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        100 G光模塊Lan-WDM合光器件的研究

        2022-11-15 03:45:10齊雙陽(yáng)劉冬梅朱忠堯張功陳延涵
        關(guān)鍵詞:信號(hào)

        齊雙陽(yáng),劉冬梅,朱忠堯,張功,陳延涵

        (1.長(zhǎng)春理工大學(xué) 光電工程學(xué)院,長(zhǎng)春 130022;2.北京空間機(jī)電研究所,北京 100049)

        數(shù)據(jù)中心具有傳輸、展示、計(jì)算數(shù)據(jù)信息等功能,是在互聯(lián)網(wǎng)上使用的全球協(xié)作的特殊設(shè)備的網(wǎng)絡(luò)。數(shù)據(jù)中心由高速光網(wǎng)脈絡(luò)相互連接,傳輸節(jié)點(diǎn)由光模塊構(gòu)成。光模塊將電信號(hào)轉(zhuǎn)化成光信號(hào)進(jìn)行傳輸,光譜吸收、光信號(hào)強(qiáng)度、偏振等因素都會(huì)影響光模塊整體的傳輸信號(hào) 功 能 。 QSFP28[1](Quad Small Form-factor Pluggable 28)是一種緊湊型、可插拔的收發(fā)器標(biāo)準(zhǔn),因其具有體積小、端口密度大、功耗低和成本低等優(yōu)勢(shì),成為了100 G光模塊的主要封裝方式,廣泛應(yīng)用于全球數(shù)據(jù)中心。近年來(lái),國(guó)內(nèi)多家科研單位及生產(chǎn)企業(yè)都對(duì)100 G QSFP28光模塊進(jìn)行了研究,旨在提高光模塊的傳輸效率,降低插入損耗。2019年,肖蠡虎等人[2]利用PAM4信號(hào)在高速傳輸方面的優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)了100 Gb/s信號(hào)在光纖上的有效傳輸,保證了100 G光模塊器件的小型化,有利于提高集成度;2020年,張博文[3]提出了一種基于COB技術(shù)的接收端設(shè)計(jì)方案,使光模塊輸出優(yōu)秀,在高低溫環(huán)境測(cè)試下傳輸性能較為穩(wěn)定,通過(guò)2 km光纖及電源注噪后傳輸性能表現(xiàn)良好。

        本文研究的是用于數(shù)據(jù)中心QSFP28 100 Gb/s光模塊,該光模塊的合光器件采用一種全新的BLOCK結(jié)構(gòu),將4路25 Gpbs Lan-WDM光信號(hào)合成一路光信號(hào)耦合到磁光隔離器,在一根單模光纖上進(jìn)行信號(hào)傳輸。該結(jié)構(gòu)的合光器件封裝時(shí),COM端合光信號(hào)出射存在一定角度,使得光信號(hào)無(wú)法準(zhǔn)直進(jìn)入磁光隔離器中,插入損耗會(huì)變大。若調(diào)整磁光隔離器的位置,則該光模塊的尺寸會(huì)增大,不利于使用。本文針對(duì)BLOCK結(jié)構(gòu)合光器件的合光信號(hào)不能準(zhǔn)直耦合進(jìn)入磁光隔離器中的問(wèn)題進(jìn)行了研究,在不影響封裝的前提下,設(shè)計(jì)了一種光信號(hào)轉(zhuǎn)折棱鏡,對(duì)其進(jìn)行理論與實(shí)驗(yàn)分析,并測(cè)試其可行性。

        1 理論分析與轉(zhuǎn)折棱鏡結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

        光模塊的合光器件為細(xì)波分復(fù)用(Lan-WDM)器件,采用BLOCK結(jié)構(gòu),由一個(gè)斜方棱鏡和四個(gè)濾光片構(gòu)成,四個(gè)濾光片均在斜方棱鏡的一側(cè),該器件的所有組成部件由BK7玻璃制成,部件之間采用紫外固化膠黏接而成。由于玻璃的熱膨脹系數(shù)CTE(Coefficient of Thermal Expansion)比較?。?],因此該 BLOCK 結(jié)構(gòu)的合光器件相較于傳統(tǒng)焊接的器件具有更好的溫度穩(wěn)定性。如圖1所示,將1 295.56 nm、1 300.05 nm、1 304.58 nm、1 309.14 nm四種波長(zhǎng)光信號(hào)復(fù)用成一路光信號(hào)以13.5°出射進(jìn)入磁光隔離器中,通過(guò)一根光纖進(jìn)行信號(hào)傳輸。

