡(jiǎn)單描述為:通過(guò)肖克萊不全位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)hcp→fcc結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變,隨后通過(guò)原子擴(kuò)散實(shí)現(xiàn)成分轉(zhuǎn)變[37]。這種機(jī)制提出的依據(jù)可追溯至Co基或Co?Ni基合金中fcc→hcp馬氏體轉(zhuǎn)變[42]。TiAl合金片層形成過(guò)程中,hcp→fcc結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變作為fcc→hcp的逆相變,也能通過(guò)肖克萊不全位錯(cuò)連續(xù)滑移來(lái)實(shí)現(xiàn)。另外,Sun等[37]發(fā)現(xiàn),片層形成過(guò)程伴隨著表面浮凸,因此認(rèn)為片層形成過(guò)程是先完成結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變,隨后通過(guò)擴(kuò)散實(shí)現(xiàn)成分轉(zhuǎn)變。Kumagai等[43]發(fā)現(xiàn),Ti-48Al合金在1 000 ℃下回火30 s便會(huì)析出大量的γ孿晶片層,表明片層的形成過(guò)程非??欤@也與馬氏體相變速度快的特點(diǎn)相契合。

        2.3 片層內(nèi)的γ變體選擇

        片層組織中存在大量的界面,包括平行于片層方向和與片層方向呈一定角度的界面,這些界面包括α2/γ界面和γ/γ界面,其中,α2/γ界面一般平行于片層方向;而γ/γ界面可能平行于片層方向,也可能與片層方向呈一定角度,與片層方向呈一定角度的界面一般分布在γ片層內(nèi)部[21,25,44]。大量γ/γ界面的出現(xiàn)主要是由于γ片層內(nèi)部分布著大量的有序疇,這些有序疇呈現(xiàn)出6個(gè)不同的取向,故每一個(gè)有序疇可以看成一個(gè)γ變體,相鄰的變體相遇時(shí)會(huì)形成相應(yīng)的界面[21]。

        由于γ相為L(zhǎng)10結(jié)構(gòu)(/=1.02),導(dǎo)致片層團(tuán)內(nèi)的有序疇分別屬于6種γ變體[21,39,44-46]。L10結(jié)構(gòu)存在ABCABC和ACBACB兩種堆垛次序,6種變體可以分為2個(gè)變體組,如圖4a所示,V1/V3/V5屬于ABCABC變體組,而V2/V4/V6屬于ACBACB變體組[32]。這就會(huì)導(dǎo)致相鄰的變體之間形成完美契合界面(Perfect-fitting boundary,簡(jiǎn)稱PFB)、真孿晶界面(Ture-twin boundary,簡(jiǎn)稱TTB)、偽孿晶界面(Pseudo-twin boundary,簡(jiǎn)稱PTB)、120°旋轉(zhuǎn)有序疇界(120° rotated ordered domain boundary,簡(jiǎn)稱ODB)等4種界面[21,44],如圖4b所示。其中,同一取向的兩個(gè)變體形成的界面為PFB,而同一變體組內(nèi)不同取向的兩個(gè)變體形成ODB,不同變體組中的兩個(gè)變體之間會(huì)形成TTB和PTB兩種界面。某個(gè)變體沿[111]晶帶軸旋轉(zhuǎn)60°所形成的變體與原變體之間形成的界面為PTB,而變體旋轉(zhuǎn)180°后得到的變體與原變體之間的界面為T(mén)TB[21,44]。

        近年來(lái),片層團(tuán)內(nèi)界面的相關(guān)研究已成為一個(gè)熱點(diǎn)。目前,許多學(xué)者通過(guò)分子動(dòng)力學(xué)和原位拉伸實(shí)驗(yàn)研究了片層團(tuán)界面對(duì)性能的影響[47-54],發(fā)現(xiàn)ODB的塑性和斷裂韌性是最好的,而TTB的強(qiáng)度最高,但斷裂韌性較差[49-50]。片層界面在載荷作用下的變形行為也是不同的,TTB界面會(huì)發(fā)生遷移和湮沒(méi),而PTB和ODB并不能直接遷移,但它們首先會(huì)轉(zhuǎn)變?yōu)門(mén)TB,新形成的TTB界面也能遷移和湮沒(méi)[48]。