        圖1 BLOCK結(jié)構(gòu)合光器件

        該磁光隔離器為偏振相關(guān)型,應(yīng)用在光模塊封裝中,作用是讓光單向傳輸,防止反向傳輸?shù)墓庥绊懴到y(tǒng)的穩(wěn)定性。一定強(qiáng)度的連續(xù)線偏振光信號(hào)進(jìn)入磁光隔離器中,入射光強(qiáng)度I0和透射光強(qiáng)度I分別與其對(duì)應(yīng)的光功率P0、P成正比關(guān)系,正向插入損耗 IL[5]為:

        入射的線偏振光信號(hào)的偏振狀態(tài)影響光功率和光強(qiáng),從而影響整個(gè)光模塊的插入損耗,影響傳輸距離。磁光隔離器由三部分組成,即起偏器、法拉第旋轉(zhuǎn)器(磁光晶體)和檢偏器[6]。法拉第旋轉(zhuǎn)器放置在兩個(gè)偏振器前后,其中和的透光軸方向呈45°夾角,基本結(jié)構(gòu)如圖2所示。

        圖2 磁光隔離器基本結(jié)構(gòu)

        當(dāng)偏振光信號(hào)通過(guò)起偏器P1變成與其光軸方向相同的線偏振光,通過(guò)法拉第旋轉(zhuǎn)器中,磁光晶體產(chǎn)生磁光效應(yīng),使線偏振光振動(dòng)方向旋轉(zhuǎn)45°,保證了和檢偏器光軸方向一致,光信號(hào)可以正常通過(guò)進(jìn)行信號(hào)傳輸。光信號(hào)在光纖中傳輸會(huì)產(chǎn)生不必要的反射光,當(dāng)反射光經(jīng)過(guò)檢偏器P2,在通過(guò)過(guò)磁光晶體,最終線偏振光振動(dòng)方向會(huì)與起偏器光軸互相垂直,反射光被阻擋,不能進(jìn)入光模塊中。

        合光信號(hào)為線偏振光,其轉(zhuǎn)折棱鏡反射時(shí)偏振狀態(tài)變化過(guò)大影響通過(guò)隔離器的光功率,使得插入損耗偏高,影響光模塊信號(hào)的實(shí)際傳輸距離。為了保證出射光的偏振態(tài)保持一致,需要在轉(zhuǎn)折棱鏡反射面鍍膜來(lái)補(bǔ)償偏振效應(yīng)。

        1.1 偏振態(tài)分析

        由于當(dāng)光以一定的角度入射時(shí),對(duì)于多層薄膜的有效厚度改變,會(huì)導(dǎo)致S光和P光反射率、相位的改變,很難保持光的偏振態(tài)。

        光學(xué)薄膜在光傾斜入射時(shí)可等效為一線偏振器和一相位延遲器[7],可以用瓊斯矩陣表示光的偏振態(tài),還可以通過(guò)疊加計(jì)算反射后的偏振態(tài)。設(shè)入射偏振光分解成P偏振光和S偏振光,其中P光與x軸平行,S光與y軸平行,反射光對(duì)應(yīng)的瓊斯矩陣JR的形式為:

        其中,JR表示為薄膜反射面的瓊斯矩陣;DR表示線偏振器;CR表示相位延遲器;|分別為P光與S光的反射率;δR表示P光與S光的相位差?;谄駪B(tài)改變和相位延遲,經(jīng)過(guò)推導(dǎo)得到斜入射的瓊斯矩陣:

        其中,α為光所在的入射角的偏振方向與參考偏振方向的旋轉(zhuǎn)角。一般情況下,光波通過(guò)一薄膜系統(tǒng)后,反射光的偏振狀態(tài)會(huì)發(fā)生變化。因此在薄膜設(shè)計(jì)時(shí),可以利用這一特性來(lái)改變光學(xué)系統(tǒng)中光的偏振,將光波控制在理想的偏振狀態(tài)。這些因素與偏振光的入射角和薄膜的膜系有關(guān),為了維持偏振態(tài),在設(shè)計(jì)多層膜系須滿(mǎn)足 Rp=Rs,δs= δp± 180°。線偏振光在介質(zhì)高反膜反射時(shí),線偏振光的振動(dòng)方向發(fā)生了改變。記 α1、分別為入射光和反射光的振動(dòng)方位角,則由菲涅耳公式可得[8]:

        光在金屬膜中傳播時(shí)具有傍軸傾向,以相同的入射角入射時(shí)偏振效應(yīng)一般小于介質(zhì)膜[9]。對(duì)于金屬膜,P偏振的反射率最小可以近似表示為:

        其中,Rs、Rp分別為P偏振光和S偏振光的反射率。不難發(fā)現(xiàn),金屬膜的光學(xué)常數(shù)越大,其偏振效應(yīng)就越小。在近紅外區(qū),金屬膜所帶來(lái)的偏振效應(yīng)更小且具有很高的反射率。相比于介質(zhì)高反膜,金屬膜在制備工藝、材料價(jià)格方面更具有優(yōu)勢(shì),在實(shí)際使用時(shí)無(wú)需調(diào)節(jié)磁光隔離器中的磁光晶體,提高了生產(chǎn)效率。所以綜合考慮,對(duì)轉(zhuǎn)折棱鏡反射面鍍制金屬膜,并進(jìn)行相關(guān)測(cè)試與分析。

        1.2 轉(zhuǎn)折棱鏡結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

        根據(jù)轉(zhuǎn)折棱鏡的光學(xué)結(jié)構(gòu)要求,在設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮以下兩個(gè)方面:一是COM端出射的光信號(hào)要盡可能垂直入射到準(zhǔn)直器中,二是轉(zhuǎn)折棱鏡的體積不能過(guò)大,不影響封裝。

        對(duì)于已知的合光器件斜方棱鏡的倒角為74°,長(zhǎng)度為 5.297±0.05 mm,寬度為 3.247±0.05 mm,厚度為1.025±0.05 mm。轉(zhuǎn)折棱鏡尺寸在設(shè)計(jì)時(shí)存在兩個(gè)難點(diǎn),第一是設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)折棱鏡的角度,以保證垂直入射,第二是轉(zhuǎn)折棱鏡的尺寸及膠合時(shí)的相對(duì)位置。根據(jù)菲涅耳反射定律,計(jì)算出其轉(zhuǎn)折棱鏡的倒角為53°。光以13.5°進(jìn)入轉(zhuǎn)折棱鏡中,薄膜的入射角為43°,如圖3所示,在轉(zhuǎn)折棱鏡1面和2面鍍高反射膜。

        圖3 轉(zhuǎn)折棱鏡結(jié)構(gòu)圖

        2 高反射膜的研制

        鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)是常見(jiàn)的金屬薄膜材料,在近紅外區(qū)域都有很高的反射率[10]。銀的光學(xué)常數(shù)較大,引入的偏振效應(yīng)也最小,但是價(jià)格昂貴,與玻璃的附著力差,容易受硫化物影響導(dǎo)致反射率降低;金價(jià)格昂貴,與介質(zhì)膜搭配很差;銅的光譜曲線與金類(lèi)似;鋁相對(duì)來(lái)說(shuō)價(jià)格合理,化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,與基底附著性良好,與介質(zhì)材料匹配也不錯(cuò),綜合來(lái)說(shuō)選取鋁作為薄膜材料。鋁膜質(zhì)地較軟,容易損傷,而且在空氣中很容易被氧化而導(dǎo)致反射率降低,因此在鋁膜上鍍制一層SiO2介質(zhì)膜,保護(hù)鋁膜不被損傷和氧化。為保證鋁膜在目標(biāo)波段的反射率,將鋁膜的物理厚度設(shè)計(jì)為120 nm。

        薄膜是在西沃克-700真空鍍膜機(jī)制備的,如圖4所示。采用阻蒸的方法沉積鋁膜,電子束蒸發(fā)沉積SiO2介質(zhì)膜。

        首先將純度99.99%的鋁粒進(jìn)行處理,以保證干燥無(wú)污染,將鋁粒放入鎢舟進(jìn)行蒸鍍,為了防止鋁蒸發(fā)時(shí)有鋁珠掉落到鍍膜機(jī)底板發(fā)生濺射損壞基片,需要在鎢絲底部放置鋁薄片防護(hù)。手動(dòng)控制阻蒸電流,控制鋁膜的沉積速率。薄膜厚度和沉積速率利用SQC-310型晶控儀控制,并用Kaufman離子源進(jìn)行輔助沉積。在真空度達(dá)到3.0×10-3Pa時(shí),打開(kāi)離子源,轟擊基片持續(xù)10 min左右,以提高鋁膜與BK7玻璃基底的附著力,并且不加溫沉積,蒸鍍工藝如表1所示。

        表1 Al、SiO2蒸鍍工藝參數(shù)

        用日本島津公司UV-3150分光光度計(jì)對(duì)實(shí)驗(yàn)制得的樣品進(jìn)行檢測(cè),得到的光譜圖如圖5所示,反射率略微下降,原因是鋁蒸發(fā)的速率不易控制,導(dǎo)致鋁膜厚度有所偏差;而且蒸鍍鋁時(shí)對(duì)真空度要求較高,稍有變化會(huì)影響其折射率。不過(guò)在1 280~1 320 nm波段平均反射率96.8%,滿(mǎn)足要求。