        單個(gè)γ片層內(nèi)的變體屬于同一變體組,即這些變體的堆垛次序是相同的。因此,單個(gè)γ片層內(nèi)部?jī)H可能存在PFB和ODB兩種界面,但PFB十分罕見(jiàn)[21,55-56]。不同γ片層相鄰時(shí),兩個(gè)γ片層中的變體可以屬于同一變體組,也可以屬于不同變體組[25]。當(dāng)2個(gè)相鄰γ片層具有相同的堆垛次序時(shí),會(huì)增加體系的應(yīng)變能,故相鄰的γ變體大概率會(huì)屬于不同的變體組,這也導(dǎo)致相鄰γ變體所形成的界面以TTB和PTB居多[45-46]。相鄰變體的類(lèi)型會(huì)影響界面分布,而界面的能量十分容易計(jì)算得到,且可作為研究變體選擇的重要依據(jù),因此,許多國(guó)內(nèi)外學(xué)者均通過(guò)統(tǒng)計(jì)不同界面出現(xiàn)的概率來(lái)研究變體選擇機(jī)制[21,44,57-58]。

        Denquin等[39]在基于無(wú)序fcc固溶體片層存在的前提下,提出了γ片層內(nèi)的變體是隨機(jī)形核的假設(shè)。一般來(lái)講,隨機(jī)形核時(shí)4種界面的比例為:PFB:ODB: TTB:PTB=1∶2∶1∶2[21],Ti-48Al-2Cr-2Nb合金砂冷后片層組織中的界面分布統(tǒng)計(jì)結(jié)果符合這一比例[44]。Dey等[44]總結(jié)了文獻(xiàn)中統(tǒng)計(jì)的γ/γ界面分布結(jié)果,認(rèn)為T(mén)TB出現(xiàn)的頻率是最高的,這也說(shuō)明片層形成過(guò)程中發(fā)生了γ變體選擇。

        一些學(xué)者提出了最小化界面能理論來(lái)解釋出現(xiàn)高比例TTB的原因。根據(jù)計(jì)算得到,不同界面的能量比值范圍為:TTB∶ODB∶PTB=1∶2∶3~1∶6∶7[55,57,59],認(rèn)為T(mén)TB的能量是最低的,高比例TTB的出現(xiàn)可以降低片層組織的能量?;谧钚』缑婺芾碚?,Zghal等[57]提出了疇界遷移機(jī)制來(lái)解釋高比例TTB界面出現(xiàn)的原因,如圖5所示。在片層形成初期,α2/γ片層相間分布,此時(shí)γ片層內(nèi)部分布著大量的有序疇(圖5a);隨著γ片層的生長(zhǎng),片層團(tuán)內(nèi)出現(xiàn)了大量相鄰的γ片層,當(dāng)相鄰γ片層中的變體類(lèi)型相同時(shí),這些變體會(huì)進(jìn)行合并以消除兩個(gè)變體之間的界面(圖5b)。另外,γ片層內(nèi)部的ODB也會(huì)發(fā)生遷移,消除高能的PTB,以增加TTB的比例,如圖5c所示。

        圖5 疇界遷移機(jī)制示意圖[57]

        Zghal等[24-25]則從片層形成的角度對(duì)高比例TTB現(xiàn)象進(jìn)行了解釋,并提出了最小應(yīng)變能理論,認(rèn)為兩種情況下形成的片層可以增加TTB:一是在已經(jīng)形成的γ片層界面處形成一個(gè)呈孿晶關(guān)系的γ片層;二是兩個(gè)呈孿晶關(guān)系的γ片層在α/α2基體中獨(dú)立形核和生長(zhǎng)。由于呈現(xiàn)孿晶關(guān)系的γ片層堆垛次序是不同的,不同的堆垛次序可以降低應(yīng)變能。

        雖然上述兩種機(jī)制均能解釋高比例TTB出現(xiàn)的原因,但單個(gè)γ片層中存在大量有序疇的原因并不明確,這些有序疇是否也受變體選擇的影響還需要深入研究。另外,最小化界面能和最小化應(yīng)變能兩種理論還缺乏大量的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)支撐。

        3 片層組織穩(wěn)定性及其影響因素

        3.1 組織穩(wěn)定性

        作為高溫結(jié)構(gòu)材料,TiAl合金在服役時(shí)會(huì)長(zhǎng)期暴露在復(fù)雜的高溫和應(yīng)力環(huán)境下。為保證TiAl合金構(gòu)件的安全性和可靠性,要求其顯微組織和性能在服役狀態(tài)下表現(xiàn)得非常穩(wěn)定。凝固和熱加工后TiAl合金的顯微組織處于非平衡態(tài),在合金的服役溫度區(qū)間(650~850 ℃)內(nèi)會(huì)逐漸向平衡態(tài)的相組成和元素分布演變,主要發(fā)生一些擴(kuò)散型的相變并產(chǎn)生相應(yīng)的析出相。研究表明,在高溫服役環(huán)境下,TiAl合金的片層會(huì)發(fā)生分解,并造成力學(xué)性能和蠕變性能的降低[12-15,27,60]。

        在片層團(tuán)內(nèi)部,由于α2片層的元素組成偏離平衡成分,在熱(熱暴露)和熱力耦合(蠕變)條件下會(huì)發(fā)生平行分解和垂直分解[12]。平行分解一般指γ片層從α2片層中析出及γ片層粗化的過(guò)程,而垂直分解一般指片層破碎的過(guò)程,包括β0、ω、O相等析出相從α2片層中析出及細(xì)片層等軸化[12-15,61]。細(xì)片層等軸化的現(xiàn)象不僅出現(xiàn)在片層團(tuán)內(nèi),還出現(xiàn)在片層團(tuán)界面附近區(qū)域[13-15]。蠕變條件下的片層分解類(lèi)型和熱暴露后的分解類(lèi)型相似,不同之處在于蠕變過(guò)程中應(yīng)力會(huì)加速片層的分解。事實(shí)上,當(dāng)TiAl合金成分和服役條件確定的情況下,片層組織的穩(wěn)定性對(duì)片層特征極其敏感,包括片層成分、相含量、片層寬度和片層界面等[3,15-17]。

        3.2 影響穩(wěn)定性的因素

        影響TiAl合金顯微組織和性能穩(wěn)定的因素包括合金成分、片層特征等內(nèi)部因素,以及服役溫度、時(shí)間和應(yīng)力等外界條件[60]。服役條件的變化也會(huì)對(duì)片層組織穩(wěn)定性產(chǎn)生重要的影響,升高服役溫度、延長(zhǎng)服役時(shí)間及增大施加的應(yīng)力都會(huì)加速片層的分解。在服役條件確定的情況下,組織和性能的穩(wěn)定性對(duì)片層特征十分敏感,片層特征對(duì)穩(wěn)定性的影響也受到了國(guó)內(nèi)外學(xué)者的廣泛關(guān)注。

        3.2.1 片層成分

        片層成分是影響片層穩(wěn)定性的根本原因。Huang等[12-14]對(duì)比了Ti-44Al-8Nb-1B、Ti-44Al-4Nb-4Zr- 0.2Si-1B和Ti-44Al-4Nb-4Hf-0.2Si-1B合金經(jīng)長(zhǎng)時(shí)熱暴露(700 ℃、10 000 h)后顯微組織和力學(xué)性能的變化,發(fā)現(xiàn)用Hf和Zr來(lái)替代Nb元素可以有效地改善片層穩(wěn)定性,減小合金在熱暴露后室溫延伸率的下降幅度。Ti-44Al-8Nb-1B合金片層分解的主要原因是α2/γ/β0相中元素組成非常接近,降低了α2→γ/β0轉(zhuǎn)變的能壘,減小了相變的阻力[12]。而Zr和Hf元素在α2/γ/β0相中的元素分配系數(shù)遠(yuǎn)離1,導(dǎo)致α2→γ/β0轉(zhuǎn)變需要更多的原子擴(kuò)散,且Zr和Hf元素的擴(kuò)散系數(shù)小,使得γ/β0的析出需要更長(zhǎng)時(shí)間,在相同的時(shí)間內(nèi)α2片層分解更少,由此提高了片層的穩(wěn)定性[13-14]。Imayev等[20]則指出,Zr和Hf具有更高的固溶硬化效應(yīng),可以降低位錯(cuò)的遷移率,減緩擴(kuò)散控制的位錯(cuò)攀移和晶界弛豫的發(fā)生,提高蠕變抗力。Herrouin等[28]研究了Ti?47Al?1Cr?1Mn?2Ta?0.2Si合金在蠕變條件下的組織演化,發(fā)現(xiàn)具有低擴(kuò)散速率的Ta元素的加入可以減緩蠕變過(guò)程中位錯(cuò)的攀移來(lái)強(qiáng)化合金,認(rèn)為復(fù)雜的合金成分可以提高合金的蠕變抗力。