        圖5 金屬膜反射率理論設(shè)計(jì)與測(cè)試曲線對(duì)比圖

        3 測(cè)試

        UV無(wú)影膠又稱(chēng)紫外固化光學(xué)光敏膠,與BK7玻璃的黏結(jié)效果良好,且具有耐溫性好、透光性高的特點(diǎn)[11]。將鍍膜后的樣品冷加工切割成所需尺寸的轉(zhuǎn)折棱鏡,采用3D影像儀測(cè)量尺寸,將尺寸合格的轉(zhuǎn)折棱鏡用UV無(wú)影膠固定在BLOCK合光處,選取五個(gè)樣品。圖6是使用3D影像儀測(cè)量轉(zhuǎn)折棱鏡尺寸及其膠合在COM端位置尺寸的測(cè)試圖。膠合前要對(duì)光膠表面進(jìn)行清理,保證清潔度;其次檢查光圈,防止光圈過(guò)高或過(guò)低導(dǎo)致脫膠;需要在恒溫的環(huán)境下進(jìn)行,以免樣品受熱不均勻,導(dǎo)致膠合困難。

        圖6 合光器件3D影像儀測(cè)試圖

        3.1 環(huán)境測(cè)試

        針對(duì)合光器件的環(huán)境性能,對(duì)合光器件進(jìn)行了一系列測(cè)試,測(cè)試結(jié)果如表2所示。

        表2 環(huán)境測(cè)試結(jié)果

        樣品經(jīng)過(guò)了環(huán)境測(cè)試,表明所制備的合光器件機(jī)械性能良好,薄膜具有很好的環(huán)境適應(yīng)能力。

        3.2 插入損耗測(cè)試

        將合光器件樣品封裝在光模塊中,用光功率計(jì)測(cè)試每一波長(zhǎng)的光功率p,再檢測(cè)通過(guò)磁光隔離器的每一波長(zhǎng)的光功率p0,根據(jù)公式(1)計(jì)算出每一波長(zhǎng)的插入損耗,總插入損耗要求小于0.7 dB時(shí)不影響傳輸距離,經(jīng)過(guò)測(cè)試,其結(jié)果如表3所示。

        由表3可知,光模塊五次測(cè)試結(jié)果均小于0.7 dB,滿(mǎn)足實(shí)際使用要求,不影響該器件的傳輸距離。該測(cè)試是在常溫下進(jìn)行的,然而光模塊實(shí)際使用可能會(huì)受到環(huán)境溫度的影響,將光模塊進(jìn)行高溫80℃與低溫-40℃的測(cè)試,測(cè)試結(jié)果如表4、表5所示。

        表3 光模塊測(cè)試結(jié)果

        從表4、表5中可以看出高溫下光模塊的插入損耗明顯提高,合光器件受到的影響較大,而低溫下的插入損耗比常溫下的偏低,合光器件性能比較穩(wěn)定??傮w看來(lái),該類(lèi)型的光模塊在高低溫工作狀態(tài)下,性能依然能夠在合理范圍內(nèi)滿(mǎn)足要求。

        表4 高溫下光模塊測(cè)試結(jié)果

        表5 低溫下光模塊測(cè)試結(jié)果

        4 結(jié)論

        本文從理論分析、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)三方面對(duì)合光器件的光學(xué)性能進(jìn)行了分析與討論,設(shè)計(jì)了一種膠合于合光器件COM端的轉(zhuǎn)折棱鏡結(jié)構(gòu),保證合光信號(hào)能夠準(zhǔn)直進(jìn)入磁光隔離器中。通過(guò)對(duì)不同界面處偏振效應(yīng)的分析,采用在轉(zhuǎn)折棱鏡上鍍膜的方法,有效減小了插入損耗,保證了信號(hào)的傳輸距離和完整性,且該合光器件通過(guò)了相應(yīng)環(huán)境測(cè)試。綜合對(duì)比,滿(mǎn)足插入損耗不超過(guò)0.7 dB條件下,鋁膜憑借其工藝簡(jiǎn)單、材料價(jià)格低、合光器件在封裝時(shí)無(wú)需調(diào)制磁光隔離器的特點(diǎn),在工業(yè)化生產(chǎn)中相較于介質(zhì)高反膜更具優(yōu)勢(shì)?;诒疚难芯克谱鞯墓饽K目前已經(jīng)投入使用,在數(shù)據(jù)中心有源器件方向有很廣闊的實(shí)用前景。

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