        除合金化外,熱處理也是調(diào)控片層成分的常見(jiàn)方法。熱處理主要是通過(guò)改變相含量來(lái)調(diào)控α2片層的元素分布。Wang等[62]研究了Ti?43.98Al?4.01Nb? 1.04Mo?0.17B合金在不同熱處理機(jī)制下的組織演化,發(fā)現(xiàn)在750~850 ℃保溫5 h時(shí),該合金α2片層中析出大量的細(xì)小γ片層,而在950~1 050 ℃保溫2 h時(shí),α2片層中則析出大量的β0相。顯然,隨著片層團(tuán)內(nèi)相含量的變化,α2片層的成分也隨之變化。事實(shí)上,在熱暴露過(guò)程中,β0、γ、ω相等析出相從α2片層析出的過(guò)程也是調(diào)控α2片層成分的過(guò)程,這使得α2片層中成分向平衡態(tài)轉(zhuǎn)變,有利于提高α2片層的穩(wěn)定性。

        3.2.2 片層厚度

        蠕變測(cè)試能夠更直觀地反應(yīng)出片層特征對(duì)穩(wěn)定性的影響,片層厚度對(duì)蠕變性能的影響與施加的應(yīng)力條件密切相關(guān)。Maruyama等[16]發(fā)現(xiàn),在大應(yīng)力條件下,細(xì)片層具有更低的蠕變速率;而在小應(yīng)力(<100 MPa)條件下,片層越薄,蠕變速率不一定越低,此時(shí)蠕變速率還與界面滑移和γ片層的動(dòng)態(tài)再結(jié)晶有關(guān)。Wang等[15]研究了大應(yīng)力(300 MPa)條件下片層厚度對(duì)蠕變性能的影響,發(fā)現(xiàn)細(xì)片層具有更為優(yōu)異的蠕變性能,其主要通過(guò)增加片層團(tuán)內(nèi)位錯(cuò)滑移的阻力和減少球狀結(jié)構(gòu)在晶界的析出來(lái)提高蠕變抗力。

        片層厚度對(duì)γ片層析出過(guò)程中的冷速及TiAl合金的成分極其敏感。冷速慢時(shí),片層較薄,而隨著冷速的增大,片層厚度會(huì)逐漸增加[15,63]。Zhang等[64]研究了Al含量對(duì)γ片層厚度的影響,發(fā)現(xiàn)當(dāng)Al含量低于41.5%時(shí),γ片層厚度隨Al含量的增加而減小,而當(dāng)Al含量大于41.5時(shí),γ片層的厚度隨著Al含量的增加而增大。

        3.2.3 相含量

        在片層團(tuán)中,由于處于過(guò)飽和的狀態(tài),α2相分解轉(zhuǎn)變是影響片層穩(wěn)定性最重要的因素,且分解一定會(huì)發(fā)生[65]。為減輕片層分解,提高片層團(tuán)內(nèi)γ片層的含量至關(guān)重要。研究表明,傳統(tǒng)的包晶凝固TiAl合金(如4822合金)中γ相含量一般在85%~95%之間,而新型β凝固TiAl合金(如TNM合金)中γ片層含量<75%[3]。Kim等[3]認(rèn)為,85%的γ相含量有助于保持合金的韌性,并可以增強(qiáng)合金的蠕變抗力。因此,設(shè)法增加β凝固TiAl合金中的γ相含量對(duì)于提高片層穩(wěn)定性是十分必要的。

        為提高TiAl合金的使用溫度,Nb和Mo等合金元素的添加會(huì)顯著影響TiAl合金的相組成,進(jìn)一步影響其顯微組織和性能的穩(wěn)定性。在片層團(tuán)界殘留的β0相會(huì)惡化TiAl合金的性能,在服役溫度下會(huì)析出ω相,這種硬脆相滑移系少且有本征脆性,會(huì)加劇合金的脆化[66-68]。因此,TiAl合金的組織中應(yīng)盡量避免片層團(tuán)界的β0相出現(xiàn)。對(duì)于新型β凝固TiAl合金,雖然通過(guò)熱加工+熱處理可以將其中的β0相控制在很低的含量,但完全消除β0相是十分困難的。一些新興材料制備技術(shù)的發(fā)展使得消除片層團(tuán)界的β0相成為可能。Wang等[62]指出,通過(guò)粉末熱等靜壓制備Ti-43.98Al-4.01Nb-1.04Mo-0.17B合金,可以獲得全片層組織,成功消除片層團(tuán)界的β0相。

        3.2.4 片層界面

        片層組織中包含大量的界面,它們的存在必然會(huì)對(duì)TiAl合金的穩(wěn)定性產(chǎn)生重要影響。研究表明,γ/γ界面的遷移和γ變體的合并是影響片層不穩(wěn)定性的表現(xiàn)之一[17]。在片層團(tuán)的界面中,α2/γ界面具有最高的穩(wěn)定性,而TTB在γ/γ界面中具有最好的穩(wěn)定性[17],因此,片層團(tuán)中含有高密度的TTB和α2/γ界面是阻止片層粗化、提高穩(wěn)定性的重要前提。

        4 結(jié)語(yǔ)

        TiAl合金組織穩(wěn)定性受片層特征和服役條件的影響,一直是學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的關(guān)注重點(diǎn)。Nb、Mo和Ta等合金化元素的添加雖然可以有效地提升TiAl合金的使用溫度,但也會(huì)給組織穩(wěn)定性帶來(lái)很大的影響,尤其是多種合金化元素的添加導(dǎo)致片層團(tuán)界殘留β0相,很難通過(guò)熱處理消除,且在服役過(guò)程中析出ω硬脆相,從而惡化TiAl合金的性能。因此,合金元素的種類(lèi)及添加量是亟需解決的問(wèn)題,與之相關(guān)的基礎(chǔ)學(xué)科問(wèn)題有待進(jìn)一步深入研究。

        在TiAl合金成分和服役條件確定的情況下,片層組織的穩(wěn)定性對(duì)片層特征十分敏感,因此,將片層特征控制在相對(duì)穩(wěn)定的范圍內(nèi)是十分重要的。細(xì)片層、>85%的γ片層含量、更多的α2/γ界面和γ/γ孿晶界面等特征的片層組織具有更為優(yōu)異的穩(wěn)定性,這為片層組織調(diào)控提供了方向。但片層特征的調(diào)控需要從片層形成初期著手,然而片層形成機(jī)制仍不明確,現(xiàn)有的理論缺乏細(xì)致的研究和大量實(shí)驗(yàn)證據(jù)支撐,尤其是片層形成過(guò)程中成分轉(zhuǎn)變的機(jī)制需要進(jìn)行系統(tǒng)的研究。同時(shí),與片層界面相關(guān)的變體選擇機(jī)制也需要進(jìn)一步研究。一些先進(jìn)的表征手段,如球差高分辨透射顯微鏡和原子探針等有助于解釋片層形成機(jī)制。

        TiAl合金目前已經(jīng)步入特定構(gòu)件性能需求-特定成分合金-特定加工工藝的研發(fā)階段。只有在充分掌握片層形成機(jī)制的基礎(chǔ)上,才能對(duì)片層特征調(diào)控等工作有更加深入的認(rèn)識(shí),為片層組織穩(wěn)定化工藝設(shè)計(jì)提供指導(dǎo),進(jìn)而提升TiAl合金的研發(fā)速率,加快TiAl合金走向新應(yīng)用的步伐。

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        Research Status of Lamellar Formation and Its Stability in TiAl Alloys

        YU Yong-hao, KOU Hong-chao, WANG Ya-rong, LI Yu-qing, LI Jin-shan

        (State Key Laboratory of Solidification Processing, Northwestern Polytechnical University, Xi'an 710072, China)

        Due to the low density and excellent high-temperature properties, TiAl alloys are important candidate replacements for Ni-based superalloys at 650-850 ℃. TiAl alloys containing lamellar microstructure exhibit excellent high-temperature properties, but the formation mechanism of lamellar microstructure and lamellar stability under elevated temperature service conditions remain a focus of interest. This paper reviews the recent research results on lamellar formation and microstructural stability, mainly analyzes the lamellar formation mechanism and variant selection of γ phase, as well as the influence of lamellar characteristics on the microstructural stability. Finally, the future research directions are also prospected.

        TiAl alloys; lamellar formation; variant selection; stability; lamellar characteristics

        10.3969/j.issn.1674-6457.2022.11.007

        TG146

        A

        1674-6457(2022)11-0064-09

        2022?09?25

        于永浩(1996—),男,博士生,主要研究方向?yàn)殁佷X合金及其組織調(diào)控技術(shù)。

        寇宏超(1973—),男,博士,教授,主要研究方向?yàn)楦咝阅茆伜辖鸺捌渲苽涑尚渭夹g(shù)。

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